JP5949923B2 - 露光装置、液体保持方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置、液体保持方法、及びデバイス製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、露光装置、液体保持方法、及びデバイス製造方法に関する。
本願は、2011年8月25日に出願された米国特許仮出願第61/527,333号、2012年7月9日に出願された特願2012−153959および2012年8月23日に出願された米国特許出願第13/593,079号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。
米国特許出願公開第2009/0046261号明細書
液浸露光装置において、例えば液体が所定の空間から流出すると、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及び液体保持方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、物体の上面が第1間隙を介して対向し、物体の上面との間で液体を保持する第1面を有する第1部材と、光路に対して第1面の外側に配置され、物体の上面が第2間隙を介して対向する第2面を有する第2部材と、光路に対して第2面の外側に配置され、流体を供給する第1供給口と、第1面と第2面との間に配置され、光路に対して第2部材の外側の空間の気体の少なくとも一部を、第2面と物体の上面との間の間隙を介して吸引する第1吸引口と、を備える露光装置が提供される。
本発明の第2の態様に従えば、第1液浸空間の第1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、第1液体の第1液浸空間を形成する第1液浸部材と、光路に対して第1液浸部材の外側に配置され、第1液浸空間から離れて、第2液体の第2液浸空間を形成可能な第2液浸部材と、を備え、第2液浸部材は、物体の上面が第1間隙を介して対向し、物体の上面との間で液体を保持する第1面と、第1面の中心に対して第1面の外側に配置され、物体の上面が第2間隙を介して対向する第2面と、第1面の中心に対して第2面の外側に配置され、流体を供給する第1供給口と、第1面と第2面との間に配置され、第2面の外側の空間の気体の少なくとも一部を、第2面と物体の上面との間の間隙を介して吸引する第1吸引口と、を有する露光装置が提供される。
本発明の第3の態様に従えば、第1又は第2の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の第4の態様に従えば、基板上の液体を介して露光光で基板を露光する露光装置で用いられる液体保持方法であって、露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、基板の上面が第1間隙を介して対向する第1部材の第1面と、基板の上面との間で液体を保持することと、光路に対して第1面の外側に配置され、物体の上面が第2間隙を介して対向する第2部材の第2面の外側に配置された第1供給口から流体を供給することと、第1面と第2面との間に配置された第1吸引口から、光路に対して第2部材の外側の空間の気体の少なくとも一部を、第2面を流れる前記流体と基板の上面との間の間隙を介して吸引することと、を含む液体保持方法が提供される。
本発明の第5の態様に従えば、第4の態様の液体保持方法により保持された液体の少なくとも一部を介して基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
第1実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。 第1実施形態に係る露光装置の一部を示す図である。 第2実施形態に係る露光装置の一部を示す図である。 第3実施形態に係る露光装置の一部を示す図である。 第3実施形態に係る露光装置の一部を示す図である。 第2部材の周囲の状態の一例を模式的に示す図である。 第4実施形態に係る露光装置の一部を示す図である。 第4実施形態に係る露光装置の一部を示す図である。 第4実施形態に係る露光装置の一部を示す図である。 第4実施形態に係る露光装置の一部を示す図である。 基板ステージの一例を示す図である。 デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分(空間、領域)をいう。基板Pは、液浸空間LSの液体LQを介して露光光ELで露光される。本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。
また、本実施形態の露光装置EXは、例えば米国特許第6897963号、及び欧州特許出願公開第1713113号等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。
図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光光ELを計測する計測部材及び計測器を搭載して移動可能な計測ステージ3と、マスクステージ1を移動する駆動システム4と、基板ステージ2を移動する駆動システム5と、計測ステージ3を移動する駆動システム6と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光光ELの光路の周囲の少なくとも一部に配置され、物体の上面が第1間隙を介して対向し、物体の上面との間で液体LQを保持する第1面31を有する第1部材30と、露光光ELの光路に対して第1面31の外側に配置され、物体の上面が第2間隙を介して対向する第2面61を有する第2部材60と、マスクステージ1、基板ステージ2、及び計測ステージ3の位置を計測する干渉計システム11と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置8と、制御装置8に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置8Rとを備えている。記憶装置8Rは、例えばRAM等のメモリ、ハードディスク、CD−ROM等の記録媒体を含む。記憶装置8Rには、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム(OS)がインストールされ、露光装置EXを制御するためのプログラムが記憶されている。
マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクMは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクMとして、反射型マスクを用いることもできる。
基板Pは、デバイスを製造するための基板である。基板Pは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材(フォトレジスト)の膜である。また、基板Pが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Pが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜(トップコート膜)を含んでもよい。
また、露光装置EXは、少なくとも投影光学系PLを支持するボディ100を備えている。また、露光装置EXは、露光光ELが進行する空間102の環境(温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも一つ)を調整するチャンバ装置103を備えている。チャンバ装置103は、空間102を形成するチャンバ部材104と、その空間102の環境を調整する環境制御装置105とを有する。空間102は、チャンバ部材104が形成する内部空間である。ボディ100は、空間102に配置される。
空間102は、空間102A及び空間102Bを含む。空間102Aは、基板Pが処理される空間である。基板ステージ2及び計測ステージ3は、空間102Aを移動する。
環境制御装置105は、空間102A、102Bに気体Gaを供給する給気部105Sを有し、その給気部105Sから空間102A、102Bに気体Gaを供給して、その空間102A、102Bの環境を調整する。本実施形態においては、少なくとも基板ステージ2、計測ステージ3、及び投影光学系PLの終端光学素子12が空間102Aに配置される。本実施形態においては、環境制御装置105から空間102に供給される気体Gaは、空気である。
照明系ILは、所定の照明領域IRに露光光ELを照射する。照明領域IRは、照明系ILから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びFレーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光(真空紫外光)であるArFエキシマレーザ光を用いる。
マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、照明領域IRを含むベース部材9のガイド面9G上を移動可能である。駆動システム4は、ガイド面9G上でマスクステージ1を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されているような、マスクステージ1に配置された可動子と、ベース部材9に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ1は、駆動システム4の作動により、ガイド面9G上において、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。
投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影領域PRは、投影光学系PLから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸は、Z軸と平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
基板ステージ2は、投影光学系PLから射出される露光光ELが照射可能な位置(投影領域PR)に移動可能である。基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、投影領域PRを含むベース部材10のガイド面10G上を移動可能である。計測ステージ3は、投影光学系PLから射出される露光光ELが照射可能な位置(投影領域PR)に移動可能である。計測ステージ3は、計測部材を保持した状態で、投影領域PRを含むベース部材10のガイド面10G上を移動可能である。基板ステージ2と計測ステージ3とは、ガイド面10G上を独立して移動可能である。
