JP5938493B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は半導体装置に関し、特に、III族窒化物半導体を主材料として含む電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor：以下、「ＦＥＴ」と略記する）に備えた半導体装置に関する。

＜関連技術１＞
図１４は、関連技術１のＦＥＴの断面構造を模式的に示す図である。図１４のＦＥＴに関して、例えば非特許文献１の記載が参照される。図１４に示すように、基板８０上に、バッファ層８１、チャネル層８２、電子供給層８３がこの順に形成されている。図１４の例において、バッファ層８１はアンドープの窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる。チャネル層８２はアンドープのＧａＮからなる。電子供給層８３はアンドープの窒化アルミニウムガリウムＡｌ_ａＧａ_１−ａＮからなる。ここで、上記III族窒化物半導体層構造は、［０００１］結晶軸に平行なＧａ面成長により形成されている。

電子供給層（Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ）８３のＡｌ組成比ａは、ＧａＮとの格子定数差が十分小さくなる組成（例えば、０．３以下）に設定されている。

電子供給層８３に接してゲート電極８５が形成され、ゲート電極８５に対向してソース電極８４１、ドレイン電極８４２が形成されている。

チャネル層８２内の電子供給層８３との界面近傍には、電子走行層となる二次元電子ガス(2 dimension electron gas：以下、「２ＤＥＧ」と略記する）層８６が生成されており、電子供給層８３上に形成したソース電極８４１とドレイン電極８４２には２ＤＥＧ層８６とのオーミック接触がとられている。

＜関連技術２＞
図１７は、関連技術２のＦＥＴの断面構造を模式的に示す図である。図１７のＦＥＴに関して、例えば非特許文献２の記載が参照される。図１７に示すように、基板９０上に、アンドープのＧａＮからなるバッファ層９１、アンドープのＧａＮからなるチャネル層９２、アンドープの窒化インジウムアルミニウムＩｎ_ｂＡｌ_１−ｂＮからなる電子供給層９３がこの順に形成されている。ここで、上記III族窒化物半導体層構造は、六方晶［０００１］結晶軸に平行なＧａ面成長により形成されている。

電子供給層（Ｉｎ_ｂＡｌ_１−ｂＮ）９３のＩｎ組成比ｂはＧａＮと格子整合する組成（例えば、０．１７〜０．１８）に設定されている。

電子供給層９３に接してゲート電極９５が形成され、ゲート電極９５に対向してソース電極９４１、ドレイン電極９４２が形成されている。

チャネル層９２内の電子供給層９３との界面近傍には２ＤＥＧ層９６が生成されており、電子供給層９３上に形成したソース電極９４１とドレイン電極９４２には２ＤＥＧ層９６とのオーミック接触がとられている。

なお、非特許文献２には、ＩｎＡｌＮからなる電子供給層９３とＧａＮチャネル層９２の界面に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるスペーサ層(AlN spacer)が設けられているが、図１７には、図示されていない。

特許文献１には、ヘテロ接合ＦＥＴとして、基板上に順次に形成された、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）から成るチャネル層、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０＜ｙ≦１）から成る電子供給層、中間層、及び、ＧａＮから成るｎ形キャップ層を有し、ゲート絶縁層に接してゲート電極が、ｎ形キャップ層に接してソース電極及びドレイン電極が夫々形成されており、中間層が、少なくとも１層のｎ形不純物層を含み、これにより、電子供給層とｎ形キャップ層との間に発生する分極負電荷を、中間層のイオン化正電荷によって相殺できるので、電子に対するバリヤを低減し、ソース抵抗及びドレイン抵抗を低減することができるようにしたＦＥＴが開示されている。

特開２００１−２７４３７５号公報

UMESH K. MISHRA et al., "AlGaN/GaN HEMTs-An Overview of Device Operation and Applications", PROCEEDINGS OF THE IEEE, VOL. 90, NO. 6, JUNE 2002, pp.1022-1031 (Ｍｉｓｈｒａ 他、プロスィーディングス・オブ・ディ・アイ・トリプル・イー、第９０巻、６号、１０２２頁、２００２年) F. Medjdoub et al., "Characteristics of Al2O3/AlInN/GaN MOSHEMT", ELECTRONICS LETTERS, 7th June 2007 Vol.43, No.12 (Ｍｅｄｊｄｏｕｂ 他、エレクトロニクス・レターズ、４３巻、１２号、２００７年)

以下に関連技術の分析を与える。

図１５は、図１４に示した関連技術１のＦＥＴの電子供給層（Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ）８３内の格子歪み量のドレイン電圧依存性の模式的に示す図である。横軸はドレイン電圧、縦軸は歪み量を示す。図１６は、当該格子歪みの歪みエネルギーのドレイン電圧依存性の模式的に示す図である。横軸はドレイン電圧、縦軸は歪みエネルギーである。なお、図１５、図１６は、本明細書において以下の分析の理解を助けるためのものであり、非特許文献１等には開示されていない。

