TW201312293A - 曝光裝置、液體保持方法、及元件製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之曝光裝置係透過液體以曝光用光使基板曝光。曝光裝置具備：配置在該曝光用光光路周圍之至少一部分，具有物體之上面隔著第1間隙對向、在與物體之上面之間保持液體之第1面的第1構件；相對光路配置在第1面之外側，具有物體之上面隔著第2間隙對向之第2面的第2構件；相對光路配置在第2面之外側，用以供應流體的第1供應口；以及配置在第1面與第2面之間，透過第2面與物體上面間之間隙吸引相對光路在第2構件外側空間之氣體之至少一部分的第1吸引口。

Description

曝光裝置、液體保持方法、及元件製造方法

本發明係關於曝光裝置、液體保持方法及元件製造方法。

本申請案主張2011年8月25日申請之美國專利暫時申請61/527,333號、2012年7月9日申請之日本專利申請第2012-153959號及2012年8月23日申請之美國專利申請13/593,079號之優先權，並將其內容援用於此。

於微影製程使用之曝光裝置中，已知有例如下列專利文獻所揭露之透過液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置。

先行技術文獻

[專利文獻1]美國專利申請公開第2009/0046261號

液浸曝光裝置中，例如當液體從既定空間流出時，即有可能發生曝光不良之情形。其結果，有可能產生不良元件。

本發明各態樣之目的，在提供一種能抑制曝光不良之發生之曝光裝置及液體保持方法。又，本發明各態樣之再一目的，在提供一種能抑制不良元件之產生之元件製造方 法。

本發明第1態樣提供一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，具備：配置在曝光用光光路周圍之至少一部分，具有物體之上面隔著第1間隙對向、在與物體之上面之間保持液體之第1面的第1構件；相對光路配置在第1面之外側，具有物體之上面隔著第2間隙對向之第2面的第2構件；相對光路配置在第2面之外側，用以供應流體的第1供應口；以及配置在第1面與第2面之間，透過第2面與物體上面間之間隙吸引相對光路在第2構件外側空間之氣體之至少一部分的第1吸引口。

本發明第2態樣提供一種曝光裝置，係透過第1液浸空間之第1液體以曝光用光使基板曝光，其具備：具有曝光用光射出之射出面的光學構件；配置在曝光用光光路周圍之至少一部分，用以形成第1液體之第1液浸空間的第1液浸構件；以及相對光路配置在第1液浸構件之外側，可與第1液浸空間分離形成第2液體之第2液浸空間的第2液浸構件；該第2液浸構件，具有：物體之上面隔著第1間隙對向、在與物體之上面之間保持液體之第1面；相對第1面之中心配置在第1面之外側，物體之上面隔著第2間隙對向之第2面；相對第1面之中心配置在第2面之外側，供應流體之第1供應口；以及配置在第1面與第2面之間，透過第2面與物體上面之間之間隙吸引第2面外側空間之氣體之至少一部分之第1吸引口。

本發明第3態樣提供一種元件製造方法，包含：使用第1或第2態樣之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。

本發明第4態樣提供一種液體保持方法，係用於透過基板上之液體以曝光用光使基板曝光之曝光裝置，包含：在配置於曝光用光光路周圍之至少一部分、基板之上面隔著第1間隙對向之第1構件之第1面與基板之上面之間保持液體的動作；從相對光路配置在第1面外側、物體之上面隔著第2間隙對向之第2構件之第2面外側配置之第1供應口供應流體動作；以及從配置在第1面與第2面之間之第1吸引口，透過流過第2面之流體與基板上面之間之間隙吸引相對光路在第2構件外側空間之氣體之至少一部分的動作。

本發明第5態樣提供一種元件製造方法，包含：透過以第4態樣之液體保持方法保持之液體之至少一部分使基板曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。

根據本發明之上述態樣，可抑制曝光不良之發生。此外，根據本發明之上述態樣，可抑制不良元件之產生。

以下，一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於此。以下之說明中，係設定一XYZ正交座標系，一邊參照此XYZ正交座標系一邊說明各部之位置 關係。並設水平面內之既定方向為X軸方向、於水平面內與X軸方向正交之方向為Y軸方向、分別與X軸方向及Y軸方向正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。此外，設繞X軸、Y軸及Z軸旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY及θZ方向。

<第1實施形態>

首先，說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX之一例的概略構成圖。本實施形態之曝光裝置EX係透過液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之液浸曝光裝置。本實施形態中，形成有將曝光用光EL之光路之至少一部分以液體LQ加以充滿之液浸空間LS。液浸空間係被液體充滿之部分(空間、區域)。基板P係透過液浸空間LS之液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態中，液體LQ係使用水(純水)。

又，本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第6897963號說明書、歐洲專利公開第1713113號說明書等所揭示之具備基板載台與測量載台的曝光裝置。

圖1中，曝光裝置EX，具備：可保持光罩M移動之光罩載台1、可保持基板P移動之基板載台2、不保持基板P而可搭載測量曝光用光EL之測量構件及測量器移動之測量載台3、使光罩載台1移動之驅動系統4、使基板載台2移動之驅動系統5、使測量載台3移動之驅動系統6、以曝光用光EL照明光罩M之照明系IL、將經曝光用光EL照明之光罩M之圖案之像投影至基板P之投影光學系PL、配置在 曝光用光EL之光路周圍至少一部分並具有物體之上面隔著第1間隙對向且在與物體之上面之間保持液體LQ之第1面31的第1構件30、相對曝光用光EL之光路配置在第1面31之外側且具有物體之上面隔著第2間隙對向之第2面61的第2構件60、測量光罩載台1、基板載台2及測量載台3之位置之測量系統11、控制曝光裝置EX全體之動作之控制裝置8、以及連接於控制裝置8用以儲存與曝光相關之各種資訊之記憶裝置8R。記憶裝置8R，包含例如RAM等之記憶體、硬碟、CD-ROM等之記錄媒體。於記憶裝置8R安裝有用以控制電腦系統之作業系統(OS)，內儲存有用以控制曝光裝置EX之程式。

光罩M包含形成有待投影至基板P之元件圖案之標線片(reticle)。光罩M包含透射型光罩，此種透射型光罩具有例如玻璃板等之透明板、與在該透明板上使用鉻等遮光材料形成之圖案。又，光罩M亦可使用反射型光罩。

基板P係用以製造元件之基板。基板P包含例如半導體晶圓等之基材與該基材上形成之感光膜。感光膜係感光材(photoresist光阻劑)之膜。又，基板P除感光膜外亦可包含其他膜。例如，基板P可包含反射防止膜、或包含保護感光膜之保護膜(topcoat膜)。

又，曝光裝置EX具備至少支承投影光學系PL之機體100。此外，曝光裝置EX具備用以調整曝光用光EL行進之空間102之環境(温度、濕度、壓力及潔淨度之至少一種)的腔室(chamber)裝置103。腔室裝置103具有形成一空間 102之腔室構件104、與調整該空間102之環境之環境控制裝置105。空間102係腔室構件104形成之內部空間。機體100配置於空間102。

空間102包含空間102A及空間102B。空間102A係處理基板P之空間。基板載台2及測量載台3在空間102A中移動。

環境控制裝置105具有對空間102A、102B供應氣體Ga之供氣部105S，從該供氣部105S對空間102A、102B供應氣體Ga，以調整該空間102A、102B之環境。本實施形態中，至少基板載台2、測量載台3及投影光學系PL之終端光學元件12係配置於空間102A。本實施形態中，從環境控制裝置105供應至空間102之氣體Ga係空氣。

照明系IL對既定照明區域IR照射曝光用光EL。照明區域IR包含從照明系IL射出之曝光用光EL可照射之位置。照明系IL以均一照度分布之曝光用光EL照明配置在照明區域IR之光罩M之至少一部分。從照明系IL射出之曝光用光EL，係使用例如從水銀燈射出之輝線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F₂雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。本實施形態中，曝光用光EL係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光。

光罩載台1能在保持光罩M之狀態下，在包含照明區域IR之基座構件9之導引面9G上移動。驅動系統4包含用以在導引面9G上移動光罩載台1之平面馬達。平面馬達 係例如美國專利第6452292號所揭示，具有配置在光罩載台1之可動子與配置在基座構件9之固定子。本實施形態中，光罩載台1可藉由驅動系統4之作動，在導引面9G上移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ方向之6個方向。

