JP5966365B2 - 金属粉末およびその製造方法、導電性ペースト、ならびに積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
以下に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。この実験例では、金属粉末を用いて、導電性ペーストを作製し、この導電性ペーストを用いて、積層セラミックコンデンサを作製した。
芯材として、後掲の表1および表2の「芯材粒径」の欄に示した粒径を有し、かつ「芯材元素」の欄に示した金属からなる金属粉末を用意した。ここで、「芯材粒径」は、FE−SEM写真(20k倍)から円形粒子を抽出する解析ソフトを用いて抽出し、その粒径の平均値を示したものである。また、「芯材元素」は、IPC−AESによる測定で求めたものである。
次に、上述のようにして得られた金属粉末を用いて、以下のようにして導電性ペーストを作製した。
チタン酸バリウム系のセラミック組成物の粉末を用意し、これに、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを得た。
試料1〜5では、「芯材粒径」を1〜1200nmの範囲で変えている。試料1〜5のいずれについても、この発明の範囲外の試料12および43に比べて、良好な結果が得られている。特に、「芯材粒径」が5〜1000nmの範囲にある試料2〜4では、5〜1000nmの範囲を外れた試料1および5に比べて、「ショート率」、「構造欠陥発生率」および「電極被覆率」のすべての点において、優れた結果を示している。
試料6〜8では、「芯材元素」が他の試料でのNiとは異ならされている。これら試料6〜8から、Ni以外のCu、AgおよびPdであっても、同様の効果が得られることがわかる。
試料9〜11では、「中間層/外層の被覆率」を変えている。試料9〜11によれば、この発明の範囲外の試料12および43に比べて、良好な結果が得られている。特に、「中間層/外層の被覆率」が30%以上の試料10および11によれば、20%の試料9に比べて、「ショート率」、「構造欠陥発生率」および「電極被覆率」のすべての点において、優れた結果を示しており、このことから、中間層および外層による焼結抑制効果がより顕著に発揮されていることがわかる。
試料12〜15では、「中間層の厚み」を0.1〜70nmの範囲で変えている。中間層は、外層と芯材との接合性向上に寄与している。接合性は、中間層と外層および芯材の各々との濡れ性によるものであるため、界面では原子のやり取りにより接合性が発現している。試料12〜15では、いずれも、この発明の範囲外の「中間層の厚み」が0である試料43に比べて、良好な結果が得られている。
試料16〜25では、「中間層含有元素」として、Niに加えて、Ni以外の金属元素をも含有している。試料16〜25から、「中間層含有元素」として、Ni以外に、Ti、Zr、V、Ta、Cr、W、Mn、Fe、CoまたはCuが含有されても、「ショート率」、「構造欠陥発生率」および「電極被覆率」のすべての点において、優れた結果を示すことがわかる。
試料26〜29では、「外層含有元素」として、BTに加えて、Zr、Si、DyまたはYをも含有している。これらの元素は、積層セラミックコンデンサに備えるセラミック層を構成する誘電体セラミックの組成との関係で、焼結タイミングを合わせるように作用する。Zr、Si、DyまたはYをも含有する試料26〜29でも、「ショート率」、「構造欠陥発生率」および「電極被覆率」のすべての点において、優れた結果を示している。
試料30〜33では、「外層の厚み」を0.1〜70nmの範囲で変えている。試料30〜33のうち、特に、「外層の厚み」が0.2〜50nmの範囲にある試料31および32において、「ショート率」、「構造欠陥発生率」および「電極被覆率」のすべてが優れた結果を示している。これは、「外層の厚み」を0.2nm以上とすることにより、外層による焼結抑制効果をより高めることができ、他方、「外層の厚み」を50nm以下にすることにより、内部電極全体での金属の割合をより高くすることができるためである。
試料34〜39では、「外層の構造」をペロブスカイト以外のものとした場合の効果を確認している。試料34〜39の「外層の構造」で採用された酸化物は、いずれも、耐熱性の高いものとして知られている。試料34〜39のいずれにおいても、「ショート率」、「構造欠陥発生率」および「電極被覆率」のすべてについて、優れた結果を示している。