図１４のＦＥＴにおいて、電子供給層（Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ）８３は、電圧ゼロ（ドレイン電圧＝０）の熱平衡状態で引張り方向の内部歪を有しており、ドレイン電圧の増加と共に、内部歪は、引張り方向のままドレイン電圧に対してほぼ比例して増加する。したがって、ドレイン電圧の増加により歪エネルギーは単調増加し、臨界値Ｅcritを超えると、結晶欠陥（転位）が発生する。図１４の構造においては、この劣化開始電圧が例えば１８０Ｖ程度と比較的低いという問題があった。以下に、このような格子歪、歪エネルギーの振る舞いの原理を説明する。

関連技術１のＦＥＴでは、電子供給層８３を構成するＡｌ_ａＧａ_１−ａＮの格子定数（ａ軸長）がバッファ層８１を構成するＧａＮの格子定数よりも小さいことに起因して、熱平衡状態で電子供給層８３内には、格子不整合に伴う歪として、面内方向に、引張方向の歪ベクトル（ε_１（ａ），ε_２（ａ），０）が存在している（ε_１（ａ）＞０，ε_２（ａ）＞０）。

また、ゲート電極８５に対してドレインが正電位となるような電圧をドレイン電極８４２に印加すると、電子供給層８３には基板８０から表面に向かう方向に、電界ベクトル（０，０，Ｆ_３）が発生する（Ｆ_３＜０）。逆ピエゾ効果の理論によれば、誘電体に垂直方向（Ｚ方向）電界Ｆ３を加えると、該電界強度に比例した水平方向（Ｘ−Ｙ面内）の歪変化（Δε_１（ａ），Δε_２（ａ），０）（逆ピエゾ効果による歪）を生じる。ここで、Δε_ｉ（ａ）（ｉ＝１，２）は次式（１）のように表される。

Δε_ｉ（ａ）＝ｄ_{ｉ３（ａ）}Ｆ_３ ・・・（１）

ここで、ｄ_{ｉ３（ａ）}（ｉ＝１，２）は電子供給層（ＡｌＧａＮ）８３の縦方向電界（垂直方向電界）Ｆ_３と水平方向の歪Δε_ｉ（ａ）（ｉ＝１，２）を関係付けるピエゾ電気成分である。

歪変化の向きは、半導体層構造が［０００１］結晶軸に平行なＧａ面成長で、電界Ｆ_３が基板８０から表面に向かう方向の場合、引張方向となる。

したがって、電子供給層（ＡｌＧａＮ）８３に発生する歪ベクトル（ε_{Ｔ１（ａ）}，ε_Ｔ２（ａ），０）は次式（２）のように表される。

ε_{Ｔｉ（ａ）}＝ε_ｉ（ａ）＋ｄ_{ｉ３（ａ）}Ｆ_３ ・・・（２）

格子不整合に伴う歪ε_ｉ（ａ）（ｉ＝１、２）が引張方向であり、逆ピエゾ効果による歪Δε_ｉ（ａ）も引張方向であるため、両者が強め合って、電子供給層（ＡｌＧａＮ）８３の内部歪が増加する。

歪量は、縦方向（垂直方向）の電界成分Ｆ_３に比例して増加する。電界Ｆ_３はドレイン電圧に比例するため、図１５に示すような、歪み量と電圧（ドレイン電圧）の関係が得られる。

フックの法則によれば、このときの歪エネルギーＥ_ａは次式（３）のように表される。

Ｅ_ａ＝Ｅ_Ｙ（ａ）ｈ_ａ（ε_１（ａ）＋ｄ_{１３（ａ）}Ｆ_３）^２ ・・・（３）

上式（３）において、Ｅ_Ｙ（ａ）は電子供給層（ＡｌＧａＮ）８３のヤング率である。ｈ_ａはゲート電極８５の下部における電子供給層（ＡｌＧａＮ）８３の厚さである。なお、Ｇａ面成長のため、面内方向（ｉ＝１，２）は等価であることを仮定した。

歪エネルギーＥ_ａは、垂直方向電界成分Ｆ_３の二乗に比例して増加するため（Ｆ_３の二乗の係数は正値）、図１６に示すような歪エネルギーと電圧の関係が得られる。

このように、関連技術１によるＦＥＴでは、格子不整合に伴う内部歪ε_１（ａ）と逆ピエゾ効果による歪Δε_１（ａ）が強め合うため、歪エネルギーがドレイン電圧の増大と共に急激に増加してしまい、劣化開始電圧が低くなる、という問題があった。

