JP5974854B2 - はんだ接合装置及びはんだ接合方法 - Google Patents

はんだ接合装置及びはんだ接合方法 Download PDF

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Description

本発明は、はんだ接合装置及びはんだ接合方法に関する。
従来、レーザを照射することによってはんだを溶融し、はんだ接合を行うレーザ式はんだ接合装置、はんだ付け装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。レーザを用いたはんだ接合は、はんだ接合を行う箇所に直接レーザを照射してエネルギを与え、はんだを高速で加熱、溶融することができる。また、レーザを用いることにより非接触加熱となるため、はんだこて等の消耗に起因する部品交換の面でも有利となる。その一方で、レーザを用いた場合、レーザ光が電子部品に到達すると電子部品を損傷する可能性がある。また、レーザは容量を持った熱源ではないことから、加熱制御が難しく、レーザ照射箇所への照射エネルギが大きすぎると、レーザ光が電子部品に到達しない場合であっても基板や電子部品を損傷する可能性がある。上記特許文献1に開示されたレーザ式はんだ付け装置は、スルーホールを避けてパッド、端子、はんだを加熱することにより、電子部品へのレーザ光の到達を回避し、電子部品の損傷を回避することができるとしている。
特開2008−168333号公報
ところで、はんだ接合作業には、いくつかの工程が含まれ、その工程によってパッド、端子、はんだに供給すべき適切なエネルギ量は異なっている。例えば、はんだを溶融する工程では、はんだを溶融するための多量のエネルギが必要となるが、短時間で多量のエネルギを付与しようとすると、基板を損傷する可能性が高くなる。一方、基板の損傷を回避すべく長時間掛けてエネルギを付与すると、はんだ溶融に要する時間が長期化し、作業の高速化の妨げとなる。また、予備加熱工程やフィレット形成工程においても、要求されるエネルギはパッドや端子、はんだといった箇所に応じて異なっている。上記特許文献1に開示されたレーザ式はんだ付け装置は、このようなエネルギの付与という点で、改良の余地を有していた。
そこで、本明細書開示のはんだ接合装置及びはんだ接合方法は、はんだ接合操作の各工程において、レーザ光のエネルギをパッド、端子及びはんだへ適切に分配することを課題とする。
本明細書開示のはんだ接合装置は、基板上に配置される円環状のパッドと、前記パッドの円環内に臨む端子とを、前記パッド上に供給されるはんだによって接合するはんだ接合装置であって、
レーザ光源によるレーザ光の照射位置を、前記パッド上、又は、前記パッド上及び前記端子上に形成するとともに、前記パッド上に照射したレーザ光を前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させる回転駆動部を備えるレーザ照射装置と、
前記パッド上にはんだを供給するはんだ供給器と、を備える。
レーザ光をパッドの円環状に沿わせて回転移動させたり、停止させたりすることにより、はんだ接合操作の各工程において、レーザ光のエネルギをパッド、端子及びはんだへ適切に分配することができる。レーザ光をパッドの円環状に沿わせて回転移動させることにより、パッドを均一な加熱をすることができる。また、回転を停止し、レーザ光をはんだへ照射した状態を保持することにより、はんだを効率よく溶融することができる。
本明細書開示のはんだ付け方法は、レーザ光源と対向する基板の第1の面側に端子を露出させて前記第1の面の裏面となる第2の面側に電子部品を配置する工程と、前記基板の前記第1の面から露出した前記端子上に第1スポット光の照射位置を設定するとともに、前記第1の面の前記端子の周囲に円環状に設けられたパッド上に第2スポット光の照射位置と半円集光の照射位置を設定し、前記第2スポット光と前記半円集光を前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させてレーザ照射を行う予備加熱工程と、前記基板の前記第1の面から露出した前記端子に第1スポット光の照射位置を設定するとともに、はんだ供給位置に第2スポット光の照射位置を設定し、前記第2スポット光の照射位置を固定した状態でレーザ照射を行うはんだ溶融工程と、前記パッド上にぬれ拡がったはんだ上に第2スポット光の照射位置と半円集光の照射位置を設定し、前記第2スポット光と前記半円集光を前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させてレーザ照射を行うフィレット形成工程と、を含む。
本明細書開示のはんだ付け方法によれば、各工程によってレーザ光のエネルギ分配をして、はんだ付け作業に含まれる各工程に応じてパッド、端子及びはんだへ適切なエネルギ分配を行うことができる。
本明細書開示のはんだ接合装置及びはんだ付け方法によれば、はんだ付け作業の各工程において、レーザ光のエネルギを付与する際に、パッド、端子、はんだへ適切なエネルギ分配を行うことができる。
