JP5963075B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
そこで、この発明の目的は、シリコン基板の表面での異物残留を防止しつつシリコン基板を乾燥させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、有機溶剤を用いることなく、ウォータマークの発生を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
この発明の方法によれば、リンス処理後、乾燥処理の開始前に、シリコン基板の表面に、常温よりも低く水の凝固点よりも高い第2温度の水が供給される。乾燥処理の開始前に、シリコン基板の表面に第2温度の水が付着している。常温よりも低く水の凝固点よりも高い第2温度の水は、第1温度としての常温の水と比べて蒸発が起こりにくい。
また、シリコン基板の表面に水が付着している場合、その水が第1温度であるときよりも、その水が第2温度であるときの方が、その水に対するシリコン基板からのケイ素(Si)の溶出が抑えられる。
請求項2に記載の発明は、前記リンス工程および前記第2温度水供給工程と並行して実行され、前記シリコン基板を回転させる基板回転工程(S3)をさらに含む、請求項1に記載の基板処理方法である。
請求項3記載の発明は、前記リンス工程に先立って実行され、前記シリコン基板の表面にフッ酸を供給して、当該基板の表面にフッ酸を用いた処理を施すフッ酸供給工程(S4)をさらに含む、請求項1または2に記載の基板処理方法である。
この発明の方法によれば、シリコン基板の表面が疎水性面であっても、シリコン基板の表面の水が第2温度であるので、この水に、疎水性面からのケイ素が溶出し難い。そのため、乾燥処理の開始前に残留している水にケイ素はほとんど含まれていない。これにより、フッ酸を用いた処理後の乾燥処理においても、ウォータマークの発生を抑制することができる。
前記の目的を達成するための請求項5に記載の発明は、シリコン基板(W)を保持しつつ回転する基板回転手段(3)と、前記基板回転手段に保持される前記シリコン基板の表面に第1温度としての常温の水を供給するための第1温度水供給手段(29)と、前記基板回転手段に保持される前記シリコン基板の表面に、前記第1温度よりも低い常温より低く、水の凝固点よりも高い第2温度の水を供給するための第2温度水供給手段(23,60)と、前記基板回転手段、第1温度水供給手段および第2温度水供給手段を制御して、前記シリコン基板の表面に前記第1温度の水を供給し、この水を用いたリンス処理を前記シリコン基板の表面に施すリンス工程(S5)と、前記リンス工程が行われた後に前記第2温度の水を前記シリコン基板の表面に供給する第2温度水供給工程(S6)と、前記第2温度水供給工程が行われた後に、前記シリコン基板を回転させることにより当該シリコン基板の表面の水をシリコン基板の周囲に振り切って、当該シリコン基板を乾燥させる乾燥工程(S7)とを実行する制御手段(30)とを含む、基板処理装置(1)である。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の構成を模式的に示す図である。
この基板処理装置1は、シリコン基板の一例としての円形の半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)におけるデバイス形成領域側の表面に対し、薬液およびDIWを用いて、汚染物質を除去するための洗浄処理を施すための枚葉型の装置である。この実施形態では、薬液としてフッ酸(HF水溶液)を用いた場合を例に挙げて説明する。
薬液ノズル14は、たとえば、連続流の状態で薬液を吐出するストレートノズルであり、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びるアーム15の先端部に取り付けられている。アーム15は所定の回転軸線まわりに揺動可能に設けられている。アーム15には、アーム15を所定角度範囲内で揺動させるためのアーム揺動機構16が結合されている。アーム15の揺動により、薬液ノズル14は、ウエハWの回転軸線C上の位置(ウエハWの回転中心に対向する位置)と、スピンチャック3の側方に設定された位置(ホームポジション)とに移動される。
遮断板19は、ウエハWとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状をなしている。そして、遮断板19は、スピンチャック3の上方に、ほぼ水平な姿勢で、その中心がウエハWの回転軸線C上に位置するように配置されている。遮断板19の下面には、スピンチャック3に保持されているウエハWの表面と対向する円形の対向面19Aが形成されている。対向面19Aは、ウエハWの表面の全域と対向している。
回転軸20の内壁面と液供給管21との間は、気体流通路24を形成している。気体流通路24の下端は、遮断板19の下面において、液供給管21の周囲で環状に開口している。
処理対象のウエハWは、搬送ロボット(図示しない)によって処理室2内に搬入され(ステップS1)、その表面(処理対象面)を上方に向けた状態でスピンチャック3に受け渡される(ステップS2)。このとき、ウエハWの搬入の妨げにならないように、遮断板19は、スピンチャック3の上方に大きく離間した位置に退避されている。また、薬液ノズル14は、スピンチャック3の側方のホームポジションに配置されている。
薬液ノズル14の移動が完了すると、制御装置30は、薬液バルブ18を開いて薬液ノズル14からフッ酸を供給し(ステップS4(フッ酸供給工程))、これにより、ウエハWの表面に対してフッ酸を用いた処理が施される。
フッ酸を用いたフッ酸処理後のウエハWの表面は疎水性面になる。
次いで、常温DIWを用いたリンス処理が施される。
遮断板19の下降が完了すると、制御装置30は常温DIWバルブ29を開いて、液供給管21の下端からたとえば2(リットル/分)の常温DIWを吐出する(ステップS5(リンス工程))。液供給管21から吐出される常温DIWは、回転中のウエハWの表面の中心部に供給される。ウエハWの表面に供給された常温DIWは、ウエハWの回転による遠心力を受けてウエハWの表面上を周縁に向けて流れ、ウエハWの表面の全域に拡がる。これにより、ウエハWの表面に付着しているフッ酸が常温DIWにより洗い流される。この常温DIWによるリンス処理は、予め定める常温リンス期間(たとえば10秒間)の間続行される。