投影光學系PL將曝光用光EL照射於既定投影區域PR。投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置。投影光學系PL將光罩M之圖案像以既定投影倍率投影至配置在投影區域PR之基板P之至少一部分。本實施形態之投影光學系PL係投影倍率例如為1/4、1/5或1/8等之縮小系。當然，投影光學系PL亦可以是等倍系及放大系之任一者。本實施形態中，投影光學系PL之光軸與Z軸平行。又，投影光學系PL可以是不包含反射光學元件之折射系、不包含折射光學元件之反射系、或包含反射光學元件與折射光學元件之反射折射系中之任一種。又，投影光學系PL可以形成倒立像與正立像之任一種。

基板載台2可移動至從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)。基板載台2能在保持基板P之狀態下，在包含投影區域PR之基座構件10之導引面10G上移動。測量載台3可移動至從投影光學系PL射出之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)。測量載台3能在保持測量構件之狀態下，在包含投影區域PR之基座構件10之引導面10G上移動。基板載台2與測量載台3可在導引面10G上獨立移動。

用以移動基板載台2之驅動系統5包含用以在導引面10G上移動基板載台2之平面馬達。平面馬達係例如美國專利第6452292號所揭示，具有配置在基板載台2之可動子與配置在基座構件10之固定子。同樣的，用以移動測量載台3之驅動系統6包含平面馬達，具有配置在測量載台3之可動子與配置在基座構件10之固定子。

又，本實施形態中，基板載台2具有例如美國專利申請公開第2007/0177125號、美國專利申請公開第2008/0049209號等所揭之將基板P之下面保持成可釋放之第1保持部21與配置在第1保持部21周圍、將覆蓋構件T之下面保持成可釋放之第2保持部22。覆蓋構件T係配置在被保持於第1保持部21之基板P之周圍。

本實施形態中，第1保持部21保持基板P。第2保持部22保持覆蓋構件T。本實施形態中，被保持於第1保持部21之基板P之上面與被保持於第2保持部22之覆蓋構件T之上面，係配置在大致同一平面內(大致成一面)。

又，覆蓋構件T可一體的形成於基板載台2。此場合，第2保持部22是被省略的。

干涉儀系統11，包含測量光罩載台1之位置之雷射干涉儀單元11A與測量基板載台2及測量載台3之位置之雷射干涉儀單元11B。雷射干涉儀單元11A可使用配置於光罩載台1之測量鏡(mirror)測量光罩載台1之位置。雷射干涉儀單元11B可使用配置於基板載台2之測量鏡(mirror)及配置於測量載台3之測量鏡(mirror)測量基板載台2及測量 載台3各個之位置。

實施基板P之曝光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置8根據干涉儀系統11之測量結果，使驅動系統4、5、6作動以實施光罩載台1(光罩M)、基板載台2(基板P)及測量載台3(測量構件C)之位置控制。

第1構件30可形成一曝光用光EL之光路之至少一部分被液體LQ充滿之液浸空間LS。第1構件30係配置在投影光學系PL之複數個光學元件中最接近投影光學系PL之像面之終端光學元件12之近旁。本實施形態中，第1構件30為一環狀構件，配置在曝光用光EL之光路周圍。本實施形態中，第1構件30之至少一部分係配置在終端光學元件12之周圍。

終端光學元件12具有朝向投影光學系PL之像面射出曝光用光EL之射出面13。本實施形態中，於射出面13側形成液浸空間LS。液浸空間LS係形成為從射出面13射出之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿。從射出面13射出之曝光用光EL行進於-Z方向。射出面13朝向曝光用光EL之行進方向(-Z方向)。本實施形態中，射出面13係與XY平面大致平行之平面。當然，射出面13亦可相對XY平面傾斜、或者包含曲面。

第1構件30具有至少一部分朝向-Z方向之第1面31。本實施形態中，射出面13及第1面31可在與配置於從射出面13射出之曝光用光EL可照射到之位置(投影區域PR)之物體之間保持液體LQ。液浸空間LS係由被保持在射 出面13及第1面31之至少一部分與配置在投影區域PR之物體之間的液體LQ而形成。液浸空間LS係以射出面13與配置在投影區域PR之物體之間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成。第1構件30可在與物體之間保持液體LQ以將終端光學元件12與物體之間之曝光用光EL之光路K以液體LQ加以充滿。

本實施形態中，可配置在投影區域PR之物體，包含可在投影光學系PL之像面側(終端光學元件12之射出面13側)相對投影區域PR移動之物體。該物體可相對終端光學元件12及第1構件30移動。該物體具有能與射出面13及第1面31之至少一方對向之上面(表面)。物體之上面可在與射出面13之間形成液浸空間LS。本實施形態中，物體之上面可在與射出面13及第1面31之至少一部分之間形成液浸空間LS。藉由將液體LQ保持在一側之射出面13及第1面31與另一側之物體之上面(表面)之間，以終端光學元件12與物體之間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成液浸空間LS。

本實施形態中，該物體包含基板載台2、被保持於基板載台2之基板P、測量載台3及被保持於測量載台3之測量構件中之至少一者。例如，基板載台2(覆蓋構件T)之上面及被保持於基板載台2之基板P之表面(上面)，能與朝向-Z方向之終端光學元件12之射出面13及朝向-Z方向之第1構件30之第1面31對向。當然，可配置在投影區域PR之物體並不限於基板載台2、被保持於基板載台2之基板 P、測量載台3及被保持於測量載台3之測量構件之至少一者。亦即，可跨於二個以上之物體形成液浸空間LS。

又，本實施形態中，可配置於投影區域PR之物體，能與第2構件60之至少一部分對向。物體能與第2構件60之第2面61對向。此外，本實施形態中，第1構件30與第2構件60係一體設置。

本實施形態中，液浸空間LS係形成為當基板P被曝光用光EL照射時，包含投影區域PR之基板P表面之部分區域被液體LQ覆蓋。於基板P之曝光時，第1構件30可以終端光學元件12與基板P之間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式，在與基板P之間保持液體LQ。液體LQ之界面(彎月面、邊緣)LG之至少一部分係形成在第1構件30之第1面31與基板P之表面之間。亦即，本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方式。

本實施形態中，第1構件30及第2構件60係被支承於機體100。

本實施形態中，第1構件30及第2構件60係透過支承機構101被支承於機體100。本實施形態中，支承機構101(機體100)之位置，是實質上固定的。物體之上面隔著第1間隙與第1構件30之第1面31對向，隔著第2間隙與第2構件60之第2面61對向。

圖2係顯示本實施形態之第1構件30及第2構件60之近旁的圖。又，圖2中，係於投影區域PR(與終端光學元件12、第1構件30及第2構件60對向之位置)配置基板P。 然而，如上所述，亦可配置基板載台2(覆蓋構件T)及測量載台3(測量構件)等。

如圖2所示，第1構件30包含至少一部分與終端光學元件12之射出面13對向之對向部30A、與至少一部分配置在終端光學元件12周圍之本體部30B。對向部30A在與射出面13對向之位置具有孔(開口)30K。對向部30A具有至少一部分隔著間隙與射出面13對向之上面。

第1構件30具有基板P(物體)可對向之下面310。開口30K係形成為連結對向部30A之上面與下面310。對向部30A之上面配置在開口30K之上端周圍，下面310則配置在開口30K之下端周圍。

從射出面13射出之曝光用光EL，可通過開口30K照射於基板P。

本實施形態中，對向部30A之上面及下面310係分別配置在光路K之周圍。本實施形態中，對向部30A之上面是平坦的。本實施形態中，下面310是平坦的。下面310包含可在與基板P(物體)之間保持液體LQ之第1面31。本實施形態中，下面310(第1面31)係與XY平面大致平行之平面。當然，下面310(第1面31)可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。

又，第1構件30具有可供應液體LQ之供應口32、與可回收液體LQ之回收口33。供應口32，例如在基板P之曝光時供應液體LQ。回收口33，例如在基板P之曝光時回收液體LQ。又，供應口32可在基板P之曝光時及非曝光 時之一方或兩方中供應液體LQ。此外，回收口33可在基板P之曝光時及非曝光時之一方或兩方中回收液體LQ。

供應口32係配置成在從射出面13射出之曝光用光EL之光路K近旁，面向該光路K。又，供應口32只要是面向射出面13與開口30K間之空間及終端光學元件12側面中之一方或兩方即可。本實施形態中，供應口32係將液體LQ供應至對向部30A之上面與射出面13間之空間。從供應口32供應之液體LQ，在流過對向部30A之上面與射出面13間之空間後，經由開口30K供應至基板P(物體)上。

又，供應口32亦可配置在下面310。換言之，可將供應口32配置成物體與之對向。此外，除供應口32外，亦可在下面310配置其他液體供應口。

供應口32透過流路34與液體供應裝置34S連接。液體供應裝置34S可送出潔淨且温度經調整之液體LQ。流路34之至少一部分係形成在第1構件30之內部。從液體供應裝置34S送出之液體LQ經由流路34被供應至供應口32。至少於基板P之曝光中，供應口32供應液體LQ。