図1は実施形態のはんだ接合装置の概略構成を示す説明図である。 図2は実施形態のはんだ接合装置によるレーザ光の照射の様子を示す説明図である。 図3はエキスパンダ部の動作とレーザ光の形状との関係を示す説明図である。 図4はレーザ光の径と水平方向のレーザ光源の水平方向移動距離との関係を示す説明図である。 図5はリング光整形部の動作とリング光の外径及び内径との関係を示す説明図である。 図6は実施形態のはんだ接合装置に含まれる集光レンズ部を示す説明図である。 図7は実施形態のはんだ接合装置に含まれる各レンズ通過後のレーザ光の形状を示す説明図である。 図8ははんだ接合操作における各部の動作を纏めたテーブルである。 図9は実施例のはんだ接合装置の制御の一例を示すフロー図である。 図10(A)ははんだ付け作業の開始時のはんだ接合装置の状態を示し、図10(B)はレーザの照射対象を示す説明図である。 図11(A)は予備加熱時のはんだ接合装置の状態を示し、図11(B−1)〜(B−3)は照射されたレーザの形状を示す説明図である。 図12(A)ははんだ供給及びはんだ溶融時のはんだ接合装置の状態を示し、図12(B)は照射されたレーザ光の形状を示す説明図である。 図13(A)はフィレット形成時のはんだ接合装置の状態を示し、図13(B−1)〜(B−3)は照射されたレーザの形状を示す説明図である。 図14(A)ははんだ付け終了後のはんだ接合装置の状態を示し、図14(B)ははんだ付けが完了したはんだを示す説明図である。 図15ははんだ付け作業の各工程におけるエネルギ分配の一例を纏めたテーブルである。 図16ははんだ接合装置の動作におけるエネルギ推移を示すグラフである。
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。ただし、図面中、各部の寸法、比率等は、実際のものと完全に一致するようには図示されていない場合がある。また、図面によっては、説明の都合上、実際には存在する構成要素が省略されている場合がある。また、以下の説明において、垂直方向及び水平方向は図1に示す方向とする。レーザ光の光軸方向は垂直方向と一致し、レーザ光の光軸と直交する方向は、水平方向と一致するものとして説明する。また、各図において、レーザ光の形状を示す外縁を点線により描いている。
(実施形態)
≪全体構成≫
図1は実施形態のはんだ接合装置100の概略構成を示す説明図である。図2は実施形態のはんだ接合装置100が備えるレーザ照射装置1によるレーザ光の照射の様子を示す説明図である。はんだ接合装置100は、レーザ照射装置1と、はんだ供給器60を備えている。はんだ接合装置100は、後に詳述するように、基板81上に配置される円環状のパッド81aと、このパッド81aの円環内に臨む端子82aとを、はんだ供給器60によってパッド81a上に供給されるはんだ61によって接合する。レーザ照射装置1は、レーザ光源12によるレーザ光の照射位置を、パッド81a上、又は、パッド81a上及び端子82a上に形成することができる。そして、パッド81a上に照射したレーザ光をパッド81aの円環状に沿わせて回転移動させる回転駆動部を備えている。具体的に、後述する集光レンズ部50を水平面内で回動させる第4アクチュエータ53を備えている。
レーザ照射装置1は、エキスパンダ部10、リング光整形部30及び集光レンズ部50を備えている。エキスパンダ部10、リング光整形部30及び集光レンズ部50は垂直方向に上方からこの順に積層されて設けられている。また、エキスパンダ部10の上側には、後述するようにレーザ光源12が搭載されている。レーザ照射装置1は、エキスパンダ部10とリング光整形部30とをレーザ光源12が発するレーザ光の光軸と直交する方向に相対移動させて、直進光のリング光整形部30への入射状態を変更する駆動部(第2アクチュエータ17)を備えている。図2を参照すると、レーザ光源12により照射されたレーザ光は、エキスパンダ部10、リング光整形部30及び集光レンズ部50を通過することにより、第1スポット光S1、第2スポット光S2及び半円集光SHとして照射される。ここで、第1スポット光S1と第2スポット光S2は、垂直方向においてほぼ同じ位置に焦点を結ぶスポット光である。一方、半円集光SHは、第1スポット光S1や第2スポット光S2よりも深い位置、すなわち、レーザ光源12からの垂直方向距離が、第1スポット光S1や第2スポット光S2よりも離れた位置に焦点を結ぶ光である。この光が第1スポット光S1や第2スポット光S2の焦点位置と同じ垂直方向位置で観察されると、半円形の照射形状となる。なお、後に詳述するように半円集光SHは、リング状に整形されたレーザ光の一部が集光レンズ部50に含まれる第3集光レンズ51cを通過することによって整形されるため、リング形状(ドーナツ形状)の一部を切り出した形状となる。
はんだ供給器60は、はんだ61を供給する。はんだ接合装置100は制御部70を備える。制御部70は、後に説明するようにはんだ接合装置100に含まれる各部と電気的に接続され、はんだ接合装置100を制御する。制御部70の制御により、はんだ接合装置は、はんだ接合操作における予備加熱工程、はんだ溶融工程及びフィレット形成工程を行う。
≪エキスパンダ部≫
エキスパンダ部10は、第1フレーム部材11を備えている。第1フレーム部材11の上側にはレーザ光源12が搭載されている。第1フレーム部材11には、垂直方向に延びる第1支柱13が装着されている。第1支柱13の表面には螺糸が設けられている。そして、第1フレーム部材11には、第1支柱13を回転駆動する第1アクチュエータ14が装着されている。