基板ステージ2を移動するための駆動システム5は、ガイド面10G上で基板ステージ2を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されているような、基板ステージ2に配置された可動子と、ベース部材10に配置された固定子とを有する。同様に、計測ステージ3を移動するための駆動システム6は、平面モータを含み、計測ステージ3に配置された可動子と、ベース部材10に配置された固定子とを有する。
本実施形態において、基板ステージ2は、例えば米国特許出願公開第2007/0177125号、米国特許出願公開第2008/0049209号等に開示されているような、基板Pの下面をリリース可能に保持する第1保持部21と、第1保持部21の周囲に配置され、カバー部材Tの下面をリリース可能に保持する第2保持部22を有する。カバー部材Tは、第1保持部21に保持された基板Pの周囲に配置される。
本実施形態において、第1保持部21は、基板Pを保持する。第2保持部22は、カバー部材Tを保持する。本実施形態において、第1保持部21に保持された基板Pの上面と第2保持部22に保持されたカバー部材Tの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。
なお、カバー部材Tは、基板ステージ2に一体的に形成されていてもよい。この場合、第2保持部22は省略される。
干渉計システム11は、マスクステージ1の位置を計測するレーザ干渉計ユニット11Aと、基板ステージ2及び計測ステージ3の位置を計測するレーザ干渉計ユニット11Bとを含む。レーザ干渉計ユニット11Aは、マスクステージ1に配置された計測ミラーを用いて、マスクステージ1の位置を計測可能である。レーザ干渉計ユニット11Bは、基板ステージ2に配置された計測ミラー、及び計測ステージ3に配置された計測ミラーを用いて、基板ステージ2及び計測ステージ3それぞれの位置を計測可能である。
基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置8は、干渉計システム11の計測結果に基づいて、駆動システム4,5,6を作動し、マスクステージ1(マスクM)、基板ステージ2(基板P)、及び計測ステージ3(計測部材C)の位置制御を実行する。
第1部材30は、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能である。第1部材30は、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子12の近傍に配置される。本実施形態において、第1部材30は、環状の部材であり、露光光ELの光路の周囲に配置される。本実施形態においては、第1部材30の少なくとも一部が、終端光学素子12の周囲に配置される。
終端光学素子12は、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面13を有する。本実施形態において、射出面13側に液浸空間LSが形成される。液浸空間LSは、射出面13から射出される露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように形成される。射出面13から射出される露光光ELは、−Z方向に進行する。射出面13は、露光光ELの進行方向(−Z方向)を向く。本実施形態において、射出面13は、XY平面とほぼ平行な平面である。なお、射出面13がXY平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
第1部材30は、少なくとも一部が−Z方向を向く第1面31を有する。本実施形態において、射出面13及び第1面31は、射出面13から射出される露光光ELが照射可能な位置(投影領域PR)に配置される物体との間で液体LQを保持できる。液浸空間LSは、射出面13及び第1面31の少なくとも一部と投影領域PRに配置される物体との間に保持された液体LQによって形成される。液浸空間LSは、射出面13と、投影領域PRに配置される物体との間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように形成される。第1部材30は、終端光学素子12と物体との間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように物体との間で液体LQを保持可能である。
本実施形態において、投影領域PRに配置可能な物体は、投影光学系PLの像面側(終端光学素子12の射出面13側)で投影領域PRに対して移動可能な物体を含む。その物体は、終端光学素子12及び第1部材30に対して移動可能である。その物体は、射出面13及び第1面31の少なくとも一方と対向可能な上面(表面)を有する。物体の上面は、射出面13との間に液浸空間LSを形成可能である。本実施形態において、物体の上面は、射出面13及び第1面31の少なくとも一部との間に液浸空間LSを形成可能である。一方側の射出面13及び第1面31と、他方側の物体の上面(表面)との間に液体LQが保持されることによって、終端光学素子12と物体との間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。
本実施形態において、その物体は、基板ステージ2、基板ステージ2に保持された基板P、計測ステージ3、及び計測ステージ3に保持された計測部材の少なくとも一つを含む。例えば、基板ステージ2(カバー部材T)の上面、及び基板ステージ2に保持されている基板Pの表面(上面)は、−Z方向を向く終端光学素子12の射出面13、及び−Z方向を向く第1部材30の第1面31と対向可能である。もちろん、投影領域PRに配置可能な物体は、基板ステージ2、基板ステージ2に保持された基板P、計測ステージ3、及び計測ステージ3に保持された計測部材の少なくとも一つに限られない。すなわち、二つ以上の物体に跨って液浸空間LSが形成されてもよい。
また、本実施形態において、投影領域PRに配置可能な物体は、第2部材60の少なくとも一部と対向可能である。物体は、第2部材60の第2面61と対向可能である。なお、本実施形態においては、第1部材30と第2部材60とが一体的に設けられている。
本実施形態においては、基板Pに露光光ELが照射されているとき、投影領域PRを含む基板Pの表面の一部の領域が液体LQで覆われるように液浸空間LSが形成される。基板Pの露光時において、第1部材30は、終端光学素子12と基板Pとの間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように基板Pとの間で液体LQを保持可能である。液体LQの界面(メニスカス、エッジ)LGの少なくとも一部は、第1部材30の第1面31と基板Pの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置EXは、局所液浸方式を採用する。
本実施形態において、第1部材30及び第2部材60は、ボディ100に支持される。
本実施形態において、第1部材30及び第2部材60は、支持機構101を介して、ボディ100に支持される。本実施形態において、支持機構101(ボディ100)の位置は、実質的に固定されている。物体の上面は、第1間隙を介して、第1部材30の第1面31と対向し、第2間隙を介して、第2部材60の第2面61と対向する。
図2は、本実施形態に係る第1部材30及び第2部材60の近傍を示す図である。なお、図2においては、投影領域PR(終端光学素子12、第1部材30、及び第2部材60と対向する位置)に基板Pが配置されている。しかし、上述のように、基板ステージ2(カバー部材T)、及び計測ステージ3(計測部材)等を配置することもできる。
図2に示すように、第1部材30は、少なくとも一部が終端光学素子12の射出面13と対向する対向部30Aと、少なくとも一部が終端光学素子12の周囲に配置される本体部30Bとを含む。対向部30Aは、射出面13と対向する位置に孔(開口)30Kを有する。対向部30Aは、少なくとも一部が射出面13と間隙を介して対向する上面を有する。
第1部材30は、基板P(物体)が対向可能な下面310を有する。開口30Kは、対向部30Aの上面と下面310とを結ぶように形成される。対向部30Aの上面は、開口30Kの上端の周囲に配置され、下面310は、開口30Kの下端の周囲に配置される。
射出面13から射出された露光光ELは、開口30Kを通過して、基板Pに照射可能である。
本実施形態において、対向部30Aの上面及び下面310のそれぞれは、光路Kの周囲に配置される。本実施形態において、対向部30Aの上面は、平坦である。本実施形態において、下面310は、平坦である。下面310は、基板P(物体)との間で液体LQを保持可能な第1面31を含む。本実施形態において、下面310(第1面31)は、XY平面とほぼ平行な平面である。なお、下面310(第1面31)がXY平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
また、第1部材30は、液体LQを供給可能な供給口32と、液体LQを回収可能な回収口33とを有する。供給口32は、例えば基板Pの露光時において液体LQを供給する。回収口33は、例えば基板Pの露光時において液体LQを回収する。なお、供給口32は、基板Pの露光時及び非露光時の一方又は両方において液体LQを供給可能である。なお、回収口33は、基板Pの露光時及び非露光時の一方又は両方において液体LQを回収可能である。
供給口32は、射出面13から射出される露光光ELの光路Kの近傍において、その光路Kに面するように配置されている。なお、供給口32は、射出面13と開口30Kとの間の空間及び終端光学素子12の側面の一方又は両方に面していればよい。本実施形態において、供給口32は、対向部30Aの上面と射出面13との間の空間に液体LQを供給する。供給口32から供給された液体LQは、対向部30Aの上面と射出面13との間の空間を流れた後、開口30Kを介して、基板P(物体)上に供給される。
なお、供給口32が、下面310に配置されてもよい。換言すれば、物体が対向するように供給口32が配置されてもよい。また、供給口32に加えて、別の液体供給口が下面310に配置されてもよい。
供給口32は、流路34を介して、液体供給装置34Sと接続されている。液体供給装置34Sは、清浄で温度調整された液体LQを送出可能である。流路34の少なくとも一部は、第1部材30の内部に形成されている。液体供給装置34Sから送出された液体LQは、流路34を介して供給口32に供給される。少なくとも基板Pの露光において、供給口32は、液体LQを供給する。