回收口33可回收與第1構件30之下面310對向之物體上之液體LQ之至少一部分。回收口33配置在曝光用光EL通過之開口30K周圍之至少一部分。本實施形態中，回收口33係配置在下面310中、可在與物體之間保持液體LQ之第1面31周圍之至少一部分。亦即，本實施形態中，下面310包含配置在回收口33內側、能在與物體之間保持液體LQ以形成液浸空間LS之第1面31、與配置在回收口33 外側之面310S。回收口33係配置成物體與之對向。回收口33係配置在與物體表面對向之第1構件30之既定位置。至少於基板P之曝光中，基板P對向於回收口33。於基板P之曝光中，回收口33回收基板P上之液體LQ。

回收口33透過流路35與流體回收裝置35C連接。流體回收裝置35C可將回收口33連接於真空系統，透過回收口33及流路35吸引液體LQ。又，流體回收裝置35C可透過回收口33及流路35吸引氣體。流路35之至少一部分係形成在第1構件30之內部。從回收口33回收(吸引)之液體LQ及氣體中之一方或兩方，經由流路35被回收(吸引)至流體回收裝置35C。

本實施形態中，控制裝置8，可與從供應口32之液體LQ之供應動作並行，實施從回收口33之液體LQ之回收動作，據以在一側之終端光學元件12及第1構件30與另一側之物體之間以液體LQ形成液浸空間LS。

又，作為第1構件30，可使用例如美國專利申請公開第2007/0132976號說明書、歐洲專利申請公開第1768170號所揭露之液浸構件(嘴(nozzle)構件)。

第2構件60具有基板P(物體)可對向之第2面61。本實施形態中，第2面61係配置在光路K及第1構件30之周圍。本實施形態中，第2面61是平坦的，與XY平面平行。當然，第2面61亦可以是相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。又，本實施形態中，於第2構件60之第2面61未設置吸引口。

如圖2所示，本實施形態中，第1面31與基板P之上面(物體之上面)之間形成有第1間隙W1。第2面61與基板P之上面(物體之上面)之間形成有第2間隙W2。本實施形態中，第2間隙W2之尺寸較第1間隙W1之尺寸小。

本實施形態中，回收口33配置在第1面31與第2面61之間。回收口33配置成與基板P(物體)對向。本實施形態中，回收口33與基板P之上面(物體之上面)之間之第3間隙W3之尺寸，較第2間隙W2之尺寸大。

本實施形態中，第1間隙W1之尺寸與第3間隙W3之尺寸大致相等。

又，第1間隙W1之尺寸可較第3間隙W3之尺寸大、亦可較其小。

本實施形態中，第2構件60具備相對光路K配置在第2面61之外側、供應液體LB之供應口64。本實施形態中，液體LB與液體LQ同樣的為水。

本實施形態中，從供應口64供應之液體LB可與曝光用光EL通過之液體LQ不同。例如，從供應口64供應之液體LB可以較曝光用光EL通過之液體LQ具有高黏度。例如，液體LQ為水、液體LB可以是十氫萘(Decalin)。此外，液體LB與液體LQ可以是潔淨度不同之水。例如，可以是液體LQ為具有第1潔淨度之水、而液體LB則是具有較第1潔淨度低之第2潔淨度之水。再者，液體LB與液體LQ可以是温度不同之水。例如，可以是液體LQ為具有第1温度之水、而液體LB則是具有較第1温度高之第2温度之水。

本實施形態中，從供應口64供應之液體LB朝著光路K流過第2面61上。本實施形態中，從供應口64供應之液體LB，一邊與第2面61之至少一部分及面310S之至少一部分接觸、一邊被從回收口33回收(吸引)。本實施形態中，於第2面61及面310S形成液體LB之膜。

本實施形態中，回收口33將相對光路K在第2構件60外側空間之氣體之至少一部分，透過第2面61與物體上面之間之間隙加以吸引(排出)。

本實施形態中，相對光路K在第2構件60外側之空間係由腔室構件104形成之空間102(102A)。回收口33透過第2間隙W2吸引來自環境控制裝置105之氣體Ga之至少一部分。

回收口33，透過從供應口64供應、流過第2面61之液體LB表面(下面)與物體上面之間之第4間隙W4，吸引第2構件60外側空間之氣體Ga。亦即，從回收口33吸引之氣體Ga，係通過流過第2面61上之液體LB與物體(基板P)上面之間之間隙。

本實施形態，係設定從供應口64供應之液體LB之每單位時間之液體供應量、與從回收口33回收之每單位時間之氣體回收量中之至少一方，以使從供應口64供應之液體LB不接觸對向之物體上面而流過第2面61。亦即，設定從供應口64供應之液體LB之每單位時間之液體供應量、與從回收口33回收之每單位時間之氣體回收量中之至少一方，以在流過第2面61之液體LB與對向物體之上面之間 形成第4間隙W4。

本實施形態中，液體LB之表面與物體上面之間之第4間隙W4之尺寸為0.2mm以下。例如，液體LB之表面與物體上面之間之間隙W4之尺寸為0.1mm以上、0.2mm以下。

本實施形態中，液體LB之表面與物體上面之間之第4間隙W4之尺寸，較第1間隙W1之尺寸及第2間隙W2小。

又，本實施形態中，回收口33與物體上面之間之第3間隙W3之尺寸，較液體LB之表面與物體上面之間之第4間隙W4之尺寸大。

如以上所述，本實施形態中，回收口33亦可吸引供應至第1面31與物體上面之間之液體LQ之至少一部分。例如，於基板P之曝光中，回收口33可將液體LQ與氣體Ga一起吸引。如圖2所示，流體回收裝置35C係以能在流路35中維持氣體Ga之通路之方式，透過回收口33吸引液體LQ。

又，本實施形態中，回收口33可將液體LB與氣體Ga一起吸引。如圖2所示，流體回收裝置35C係以能在流路35中維持氣體Ga之通路之方式，透過回收口33吸引液體LB。

又，本實施形態中，第1構件30及第2構件60之位置係實質上固定的。然而，可設置使第1構件30與第2構件60移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向中至少一方向之驅動裝置。

其次，說明使用曝光裝置EX使基板P曝光之方法之一 例。為使基板P曝光，於被保持於第1保持部21之基板P上以液體LQ形成液浸空間LS。為形成液浸空間LS，控制裝置8在使終端光學元件12及第1構件30與基板P(基板載台2)對向之狀態下，從供應口32供應液體LQ並從回收口33回收液體LQ。本實施形態中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG，例如係形成在較回收口33內側處。圖2所示例中，液浸空間LS之液體LQ之界面LG，係例如形成為將第1面31之外緣與基板P之上面加以連結。

控制裝置8控制液體回收裝置35C，以流路35中能維持氣體Ga之通路之方式，從回收口33吸引液體LQ。換言之，控制液體回收裝置35C以能從回收口33將液體LQ與氣體Ga恆一起回收(吸引)。又，若能於流路35維持氣體Ga之通路的話，液體LQ不一定須隨時回收，例如亦可斷續的加以回收。

又，本實施形態中，至少在形成液浸空間LS時，從供應口64供應液體LB。本實施形態中，至少在開始從回收口33之吸引動作後，開始從供應口64之液體LB之供應。

從供應口64供應之液體LB係從回收口33加以吸引。控制裝置8控制液體回收裝置35C，以流路35中能維持氣體Ga之通路之方式，從回收口33吸引液體LB。換言之，控制液體回收裝置35C以能從回收口33將液體LB與氣體Ga恆一起回收(吸引)。

在終端光學元件12及第1構件30與基板P(基板載台2)之間以液體LQ形成液浸空間LS後，控制裝置8即開始 基板P之曝光處理。

本實施形態之曝光裝置EX係一邊使光罩M與基板P往既定掃描方向同步移動、一邊將光罩M之圖案像投影至基板P之掃描型曝光裝置(所謂的掃描步進機)。本實施形態中，係設基板P之掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向，光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦設為Y軸方向。控制裝置8使基板P相對投影光學系PL之投影區域PR以既定掃描速度移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步，一邊相對照明系IL之照明區域IR使光罩M以既定掃描速度移動於Y軸方向、一邊透過投影光學系PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ將曝光用光EL照射於基板P。據此，基板P即透過液體LQ而被曝光用光EL曝光，光罩M之圖案像透過投影光學系PL及液體LQ被投影至基板P。