エキスパンダ部10には、第1レンズ保持枠16に保持されたコリメートレンズ15を備えている。コリメートレンズ15は、エキスパンダレンズとしても機能する。第1レンズ保持枠16は、第1支柱13に装着されており、第1アクチュエータ14によって第1支柱13が回転することによって、垂直方向に往復移動することができる。コリメートレンズ15は、レーザ光源12から照射された拡散光を直進光に変換する。そして、第1レンズ保持枠16を垂直方向に移動させることにより、直進光の径を調整することができる。このように、エキスパンダ部10は、レーザ光源12によって照射されたレーザ光を径が調整された直進光として出力する。
レーザ光源12と第1アクチュエータ14は、それぞれ制御部70と電気的に接続されており、制御部70によってその動作が制御されている。以下、表1、表2及び図3、図4を参照しつつ、エキスパンダ部の動作に伴うレーザ光の形状の変化について説明する。
ここでは、図3に示すように、後述する第1アキシコレンズ34と第2アキシコレンズ36との間の距離L2を固定した場合について、説明する。表1に示すように、コリメートレンズ15が上昇し、レーザ光源12とコリメートレンズ15との間の距離L1が縮まると、リング光整形部30へ入射するレーザ光のビーム径Rbが細くなる。これにより、リング光の内径Riは、拡大する。リング光の外径Roは、第1アキシコレンズ34と第2アキシコレンズ36との間の距離L2を固定しているため、変化しない。一方、コリメートレンズ15が下降し、レーザ光源12とコリメートレンズ15との間の距離L1が伸びると、リング光整形部30へ入射するレーザ光のビーム径Rbが太くなる。これにより、リング光の内径Riは、縮小する。リング光の外径Roは、第1アキシコレンズ34と第2アキシコレンズ36との間の距離L2を固定しているため、変化しない。このように、リング光の内径Riを変化させると、後述する集光レンズ部50が備える第1集光レンズ51aへ入射状態を変化させることができる。すなわち、内径Riが第1集光レンズ51aの径よりも小さければ、レーザ光が第1集光レンズ51aに入射する。また、第1集光レンズ51aを通過することによって照射される第1スポット光S1へのエネルギ供給量を制御することができる。
(表1)
Figure 0005974854
表2を参照すると、コリメートレンズ15を上昇させ、レーザ光源12とコリメートレンズ15との間の距離L1が縮まると、リング光整形部30へ入射するレーザ光のビーム径Rbが細くなる。一方、コリメートレンズ15を下降させ、レーザ光源12とコリメートレンズ15との間の距離L1が伸びると、リング光整形部30へ入射するレーザ光のビーム径Rbが太くなる。エキスパンダ部はリング光整形部30に対して水平方向に相対移動することができる。図4を参照すると、この相対移動により、レーザ光の分配の比率を変更することができる。このとき、レーザ光のビーム径Rbが細いと、水平方向移動距離Mを小さくすることができる。図4を参照すると、例えば、レーザ光の分配比率を1:4にしようとする場合に、ビーム径Rbが細い方がビーム径Rbが太いときよりも、水平方向移動距離Mが少なくて済むことがわかる。水平方向移動距離Mが少なければ移動時間が短くなるため、有利となる。
(表2)
Figure 0005974854
≪リング光整形部≫
リング光整形部30は、第2フレーム部材31を備えている。第2フレーム部材31には、第1フレーム部材11が水平方向に移動可能に搭載されている。ここで、水平方向は、上述したように、レーザ光源が発するレーザ光の光軸と直交する方向である。第2フレーム部材31には、第2アクチュエータ17が搭載されている。第2アクチュエータ17は、エキスパンダ部10とリング光整形部とを水平方向に相対移動させる駆動部に相当する。本実施形態では、第2アクチュエータ17は、エキスパンダ部10をリング光整形部30が備える第2フレーム部材31に対して移動させる。これにより、コリメートレンズ15より出力された直進光のリング光整形部30への入射状態が変更される。
第2フレーム部材31には、垂直方向に延びる第2支柱32が装着されている。第2支柱32の表面には螺糸が設けられている。そして、第2フレーム部材31には、第2支柱32を回転駆動する第3アクチュエータ33が装着されている。
リング光整形部30は、第2レンズ保持枠35に保持された第1アキシコレンズ34を備えている。第2レンズ保持枠35は、第2支柱32に装着されており、第3アクチュエータ33によって第2支柱32が回転することによって、垂直方向に往復移動することができる。第1アキシコレンズ34は、コリメートレンズ15から出力された直進光をリング光に整形する。そして、第2レンズ保持枠35を垂直方向に移動させることにより、リング光の寸法、具体的に、リング光の外径Roと内径Riとを調整することができる。リング光整形部30は、第1アキシコレンズ34と垂直方向に並列して配置された第2アキシコレンズ36を備えている。第2アキシコレンズ36の垂直方向位置は、固定されている。第2アキシコレンズ36は、第1アキシコレンズによってリング状に整形されたレーザ光の寸法を保ちつつ出力する。すなわち、第1アキシコレンズ34から出力されたレーザ光は拡散するように進行し、第2アキシコレンズ36は、リング状に整形されて拡散するように進行してきたレーザ光を直進させる。このように、リング光整形部30は、エキスパンダ部10によって径が調整された直進光を所望の寸法を有するリング光に整形する。なお、第2アキシコレンズ36を垂直方向に移動可能に設置し、第1アキシコレンズ34を固定状態としてもよい。また、双方のアキシコレンズを垂直方向に移動可能に設置してもよい。要は、双方のアキシコレンズ間の距離を変更することができればよい。