回収口33は、第1部材30の下面310と対向する物体上の液体LQの少なくとも一部を回収可能である。回収口33は、露光光ELが通過する開口30Kの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、回収口33は、下面310のうち、物体との間で液体LQを保持可能な第1面31の周囲の少なくとも一部に配置される。すなわち、本実施形態において、下面310は、回収口33の内側に配置され、物体との間で液体LQを保持して液浸空間LSを形成可能な第1面31と、回収口33の外側に配置される面310Sとを含む。回収口33は、物体が対向するように配置される。回収口33は、物体の表面と対向する第1部材30の所定位置に配置されている。少なくとも基板Pの露光において、回収口33に基板Pが対向する。基板Pの露光において、回収口33は、基板P上の液体LQを回収する。
回収口33は、流路35を介して、流体回収装置35Cと接続されている。流体回収装置35Cは、回収口33を真空システムに接続可能であり、回収口33及び流路35を介して液体LQを吸引可能である。また、流体回収装置35Cは、回収口33及び流路35を介して気体を吸引可能である。流路35の少なくとも一部は、第1部材30の内部に形成されている。回収口33から回収(吸引)された液体LQ及び気体の一方又は両方は、流路35を介して、流体回収装置35Cに回収(吸引)される。
本実施形態においては、制御装置8は、供給口32からの液体LQの供給動作と並行して、回収口33からの液体LQの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子12及び第1部材30と、他方側の物体との間に液体LQで液浸空間LSを形成可能である。
なお、第1部材30として、例えば米国特許出願公開第2007/0132976号、欧州特許出願公開第1768170号に開示されているような液浸部材(ノズル部材)を用いることができる。
第2部材60は、基板P(物体)が対向可能な第2面61を有する。本実施形態において、第2面61は、光路K、及び第1部材30の周囲に配置される。本実施形態において、第2面61は、平坦であり、XY平面と平行である。なお、第2面61がXY平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。また、本実施形態において、第2部材60の第2面61には、吸引口が設けられていない。
図2に示すように、本実施形態において、第1面31と基板Pの上面(物体の上面)との間に第1間隙W1が形成される。第2面61と基板Pの上面(物体の上面)との間に第2間隙W2が形成される。本実施形態において、第2間隙W2の寸法は、第1間隙W1の寸法よりも小さい。
本実施形態において、回収口33は、第1面31と第2面61との間に配置される。回収口33は、基板P(物体)が対向するように配置される。本実施形態において、回収口33と基板Pの上面(物体の上面)との間の第3間隙W3の寸法は、第2間隙W2の寸法よりも大きい。第1間隙W1は、0.5mm〜1.0mmである。第2間隙W2は、0.3mm〜0.4mmである。本実施形態において、第1間隙W1は、1.0mmであり、第2間隙W2は、0.3mmである。
本実施形態において、第1間隙W1の寸法と、第3間隙W3の寸法とは、ほぼ等しい。
なお、第1間隙W1の寸法が、第3間隙W3の寸法よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。
本実施形態において、第2部材60は、光路Kに対して第2面61の外側に配置され、液体LBを供給する供給口64を備えている。本実施形態においては、液体LBは、液体LQと同じ水である。
本実施形態において、供給口64から供給される液体LBは、露光光ELが通過する液体LQとは異なってもよい。例えば、供給口64から供給される液体LBは、露光光ELが通過する液体LQよりも高い粘度を有してもよい。例えば、液体LQが水であり、液体LBがデカリンでもよい。なお、液体LBが液体LQとはクリーン度が異なる水であってもよい。例えば、液体LQが第1のクリーン度を有する水であり、液体LBが第1のクリーン度よりも低い第2のクリーン度を有する水でもよい。また、液体LBが液体LQとは温度が異なる水であってもよい。例えば、液体LQが第1の温度を有する水であり、液体LBが第1の温度よりも高い第2の温度を有する水でもよい。
本実施形態においては、供給口64から供給された液体LBは、光路Kに向かって第2面61上を流れる。本実施形態においては、供給口64から供給された液体LBは、第2面61の少なくとも一部、及び面310Sの少なくとも一部に接触しながら流れ、回収口33から回収(吸引)される。本実施形態において、第2面61及び面310Sに液体LBの膜が形成される。
本実施形態において、回収口33は、光路Kに対して第2部材60の外側の空間の気体の少なくとも一部を、第2面61と物体の上面との間の間隙を介して吸引(排出)する。
本実施形態において、光路Kに対して第2部材60の外側の空間は、チャンバ部材104によって形成される空間102(102A)である。回収口33は、環境制御装置105からの気体Gaの少なくとも一部を、第2間隙W2を介して吸引する。
回収口33は、供給口64から供給され、第2面61を流れる液体LBの表面(下面)と物体の上面との間の第4間隙W4を介して、第2部材60の外側の空間の気体Gaを吸引する。すなわち、回収口33から吸引される気体Gaは、第2面61上を流れる液体LBと物体(基板P)の上面との間の間隙を通過する。
本実施形態においては、供給口64から供給された液体LBが、対向する物体の上面に触れずに第2面61を流れるように、供給口64から供給される液体LBの単位時間当たりの液体供給量と、回収口33から回収される単位時間当たりの気体回収量との少なくとも一方が設定される。すなわち、第2面61を流れる液体LBと対向する物体の上面との間に第4間隙W4が形成されるように、供給口64から供給される液体LBの単位時間当たりの液体供給量と、回収口33から回収される単位時間当たりの気体回収量との少なくとも一方が設定される。
本実施形態において、液体LBの表面と物体の上面との間の第4間隙W4の寸法は、0.2mm以下である。例えば、液体LBの表面と物体の上面との間の間隙W4の寸法は、0.1mm以上、0.2mm以下である。
本実施形態において、液体LBの表面と物体の上面との間の第4間隙W4の寸法は、第1間隙W1の寸法、及び第2間隙W2よりも小さい。
また、本実施形態において、回収口33と物体の上面との間の第3間隙W3の寸法は、液体LBの表面と物体の上面との間の第4間隙W4の寸法よりも大きい。
上述したように、本実施形態において、回収口33は、第1面31と物体の上面との間に供給された液体LQの少なくとも一部も吸引可能である。例えば、基板Pの露光において、回収口33は、液体LQと気体Gaとを一緒に吸引可能である。図2に示すように、流体回収装置35Cは、流路35において気体Gaの通路が維持されるように、回収口33を介して液体LQを吸引する。
また、本実施形態において、回収口33は、液体LBと気体Gaとを一緒に吸引可能である。図2に示すように、流体回収装置35Cは、流路35において気体Gaの通路が維持されるように、回収口33を介して液体LBを吸引する。
なお、本実施形態においては、第1部材30及び第2部材60の位置は、実質的に固定されている。しかし、第1部材30と第2部材60とを、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZの6つの方向のうちの少なくとも一つの方向に動かす駆動装置を設けてもよい。
次に、露光装置EXを用いて基板Pを露光する方法の一例について説明する。基板Pを露光するために、第1保持部21に保持された基板P上に液体LQで液浸空間LSが形成される。液浸空間LSを形成するために、制御装置8は、終端光学素子12及び第1部材30と基板P(基板ステージ2)とを対向させた状態で、供給口32から液体LQを供給するとともに、回収口33から液体LQを回収する。本実施形態において、液浸空間LSの液体LQの界面LGは、例えば回収口33よりも内側に形成される。図2に示す例では、液浸空間LSの液体LQの界面LGは、例えば第1面31の外縁と基板Pの上面とを結ぶように形成される。
制御装置8は、流体回収装置35Cを制御して、流路35において気体Gaの通路が維持されるように、回収口33から液体LQを吸引する。換言すれば、回収口33から液体LQと気体Gaとが常に一緒に回収(吸引)されるように、流体回収装置35Cが制御される。なお、流路35において気体Gaの通路が維持されれば、液体LQは常に回収されなくてもよく、例えば断続的に回収されてもよい。
また、本実施形態においては、少なくとも液浸空間LSが形成されるとき、供給口64から液体LBが供給される。本実施形態においては、少なくとも回収口33からの吸引動作が開始された後に、供給口64からの液体LBの供給が開始される。
供給口64から供給された液体LBは、回収口33から吸引される。制御装置8は、流体回収装置35Cを制御して、流路35において気体Gaの通路が維持されるように、回収口33から液体LBを吸引する。換言すれば、回収口33から液体LBと気体Gaとが常に一緒に回収(吸引)されるように、流体回収装置35Cが制御される。
終端光学素子12及び第1部材30と基板P(基板ステージ2)との間に液体LQで液浸空間LSが形成された後、制御装置8は、基板Pの露光処理を開始する。
本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。制御装置8は、基板Pを投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に所定の走査速度で移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に所定の走査速度で移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間LSの液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射する。これにより、基板Pが液体LQを介して露光光ELで露光され、マスクMのパターンの像が投影光学系PL及び液体LQを介して基板Pに投影される。
本実施形態においては、少なくとも基板Pの露光中において、回収口33から第2間隙W2を介して第2部材60の外側の空間の気体Gaが吸引され続ける。これにより、例えば液浸空間LSが形成されている状態で基板P(物体)が移動しても、液浸空間LSの液体LQが、第1面31と基板P(物体)の上面との間の空間から外側に流出することが抑制される。
本実施形態において、光路Kに対して第2部材60の外側の空間の気体の少なくとも一部が、第2間隙W2(第4間隙W4)を介して、第2部材60の内側に形成されている回収口33から吸引されることによって、第2部材60の外側の空間の圧力と内側の空間の圧力との間に差が生じる。例えば、第2部材60の内側の空間(回収口33近傍の空間、界面LGの周囲の空間)の圧力は、第2部材60の外側の空間の圧力よりも低くなる。すなわち、露光光の光路に対して第2間隙W2(第4間隙W4)の内側の空間の圧力は、露光光に光路に対して第2間隙W2(第4間隙W4)の外側の空間の圧力より低くなる。また、回収口33が第2間隙W2(第4間隙W4)を介して第2部材60の外側の空間の気体を吸引することによって、界面LGの外側から界面LGに向かう気体の流れが生成される。