本實施形態，至少於基板P之曝光中，從回收口33經由第2間隙W2持續吸引第2構件60外側空間之氣體Ga。據此，即使是例如在形成有液浸空間LS之狀態下基板P(物體)移動，亦能抑制液浸空間LS之液體LQ從第1面31與基板P(物體)上面間之空間流出至外側。

本實施形態中，由於相對光路K在第2構件60外側空間之氣體之至少一部分，係透過第2間隙W2(第4間隙W4)從形成在第2構件60內側之回收口33加以吸引，因此第2構件60外側空間之壓力與內側空間之壓力之間會產生差異。例如，第2構件60內側空間(回收口33近旁之空間、 界面LG周圍之空間)之壓力會變得較第2構件60外側空間之壓力低。亦即，相對曝光用光之光路在第2間隙W2(第4間隙W4)內側空間之壓力，會變得較相對曝光用光之光路在第2間隙W2(第4間隙W4)外側空間之壓力低。又，由於回收口33透過第2間隙W2(第4間隙W4)吸引第2構件60外側空間之氣體，因此會產生從界面LG之外側朝向界面LG之氣體的流通。

本實施形態中，第2間隙W2之尺寸遠小於第1間隙W1之尺寸。第4間隙W4之尺寸遠小於第1、第2間隙W1、W2之尺寸。

因此，相對光路K在第2構件60外側空間之氣體Ga透過第2間隙W2(第4間隙W4)從回收口33被吸引，第2構件60外側空間與內側空間之壓力差會變大。亦即，第2間隙W2(第4間隙W4)與液浸空間LS間之內側空間之壓力、與相對第2間隙W2(第4間隙W4)在內側空間之相反側之外側空間之壓力的差會變大。

據此，液浸空間LS之液體LQ之流出即受到抑制。

如以上之說明，根據本實施形態，由於係將相對光路K在第2構件60外側空間之氣體Ga之至少一部分，透過第2間隙W2(第4間隙W4)從配置在第2構件60內側空間之吸引口33加以吸引，因此於液浸空間LS之界面LG周圍，會產生抑制液浸空間LS之液體LQ之流出的壓力差及氣體的流通。因此，可抑制曝光不良之發生及不良元件之產生。

此外，例如藉由液體LB之注入，可形成較第2間隙 W2小之第4間隙W4，因此與不注入液體LB之情形相較，能使實施回收口33之吸引動作時之第2構件60外側空間與內側空間間之壓力差較大，在液浸空間LS之界面LG周圍，抑制液浸空間LS之液體LQ之流出。

<第2實施形態>

其次，說明第2實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號、並簡化或省略其說明。

圖3係顯示本實施形態之曝光裝置EX之一例的圖。本實施形態中，從供應口64供應氣體Gb。

本實施形態中，從供應口64供應之氣體Gb之黏度，較第2構件60外側空間之氣體Ga之黏度高。本實施形態中，第2構件60之外側空間係以腔室構件104形成之空間102。本實施形態中，供應口64係供應黏度較從環境控制裝置105供應之氣體Ga高之氣體Gb。本實施形態中，氣體Ga為空氣、氣體Gb則係氬氣。

從供應口64供應之氣體Gb朝向光路K流過第2面61上。來自供應口64之氣體Gb沿第2面61流動，被回收口33吸引。又，第2構件60外側空間之氣體Ga之至少一部分亦透過第2間隙W2被回收口33吸引。從回收口33吸引之氣體Ga通過流過第2面61上之氣體Gb與物體(基板P)上面之間之間隙。

氣體Gb在第2面61形成氣體之膜(層)。氣體Gb之黏度較氣體Ga高。因此，於第2間隙W2，氣體Gb之流速較 氣體Ga之流速低。據此，在氣體Gb之層之表面(下面)與物體上面之間形成氣體Ga流動之間隙。在使氣體Gb表面與物體上面之間之間隙充分小的狀態下，實施回收口33之吸引動作(氣體Ga之吸引動作)，即能加大第2構件60外側空間與內側空間之壓力差。

<第3實施形態>

其次，說明第3實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號、並簡化或省略其說明。

圖4係顯示第3實施形態之曝光裝置EX之一例的圖。 圖4中，曝光裝置EX具備相對光路K配置在第2構件60之外側、具有對第2間隙W2供應氣體Gb之供應口81的供應構件80。回收口33從供應口81吸引氣體Gb。又，回收口33亦可與氣體Gb一起吸引氣體Ga。

本實施形態中，從供應口81供應之氣體Gb之黏度，較從環境控制裝置105供應之氣體Ga之黏度高。本實施形態中，氣體Ga為空氣、氣體Gb則係氬氣。

藉由從供應口81供應高黏度之氣體Gb、並從回收口33透過第2間隙W2吸引該氣體Gb之至少一部分，第2構件60外側空間與內側空間之壓力差變大。據此，液體LQ之流出即受到抑制。

又，從供應口81供應之氣體Gb可以是氣體Ga、亦可以是與氣體Ga相同黏度。藉由從供應口81供應氣體，可加大第2構件60外側空間與內側空間之壓力差。

又，第3實施形態中，雖係從供應口64供應液體LB，但亦可從供應口64供應氣體Gb。此場合，供應口64可供應黏度較從供應口81供應之氣體Gb高之氣體。

又，本實施形態中，供應口81雖係設於供應構件80，但亦可將供應口81設於第2構件60。

又，第1~第3實施形態中，亦可例如圖5所示，在回收口33與第2面61之間設置用以回收從供應口64供應之液體LB(或氣體Gb)之吸引口36。從供應口64供應之流體(液體LB及氣體Gb中之一方或雙方)從配置在回收口33與第2面61之間之吸引口36回收。

又，如圖5所示的設置吸引口36之情形時，可於回收口33配置多孔構件37。亦即，可透過多孔構件37之孔回收基板P上之液體LQ。又，多孔構件37可以是包含複數個孔(openings或pores)之板狀構件。此外，多孔構件37亦可以是多數小孔形成為網眼狀之網眼篩(mesh filter)。當然，即使是在設置吸引口36之情形時，亦可不於回收口33配置多孔構件37。

又，在形成有液浸空間LS之期間中可以不是隨時供應液體LB。例如，在與第1構件30對向之物體(基板P等)以不致引起液體LQ從液浸空間LS漏出之條件移動之情形時(例如，物體以較基板P之掃描速度慢之速度移動之情形時)，可以不供應液體LB。

又，亦可以不從曝光用光光路周圍(液浸空間LS之周圍)之全方向供應液體LB。亦即，可僅從曝光用光光路周圍 (液浸空間LS之周圍)之部分方向使液體LB流向曝光用光之光路。例如，可僅從易發生液體LQ從液浸空間LS漏出之曝光用光光路周圍(液浸空間LS之周圍)之部分方向，使液體LB流向曝光用光之光路。例如，在曝光用光之光路周圍(液浸空間LS之周圍)設有複數個供應口64而與第1構件30對向之物體(基板P等)往第1方向移動之情況時，可僅從位於該行進方向之部分供應口64供應液體LB，在該物體往第2方向移動之情形時，則可僅從位於該行進方向之其他部分供應口64供應液體LB。

又，上述各實施形態中，第1構件30與第2構件60可以是分離的。第1構件30與第2構件60是分離的情形時，第1構件30可以是被與支承機構101不同之構件支承。例如，第1構件30可以是透過與支承機構101不同之支承構件被支承於機體100、亦可以是被支承投影光學系PL之至少一個光學元件的支承構件支承。此外，第1構件30與第2構件60是分離的情形時，可設置能使第1構件30與第2構件中之至少一方往X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及θZ之6個方向中之至少一方向移動的驅動裝置，使用該驅動裝置使第1構件30與第2構件相對移動。

又，第1構件30與第2構件60可以是僅部分接觸、或將第1構件30與第2構件60以連結構件加以連結。

圖6係以示意方式顯示從供應口64供應液體LB時液體LB之動作之一模擬結果例的圖。圖6(A)顯示從供應口64供應液體LB前的狀態。圖6(B)顯示從供應口64剛開始 供應液體LB後的狀態。圖6(C)則顯示從供應口64開始供應液體LB經既定時間後的狀態。

又，此模擬之條件如下。

．第2面61與和其對向之面間之間隔W2：0.3mm

．第2面61之Y軸方向(相對投影光學系PL之光軸之放射方向)尺寸W5：2.0mm

．供應口64之Y軸方向(相對投影光學系PL之光軸之放射方向)尺寸(直徑)W6：0.5mm

．從供應口64之液體LB之注入量：每分鐘10公升

．流入第2面61與和其對向之面間之間隙之氣體Ga的量：每分鐘200公升

如圖6(B)及圖6(C)所示，可知從供應口64供應之液體LB沿第2面61流向(朝向+Y方向)回收口33(或吸引口36)，而能在沿第2面61流動之液體LB之下形成較W2小之間隙。