第2アクチュエータ17と第3アクチュエータ33は、それぞれ制御部70と電気的に接続されており、制御部70によってその動作が制御されている。以下、表3及び図5を参照しつつ、リング整形部の動作に伴うレーザ光の形状の変化について説明する。
図5に示すように、第1アキシコレンズ34を上昇させ、すなわち、第1アキシコレンズ34と第2アキシコレンズ36との間の距離L2を延ばすと、表3に示すようにリング光の内径Riが拡大し、リング光の外径Roも拡大する。一方、第1アキシコレンズ34を下降させ、すなわち、第1アキシコレンズ34と第2アキシコレンズ36との間の距離L2を縮めると、表3に示すようにリング光の内径Riが縮小し、リング光の外径Roも縮小する。このようにリング光の内径Ri及び外径Roを変化させることにより、後述する集光レンズ部50が備える第1集光レンズ51aへ入射状態を変化させることができる。すなわち、内径Riが第1集光レンズ51aの径よりも小さければ、レーザ光が第1集光レンズ51aに入射する。また、第1集光レンズ51aを通過することによって照射される第1スポット光S1へのエネルギ供給量を制御することができる。リング光の内径Ri及び外径Roの双方が変化するためエネルギの変化率が大きくなる。
(表3)
Figure 0005974854
≪集光レンズ部≫
図6は実施形態のはんだ接合装置1に含まれる集光レンズ部50を示す説明図である。集光レンズ部50は、第1集光レンズ71a、第2集光レンズ及び第3集光レンズ51cを寄せ集めた組み立てレンズ51を第3レンズ保持枠52で保持して形成されている。具体的に、円形の第1集光レンズ51aの周囲を第2集光レンズ51bと第3集光レンズ51cで取り囲んだ状態で組み立てレンズ51が形成されている。第1集光レンズ51a、第2集光レンズ51b及び第3集光レンズ51cはいずれも単集光レンズである。第1集光レンズ51aは、第1スポット光S1を形成する。第2集光レンズ51bは第2スポット光S2を形成する。第3集光レンズ51cは半円集光SHを形成する。第2アキシコレンズ36から出力されたリング光が第1集光レンズ51a〜第3集光レンズ51cに対してどのような割合(面積割合)で入射するかによって、第1スポット光S1、第2スポット光S2及び半円集光SHのエネルギ分配が調整される。例えば、第2集光レンズ51bへ入射するリング光の割合(面積割合)が大きくなると、第2スポット光S2へのエネルギ分配が大きくなる。一方、第2アキシコレンズ36から出力されたリング光が第2集光レンズ51bと第3集光レンズ51cにのみ入射するときは、第1スポット光S1は形成されない。
集光レンズ部50は、第3レンズ保持枠52を水平面内で回動させる第4アクチュエータ53を備えている。第4アクチュエータ53は、集光レンズ部50を回転させる回転駆動部の一例である。第4アクチュエータ53が作動することにより、組み立てレンズ51は、第1スポット光S1を通過して垂直方向に延びる軸回りに回動することができる。集光レンズ部50は、エンコーダ71を備えており、このエンコーダ71により第3レンズ保持枠52がどれだけ回転したかを把握することができる。第4アクチュエータ53とエンコーダ71は、それぞれ制御部70と電気的に接続されており、第4アクチュエータ53の動作は、制御部70によって制御されている。
以上がはんだ接合装置100の全体構成である。ここで、図7を参照してはんだ接合装置1に含まれる各レンズ通過後のレーザ光の形状について説明する。図7における(B−1)は、レーザ光源12から照射され、いずれのレンズも通過していない状態のレーザ光の形状を示している。この段階においてレーザ光の形状は、リング形状ではなく、円形である。この円形の直径は、コリメートレンズ15の垂直方向位置によって変化する。図7における(B−2)は、第1アキシコレンズ34を通過した後のレーザ光の形状を示している。この段階においてレーザ光の形状はリング状となる。このリング状のレーザ光の外径は、第2アキシコレンズ36へ入射するまで拡大する。従って、第1アキシコレンズ34と第2アキシコレンズ36との間の垂直方向距離が長くなるほど、第2アキシコレンズ36に入射するリング光の外径及び内径は拡大する。図7における(B−3)は、第2アキシコレンズ36を通過した後のレーザ光の形状を示している。この段階においてレーザ光の形状はリング状である。そして、そのリング光の外径及び内径は、第2アキシコレンズ36へ入射した時点での外径Roと内径Riが維持されている。図7における(B−4)は組み立てレンズ51に含まれる第1集光レンズ51a、第2集光レンズ51b及び第3集光レンズ51cを通過し、最終的な照射位置におけるレーザ光の形状を示している。最終的に、レーザ光は、第1スポット光S1、第2スポット光S2及び半円集光SHとなって照射される。第1スポット光S1の最終的な照射位置の垂直方向位置は、基板81の第1の面すなわち、組み立てレンズ51と対向する面から露出した端子82aである。また、第2スポット光S2及び半円集光SHの最終的な照射位置の垂直方向位置は、はんだ接合の対象となる基板81上に設けられたパッド81aの表面である。