次いで、ウエハWの表面に冷却DIWが塗布される。
制御装置30は冷却DIWバルブ23を開いて、液供給管21からたとえば2(リットル/分)の冷却DIWを吐出する(ステップS6(第2温度水供給工程))。液供給管21から吐出される冷却DIWは、回転中のウエハWの表面の中心部に供給される。ウエハWの表面に供給された冷却DIWは、ウエハWの回転による遠心力を受けてウエハWの表面上を周縁に向けて流れ、ウエハWの表面の全域に拡がる。そのため、ウエハWの表面の常温DIWが冷却DIWに置換され、やがて、ウエハWの表面の全域が冷却DIWの液膜に覆われる。これにより、ウエハWの表面の全域に、冷却DIWが塗布される。冷却DIWの供給は、予め定める冷却DIW供給期間(たとえば10秒間)の間続行される。
その後、制御装置30は、アーム昇降機構31を制御して、遮断板19を、その対向面19AがウエハWの表面に微小な間隔(たとえば0.5〜3mm程度)を空けて対向する位置まで下降される。また、制御装置30は、スピンモータ4を制御して、ウエハWの回転速度を所定の高回転速度(たとえば1500〜2500rpm程度)まで加速させる(ステップS7:スピンドライ(乾燥工程))。また、制御装置30は、遮断板回転機構32を制御して、遮断板19をウエハWと同じ方向にほぼ同じ速度で高速回転させる。また、制御装置30は、乾燥用ガスバルブ26を開いて、遮断板19に形成された気体流通路24の開口から乾燥用ガスを吐出させる。その結果、ウエハWの表面と遮断板19の対向面19Aとの間の空間に、ウエハWの中心部から周縁に向かう乾燥用ガスの安定した気流が生じ、ウエハWの表面付近の雰囲気がその周囲から遮断される。
図3に示すように、冷却DIWの塗布(ステップS6)の終了後には、ウエハWの表面に冷却DIWが付着している。この状態で、ウエハWの回転速度が高回転速度に上げられてスピンドライが開始されても、ウエハWの表面に付着している冷却DIWは、スピンドライの開始後直ちには蒸発しない。したがって、その低温DIWに汚染物質などの異物70が含まれている場合には、スピンドライの開始後も暫くの期間は、異物70の周囲に低温DIWが存在している。そして、ウエハWの高速回転によって、DIWが異物70ごとウエハWの表面から振り切られる。これにより、ウエハWの表面における異物残留を防止しつつ、ウエハWを乾燥させることができる。
また、この実施形態によれば、ウエハWの表面にDIWが付着している場合、そのDIWが常温であるときよりも、そのDIWが低温(5〜10℃)であるときの方が、そのDIWに対するウエハWからのケイ素(Si)の溶出が抑えられる。フッ酸を用いた処理の後のウエハWの表面はケイ素の溶出量の比較的多い疎水性面をなしているが、この場合でも、冷却DIWに対するケイ素の溶出量は多くない。
第2温度は、たとえば、常温より低い温度(かつ凝固点より高い温度)であれば他の温度であってもよい。すなわち、第2温度の水として、凝固点を超え5℃未満の液温を有する水を採用することもできるし、10℃を超え、常温(約25℃)未満の液温を有する水を採用することもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
3 スピンチャック(基板回転手段)
19 遮断板
19A 対向面
23 冷却バルブ(第2温度水供給手段)
29 常温DIWバルブ(第1温度水供給手段)
30 制御装置(制御手段)
60 冷却ユニット(第2温度水供給手段)
W ウエハ(シリコン基板)
Claims (5)
- シリコン基板の表面に第1温度としての常温の水を供給し、この水を用いたリンス処理を前記シリコン基板の表面に施すリンス工程と、
前記リンス工程が行われた後に、常温より低く、水の凝固点よりも高い第2温度の水を前記シリコン基板の表面に供給する第2温度水供給工程と、
前記第2温度水供給工程が行われた後に、前記シリコン基板を回転させることにより当該シリコン基板の表面の水をシリコン基板の周囲に振り切って、前記シリコン基板を乾燥させる乾燥工程とを含む、基板処理方法。 - 前記リンス工程および前記第2温度水供給工程と並行して実行され、前記シリコン基板を回転させる基板回転工程をさらに含む、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記リンス工程に先立って実行され、前記シリコン基板の表面にフッ酸を供給して、当該基板の表面にフッ酸を用いた処理を施すフッ酸供給工程をさらに含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記乾燥工程と並行して、前記シリコン基板の表面に対向する対向面を有する対向部材を前記シリコン基板と同方向に回転させつつ、前記対向面と前記シリコン基板の表面との間に気体を供給する工程とをさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- シリコン基板を保持しつつ回転する基板回転手段と、
前記基板回転手段に保持される前記シリコン基板の表面に第1温度としての常温の水を供給するための第1温度水供給手段と、
前記基板回転手段に保持される前記シリコン基板の表面に、常温より低く、水の凝固点よりも高い第2温度の水を供給するための第2温度水供給手段と、
前記基板回転手段、第1温度水供給手段および第2温度水供給手段を制御して、前記シリコン基板の表面に前記第1温度の水を供給し、この水を用いたリンス処理を前記シリコン基板の表面に施すリンス工程と、前記リンス工程が行われた後に前記第2温度の水を前記シリコン基板の表面に供給する第2温度水供給工程と、前記第2温度水供給工程が行われた後に、前記シリコン基板を回転させることにより当該シリコン基板の表面の水をシリコン基板の周囲に振り切って、当該シリコン基板を乾燥させる乾燥工程とを実行する制御手段とを含む、基板処理装置。
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