本実施形態において、第2間隙W2の寸法は、第1間隙W1の寸法よりも十分に小さい。第4間隙W4の寸法は、第1、第2間隙W1、W2の寸法よりも十分に小さい。そのため、光路Kに対して第2部材60の外側の空間の気体Gaが第2間隙W2(第4間隙W4)を介して回収口33から吸引されることによって、第2部材60の外側の空間と内側の空間との圧力差が大きくなる。すなわち、第2間隙W2(第4間隙W4)と液浸空間LSとの間の内側空間の圧力と、第2間隙W2(第4間隙W4)に対して内側空間の反対側の外側空間の圧力との差が大きくなる。
これにより、液浸空間LSの液体LQの流出が抑制される。
以上説明したように、本実施形態によれば、光路Kに対して第2部材60の外側の空間の気体Gaの少なくとも一部を、第2間隙W2(第4間隙W4)を介して、第2部材60の内側の空間に配置された回収口33から吸引するようにしたので、液浸空間LSの界面LGの周囲において、液浸空間LSの液体LQの流出が抑制される圧力差、及び気体の流れが生成される。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制できる。
また、例えば液体LBを流すことによって、第2間隙W2よりも小さい第4間隙W4が形成されるので、回収口33の吸引動作を実行したときの、第2部材60の外側の空間と内側の空間との圧力差を、液体LBを流さない場合に比べて大きくでき、液浸空間LSの界面LGの周囲において、液浸空間LSの液体LQの流出が抑制される。
<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図3は、本実施形態に係る露光装置EXの一例を示す図である。本実施形態においては、供給口64から気体Gbが供給される。
本実施形態において、供給口64から供給される気体Gbの粘度は、第2部材60の外側の空間の気体Gaの粘度よりも高い。本実施形態において、第2部材60の外側の空間は、チャンバ部材104によって形成される空間102である。本実施形態において、供給口64は、環境制御装置105から供給される気体Gaよりも高い粘度の気体Gbを供給する。本実施形態において、気体Gaは、空気であり、気体Gbは、アルゴンガスである。
供給口64から供給された気体Gbは、光路Kに向かって第2面61上を流れる。供給口64からの気体Gbは、第2面61に沿って流れ、回収口33に吸引される。また、第2部材60の外側の空間の気体Gaの少なくとも一部も、第2間隙W2を介して、回収口33に吸引される。回収口33から吸引される気体Gaは、第2面61上を流れる気体Gbと物体(基板P)の上面との間の間隙を通過する。
気体Gbは、第2面61において、気体の膜(層)を形成する。気体Gbは、気体Gaよりも粘度が高い。そのため、第2間隙W2において、気体Gbの流速は、気体Gaの流速よりも低い。これにより、気体Gbの層の表面(下面)と物体の上面との間に、気体Gaが流れる間隙が形成される。気体Gbの表面と物体の上面との間の間隙を十分に小さくした状態で、回収口33の吸引動作(気体Gaの吸引動作)が実行されることによって、第2部材60の外側の空間と内側の空間との圧力差を大きくできる。
<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図4は、第3実施形態に係る露光装置EXの一例を示す図である。図4において、露光装置EXは、光路Kに対して第2部材60の外側に配置され、第2間隙W2に気体Gbを供給する供給口81を有する供給部材80を備えている。回収口33は、供給口81からの気体Gbを吸引する。なお、回収口33が、気体Gbとともに、気体Gaを吸引してもよい。
本実施形態において、供給口81から供給される気体Gbの粘度は、環境制御装置105から供給される気体Gaよりも粘度が高い。本実施形態において、気体Gaは、空気であり、気体Gbは、アルゴンガスである。
供給口81から粘度が高い気体Gbが供給され、回収口33からその気体Gbの少なくとも一部が第2間隙W2を介して吸引されることによって、第2部材60の外側の空間と内側の空間との圧力差がより大きくなる。これにより、液体LQの流出が抑制される。
なお、供給口81から供給される気体Gbが、気体Gaであってもよいし、気体Gaと同じ粘度でもよい。供給口81から気体が供給されることによって、第2部材60の外側の空間と内側の空間との圧力差を大きくできる。
なお、第3実施形態では、供給口64から液体LBが供給されているが、供給口64から気体Gbが供給されてもよい。その場合、供給口64は、供給口81から供給される気体Gbよりも高い粘度の気体を供給してもよい。
また、本実施形態においては、供給口81が供給部材80に設けられているが、供給口81を第2部材60に設けてもよい。
なお、第1〜第3実施形態において、例えば図5に示すように、回収口33と第2面61との間に、供給口64から供給された液体LB(又は気体Gb)を回収する吸引口36が設けられてもよい。供給口64から供給された流体(液体LB及び気体Gbの一方又は両方)は、回収口33と第2面61との間に配置された吸引口36から回収される。
なお、図5に示すように吸引口36を設けた場合、回収口33に、多孔部材37が配置されてもよい。すなわち、基板P上の液体LQが多孔部材37の孔を介して回収されてもよい。なお、多孔部材37が、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材でもよい。なお、多孔部材37が、網目状に多数の小さい孔が形成されたメッシュフィルタでもよい。もちろん、吸引口36を設けた場合でも、回収口33に多孔部材37が配置されていなくてもよい。
なお、液浸空間LSが形成されている期間において常に液体LBを供給しなくてもよい。例えば、第1部材30と対向する物体(基板Pなど)が液浸空間LSからの液体LQの漏れを引き起こさないような条件で物体が移動する場合(例えば、基板Pの走査速度よりも遅い速度で物体が移動する場合)には、液体LBが流れていなくてもよい。
また、露光光の光路の周囲(液浸空間LSの周囲)の全方向から液体LBを流さなくてもよい。すなわち、露光光の光路の周囲(液浸空間LSの周囲)の一部の方向からだけ、液体LBを露光光の光路に向かって流すようにしてもよい。例えば、液浸空間LSから液体LQの漏れが発生しやすい、露光光の光路の周囲(液浸空間LSの周囲)の一部の方向からだけ、液体LBを露光光の光路に向かって流すようにしてもよい。例えば、露光光の光路の周囲(液浸空間LSの周囲)に複数の供給口64が設けられており、第1部材30と対向する物体(基板Pなど)が第1方向に移動する場合には、その進行方向に位置する一部の供給口64からだけ液体LBを供給し、その物体が第2方向に移動する場合には、その進行方向に位置する他の一部の供給口64からだけ液体LBを供給してもよい。
なお、上述の各実施形態において、第1部材30と第2部材60とは、離れていてもよい。第1部材30と第2部材60とが離れている場合には、第1部材30が、支持機構101とは異なる部材で支持されてもよい。例えば、第1部材30が、支持機構101とは異なる支持部材を介して、ボディ100に支持されてもよいし、投影光学系PLの少なくとも一つの光学素子を支持する支持部材で支持されてもよい。また、第1部材30と第2部材60とが離れている場合には、第1部材30と第2部材の少なくとも一方を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZの6つの方向のうちの少なくとも一つの方向に移動可能駆動装置を設け、その駆動装置を用いて第1部材30と第2部材とを相対的に移動してもよい。
また、第1部材30と第2部材60と一部だけが接触していてもよいし、第1部材30と第2部材60と連結部材によって連結されてもよい。
図6は、供給口64から液体LBを供給したときの液体LBの挙動のシミュレーション結果の一例を模式的に示す図である。図6(A)は、供給口64から液体LBが供給される前の状態を示す。図6(B)は、供給口64からの液体LBの供給が開始された直後の状態を示す。図6(C)は、供給口64からの液体LBの供給が開始されてから所定時間経過後の状態を示す。
なお、このシミュレーションの条件は、以下の通りである。
・第2面61とそれに対向する面との間隔W2:0.3mm
・第2面61のY軸方向(投影光学系PLの光軸に対する放射方向)の寸法W5:2.0mm
・供給口64のY軸方向(投影光学系PLの光軸に対する放射方向)の寸法(径)W6:0.5mm
・供給口64からの液体LBの注入量:毎分10リットル
・第2面61とそれに対向する面とのギャップに流れる気体Gaの量:毎分200リットル
図6(B)及び図6(C)に示すように、供給口64から供給された液体LBが第2面61に沿って回収口33(あるいは吸引口36)に向かって(+Y方向に向かって)流れ、第2面61に沿って流れる液体LBの下にW2よりも小さい間隙が形成できることがわかる。
そして、液体LBが供給されている状態で、さらに回収口33から第2部材60の外側の空間の気体Gaを回収することによって、第2部材60の内側の空間と外側の空間との圧力差がさらに高くなる。これにより、液浸空間LSの液体LQの流出が抑制される。
<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図7は、本実施形態に係る液浸部材500の一例を示す側面図、図8は、液浸部材500を下側(−Z側)から見た図である。
液浸部材500は、終端光学素子12の周囲の少なくとも一部に配置される第1液浸部材121と、射出面13から射出される露光光ELの光路K(終端光学素子12の光軸)に対して第1液浸部材121の外側に配置される第2液浸部材122とを備える。第1液浸部材121は、液体LQの液浸空間LS1を形成する。第2液浸部材122は、液浸空間LS1から離れて、液体LQの液浸空間LS2を形成可能である。液浸空間LS1は、第1液浸部材121の下方の第1空間SP1の少なくとも一部に形成される。液浸空間LS2は、第2液浸部材122の下方の第2空間SP2の少なくとも一部に形成される。
終端光学素子12、第1液浸部材121、及び第2液浸部材122は、チャンバ装置103の空間102(102A)に配置される。空間102には、環境制御装置105の給気部105Sから気体Gaが供給される。
第1液浸部材121は、下面123を有する。第2液浸部材122は、下面124を有する。下面123及び下面124は、終端光学素子12の下方で移動可能な物体が対向可能である。終端光学素子12の下方で移動可能な物体は、射出面13と対向可能である。