図7における(C−2)及び(C−3)は、いずれもエキスパンダ部10とリング光整形部30とを水平方向にずらしてエネルギ分配の比率を変化させた場合の一例を示している。(B−2)や(B−3)に示す状態では同心円状であったリング形状が崩れ、(C−2)や(C−3)に示す状態では照射面積に偏りがみられる。この照射面積の偏りに起因してエネルギ分配の比率が変化する。
以上説明したようにはんだ接合装置100が備えるはんだ接合装置1は、エネルギ分配を変更することができる。このエネルギ分配をはんだ付け作業の各工程に応じて変化させることにより、各工程においてパッド81a、端子82a、はんだ61へ適切なエネルギ分配を行うことができる。以下、このはんだ接合装置100を用いたはんだ付け作業の一例について図8に示すテーブル及び図9に示すフロー図、図10〜図14に示す各工程におけるはんだ接合装置100の状態とレーザ光の照射状態を参照しつつ説明する。また、併せて、図15及び図16を参照して、各工程におけるエネルギ分配の例について説明する。なお、図15におけるエネルギには、レーザ反射ロスは含まれていない。
はんだ接合装置100によるはんだ接合操作には、開始状態に準備する工程、予備加熱工程、はんだ溶融工程及びフィレット形成工程が含まれる。図9に示すフロー図において、ステップS1〜ステップS2が開始状態に準備する工程に相当する。そして、ステップS3〜ステップS4が予備加熱工程に相当し、ステップS5〜S9がはんだ溶融工程に相当する。また、ステップS10〜ステップS13がフィレット形成工程に相当する。はんだ付け作業は、制御部70によって主体的に行われる。また、図11を参照すると、レーザ光源12から供給されるエネルギ総和は全工程を通して10Jに設定されている。
≪開始状態≫
図10(A)及び(B)を参照すると、まず、はんだ接合の対象となる基板81と電子部品82を準備する。具体的に、レーザ光源12と対向する基板81の第1の面側に端子82aを露出させて第1の面の裏面となる第2の面側に電子部品82を配置する。また、これと併せて、ステップS1における措置として、第1アクチュエータ14を作動させて、直進光の径が拡大する方向にコリメートレンズ15を移動させておく。具体的に、コリメートレンズ15をレーザ光源12から離れる方向に移動させておく。また、第3アクチュエータ33を作動させて、半円集光SH、第1スポット光S1及び第2スポット光S2が照射され、このときのエネルギ分配が、
半円集光SH+第1スポット光S1:第2スポット光S2=3:1
となるように第1アキシコレンズ34を移動させておく。このエネルギ分配は適宜変更することができる。
ステップS1に引き続き行われるステップS2では、第4アクチュエータ53を作動させ、リング光と第1スポット光S1とが照射可能な状態としておく。ここで、リング光は、半円集光SHと第2スポット光S2とが、第4アクチュエータ53の作動に伴って回転することにより形成される。ステップS2では、併せてエンコーダ71による位置検出を開始する。
≪予備加熱工程≫
ステップS2に引き続いて行われるステップS3及びステップS4において予備加熱が行われる。制御部70は、予備加熱工程において、パッド81a上及び端子82a上にレーザ光を照射すると共にパッド81a上に照射されたレーザ光を前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させる。図8を参照すると、より具体的に、コリメートレンズ15、第1アキシコレンズ34を共に下降状態とする。これにより、第1スポット光S1、第2スポット光S2及び半円集光SHを作り出す。図15及び図16を参照すると、予備加熱工程では、パッド81aに7J、端子82aに3Jが供給されるようにエネルギ分配が行われる。この時点では、はんだ61は供給されていないので、はんだに供給されるエネルギは0Jである。予備加熱工程では、レーザ光源12の移動、すなわち、エキスパンダ部10とリング光整形部30との相対移動は行わないが、第4アクチュエータ53により集光レンズ部50を回転させる。これにより、パッド81aを均一に予備加熱することができる。
ステップS3では、レーザ光源12によるレーザ照射がon状態とされ、予備加熱時間のカウントが開始される。図11(A)を参照すると、予備加熱工程では、図10(A)を参照して説明した開始状態を維持しつつレーザ照射が行われる。具体的に、基板81の第1の面から露出した端子82a上に第1スポット光S1の照射位置が設定される。また、第1の面の端子82aの周囲に設けられたパッド81a上に第2スポット光S2の照射位置と半円集光SHの照射位置が設定されてレーザ照射が行われる。図11(B−1)を参照すると、レーザ照射の開始直後は半円集光SHと第2スポット光S2とがパッド81aを照射する。図11(B−2)を参照すると、第4アクチュエータ53が作動しているため、半円集光SHと第2スポット光S2がパッド81a上で回転する。そして、図11(B−3)を参照すると、リング光が形成される。なお、第1スポット光S1は一貫して端子82aを照射し、エネルギを与えている。ステップS4では、予備加熱カウントの完了を確認する。ここで、予備加熱時間は、パッド81aに7Jのエネルギを付与することができ、端子82aに3Jのエネルギを付与することができる時間に設定されている。予備加熱カウント完了が確認されると、予備加熱は完了したものとしてステップS5へ進む。