在供應液體LB之狀態下，藉由進一步從回收口33回收第2構件60外側空間之氣體Ga，第2構件60內側空間與外側空間之壓力差進一步變高。如此，液浸空間LS之液體LQ之流出即受到抑制。

<第4實施形態>

其次，說明第4實施形態。以下之說明中，針對與上述實施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號、並簡化或省略其說明。

圖7係顯示本實施形態之液浸構件500之一例的側視 圖，圖8係從下側(-Z側)觀察液浸構件500的圖。

液浸構件500，具備配置在終端光學元件12周圍至少一部分之第1液浸構件121、與相對從射出面13射出之曝光用光EL之光路K(終端光學元件12之光軸)配置在第1液浸構件121外側之第2液浸構件122。第1液浸構件121係用以形成液體LQ之液浸空間LS1。第2液浸構件122可與液浸空間LS1分離形成液體LQ之液浸空間LS2。液浸空間LS1係形成在第1液浸構件121下方之第1空間SP1之至少一部分。液浸空間LS2則形成在第2液浸構件122下方之第2空間SP2之至少一部分。

終端光學元件12、第1液浸構件121及第2液浸構件122係配置在腔室裝置103之空間102(102A)。於空間102，從環境控制裝置105之供氣部105S供應氣體Ga。

第1液浸構件121具有下面123。第2液浸構件122具有下面124。下面123及下面124是能在終端光學元件12下方移動之物體可對向的。能在終端光學元件12下方移動之物體可與射出面13對向。

該物體可配置於投影區域PR。該物體能在包含投影區域PR之XY平面內移動。該物體能在第1液浸構件121之下方移動。該物體亦能在第2液浸構件122之下方移動。

本實施形態中，該物體包含基板載台2、被保持於基板載台2之基板P、及測量載台3中之至少一者。

以下之說明中，能在終端光學元件12下方移動之物體為基板P。又，如上所述，能在終端光學元件12下方移動 之物體可以是基板載台2及測量載台3中之至少一方，亦可以是與基板P、基板載台2及測量載台3不同之其他物體。

第1液浸構件121以射出面13側之曝光用光EL之光路K被液體LQ窗簾之方式形成液體LQ之液浸空間LS1。液浸空間LS1形成為將射出面13與基板P(物體)上面之間之光路K以液體LQ加以充滿。

第1液浸構件121，在包含射出面13側之光路K之光路空間SPK及下面23側之第1空間SP1之至少一部分形成液體LQ之液浸空間LS1。終端光學元件12及第1液浸構件121能在與基板P(物體)之間保持液體LQ。液浸空間LS1係以保持在終端光學元件12及第1液浸構件121與基板P之間之液體LQ形成。藉由在一側之射出面13及下面123與另一側之基板P(物體)之上面之間保持液體LQ，形成一終端光學元件12與基板P之間之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之液浸空間LS1。

於基板P之曝光中，以照射於基板P之曝光用光EL之光路K被液體LQ充滿之方式形成液浸空間LS1。曝光用光EL照射於基板P時，則係以僅包含投影區域PR之基板P表面之部分區域被液體LQ覆蓋之方式形成液浸空間LS1。

本實施形態中，液浸空間LS1之液體LQ之界面(彎月面、邊緣)LG1之至少一部分係形成在下面123與基板P上面之間。亦即，本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方式。液浸空間LS1之外側(界面LG1之外側)係氣體空間。

本實施形態中，第1液浸構件121係環狀構件。本實 施形態中，第1液浸構件121之一部分配置在終端光學元件12之周圍。又，第1液浸構件121之一部分配置在終端光學元件12與基板P間之曝光用光EL之光路K周圍。

又，第1液浸構件121可以不是環狀構件。例如，可以是第1液浸構件121配置在終端光學元件12及光路K周圍之一部分。此外，第1液浸構件121亦可以不是配置在終端光學元件12周圍之至少一部分。例如，可以是第1液浸構件121配置在射出面13與基板P間之光路K周圍之至少一部分，而不是配置在終端光學元件12之周圍。又，第1液浸構件121可以不是配置在射出面13與基板P間之光路K周圍之至少一部分。例如，可以是第1液浸構件121配置在終端光學元件12周圍之至少一部分，而不是配置在射出面13與物體間之光路K之周圍。

第1液浸構件121，具備供應用以形成液浸空間LS1之液體LQ的供應口131、與回收液浸空間LS1之液體LQ之至少一部分的回收口132。

供應口131配置成面向光路空間SPK(光路K)。供應口131透過形成在第1液浸構件121內部之供應流路133與可供應液體LQ之液體供應裝置134連接。供應口131將來自液體供應裝置134之液體LQ供應至射出面13側之光路空間SPK(光路K)。

第1液浸構件121具有射出面13面向之孔(開口)120。從射出面13射出之曝光用光EL可通過開口120照射於基板P。從供應口131供應至光路空間SPK之液體LQ之至少 一部分，透過開口120被供應至基板P上(物體上)。又，從供應口131供應至光路空間SPK之液體LQ之至少一部分，透過開口120被供應至第1空間SP1。本實施形態中，係從開口120對第1液浸構件121下方之第1空間SP1供應液體LQ。

回收口132配置成面向第1空間SP1。基板P(物體)能與回收口132對向。回收口132透過形成在第1液浸構件121內部之回收流路(吸引流路)135，與能回收(吸引)液體LQ之液體回收裝置(流體吸引裝置)136連接。回收口132能回收(吸引)第1液浸構件121與基板P間之第1空間SP1之液體LQ之至少一部分。從回收口132流入回收流路135之液體LQ被回收至液體回收裝置136。液體回收裝置136可將回收口132連接至真空系統BS。

本實施形態中，第1液浸構件121具備多孔構件137。多孔構件137具有液體LQ可流通之複數個孔(openings或pores)。多孔構件137包含例如網眼篩(mesh filter)。網眼篩(mesh filter)係多數小孔形成為網眼狀之多孔構件

本實施形態中，多孔構件137係板狀構件。多孔構件137，具有基板P可對向的下面137B、面向形成於第1液浸構件121之回收流路135的上面、以及形成為將上面與下面137B加以連結的複數個孔。本實施形態中，回收口132包含多孔構件137之孔。透過多孔構件137之孔(回收口132)回收之液體LQ，流過回收流路135。

本實施形態中，從多孔構件137(回收口132)回收(吸引) 第1空間SP1之液體LQ及氣體之雙方。又，亦可以是透過多孔構件137實質上僅回收液體LQ、而限制氣體之回收。又，亦可不設置多孔構件37。

本實施形態，與從供應口131之液體LQ之供應並行，實施從回收口132之液體LQ之回收，據以在一側之終端光學元件12及第1液浸構件121與另一側之基板P之間形成液體LQ之液浸空間LS1。液浸空間LS1係以從供應口131供應之液體LQ形成。

下面123配置在開口120之周圍。本實施形態中，下面123之至少一部分與XY平面大致平行。又，下面123之至少一部分可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。

下面123，包含配置在開口120周圍而無法回收液體LQ之下面123B、與配置在下面123B周圍而可回收液體LQ之多孔構件137之下面137B。液體LQ無法通過下面123B。下面123B能在與基板P之間保持液體LQ。

本實施形態中，可液體LQ之下面137B係配置在下面123之周緣部。在與下面123(基板P之上面)平行之XY平面內，下面137B為環狀。無法回收液體LQ之下面123B配置在下面137B之內側。本實施形態中，界面LG1係配置在下面137B與基板P之上面之間。

又，可回收液體LQ之下面137B(回收口132)可在光路K(開口120)之周圍配置複數個。

第2液浸構件122係與第1液浸構件121不同之構件。第2液浸構件122與第1液浸構件121是分開的。第2液 浸構件122配置在第1液浸構件121周圍之一部分。

第2液浸構件122，可在第2液浸構件122下方之第2空間SP2之至少一部分形成液體LQ之液浸空間LS2。第2空間SP2係下面124側之空間。液浸空間LS2與液浸空間LS1分離形成。液浸空間LS2形成在下面124與基板P(物體)之上面之間。第2液浸構件122能在與基板P(物體)之間保持液體LQ。液浸空間LS2係藉由在第2液浸構件122與基板P之間保持液體LQ而形成。藉由在一側之下面124與另一側之基板P(物體)之上面之間保持液體LQ，據以形成液浸空間LS2。