図１８は、図１７のような関連技術２のＦＥＴのＩｎＡｌＮからなる電子供給層９３内の格子歪み量のドレイン電圧依存性を模式的に示す図である。横軸はドレイン電圧、縦軸は歪み量である。図１９には、歪みエネルギーのドレイン電圧依存性が模式的に示されている。横軸はドレイン電圧、縦軸は歪みエネルギーである。なお、図１８、図１９は、本明細書において以下の分析の理解を助けるためのものであり、非特許文献２等には開示されていない。

図１７の電子供給層（ＩｎＡｌＮ）９３は、電圧ゼロ（ドレイン電圧＝０）の熱平衡では内部歪を有していない。しかしながら、ドレイン電圧の増加と共に、引張り方向の内部歪が発生して、その絶対値は電圧に対してほぼ比例して増加する。

関連技術２のＦＥＴでは、熱平衡での内部歪が発生しない。このため、劣化開始電圧は、例えば２４０Ｖと、図１４の関連技術１のＦＥＴよりも改善されている。しかしながら、いまだ十分ではなかった。

以下に、このような格子歪、歪エネルギーの振る舞いの原理を説明する。

関連技術２によるＦＥＴでは、図１７の電子供給層９３を構成するＩｎ_ｂＡｌ_１−ｂＮの格子定数（ａ軸長）がバッファ層９１を構成するＧａＮとほぼ等しいことに起因して、熱平衡状態では、電子供給層（ＩｎＡｌＮ）９３内には歪は存在しない。ゲートに対してドレイン電極９４２が正電位となるような電圧を印加すると、電子供給層（ＩｎＡｌＮ）９３には基板９０から表面に向かう方向に電界ベクトル（０，０，Ｆ_３）が発生する（Ｆ_３＜０）。逆ピエゾ効果の理論によれば、誘電体に垂直方向電界Ｆ_３を加えると、電界強度に比例した水平方向の歪変化（Δε_１（ｂ），Δε_２（ｂ），０）を生じる。ここで、Δε_ｉ（ｂ）（ｉ＝１，２）は、次式（４）のように表される。

Δε_ｉ（ｂ）＝ｄ_{ｉ３（ｂ）}Ｆ_３ ・・・（４）

ここで、ｄ_{ｉ３（ｂ）}（ｉ＝１，２）は、電子供給層（ＩｎＡｌＮ）９３の縦方向電界と水平方向歪を関係付けるピエゾ電気成分である。歪変化の向きは、半導体層構造が［０００１］結晶軸に平行なＧａ面成長で、電界Ｆ_３が基板９０から表面に向かう方向の場合、引張方向となる。

したがって、電子供給層（ＩｎＡｌＮ）９３に発生する歪ベクトル（ε_{Ｔ１（ｂ）}，ε_{Ｔ２（ｂ）}，０）は、次式（５）のように表される。

ε_{Ｔｉ（ｂ）}＝ｄ_{ｉ３（ｂ）}Ｆ_３ ・・・（５）

歪量は縦方向電界成分Ｆ_３に比例して増加するため、図１８のような歪量と電圧の関係が得られる。

フックの法則によれば、このときの歪エネルギーＥ_ｂは次式（６）のように表される。

Ｅ_ｂ＝Ｅ_Ｙ（ｂ）ｈ_ｂ（ｄ_{１３（ｂ）}Ｆ_３）^２ ・・・（６）

ここで、Ｅ_Ｙ（ｂ）はＩｎＡｌＮのヤング率である。ｈ_ｂはゲート電極９５の下部における電子供給層（ＩｎＡｌＮ）９３の厚さである。なお、Ｇａ面成長のため、面内方向（ｉ＝１，２）は等価であることを仮定した。

歪エネルギーは、縦方向電界成分Ｆ_３の二乗に比例して増加するため、図１９に示すような歪エネルギーと電圧の関係が得られる。

このように、関連技術２のＦＥＴでは、格子不整合に伴う内部歪は存在しないものの、逆ピエゾ効果による歪Δε_１（ｂ）が電界に比例するため、歪エネルギーが、電圧の増加に対して、単調に増加してしまい、劣化開始電圧が低くなる、という問題があった。

以上のように、関連技術のＦＥＴでは、ゲート−ドレイン間に高電圧を印加すると、転位（ミスフィット転位）発生を伴う格子緩和が容易に発生し、素子特性が劣化し易いという問題があった。

したがって、本発明は、III族窒化物半導体を主材料として含む電界効果トランジスタにおける上記問題点に鑑みて創案されたものであって、その主たる目的は、ゲート−ドレイン間に高電圧を印加した場合でも素子の劣化の発生を抑制し、信頼度を高くすることを可能とするＦＥＴを備えた半導体装置を提供することにある。