≪はんだ溶融工程≫
ステップS4に引き続いて行われるステップS5〜ステップS9においてはんだ溶融が行われる。制御部70は、はんだ供給器60にパッド81a上にはんだ61を供給させるとともに、供給されたはんだ61上にレーザ光を照射し、その状態を保持させる、すなわち、回転移動は行わない。図8を参照すると、より具体的に、コリメートレンズ15を上昇させ、第1アキシコレンズ34の下降状態を維持する。これにより、第1スポット光S1、第2スポット光S2及び半円集光SHを作り出す。はんだ溶融工程では、レーザ光源12の移動、すなわち、エキスパンダ部10とリング光整形部30との相対移動を行い、上述のように第4アクチュエータ53による集光レンズ部50の回転は行わない。図15及び図16を参照すると、はんだ溶融工程では、パッド81aに1J、端子82aに1J、はんだ61に8Jが供給されるようにエネルギ分配が行われる。これにより、パッド81a及び端子82aは保温され、はんだ61が加熱及び溶融される。すなわち、図12(A)、(B)を参照すると、基板81の第1の面から露出した端子82aに第1スポット光S1の照射位置が設定される。また、はんだ供給位置に第2スポット光S2の照射位置が設定される。そして、レーザ光源12から照射されるレーザ光の第2スポット光S2へのエネルギの分配比率を第1スポット光S1への分配比率よりも高く設定する。
ステップS5では、エンコーダ71の出力に基づいて、第2スポット光S2がはんだ供給器60によるはんだ供給位置に位置決めできたか否かを判断する。ステップS5でYesと判断したときは、ステップS6へ進む。一方、ステップS5でNoと判断したときは、Yesと判断するまでステップS5の措置を繰り返す。
ステップS6では、はんだ供給位置に第2スポット光S2の照射位置を設定した状態で第4アクチュエータ53の回転を停止させる。そして、ステップS6に引き続いて行われるステップS7では、第1アクチュエータ14と第3アクチュエータ33とを作動させて、第2スポット光S2となるリング光を形成する。また、これとともに、第2アクチュエータ17を作動させて、エキスパンダ部10をリング光整形部30に対して水平方向に移動させる。これにより、図7における(C−3)で示すように照射面積の偏りが生じる。これにより、第2スポット光S2によるエネルギ付与の割合が高くなる。この結果、はんだ61に集中的にエネルギが分配される状態となる。
ステップS7に引き続いて行われるステップS8では、はんだ供給器60によりはんだ61の供給が行われる。そして、予め定められた時間が経過し、所定量のはんだ61の供給が完了すると、ステップS9においてはんだ供給は終了となる。供給されたはんだ61は、高いエネルギ状態とされた第2スポット光S2によって迅速に加熱され、溶融する。溶融したはんだ61は、パッド81a上にぬれ拡がる。
≪フィレット成形工程≫
ステップS9に引き続いて行われるステップS10〜ステップS13において、フィレット形成が行われる。制御部70は、パッド81a上にレーザ光を照射すると共にパッド81a上に照射されたレーザ光をパッド81aの円環状に沿わせて回転移動させる。図8を参照すると、より具体的に、コリメートレンズ15の上昇状態を維持し、第1アキシコレンズ34を上昇状態とする。これにより、第1スポット光S1を消滅させ、第2スポット光S2及び半円集光SHを作り出す。フィレット形成工程では、レーザ光源12の移動、すなわち、エキスパンダ部10とリング光整形部30との相対移動は行わず、予備加熱工程と同様のポジションに復帰させる。そして、第4アクチュエータ53による集光レンズ部50の回転を行う。これにより、ぬれ拡がったはんだ61、パッド81aを均一に加熱することができ、フィレットを形成することができる。図15及び図16を参照すると、フィレット形成工程では、パッド81aに1J、端子82aに1J、はんだ61に8Jが供給されるようにエネルギ分配が行われる。これにより、パッド81a及び端子82aは保温され、はんだ61が加熱される。ただし、フィレット形成工程では、後述するように第1スポット光S1は照射されない。このため、端子82aには、第1スポット光S1は照射されず、端子82aは間接的にエネルギが付与され、保温される。
フィレット形成工程では、パッド81a上にぬれ拡がったはんだ61上に第2スポット光S2の照射位置と半円集光SHの照射位置が設定されレーザ照射が行われる。これを実現するために、ステップS10では、第2アクチュエータ17を水平作動させて、エキスパンダ部10の位置を当初の位置に復帰させてエネルギが均等に配分される位置とする。また、第3アクチュエータ33を作動させて、リング光の寸法を半円集光SHと第2スポット光S2を実現する寸法に調整する。具体的にレーザ光源12に近づく方向に第1アキシコレンズ34を移動させてリング光が第1集光レンズ51aに入射しない寸法に調整する。これにより、図13における(B−1)に示すようにパッド81上にぬれ拡がったはんだ61上に第2スポット光S2と半円集光SHが照射される。
そして、ステップS10に引き続いて行われるステップS11で、第4アクチュエータ53が作動することにより、図13における(B−2)や(B−3)に示すように、リング状の照射が実現される。ステップS11では、レーザをoffするためのカウントを開始する。そして、ステップS12において、レーザをoffするカウントが完了したことを確認すると、レーザ照射をoffする。ここで、レーザをoffするための時間は、フィレットを形成するための時間として予め定められている。ステップS12に引き続いて行われるステップS13では、第4アクチュエータ53の作動を停止する。