その物体は、投影領域PRに配置可能である。その物体は、投影領域PRを含むXY平面内を移動可能である。その物体は、第1液浸部材121の下方で移動可能である。その物体は、第2液浸部材122の下方で移動可能である。
本実施形態において、その物体は、基板ステージ2、基板ステージ2に保持された基板P、及び計測ステージ3の少なくとも一つを含む。
以下の説明においては、終端光学素子12の下方で移動可能な物体が、基板Pであることとする。なお、上述のように、終端光学素子12の下方で移動可能な物体は、基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方でもよいし、基板P、基板ステージ2、及び計測ステージ3とは別の物体でもよい。
第1液浸部材121は、射出面13側の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液体LQの液浸空間LS1を形成する。液浸空間LS1は、射出面13と基板P(物体)の上面との間の光路Kが液体LQで満たされるように形成される。
第1液浸部材121は、射出面13側の光路Kを含む光路空間SPK、及び下面123側の第1空間SP1の少なくとも一部に、液体LQの液浸空間LS1を形成する。終端光学素子12及び第1液浸部材121は、基板P(物体)との間で液体LQを保持可能である。液浸空間LS1は、終端光学素子12及び第1液浸部材121と基板Pとの間に保持される液体LQによって形成される。一方側の射出面13及び下面123と、他方側の基板P(物体)の上面との間に液体LQが保持されることによって、終端光学素子12と基板Pとの間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LS1が形成される。
基板Pの露光においては、基板Pに照射される露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LS1が形成される。基板Pに露光光ELが照射されているとき、投影領域PRを含む基板Pの表面の一部の領域だけが液体LQで覆われるように液浸空間LS1が形成される。
本実施形態において、液浸空間LS1の液体LQの界面(メニスカス、エッジ)LG1の少なくとも一部は、下面123と基板Pの上面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置EXは、局所液浸方式を採用する。液浸空間LS1の外側(界面LG1の外側)は、気体空間である。
本実施形態において、第1液浸部材121は、環状の部材である。本実施形態において、第1液浸部材121の一部は、終端光学素子12の周囲に配置される。また、第1液浸部材121の一部は、終端光学素子12と基板Pとの間の露光光ELの光路Kの周囲に配置される。
なお、第1液浸部材121は、環状の部材でなくてもよい。例えば、第1液浸部材121が、終端光学素子12及び光路Kの周囲の一部に配置されていてもよい。なお、第1液浸部材121が、終端光学素子12の周囲の少なくとも一部に配置されていなくてもよい。例えば、第1液浸部材121が、射出面13と基板Pとの間の光路Kの周囲の少なくとも一部に配置され、終端光学素子12の周囲に配置されていなくてもよい。なお、第1液浸部材121が、射出面13と基板Pとの間の光路Kの周囲の少なくとも一部に配置されていなくてもよい。例えば、第1液浸部材121が、終端光学素子12の周囲の少なくとも一部に配置され、射出面13と物体との間の光路Kの周囲に配置されていなくてもよい。
第1液浸部材121は、液浸空間LS1を形成するための液体LQを供給する供給口131と、液浸空間LS1の液体LQの少なくとも一部を回収する回収口132とを備えている。
供給口131は、光路空間SPK(光路K)に面するように配置される。供給口131は、第1液浸部材121の内部に形成された供給流路133を介して、液体LQを供給可能な液体供給装置134と接続される。供給口131は、液体供給装置134からの液体LQを射出面13側の光路空間SPK(光路K)に供給する。
第1液浸部材121は、射出面13が面する孔(開口)120を有する。射出面13から射出された露光光ELは、開口120を通過して基板Pに照射可能である。供給口131から光路空間SPKに供給された液体LQの少なくとも一部は、開口120を介して、基板P上(物体上)に供給される。また、供給口131から光路空間SPKに供給された液体LQの少なくとも一部は、開口120を介して、第1空間SP1に供給される。本実施形態においては、開口120から、第1液浸部材121の下方の第1空間SP1に液体LQが供給される。
回収口132は、第1空間SP1に面するように配置される。基板P(物体)は、回収口132と対向可能である。回収口132は、第1液浸部材121の内部に形成された回収流路135を介して、液体LQを回収(吸引)可能な液体回収装置136と接続される。回収口132は、第1液浸部材121と基板Pとの間の第1空間SP1の液体LQの少なくとも一部を回収(吸引)可能である。回収口132から回収流路135に流入した液体LQは、液体回収装置136に回収される。液体回収装置136は、回収口132を真空システムBSに接続可能である。
本実施形態において、第1液浸部材121は、多孔部材137を備える。多孔部材137は、液体LQが流通可能な複数の孔(openingsあるいはpores)を有する。多孔部材137は、例えばメッシュフィルタを含む。メッシュフィルタは、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材である。
本実施形態において、多孔部材137は、プレート状の部材である。多孔部材137は、基板Pが対向可能な下面137Bと、第1液浸部材121に形成された回収流路135に面する上面と、上面と下面137Bとを結ぶように形成された複数の孔とを有する。本実施形態において、回収口132は、多孔部材137の孔を含む。多孔部材137の孔(回収口132)を介して回収された液体LQは、回収流路135を流れる。
本実施形態においては、多孔部材137(回収口132)から、第1空間SP1の液体LQ及び気体の両方が回収(吸引)される。なお、多孔部材137を介して実質的に液体LQのみが回収され、気体の回収が制限されてもよい。なお、多孔部材137を設けなくてもよい。
本実施形態においては、供給口131からの液体LQの供給と並行して、回収口132からの液体LQの回収が行われることによって、一方側の終端光学素子12及び第1液浸部材121と、他方側の基板Pとの間に液体LQの液浸空間LS1が形成される。液浸空間LS1は、供給口131から供給された液体LQによって形成される。
下面123は、開口120の周囲に配置される。本実施形態において、下面123の少なくとも一部は、XY平面とほぼ平行である。なお、下面123の少なくとも一部が、XY平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
下面123は、開口120の周囲に配置され、液体LQを回収不可能な下面123Bと、下面123Bの周囲に配置され、液体LQを回収可能な多孔部材137の下面137Bとを含む。液体LQは、下面123Bを通過できない。下面123Bは、基板Pとの間で液体LQを保持可能である。
本実施形態において、液体LQを回収可能な下面137Bは、下面123の周縁部に配置される。下面123(基板Pの上面)と平行なXY平面内において、下面137Bは、環状である。液体LQを回収不可能な下面123Bは、下面137Bの内側に配置される。本実施形態において、界面LG1は、下面137Bと基板Pの上面との間に配置される。
なお、液体LQを回収可能な下面137B(回収口132)は、光路K(開口120)の周囲に複数配置されてもよい。
第2液浸部材122は、第1液浸部材121とは異なる部材である。第2液浸部材122は、第1液浸部材121から離れている。第2液浸部材122は、第1液浸部材121の周囲の一部に配置される。
第2液浸部材122は、第2液浸部材122の下方の第2空間SP2の少なくとも一部に液体LQの液浸空間LS2を形成可能である。第2空間SP2は、下面124側の空間である。液浸空間LS2は、液浸空間LS1と離れて形成される。液浸空間LS2は、下面124と基板P(物体)の上面との間に形成される。第2液浸部材122は、基板P(物体)との間で液体LQを保持可能である。液浸空間LS2は、第2液浸部材122と基板Pとの間に保持される液体LQによって形成される。一方側の下面124と、他方側の基板P(物体)の上面との間に液体LQが保持されることによって、液浸空間LS2が形成される。
本実施形態において、液浸空間LS2の液体LQの界面(メニスカス、エッジ)LG2の少なくとも一部は、下面124と基板Pの上面との間に形成される。液浸空間LS2の外側(界面LG2の外側)は、気体空間である。
液浸空間LS2は、液浸空間LS1よりも小さい。液浸空間の大きさとは、液浸空間を形成する液体の体積を含む。また、液浸空間の大きさとは、液浸空間を形成する液体の重量を含む。また、液浸空間の大きさとは、例えば基板Pの表面(上面)と平行な面内(XY平面内)における液浸空間の面積を含む。また、液浸空間の大きさとは、例えば基板Pの表面(上面)と平行な面内(XY平面内)における所定方向(例えばX軸方向、又はY軸方向)に関する液浸空間の寸法を含む。
すなわち、基板Pの表面(上面)と平行な面内(XY平面内)において、液浸空間LS2は、液浸空間LS1よりも小さい。液浸空間LS2を形成する液体LQの体積(重量)は、液浸空間LS1を形成する液体LQの体積(重量)よりも小さい。XY平面内における液浸空間LS2の寸法は、液浸空間LS1の寸法よりも小さい。
液浸空間LS2は液浸空間LS1よりも小さいため、液浸空間LS1、LS2が形成されている状態で基板P(物体)が移動した場合において、液浸空間LS2の液体LQの一部が液浸空間LS2から離れて第2空間SP2の外側に移動(流出)することが抑制される。換言すれば、液浸空間LS2は液浸空間LS1よりも小さいため、液浸空間LS2の液体LQの一部が第2空間SP2から流出することが、液浸空間LS1の液体LQの一部が第1空間SP1から流出することよりも抑制される。
本実施形態において、第2液浸部材122は、第1液浸部材121の周囲の空間において2つ配置される。本実施形態において、第2液浸部材122は、X軸方向に関して、第1液浸部材121の一側(+X側)及び他側(−X側)に配置される。液浸空間LS2は、X軸方向に関して、液浸空間LS1の一側(+X側)及び他側(−X側)に形成される。
なお、第2液浸部材122は、第1液浸部材121の一側(+X側)のみに配置されてもよいし、他側(−X側)のみに配置されてもよい。液浸空間LS2は、液浸空間LS1の一側(+X側)のみに配置されてもよいし、他側(−X側)のみに配置されてもよい。
本実施形態において、下面124の少なくとも一部は、XY平面とほぼ平行である。なお、下面124の少なくとも一部が、XY平面に対して傾斜していてもよいし、曲面を含んでもよい。