試料40〜42では、焼成雰囲気の酸素分圧PO2と芯材の平衡酸素分圧PO20との対数の差である「log(PO2/PO20)」を変えている。「log(PO2/PO20)」が0〜7.5の範囲にある試料40および41では、「ショート率」、「構造欠陥発生率」および「電極被覆率」のすべてについて、優れた結果を示している。他方、「log(PO2/PO20)」が7.5を超える8である試料42では、試料40および41に比べて、「ショート率」、「構造欠陥発生率」および「電極被覆率」が劣る傾向にある。「電極被覆率」が劣る傾向にあるのは、「log(PO2/PO20)」が7.5を超えると、酸化がより進行するため、焼成工程のトップ温度での拡散により内部電極内の芯材の金属元素量が減少するためであると推測される。
2 芯材
3 外層
4 中間層
T1 中間層の厚み
T2 外層の厚み
D 芯材の粒径
11 積層セラミックコンデンサ
12 積層体
13 セラミック層
14,15 内部電極
Claims (9)
- Niを主成分とする芯材と、前記芯材の外表面の少なくとも一部を覆うように配置される誘電体である酸化物からなる外層と、を有する複数の粒子からなる、金属粉末であって、
前記芯材と前記外層との界面に沿って、前記外層を構成する前記酸化物とは異なる酸化物であって、前記芯材の主成分となるNiの水酸化物以外の酸化物としてのNiOに加えて、Ti、Zr、V、Ta、Cr、W、Mn、Fe、CoおよびCuから選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物を含む中間層が0.2nm以上の厚みをもって形成されている、金属粉末。 - 前記中間層および前記外層の少なくとも一方は、前記芯材の表面の30〜100%の面積を覆っている、請求項1に記載の金属粉末。
- 前記外層の厚みは0.2〜50nmである、請求項1または2に記載の金属粉末。
- 前記中間層の厚みは50nm以下である、請求項1ないし3のいずれかに記載の金属粉末。
- 前記芯材は、その粒径が5〜1000nmである、請求項1ないし4のいずれかに記載の金属粉末。
- Niを主成分とする芯材と、前記芯材の外表面の少なくとも一部を覆うように配置される誘電体である酸化物からなる外層と、を有し、かつ前記芯材と前記外層との界面に沿って、前記外層を構成する前記酸化物とは異なる酸化物であって、前記芯材の主成分となるNiの酸化物としてのNiOに加えて、Ti、Zr、V、Ta、Cr、W、Mn、Fe、CoおよびCuから選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物を含む中間層が0.2nm以上の厚みをもって形成されている、金属粉末を製造する方法であって、
前記芯材を用意する工程と、
前記芯材を酸素含有雰囲気中で熱処理することによって、前記芯材の表面を酸化してなる酸化物を形成する工程と、次いで、Ti、Zr、V、Ta、Cr、W、Mn、Fe、CoおよびCuから選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物を芯材の表面に付与する工程と、を含む中間層形成工程と、
前記中間層が形成された前記芯材に、前記外層を構成する酸化物を付与することによって、前記外層を形成する、外層形成工程と
を備える、金属粉末の製造方法。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の金属粉末を有機ビヒクル中に分散させてなる、導電性ペースト。
- 積層された複数のセラミックグリーンシートと、請求項7に記載の導電性ペーストを用いて前記セラミックグリーンシート間に形成された内部電極とを備える、生の積層体を準備する工程と、
前記生の積層体を焼成する工程と
を備える、積層セラミック電子部品の製造方法。 - 前記焼成する工程において、焼成雰囲気の酸素分圧PO2と前記芯材の平衡酸素分圧PO20との対数の差:log(PO2/PO20)が0〜7.5の範囲に選ばれる、請求項8に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
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