≪作業終了後≫
図14を(A)、(B)を参照すると。一連の工程が終了した後は、次回のはんだ付作業に移行すべく、図10(A)に示した状態に各レンズを移動させておく。
以上が、はんだ接合装置100を用いたはんだ接合操作、はんだ接合方法の一例である。実施形態のはんだ接合装置、はんだ接合方法によれば、各工程によってレーザ光のエネルギ分配をして、はんだ付け作業に含まれる各工程に応じてパッド、端子及びはんだへ適切なエネルギ分配を行うことができる。この結果、はんだ付けの作業時間を短縮しつつ、基板やパッド、電子部品の損傷を抑制し、はんだ接合の品質を向上させることができる。また、単一のレーザ光源のエネルギ分配を行っているため、はんだ接合装置が必要とするレーザ光源を少なくすることが可能となり、はんだ接合装置の製造コストを抑制することができる。
以上本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
(付記1)
基板上に配置される円環状のパッドと、前記パッドの円環内に臨む端子とを、前記パッド上に供給されるはんだによって接合するはんだ接合装置であって、
レーザ光源によるレーザ光の照射位置を、前記パッド上、又は、前記パッド上及び前記端子上に形成するとともに、前記パッド上に照射したレーザ光を前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させる回転駆動部を備えるレーザ照射装置と、
前記パッド上にはんだを供給するはんだ供給器と、
を備えるはんだ接合装置。
(付記2)
はんだ接合操作における予備加熱工程において、前記パッド上及び前記端子上にレーザ光を照射すると共に前記パッド上に照射されたレーザ光を前記回転駆動部により前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させ、
はんだ接合操作におけるはんだ溶融工程において、前記はんだ供給器に前記パッド上にはんだを供給させるとともに、前記回転駆動部による前記回転運動を停止させ、供給された前記はんだ上にレーザ光を照射し、その状態を保持させ、
はんだ接合操作におけるフィレット形成工程において、前記パッド上にレーザ光を照射すると共に前記パッド上に照射されたレーザ光を前記回転駆動部により前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させる制御部とを備える付記1に記載のはんだ接合装置。
(付記3) 前記レーザ照射装置は、
前記レーザ光源を備え、前記レーザ光源によって照射されたレーザ光を径が調整された直進光として出力するエキスパンダ部と、
前記エキスパンダ部によって径が調整された直進光を所望の寸法を有するリング光に整形するリング光整形部と、
前記リング光整形部によって整形されたリング光を複数の集光位置に分配する集光レンズ部と、
を備え、
前記エキスパンダ部と前記リング光整形部とを前記レーザ光源が発するレーザ光の光軸と直交する方向に相対移動させて、前記直進光の前記リング光整形部への入射状態を変更する駆動部と、を備え、
前記制御部は、前記駆動部を制御することにより前記パッド上へ照射されるレーザ光と前記端子上へ照射されるレーザ光の分配を変更する付記2記載のはんだ接合装置。
(付記4)
前記レーザ照射装置は、前記はんだ溶融工程において、前記はんだ上に照射されるスポット光と、前記パッド上に照射される半円集光を形成する請求項2又は3に記載のはんだ接合装置。
(付記5)
前記エキスパンダ部は、コリメートレンズを備えるとともに、前記コリメートレンズと前記レーザ光源と光軸方向距離を変化させて直進光の径を調整する駆動部備える付記3に記載のはんだ接合装置。
(付記6)
前記リング光整形部は、光軸方向に配列された複数のアキシコレンズを備えた付記3に記載のはんだ接合装置。
(付記7)
前記集光レンズ部は第1スポット光を形成する第1集光レンズと、第2スポット光を形成する第2集光レンズと、半円集光を形成する第3集光レンズを含む付記3に記載のはんだ接合装置。
(付記8)
レーザ光源と対向する基板の第1の面側に端子を露出させて前記第1の面の裏面となる第2の面側に電子部品を配置する工程と、
前記基板の前記第1の面から露出した前記端子上に第1スポット光の照射位置を設定するとともに、前記第1の面の前記端子の周囲に円環状に設けられたパッド上に第2スポット光の照射位置と半円集光の照射位置を設定し、前記第2スポット光と前記半円集光を前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させてレーザ照射を行う予備加熱工程と、
前記基板の前記第1の面から露出した前記端子に第1スポット光の照射位置を設定するとともに、はんだ供給位置に第2スポット光の照射位置を設定し、前記第2スポット光の照射位置を固定した状態でレーザ照射を行うはんだ溶融工程と、
前記パッド上にぬれ拡がったはんだ上に第2スポット光の照射位置と半円集光の照射位置を設定し、前記第2スポット光と前記半円集光を前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させてレーザ照射を行うフィレット形成工程と、