本実施形態において、Z軸方向に関する下面123の位置(高さ)と下面124の位置(高さ)とは、実質的に等しい。すなわち、下面123と基板P(物体)の上面との距離と、下面124と基板P(物体)の上面との距離とは、実質的に等しい。
なお、下面124が下面123よりも低い位置に配置されてもよい。すなわち、下面124と基板P(物体)の上面との距離が、下面123と基板P(物体)の上面との距離よりも小さくてもよい。なお、下面124が下面123よりも高い位置に配置されてもよい。すなわち、下面124と基板P(物体)の上面との距離が、下面123と基板P(物体)の上面との距離よりも大きくてもよい。
図9は、第2液浸部材122の一例を示す断面図である。図10は、図9の一部を拡大した図である。
第2液浸部材122は、基板P(物体)の上面が第1間隙を介して対向し、基板P(物体)の上面との間で液体LQを保持する第1面124Aと、第1面124Aの中心に対して第1面124Aの外側に配置され、基板P(物体)の上面が第2間隙を介して対向する第2面124Bと、第1面124Aの中心に対して第2面124Bの外側に配置され、流体を供給する供給口164と、第1面124Aと第2面124Bとの間に配置され、第2面124Bの外側の空間102(102A)の気体Gaの少なくとも一部を、第2面124Bと基板P(物体)の上面との間の間隙を介して吸引する吸引口(回収口)142とを有する。
第2液浸部材122は、液浸空間LS2を形成するための液体LQを供給する供給口141を備えている。供給口141は、下面124(第1面124A)の少なくとも一部に配置される。供給口141は、第1面124Aの中心に配置されている。供給口141の周囲に第1面124Aが配置される。
回収口(吸引口)142は、液浸空間LS2の液体LQの少なくとも一部を回収する。
回収口142は、環境制御装置105からの気体Gaとともに、液体LQを吸引する。回収口142は、供給口141を囲むように配置される。本実施形態において、XY平面内における回収口142の形状は、環状である。なお、回収口142は、供給口141の周囲に複数配置されてもよい。すなわち、複数の回収口142が、供給口141の周囲において離散的に配置されてもよい。
供給口141は、第2液浸部材122の下方の第2空間SP2に面するように配置される。基板P(物体)は、供給口141と対向可能である。供給口141は、第2空間SP2に液体LQを供給可能である。
本実施形態において、回収口142は、第2液浸部材122の下方の第2空間SP2に面するように配置される。基板P(物体)は、回収口142と対向可能である。回収口142は、第1面124Aの少なくとも一部に配置される。回収口142は、第2空間SP2の液体LQの少なくとも一部を回収可能である。回収口142は、第2空間SP2の気体を回収可能である。本実施形態において、回収口142は、液体LQを、気体Gaとともに回収する。第2空間SP2の流体(液体LQ及び気体の一方又は両方)の少なくとも一部は、回収口142から回収される。
供給口141は、第2液浸部材122の内部に形成された供給流路143を介して、液体LQを供給可能な液体供給装置144と接続される。供給口141は、液体供給装置144からの液体LQを、第2空間SP2に供給する。
図7に示すように、本実施形態においては、一側の第2液浸部材122及び他側の第2液浸部材122のそれぞれに液体供給装置144が接続される。
回収口142は、第2液浸部材122の内部に形成された回収流路145を介して、液体LQ(気体)を回収(吸引)可能な流体回収装置146と接続される。回収口142は、第2液浸部材122と基板Pとの間の第2空間SP2の液体LQの少なくとも一部を回収(吸引)可能である。第2液浸部材122の下方の第2空間SP2から回収された液体LQは、回収流路145を流れる。回収口142から回収流路145に流入した液体LQは、流体回収装置146に回収される。流体回収装置146は、回収口142を真空システムBSに接続可能である。
流体回収装置146は、回収流路145において気体Gaの通路が維持されるように、液体LQを吸引する。
図7に示すように、本実施形態においては、一側の第2液浸部材122及び他側の第2液浸部材122のそれぞれに流体回収装置146が接続される。
本実施形態においては、供給口141からの液体LQの供給と並行して、回収口142からの液体LQの回収が行われることによって、一方側の第2液浸部材122と、他方側の基板Pとの間に液体LQで液浸空間LS2が形成される。液浸空間LS2は、供給口141から供給された液体LQによって形成される。
供給口164は、第1面124Aの中心(供給口141)に対して第2面124Bの外側に配置される。
本実施形態において、供給口164は、液体LBを供給する。供給口164から供給される液体LBは、液浸空間LS2を形成するために供給口141から供給される液体LQ(水)と同じ種類でもよいし、異なる種類でもよい。
供給口164から供給される液体LBは、液浸空間LS2の液体LQよりも高い粘度を有してもよい。例えば、液体LQが水であり、液体LBがデカリンでもよい。なお、液体LBが液体LQとはクリーン度が異なる水であってもよい。例えば、液体LQが第1のクリーン度を有する水であり、液体LBが第1のクリーン度よりも低い第2のクリーン度を有する水でもよい。また、液体LBが液体LQとは温度が異なる水であってもよい。例えば、液体LQが第1の温度を有する水であり、液体LBが第1の温度よりも高い第2の温度を有する水でもよい。
本実施形態においては、供給口164から供給された液体LBは、回収口142に向かって第2面124B上を流れる。本実施形態においては、供給口164から供給された液体LBは、第2面124Bの少なくとも一部に接触しながら流れ、回収口142から回収(吸引)される。本実施形態において、第2面124Bに液体LBの膜が形成される。
本実施形態において、回収口142は、第2面124Bの外側の空間102の気体Gaの少なくとも一部を、第2面124Bと基板P(物体)の上面との間の間隙を介して吸引(排出)する。すなわち、回収口142は、環境制御装置105からの気体Gaの少なくとも一部を、第2間隙を介して吸引する。
回収口142は、供給口164から供給され、第2面124Bを流れる液体LBの表面(下面)と基板P(物体)の上面との間の間隙を介して、空間102の気体Gaを吸引する。すなわち、回収口142から吸引される気体Gaは、第2面124B上を流れる液体LBと物体(基板P)の上面との間の間隙を通過する。
本実施形態においては、供給口164から供給された液体LBが、対向する物体の上面に触れずに第2面124Bを流れるように、供給口164から供給される液体LBの単位時間当たりの液体供給量と、回収口142から回収される単位時間当たりの気体回収量との少なくとも一方が設定される。すなわち、第2面124Bを流れる液体LBと対向する基板P(物体)の上面との間に間隙が形成されるように、供給口164から供給される液体LBの単位時間当たりの液体供給量と、回収口142から回収される単位時間当たりの気体回収量との少なくとも一方が設定される。
本実施形態において、回収口142は、第1面124Aと基板P(物体)の上面との間に供給された液体LQの少なくとも一部も吸引可能である。例えば、基板Pの露光において、回収口142は、液体LQと気体Gaとを一緒に吸引可能である。流体回収装置146は、回収流路145において気体Gaの通路が維持されるように、回収口142を介して液体LQを吸引する。
また、本実施形態において、回収口142は、液体LBと気体Gaとを一緒に吸引可能である。流体回収装置146は、回収流路145において気体Gaの通路が維持されるように、回収口142を介して液体LBを吸引する。
以上説明したように、本実施形態においては、液浸空間LS2の液体LQの流出が抑制される。
なお、本実施形態においては、供給口164から液体が供給されることとした。しかし、供給口164から気体Gbが供給されてもよい。供給口164から供給される気体Gbと、環境制御装置105から供給される気体Gaとは異なる種類でもよい。例えば、気体Gbの粘度が、気体Gaの粘度よりも高くてもよい。例えば、気体Gaが空気であり、気体Gbがアルゴンガスでもよい。
なお、本実施形態において、回収口142と供給口164とを有する部材が異なってもよい。すなわち、第1の部材に供給口141及び回収口142が配置され、第2の部材に供給口164が配置されてもよい。また、第1面124Aと第2面124Bとを有する部材が異なってもよい。すなわち、第1の部材に第1面124Aが配置され、第2の部材に第2面124Bが配置されてもよい。
なお、第1〜第3実施形態で説明した第1部材(第1液浸部材)の周囲の少なくとも一つに、第4実施形態で説明した第2液浸部材122が配置されてもよい。
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系PLの終端光学素子12の射出側(像面側)の光路Kが液体LQで満たされているが、投影光学系PLが、例えば国際公開第2004/019128号に開示されているような、終端光学素子12の入射側(物体面側)の光路も液体LQで満たされる投影光学系でもよい。
なお、上述の各実施形態においては、露光用の液体LQとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体LQとしては、露光光ELに対して透過性であり、露光光ELに対して高い屈折率を有し、投影光学系PLあるいは基板Pの表面を形成する感光材(フォトレジスト)などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリン(登録商標)オイル等を用いることも可能である。また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用できる。
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
また、例えば米国特許第6611316号に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明の態様を適用できる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明の態様を適用できる。
また、本発明の態様は、米国特許第6341007号、米国特許第6208407号、米国特許第6262796号等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。例えば、図11に示すように、露光装置EXが2つの基板ステージ2001、2002を備えている場合、射出面13と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージに保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージに保持された基板の少なくとも一つを含む。