本實施形態中，液浸空間LS2之液體LQ之界面(彎月面、邊緣)LG2之至少一部分係形成在下面24與基板P之上面之間。液浸空間LS2之外側(界面LG2之外側)係氣體空間。

液浸空間LS2較液浸空間LS1小。液浸空間之大小，包含形成液浸空間之液體之體積。此外，液浸空間之大小亦包含形成液浸空間之液體之重量。又，液浸空間之大小，包含例如在與基板P之表面(上面)平行之面內(XY平面內)之液浸空間的面積。再者，液浸空間之大小，包含例如在與基板P之表面(上面)平行之面內(XY平面內)之既定方向(例如X軸方向、或Y軸方向)之液浸空間的尺寸。

亦即，在與基板P之表面(上面)平行之面內(XY平面內)，液浸空間LS2較液浸空間LS1小。形成液浸空間LS2之液體LQ之體積(重量)較形成液浸空間LS1之液體LQ之 體積(重量)小。於XY平面內，液浸空間LS2之尺寸較液浸空間LS1之尺寸小。

由於液浸空間LS2較液浸空間LS1小，因此在形成有液浸空間LS1、LS2之狀態下基板P(物體)移動之情形時，液浸空間LS2之液體LQ之一部分脫離液浸空間LS2而移動(流出)至第2空間SP2外側之情形即受到抑制。換言之，由於液浸空間LS2較液浸空間LS1小，因此液浸空間LS2之液體LQ之一部分從第2空間SP2流出之情形，較液浸空間LS1之液體LQ之一部分從第1空間SP1流出之情形更受到抑制。

本實施形態中，第2液浸構件122在第1液浸構件121周圍之空間配置有2個。本實施形態中，第2液浸構件122，於X軸方向，配置在第1液浸構件121之一側(+X側)及另一側(-X側)。液浸空間LS2，於X軸方向，形成在液浸空間LS1之一側(+X側)及另一側(-X側)。

又，第2液浸構件122亦可僅配置在第1液浸構件121之一側(+X側)、或僅配置在另一側(-X側)。液浸空間LS2可僅配置在液浸空間LS1之一側(+X側)、亦可僅配置在另一側(-X側)。

本實施形態中，下面124之至少一部分與XY平面大致平行。又，下面124之至少一部分可相對XY平面傾斜、亦可包含曲面。

本實施形態中，於Z軸方向之下面123之位置(高度)與下面124之位置(高度)，實質相等。亦即，下面123與基 板P(物體)之上面的距離、與下面124與基板P(物體)之上面的距離，實質相等。

又，下面124亦可配置在較下面123低之位置。亦即，下面124與基板P(物體)之上面的距離，可以較下面123與基板P(物體)之上面的距離小。此外，下面124亦可配置在較下面123高之位置。亦即，下面124與基板P(物體)之上面的距離，可以較下面123與基板P(物體)之上面的距離大。

圖9係顯示第2液浸構件122之一例的剖面圖。圖10係放大圖9之一部分的圖。

第2液浸構件122，具備：具有基板P(物體)之上面隔著第1間隙對向並在與基板P(物體)之上面之間保持液體LQ的第1面124A、相對第1面124A之中心配置在第1面124A之外側並具有基板P(物體)之上面隔著第2間隙對向的第2面124B、相對第1面124A之中心配置在第2面124B之外側用以供應流體的供應口164、以及配置在第1面124A與第2面124B之間並將第2面124B之外側空間102(102A)之氣體Ga之至少一部分透過第2面124B與基板P(物體)之上面之間之間隙加以吸引的吸引口(回收口)142。

第2液浸構件122具備供應用以形成液浸空間LS2之液體LQ的供應口141。供應口141配置在下面124(第1面124A)之至少一部分。供應口141配置在第1面124A之中心。於供應口141之周圍配置第1面124A。

回收口(吸引口)142回收液浸空間LS2之液體LQ之至少一部分。

回收口142將來自環境控制裝置105之氣體Ga與液體LQ一起吸引。回收口142配置成圍繞供應口141。本實施形態中，在XY平面內之回收口142之形狀為環狀。又，回收口142可於供應口141之周圍配置複數個。亦即，可將複數個回收口142離散的配置在供應口141之周圍。

供應口141配置成面向第2液浸構件122下方之第2空間SP2。基板P(物體)能與供應口141對向。供應口141可對第2空間SP2供應液體LQ。

本實施形態中，回收口142係配置成面向第2液浸構件122下方之第2空間SP2。基板P(物體)能與回收口142對向。回收口142配置在第1面124A之至少一部分。回收口142能回收第2空間SP2之液體LQ之至少一部分。回收口142能回收第2空間SP2之氣體。本實施形態中，回收口142將液體LQ與氣體Ga一起回收。第2空間SP2之流體(液體LQ及氣體中之一方或雙方)之至少一部分係從回收口142加以回收。

供應口141透過形成在第2液浸構件122內部之供應流路143與可供應液體LQ之液體供應裝置144連接。供應口141將來自液體供應裝置144之液體LQ供應至第2空間SP2。

如圖7所示，本實施形態中，係於一側之第2液浸構件122及另一側之第2液浸構件122分別連接液體供應裝置144。

回收口142透過形成在第2液浸構件122內部之回收 流路145與可回收(吸引)液體LQ(氣體)之流體回收裝置146連接。回收口142能回收(吸引)第2液浸構件122與基板P之間之第2空間SP2之液體LQ之至少一部分。從第2液浸構件122下方之第2空間SP2回收之液體LQ，流過回收流路145。從回收口142流入回收流路145之液體LQ被回收至流體回收裝置146。流體回收裝置146可將回收口142連接於真空系統BS。

流體回收裝置146，以能在回收流路145維持氣體Ga之通路之方式吸引液體LQ。

如圖7所示，本實施形態，係於一側之第2液浸構件122及另一側之第2液浸構件122分別連接液體回收裝置146。

本實施形態中，與從供應口141之液體LQ之供應並行，實施從回收口142之液體LQ之回收，據以在一側之第2液浸構件122與另一側之基板P之間以液體LQ形成液浸空間LS2。液浸空間LS2係以從供應口141供應之液體LQ形成。

供應口164係相對第1面124A之中心(供應口141)配置在第2面124B之外側。

本實施形態中，供應口164係供應液體LB。從供應口164供應之液體LB可與為形成液浸空間LS2從供應口141供應之液體LQ(水)係相同種類、亦可以是不同種類。

從供應口164供應之液體LB，可具有較液浸空間LS2之液體LQ高之黏度。例如，液體LQ為水、液體LB可以 是十氫萘(Decalin)。此外，液體LB與液體LQ可以是潔淨度不同之水。例如，可以是液體LQ為具有第1潔淨度之水、而液體LB則是具有較第1潔淨度低之第2潔淨度之水。再者，液體LB與液體LQ可以是温度不同之水。例如，可以是液體LQ為具有第1温度之水、而液體LB則是具有較第1温度高之第2温度之水。

本實施形態中，從供應口164供應之液體LB朝著回收口142流過第2面124B上。本實施形態中，從供應口164供應之液體LB，一邊與第2面124B之至少一部分接觸、一邊被從回收口142回收(吸引)。本實施形態中，於第2面124B形成液體LB之膜。

本實施形態中，回收口142將第2面124B外側之空間102之氣體Ga之至少一部分透過第2面124B與基板P(物體)之上面間之間隙加以吸引(排出)。亦即，回收口142透過第2間隙吸引來自環境控制裝置105之氣體Ga之至少一部分。

回收口142，透過從供應口164供應、流過第2面124B之液體LB之表面(下面)與物體之上面間之間隙，吸引空間102之氣體Ga。亦即，從回收口142吸引之氣體Ga，係通過流過第2面124B上之液體LB與物體(基板P)之上面間之間隙。

本實施形態，係設定從供應口164供應之液體LB之每單位時間之液體供應量、與從回收口142回收之每單位時間之氣體回收量中之至少一方，以使從供應口164供應之 液體LB不接觸對向之物體上面而流過第2面124B。亦即，設定從供應口164供應之液體LB之每單位時間之液體供應量、與從回收口142回收之每單位時間之氣體回收量中之至少一方，以在流過第2面124B之液體LB與對向物體之上面之間形成間隙。

本實施形態中，回收口142亦能吸引被供應至第1面124A與基板P(物體)之上面間之液體LQ之至少一部分。例如，於基板P之曝光中，回收口142能將液體LQ與氣體Ga一起吸引。流體回收裝置146能在回收流路145中維持氣體Ga之通路之方式，透過回收口142吸引液體LQ。