を含むはんだ接合方法。
(付記9)
前記はんだ溶融工程は、前記レーザ光源から照射されるレーザ光の第2スポット光へのエネルギの分配比率を第1スポット光への分配比率よりも高く設定してレーザ照射を行う付記8に記載のはんだ接合方法。
1 レーザ照射装置 10 エキスパンダ部
11 第1フレーム部材 12 レーザ光源
13 第1支柱 14 第1アクチュエータ
15 コリメートレンズ 16 第1レンズ保持枠
17 第2アクチュエータ 30 リング光整形部
31 第2フレーム部材 32 第2支柱
33 第3アクチュエータ 34 第1アキシコレンズ
35 第2レンズ保持枠 36 第2アキシコレンズ
50 集光レンズ部 51 組み立てレンズ
51a 第1集光レンズ 51b 第2集光レンズ
51c 第3集光レンズ 52 第3レンズ保持枠
53 第4アクチュエータ 60 はんだ供給器
61 はんだ 70 制御部
71 エンコーダ 81 基板
81a パッド 82 電子部品
82a 端子 100 はんだ接合装置
S1 第1スポット光 S2 第2スポット光
SH 半円集光

Claims (6)

  1. 基板上に配置される円環状のパッドと、前記パッドの円環内に臨む端子とを、前記パッド上に供給されるはんだによって接合するはんだ接合装置であって、
    レーザ光源によるレーザ光の照射位置を、前記パッド上、又は、前記パッド上及び前記端子上に形成するとともに、前記パッド上に照射したレーザ光を前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させる回転駆動部を備えるレーザ照射装置と、
    前記パッド上にはんだを供給するはんだ供給器と、
    はんだ接合操作における予備加熱工程において、前記パッド上及び前記端子上にレーザ光を照射すると共に前記パッド上に照射されたレーザ光を前記回転駆動部により前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させ、はんだ接合操作におけるはんだ溶融工程において、前記はんだ供給器に前記パッド上にはんだを供給させるとともに、前記回転駆動部による前記回転運動を停止させ、供給された前記はんだ上にレーザ光を照射し、その状態を保持させ、はんだ接合操作におけるフィレット形成工程において、前記パッド上にレーザ光を照射すると共に前記パッド上に照射されたレーザ光を前記回転駆動部により前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させる制御部と、
    を備えるはんだ接合装置。
  2. 前記レーザ照射装置は、
    前記レーザ光源を備え、前記レーザ光源によって照射されたレーザ光を径が調整された直進光として出力するエキスパンダ部と、
    前記エキスパンダ部によって径が調整された直進光を所望の寸法を有するリング光に整形するリング光整形部と、
    前記リング光整形部によって整形されたリング光を複数の集光位置に分配する集光レンズ部と、
    を備え、
    前記エキスパンダ部と前記リング光整形部とを前記レーザ光源が発するレーザ光の光軸と直交する方向に相対移動させて、前記直進光の前記リング光整形部への入射状態を変更する駆動部と、を備え、
    前記制御部は、前記駆動部を制御することにより前記パッド上へ照射されるレーザ光と前記端子上へ照射されるレーザ光の分配を変更する請求項1に記載のはんだ接合装置。
  3. 前記レーザ照射装置は、前記はんだ溶融工程において、前記はんだ上に照射されるスポット光と、前記パッド上に照射される半円集光を形成する請求項1又は2に記載のはんだ接合装置。
  4. 前記集光レンズ部は第1スポット光を形成する第1集光レンズと、第2スポット光を形成する第2集光レンズと、半円集光を形成する第3集光レンズを含む請求項2に記載のはんだ接合装置。
  5. レーザ光源と対向する基板の第1の面側に端子を露出させて前記第1の面の裏面となる第2の面側に電子部品を配置する工程と、
    前記基板の前記第1の面から露出した前記端子上に第1スポット光の照射位置を設定するとともに、前記第1の面の前記端子の周囲に円環状に設けられたパッド上に第2スポット光の照射位置と半円集光の照射位置を設定し、前記第2スポット光と前記半円集光を前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させてレーザ照射を行う予備加熱工程と、
    前記基板の前記第1の面から露出した前記端子に第1スポット光の照射位置を設定するとともに、はんだ供給位置に第2スポット光の照射位置を設定し、前記第2スポット光の照射位置を固定した状態でレーザ照射を行うはんだ溶融工程と、
    前記パッド上にぬれ拡がったはんだ上に第2スポット光の照射位置と半円集光の照射位置を設定し、前記第2スポット光と前記半円集光を前記パッドの円環状に沿わせて回転移動させてレーザ照射を行うフィレット形成工程と、
    を含むはんだ接合方法。
  6. 前記はんだ溶融工程は、前記レーザ光源から照射されるレーザ光の第2スポット光へのエネルギの分配比率を第1スポット光への分配比率よりも高く設定してレーザ照射を行う請求項5に記載のはんだ接合方法。
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