また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用できる。
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきた。しかし、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明の態様を適用できる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射できる。
また、例えば国際公開第2001/035168号に開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明の態様を適用できる。
上述の実施形態の露光装置EXは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図12に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理(露光処理)を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
2…基板ステージ、3…計測ステージ、8…制御装置、12…終端光学素子、30…第1部材、31…第1面、33…回収口、60…第2部材、61…第2面、103…チャンバ装置、105…環境制御装置、EL…露光光、EX…露光装置、P…基板

Claims (46)

  1. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、物体の上面が第1間隙を介して対向し、前記物体の上面との間で前記液体を保持する第1面を有する第1部材と、
    前記光路に対して前記第1面の外側に配置され、前記物体の上面が第2間隙を介して対向する第2面を有する第2部材と、
    前記光路に対して前記第2面の外側に配置され、液体を供給可能な第1供給口と、
    前記第1面と前記第2面との間に配置され、前記光路に対して前記第2部材の外側の空間の気体の少なくとも一部を、前記第2間隙を介して吸引可能な吸引口と、を備え、
    前記第1供給口を介した前記供給と、前記吸引口を介した前記吸引とに伴い、前記第1供給口から供給された前記液体が前記第2面を流れて前記液体の表面と前記物体の上面との間に間隙が形成される露光装置。
  2. 少なくとも前記露光光を射出する光学部材、前記第1部材、及び前記第2部材が配置される内部空間に気体を供給する環境制御装置を有するチャンバ装置をさらに備え、
    前記吸引口は、前記環境制御装置からの前記気体を吸引する請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記光路に対して前記第2部材の外側に配置され、前記第2間隙に気体を供給する第2供給口をさらに備え、
    前記吸引口は、前記第2供給口からの前記気体を吸引する請求項1又は2に記載の露光装置。
  4. 前記第1供給口は、前記第2部材に配置される請求項3に記載の露光装置。
  5. 前記第2供給口は、前記光路に対して前記第1供給口の外側に配置される、請求項3又は4に記載の露光装置。
  6. 前記第1供給口から供給される前記液体は、前記露光光が通過する前記液体とは異なる請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光装置。
  7. 前記第1供給口から供給される前記液体は、前記露光光が通過する前記液体よりも高い粘度を有する請求項6に記載の露光装置。
  8. 前記吸引口は、前記物体上に保持された前記液体を吸引する請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置。
  9. 前記吸引口は、前記物体上に保持された前記液体と、前記第1供給口から供給された前記液体を吸引する請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置。
  10. 前記吸引口は、前記物体上に保持された前記液体を吸引する第1吸引口と、前記第1吸引口と前記第2面との間に配置され、前記第1供給口から供給された前記液体を回収する第2吸引口とを有する請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置。
  11. 前記吸引口は、前記物体上に形成された液浸空間の液体を吸引する請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置。
  12. 前記物体上に液浸空間を形成するために液体を供給する第3供給口をさらに備え、
    前記吸引口は、前記第1供給口から供給された液体とともに、前記第3供給口から供給された液体を吸引する請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置。
  13. 前記物体上に液浸空間を形成するために液体を供給する第3供給口をさらに備え、
    前記吸引口は、前記第3供給口から供給された液体を吸引する第1吸引口と、前記第1吸引口と前記第2面との間に配置され、前記第1供給口から供給された液体を吸引する第2吸引口とを有する請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置。
  14. 前記物体は、前記基板を含み、
    前記基板上に形成された液浸空間の液体を介して前記基板に露光光を照射する請求項9〜13のいずれか一項に記載の露光装置。
  15. 前記吸引口は、前記第2面を流れる前記液体の表面と前記物体の上面との間の前記間隙を介して前記気体を吸引する請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置。
  16. 前記液体の表面と前記物体の上面との間の前記間隙の寸法は、0.2mm以下である請求項15に記載の露光装置。
  17. 前記液体の表面と前記物体の上面との間の前記間隙の寸法は、0.1mm以上、0.2mm以下である請求項16に記載の露光装置。
  18. 前記液体の表面と前記物体の上面との間の前記間隙の寸法は、前記第1間隙の寸法よりも小さい請求項15〜17のいずれか一項に記載の露光装置。
  19. 前記吸引口は、前記物体が対向するように配置され、
    前記吸引口と前記物体の上面との間の第3間隙の寸法は、前記液体の表面と前記物体の上面との間の前記間隙の寸法よりも大きい請求項15〜18のいずれか一項に記載の露光装置。
  20. 前記吸引口は、前記第1部材に配置される請求項1〜19のいずれか一項に記載の露光装置。
  21. 吸引流路を介して前記吸引口と接続される流体吸引装置をさらに備え、
    前記流体吸引装置は、前記吸引流路において前記気体の通路が維持されるように、前記液体を吸引する請求項1〜20のいずれか一項に記載の露光装置。
  22. 前記第1間隙は、前記第2間隙よりも小さい請求項1〜21のいずれか一項に記載の露光装置。
  23. 前記第1供給口から供給された前記液体が、前記物体の上面と接触せずに前記第2面を前記吸引口に向かって流れるように、前記第1供給口からの前記液体の単位時間当たりの供給量と、前記吸引口からの前記気体の単位時間当たりの吸引量との少なくとも一方が設定される請求項1〜22のいずれか一項に記載の露光装置。
  24. 前記第1供給口から供給され、前記第2面を前記吸引口に向かって流れる前記液体と前記物体の上面との間に前記間隙が形成されるように、前記第1供給口からの前記液体の単位時間当たりの供給量と、前記吸引口からの前記気体の単位時間当たりの吸引量との少なくとも一方が設定される請求項1〜23のいずれか一項に記載の露光装置。
  25. 前記第1部材と前記第2部材とを少なくともZ軸方向に可動可能な駆動装置を備える請求項1〜24のいずれか一項に記載の露光装置。
  26. 前記第1部材と前記第2部材とは一体的に設けられている請求項1〜25のいずれか一項に記載の露光装置。
  27. 第1液浸空間の第1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
    前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、
    前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、前記第1液体の前記第1液浸空間を形成する第1液浸部材と、
    前記光路に対して前記第1液浸部材の外側に配置され、前記第1液浸空間から離れて、第2液体の第2液浸空間を形成可能な第2液浸部材と、を備え、
    前記第2液浸部材は、
    物体の上面が第1間隙を介して対向し、前記物体の上面との間で前記液体を保持する第1面と、
    前記第1面の中心に対して前記第1面の外側に配置され、前記物体の上面が第2間隙を介して対向する第2面と、
    前記第1面の中心に対して前記第2面の外側に配置され、液体を供給可能な第1供給口と、
    前記第1面と前記第2面との間に配置され、前記第2面の外側の空間の気体の少なくとも一部を、前記第2間隙を介して吸引可能な吸引口と、を有し、
    前記第1供給口を介した前記供給と、前記吸引口を介した前記吸引とに伴い、前記第1供給口から供給された前記液体が前記第2面を流れて前記液体の表面と前記物体の上面との間に間隙が形成される露光装置。
  28. 少なくとも前記露光光を射出する光学部材、前記第1液浸部材、及び前記第2液浸部材が配置される内部空間に気体を供給する環境制御装置を有するチャンバ装置をさらに備え、
    前記吸引口は、前記環境制御装置からの前記気体を吸引する請求項27に記載の露光装置。
  29. 前記第1供給口から供給される前記液体は、前記第2液浸空間の前記第2液体とは異なる請求項27又は28に記載の露光装置。
  30. 前記第1供給口から供給される前記液体は、前記第2液浸空間の前記第2液体よりも高い粘度を有する請求項29に記載の露光装置。
  31. 前記吸引口は、前記第1供給口から供給され、前記第2面を流れる前記液体の表面と前記物体の上面との間の前記間隙を介して前記気体を吸引する請求項27〜30のいずれか一項に記載の露光装置。
  32. 前記吸引口は、前記第1面と前記物体との間の前記液体の少なくとも一部も吸引する請求項27〜31のいずれか一項に記載の露光装置。
  33. 吸引流路を介して前記吸引口と接続される流体吸引装置をさらに備え、
    前記流体吸引装置は、前記吸引流路において前記気体の通路が維持されるように、前記液体を吸引する請求項27〜32のいずれか一項に記載の露光装置。