又，本實施形態中，回收口142亦能將液體LB與氣體Ga一起吸引。流體回收裝置146以能在回收流路145中維持氣體Ga之通路之方式，透過回收口142吸引液體LB。

如以上之說明，本實施形態中，液浸空間LS2之液體LQ之流出授受到抑制。

又，本實施形態，係設定從供應口164供應液體。但亦可從供應口164供應氣體Gb。從供應口164供應之氣體Gb與從環境控制裝置105供應之氣體Ga可以是不同種類。 例如，氣體Gb之黏度可以較氣體Ga之黏度高。例如，氣體Ga係空氣、而氣體Gb可以是氬氣。

又，本實施形態中，具有回收口142與供應口164之構件可以不同。亦即，可於第1構件配置供應口141及回收口142、而於第2構件配置供應口164。此外，具有第1面124A與第2面124B之構件可以不同。亦即，可於第1 構件配置第1面124A、而於第2構件配置第2面124B。

此外，亦可於第1~第3實施形態中說明之第1構件(第1液浸構件)周圍之至少一者，配置第4實施形態中說明之第2液浸構件122。

又，上述各實施形態中，雖然係投影光學系PL之終端光學元件12之射出側(像面側)之光路K被液體LQ充滿，但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2004/019128號所揭示之終端光學元件12之入射側(物體面側)光路亦被液體LQ充滿之投影光學系。

又，上述各實施形態中，曝光用之液體LQ雖係使用水，但亦可以是水以外之液體。液體LQ，以對曝光用光EL具有穿透性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光學系PL或基板P之表面之感光材(光阻劑)等膜安定者較佳。例如，液體LQ可以是氫氟醚(HFE)、全氟化聚醚(PFPE)、氟素潤滑油(fomblin(登錄商標)oil)等。此外，液體LQ亦可是各種流體、例如超臨界流體。

又，上述各實施形態之基板P，不僅僅是半導體元件製造用之半導體晶圓，亦可適用顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版(合成石英、矽晶圓)等。

又，作為曝光裝置EX，除了使光罩M與基板P同步移動來對光罩M之圖案進行掃描曝光的步進掃描方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)之外，亦可以適用例如使光罩M與基板P在靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並 使基板P依序步進移動的之步進重複方式的投影曝光裝置(步進機)。

再者，於步進重複方式之曝光中，亦可在使第1圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在第2圖案與基板P大致静止之狀態，使用投影光學系PL將第2圖案之縮小像與第1圖案局部重疊而一次曝光至基板P上(接合方式之一次曝光裝置)。又，接合方式之曝光裝置，亦可以是於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板P依序移動之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。

又，本發明亦能適用於例如美國專利第6611316號所揭示之將2個光罩之圖案透過投影光學系在基板P上加以合成，以一次掃描曝光使基板P上之1個照射區域大致同時雙重曝光之曝光裝置。此外，本發明亦能適用於近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器(mirror projection aligner)等。

又，本發明之各態樣亦可適用於例如美國專利第6341007號、美國專利第6208407號、及美國專利第6262796號等所揭之具備複數個基板載台之雙載台型的曝光裝置。例如，如圖11所示，在曝光裝置EX具備二個基板載台2001、2002之情形時，可配置成與射出面13對向之物體，包含一基板載台、被保持於該一基板載台之基板、另一基板載台及被保持於該另一基板載台之基板中之至少一者。

此外，亦能適用於具備複數個基板載台與測量載台之 曝光裝置。

曝光裝置EX之種類不限於將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用之曝光裝置，亦可廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DNA晶片、標線片或光罩等之曝光裝置。

又，上述實施形態中，雖係使用在光透射性基板上形成有既定遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透射型光罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩(電子光罩、主動光罩或影像產生器)。又，亦可取代具有非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。

上述各實施形態中，雖係以具備投影光學系PL之曝光裝置為例作了說明，但本發明亦可適用於不使用投影光學系PL之曝光裝置及曝光方法。例如，可在透鏡等光學構件與基板之間形成液浸空間，透過該光學構件對基板照射曝光用光。

又，本發明之各態樣亦可適用於例如國際公開第2001/035168號小冊子所揭示之藉由在基板P上形成干涉條紋，據以在基板上曝光線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置(微影系統)。

上述實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統 (含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置EX之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置EX之組裝步驟前，有各次系統個別之組裝步驟。在各種次系統組裝至曝光裝置EX之步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置EX整體之各種精度。此外，曝光裝置EX之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進行。

半導體元件等之微元件，如圖12所示，係經進行微元件之功能、性能設計之步驟201，根據此設計步驟製作光罩M(標線片)之步驟202，製造元件基材之基板之步驟203，包含依據上述實施形態進行基板處理(曝光處理，包含使用光罩M之圖案以曝光用光EL使基板曝光之動作、以及使曝光後基板顯影之動作)的基板處理步驟204，元件組裝步驟(包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製程)205，以及検査步驟206等而製造。

又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍內，援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部分 分。

1‧‧‧光罩載台

2‧‧‧基板載台

3‧‧‧測量載台

4、5、6‧‧‧驅動系統

8‧‧‧控制裝置

8R‧‧‧記憶裝置

9、10‧‧‧基座構件

9G、10G‧‧‧導引面

11‧‧‧干涉儀系統

11A、11B‧‧‧雷射干涉儀單元

12‧‧‧終端光學元件

13‧‧‧射出面

21‧‧‧第1保持部

22‧‧‧第2保持部

23、123‧‧‧下面

30‧‧‧第1構件

30A‧‧‧對向部

30B‧‧‧本體部

30K‧‧‧孔(開口)

31‧‧‧第1面

32‧‧‧供應口

33‧‧‧回收口

34‧‧‧流路

34S、134、144‧‧‧液體供應裝置

35‧‧‧流路

35C‧‧‧流體回收裝置

36‧‧‧吸引口

37、137‧‧‧多孔構件

60‧‧‧第2構件

61‧‧‧第2面

62‧‧‧驅動裝置

64、164‧‧‧供應口

70‧‧‧檢測裝置

80‧‧‧供應構件

81‧‧‧供應口

100‧‧‧機體

101‧‧‧支承機構

102‧‧‧空間

103‧‧‧腔室裝置

104‧‧‧腔室構件

105‧‧‧環境控制裝置

105S‧‧‧供氣部

120‧‧‧開口

121‧‧‧第1液浸構件

122‧‧‧第2液浸構件

123‧‧‧下面

123B‧‧‧下面

124‧‧‧下面

124A‧‧‧第1面

124B‧‧‧第2面

131‧‧‧供應口

132、142‧‧‧回收口

135、145‧‧‧回收流路

136、146‧‧‧液體回收裝置

137B‧‧‧下面

141‧‧‧供應口

143‧‧‧供應流路

310‧‧‧第1構件30之下面

310S‧‧‧回收口33外側之面

500‧‧‧液浸構件

C‧‧‧測量構件

EL‧‧‧曝光用光

EX‧‧‧曝光裝置

Ga、Gb‧‧‧氣體

IL‧‧‧照明系

IR‧‧‧照明區域

K‧‧‧光路

LB‧‧‧液體

LG、LG1‧‧‧液體LQ之界面

LQ‧‧‧液體

LS、LS1、LS2‧‧‧液浸空間

M‧‧‧光罩

P‧‧‧基板

PL‧‧‧投影光學系

PR‧‧‧投影區域

SP1‧‧‧第1空間

SPK‧‧‧光路空間

T‧‧‧覆蓋構件

W1‧‧‧第1間隙

W2‧‧‧第2間隙

W3‧‧‧第3間隙

W4‧‧‧第4間隙

圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的概略構成圖。

圖2係顯示第1實施形態之曝光裝置之一部分的圖。

圖3係顯示第2實施形態之曝光裝置之一部分的圖。

圖4係顯示第3實施形態之曝光裝置之一部分的圖。

圖5係顯示第3實施形態之曝光裝置之一部分的圖。

圖6係以示意方式顯示第2構件周圍之狀態之一例的圖。

圖7係顯示第4實施形態之曝光裝置之一部分的圖。

圖8係顯示第4實施形態之曝光裝置之一部分的圖。

圖9係顯示第4實施形態之曝光裝置之一部分的圖。

圖10係顯示第4實施形態之曝光裝置之一部分的圖。

圖11係顯示基板載台之一例的圖。

圖12顯示元件之一製程例的流程圖。

12‧‧‧終端光學元件

13‧‧‧射出面

30‧‧‧第1構件

30A‧‧‧對向部

30B‧‧‧本體部

30K‧‧‧孔(開口)30K

31‧‧‧第1面

32‧‧‧供應口

33‧‧‧回收口

34‧‧‧流路

34S‧‧‧液體供應裝置

35C‧‧‧流體回收裝置(流體吸引裝置)