  34. 前記第1供給口から供給された前記液体が、前記物体の上面と接触せずに前記第2面を前記吸引口に向かって流れるように、前記第1供給口からの前記液体の単位時間当たりの供給量と、前記吸引口からの前記気体の単位時間当たりの吸引量との少なくとも一方が設定される請求項27〜33のいずれか一項に記載の露光装置。
  35. 前記第1供給口から供給され、前記第2面を前記吸引口に向かって流れる前記液体と前記物体の上面との間に前記間隙が形成されるように、前記第1供給口からの前記液体の単位時間当たりの供給量と、前記吸引口からの前記気体の単位時間当たりの吸引量との少なくとも一方が設定される請求項27〜34のいずれか一項に記載の露光装置。
  36. 請求項1〜35のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
  37. 基板上の液体を介して露光光で前記基板を露光する露光装置で用いられる液体保持方法であって、
    前記露光光の光路の周囲の少なくとも一部に配置され、物体の上面が第1間隙を介して対向する第1部材の第1面と、前記物体の上面との間で前記液体を保持することと、
    前記光路に対して前記第1面の外側に配置され、前記物体の上面が第2間隙を介して対向する第2部材の第2面の外側に配置された第1供給口から液体を供給することと、
    前記第1面と前記第2面との間に配置された吸引口から、前記光路に対して前記第2部材の外側の空間の気体の少なくとも一部を、前記第2面を流れる前記液体の表面と前記物体の上面との間の間隙を介して吸引することと、
    前記第1供給口を介した前記供給と、前記吸引口を介した前記吸引とに伴って、前記第2面を流れる前記液体の表面と前記物体の上面との間に前記間隙を形成することと、
    を含む液体保持方法。
  38. 前記第1供給口から供給された前記液体は、前記光路に向かって前記第2面上を流れる請求項37に記載の液体保持方法。
  39. 前記吸引口から吸引される前記気体は、前記第2面上を流れる前記液体と前記物体の上面との間の前記間隙を通過する請求項37又は38に記載の液体保持方法。
  40. 前記物体上に保持された前記液体は、前記吸引口から吸引される請求項37〜39のいずれか一項に記載の液体保持方法。
  41. 前記物体上に保持された前記液体と、前記第1供給口から供給された前記液体とは、前記吸引口から吸引される請求項37〜39のいずれか一項に記載の液体保持方法。
  42. 前記物体上に保持された前記液体は、前記吸引口が有する第1吸引口から回収され、
    前記第1供給口から供給された前記液体は、前記第1吸引口と前記第2面との間に配置された前記吸引口が有する第2吸引口から回収される請求項37〜39のいずれか一項に記載の液体保持方法。
  43. 前記吸引口からの前記吸引を開始した後に、前記第1供給口からの前記液体の前記供給を開始する請求項37〜42のいずれか一項に記載の液体保持方法。
  44. 前記第1供給口から供給された前記液体が、前記物体の上面と接触せずに前記第2面を前記吸引口に向かって流れるように、前記第1供給口からの前記液体の単位時間当たりの供給量と、前記吸引口からの前記気体の単位時間当たりの吸引量との少なくとも一方が設定される請求項37〜43のいずれか一項に記載の液体保持方法。
  45. 前記第1供給口から供給され、前記第2面を前記吸引口に向かって流れる前記液体と前記物体の上面との間に前記間隙が形成されるように、前記第1供給口からの前記液体の単位時間当たりの供給量と、前記吸引口からの前記気体の単位時間当たりの吸引量との少なくとも一方が設定される請求項37〜44のいずれか一項に記載の液体保持方法。
  46. 請求項37〜45のいずれか一項に記載の液体保持方法により保持された液体の少なくとも一部を介して物体を露光することと、
    露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2005655A (en) 2009-12-09 2011-06-14 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
JP6212884B2 (ja) * 2013-03-15 2017-10-18 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
CN110088686B (zh) 2016-12-14 2021-11-16 Asml荷兰有限公司 光刻设备及器件制造方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69738910D1 (de) 1996-11-28 2008-09-25 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
JP3626504B2 (ja) 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 2個の物品ホルダを有する位置決め装置
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
US6452292B1 (en) 2000-06-26 2002-09-17 Nikon Corporation Planar motor with linear coil arrays
US6611316B2 (en) 2001-02-27 2003-08-26 Asml Holding N.V. Method and system for dual reticle image exposure
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN1954408B (zh) * 2004-06-04 2012-07-04 尼康股份有限公司 曝光装置、曝光方法及元件制造方法
CN1965389B (zh) 2004-06-09 2011-08-10 尼康股份有限公司 基板保持装置、具备其之曝光装置及方法、元件制造方法
EP3203321A1 (en) 2004-06-10 2017-08-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7701550B2 (en) * 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7522261B2 (en) * 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006059636A1 (ja) * 2004-12-02 2006-06-08 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TWI424260B (zh) 2005-03-18 2014-01-21 尼康股份有限公司 A board member, a substrate holding device, an exposure apparatus and an exposure method, and a device manufacturing method
US20070132976A1 (en) 2005-03-31 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4802604B2 (ja) 2005-08-17 2011-10-26 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2007142366A (ja) * 2005-10-18 2007-06-07 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
WO2007129753A1 (ja) * 2006-05-10 2007-11-15 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2008034801A (ja) * 2006-06-30 2008-02-14 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
US8634053B2 (en) * 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008147577A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US8004651B2 (en) * 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US8134685B2 (en) * 2007-03-23 2012-03-13 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US7924404B2 (en) 2007-08-16 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101408731B (zh) * 2008-11-04 2010-08-18 浙江大学 一种用于浸没式光刻机的浸没控制装置
US20100196832A1 (en) 2009-01-30 2010-08-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, liquid immersion member and device fabricating method
US20110134400A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion member, and device manufacturing method
US20110222031A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120162619A1 (en) * 2010-12-27 2012-06-28 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120188521A1 (en) 2010-12-27 2012-07-26 Nikon Corporation Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium
US9823580B2 (en) * 2012-07-20 2017-11-21 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US9651873B2 (en) * 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium

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