60‧‧‧第2構件

61‧‧‧第2面

64‧‧‧供應口

102‧‧‧空間

310‧‧‧第1構件之下面

310S‧‧‧回收口33外側之面

Ga‧‧‧氣體

K‧‧‧光路

LB‧‧‧液體

LG‧‧‧液體LQ之界面

LQ‧‧‧液體

LS‧‧‧液浸空間

P‧‧‧基板

W1‧‧‧第1間隙

W2‧‧‧第2間隙

W3‧‧‧第3間隙

W4‧‧‧第4間隙

Claims (38)

1. 一種曝光裝置，係透過液體以曝光用光使基板曝光，具備：第1構件，配置在該曝光用光光路周圍之至少一部分，具有物體之上面隔著第1間隙對向、在與該物體之上面之間保持該液體之第1面；第2構件，相對該光路配置在該第1面之外側，具有該物體之上面隔著第2間隙對向之第2面；第1供應口，相對該光路配置在該第2面之外側，用以供應流體；以及第1吸引口，配置在該第1面與該第2面之間，透過該第2面與該物體上面間之間隙吸引相對該光路在該第2構件外側空間之氣體之至少一部分。
2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，從該第1供應口供應之流體之黏度較該第2構件外側空間之氣體之黏度高。
3. 如申請專利範圍第1或2項之曝光裝置，其進一步具備腔室裝置，此腔室裝置具有對至少配置射出該曝光用光之光學構件、該第1構件及該第2構件之內部空間供應氣體之環境控制裝置；該第1吸引口係吸引來自該環境控制裝置之該氣體。
4. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，該第1供應口供應黏度較從該環境控制裝置供應之氣體高之氣體。
5. 如申請專利範圍第1或2項之曝光裝置，其進一步具備相對該光路配置在該第2構件之外側、對該第2間隙供應氣體之第2供應口；該第1吸引口吸引來自該第2供應口之該氣體。
6. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該第1供應口供應黏度較從該第2供應口供應之氣體高之氣體。
7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之曝光裝置，其中，該第1供應口係供應液體。
8. 如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，從該第1供應口供應之該液體與該曝光用光通過之該液體不同。
9. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，從該第1供應口供應之該液體具有較該曝光用光通過之該液體高之黏度。
10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之曝光裝置，其進一步具備配置在該第1吸引口與該第2面之間，用以回收從該第1供應口供應之該流體之第2吸引口。
11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之曝光裝置，其中，該第1吸引口係透過從該第1供應口供應、流過該第2面之該流體表面與該物體上面之間之間隙吸引該氣體。
12. 如申請專利範圍第11項之曝光裝置，其中，該流體表面與該物體上面之間之該間隙之尺寸為0.2mm以下。
13. 如申請專利範圍第12項之曝光裝置，其中，該流體表面與該物體上面之間之該間隙之尺寸為0.1mm以上、0.2mm以下。
14. 如申請專利範圍第11至13項中任一項之曝光裝置，其中，該流體表面與該物體上面之間之該間隙之尺寸，較該第1間隙之尺寸小。
15. 如申請專利範圍第11至14項中任一項之曝光裝置，其中，該第1吸引口係配置成該物體與之對向；該第1吸引口與該物體上面之間之第3間隙之尺寸，較該流體表面與該物體上面之間之間隙之尺寸大。
16. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之曝光裝置，其中，該第1吸引口係配置於該第1構件。
17. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之曝光裝置，其中，該第1吸引口亦吸引該第1面與該物體之間之該液體之至少一部分。
18. 如申請專利範圍第1至17項中任一項之曝光裝置，其進一步具備透過吸引流路與該第1吸引口連接之流體吸引裝置；該流體吸引裝置係以能在該吸引流路中維持該氣體之通路之方式，吸引該液體。
19. 如申請專利範圍第1至18項中任一項之曝光裝置，其中，該第1間隙較該第2間隙小。
20. 一種曝光裝置，係透過第1液浸空間之第1液體以曝光用光使基板曝光：其具備光學構件，具有該曝光用光射出之射出面；第1液浸構件，配置在該曝光用光光路周圍之至少一 部分，用以形成該第1液體之該第1液浸空間；以及第2液浸構件，相對該光路配置在該第1液浸構件之外側，可與該第1液浸空間分離形成第2液體之第2液浸空間；該第2液浸構件，具有物體之上面隔著第1間隙對向、在與該物體之上面之間保持該液體之第1面；相對該第1面之中心配置在該第1面之外側，該物體之上面隔著第2間隙對向之第2面；相對該第1面之中心配置在該第2面之外側，供應流體之第1供應口；以及配置在該第1面與該第2面之間，透過該第2面與該物體上面之間之間隙吸引該第2面外側空間之氣體之至少一部分之第1吸引口。
21. 如申請專利範圍第20項之曝光裝置，其中，從該第1供應口供應之流體之黏度較該第2構件外側空間之氣體之黏度高。
22. 如申請專利範圍第20或21項之曝光裝置，其進一步具備腔室裝置，此腔室裝置具有對至少配置射出該曝光用光之光學構件、該第1液浸構件及該第2液浸構件之內部空間供應氣體之環境控制裝置；該第1吸引口係吸引來自該環境控制裝置之該氣體。
23. 如申請專利範圍第20至22項中任一項之曝光裝置，其中，該第1供應口係供應液體。
24. 如申請專利範圍第23項之曝光裝置，其中，從該第1供應口供應之該液體與該第2液浸空間之該第2液體不同。
25. 如申請專利範圍第24項之曝光裝置，其中，從該第1供應口供應之該液體具有較該第2液浸空間之該第2液體高之黏度。
26. 如申請專利範圍第20至25項中任一項之曝光裝置，其中，該第1吸引口係透過從該第1供應口供應、流過該第2面之該流體之表面與該物體上面之間之間隙吸引該氣體。
27. 如申請專利範圍第20至26項中任一項之曝光裝置，其中，該第1吸引口亦吸引該第1面與該物體之間之該液體之至少一部分。
28. 如申請專利範圍第20至27項中任一項之曝光裝置，其進一步具備透過吸引流路與該第1吸引口連接之流體吸引裝置；該流體吸引裝置係以能在該吸引流路維持該氣體之通路之方式，吸引該液體。
29. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第1至28項中任一項之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使曝光後之該基板顯影的動作。
30. 一種液體保持方法，係用於透過基板上之液體以曝光用光使該基板曝光之曝光裝置，包含： 在配置於該曝光用光光路周圍之至少一部分、該基板之上面隔著第1間隙對向之第1構件之第1面與該基板之上面之間保持該液體的動作；從相對該光路配置在該第1面外側、該物體之上面隔著第2間隙對向之第2構件之第2面外側配置之第1供應口供應流體動作；以及從配置在該第1面與該第2面之間之第1吸引口，透過流過該第2面之該流體與該基板上面之間之間隙吸引相對該光路在該第2構件外側空間之氣體之至少一部分的動作。
31. 如申請專利範圍第30項之液體保持方法，其中，從該第1供應口供應之該流體朝向該光路流過該第2面上。
32. 如申請專利範圍第30或31項之液體保持方法，其中，從該第1吸引口吸引之該氣體，通過流過該第2面上之該流體與該基板上面之間之間隙。
33. 如申請專利範圍第30至32項中任一項之液體保持方法，其中，該流體係從配置在該第1吸引口與該第2面之間之第2吸引口加以回收。
34. 如申請專利範圍第30至33項中任一項之液體保持方法，其中，該流體係從該第1吸引口回收。
35. 如申請專利範圍第30至34項中任一項之液體保持方法，其中，係在開始從該第1吸引口之吸引後，開始從該第1供應口之該液體之供應。
36. 如申請專利範圍第30至35項中任一項之液體保 持方法，其中，係設定從該第1供應口之該流體之每單位時間供應量與從該第1吸引口之該氣體之每單位時間吸引量中之至少一方，以使從該第1供應口供應之該流體能不接觸該基板之上面而朝向該第1吸引口流過該第2面。
37. 如申請專利範圍第30至36項中任一項之液體保持方法，其中，係設定從該第1供應口之該流體之每單位時間供應量與從該第1吸引口之該氣體之每單位時間吸引量中之至少一方，以使從該第1供應口供應、朝向該第1吸引口流過該第2面之該流體與該基板上面之間形成該間隙。
38. 一種元件製造方法，包含：透過以申請專利範圍第30至37項中任一項之液體保持方法保持之液體之至少一部分使基板曝光的動作；以及使曝光後之該基板顯影的動作。