本発明によれば、基板上に、［０００１］又は［０００−１］結晶軸に平行な成長モードにて、格子緩和したバッファ層、チャネル層、電子供給層をこの順にそれぞれIII族窒化物半導体を用いて形成され、前記チャネル層と電気的に接続されたソース電極とドレイン電極を有すると共に、前記電子供給層上に形成されたゲート電極を有する電界効果トランジスタであって、前記バッファ層と前記電子供給層の内、前記チャネル層のIII族原子面側にある層は、前記チャネル層のＶ族原子面側にある層よりａ軸長が大きく、前記電子供給層は、前記チャネル層よりバンドギャップが大きい、電界効果トランジスタを備えた半導体装置が提供される。

本発明によれば、III族窒化物半導体を主材料として含む電界効果トランジスタにおいて、ゲート−ドレイン間に高電圧を印加した場合でも素子の劣化の発生を抑制し、信頼度を高くすることができる。

本発明の第１の実施形態の素子構造を示す図である。 本発明の第１の実施形態の内部歪の電圧依存性を模式的に示す図である。 本発明の第１の実施形態の歪エネルギーの電圧依存性を模式的に示す図である。 ＩｎＡｌＮのａ軸長とバンドギャップのＩｎ組成比依存性を示す図である。 本発明の第１の実施形態の歪エネルギーの電界強度依存性の計算結果を示す図である。 本発明の第２の実施形態の素子構造を示す図である。 本発明の第２の実施形態の歪エネルギーの電界強度依存性の計算結果を示す図である。 本発明の第３の実施形態の素子構造を示す図である。 本発明の第３の実施形態の内部歪の電圧依存性を模式的に示す図である。 本発明の第３の実施形態の歪エネルギーの電圧依存性を模式的に示す図である。 本発明の第３の実施形態の歪エネルギーの電界強度依存性の計算結果を示す図である。 本発明の第４の実施形態の素子構造を示す図である。 本発明の第４の実施形態の歪エネルギーの電界強度依存性の計算結果を示す図である。 関連技術１のＦＥＴの素子構造を示す図である。 関連技術１のＦＥＴの内部歪の電圧依存性を模式的に示す図である。 関連技術１のＦＥＴの歪エネルギーの電圧依存性を模式的に示す図である。 関連技術２のＦＥＴの素子構造を示す図である。 関連技術２のＦＥＴの内部歪の電圧依存性を模式的に示す図である。 関連技術２のＦＥＴの歪エネルギーの電圧依存性を模式的に示す図である。

本発明の好ましい形態および実施形態を以下に説明する。

いくつかの好ましい形態において、基板上に、［０００１］又は［０００−１］結晶軸に平行な成長モードにて、格子緩和したバッファ層、チャネル層、電子供給層がこの順にそれぞれIII族窒化物半導体を用いて形成され、前記チャネル層と電気的に接続されたソース電極、ドレイン電極を有し、前記電子供給層上に形成されたゲート電極を有する電界効果トランジスタにおいて、前記バッファ層と前記電子供給層の内、前記チャネル層のIII族原子面側にある層は、前記チャネル層のＶ族原子面側にある層より、ａ軸長が大きく、且つ、前記電子供給層は、前記チャネル層よりバンドギャップが大きい構成とする。

いくつかの好ましい形態において、前記基板上に、［０００１］結晶軸に平行なIII族原子面成長モードにて、前記バッファ層、前記チャネル層、前記電子供給層がこの順に形成され、前記チャネル層のIII族原子面側にある前記電子供給層のａ軸長が、前記チャネル層のＶ族原子面側にある前記バッファ層のａ軸長よりも大きい。

いくつかの好ましい形態において、前記基板上に、［０００−１］結晶軸に平行なＶ族原子面成長モードにて、前記バッファ層、前記チャネル層、前記電子供給層が、この順に形成され、前記チャネル層のＶ族原子面側にある前記電子供給層のａ軸長が、前記チャネル層のIII族原子面側にある前記バッファ層のａ軸長よりも小さい、ことを特徴とする。

いくつかの好ましい形態において、前記バッファ層がＧａＮからなり、前記チャネル層がＧａＮからなり、前記電子供給層が、圧縮歪を有するＩｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１８＜ｘ＜０．５３）からなる。

いくつかの好ましい形態において、前記バッファ層がＡｌ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ（０＜ｚ_１≦１）からなり、前記チャネル層がＧａＮからなり、前記電子供給層が、圧縮歪を有するＡｌ_ｚ２Ｇａ_１−ｚ２Ｎ（０≦ｚ_２＜１、ｚ_２＜ｚ_１）からなる。

いくつかの好ましい形態において、前記バッファ層がＧａＮからなり、前記チャネル層がＧａＮからなり、前記電子供給層が、引張歪を有するＩｎ_ｙＡｌ_１−ｙＮ（０＜ｙ＜０．１７）からなる。

いくつかの好ましい形態において、前記バッファ層がＡｌ_ｕ１Ｇａ_１−ｕ１Ｎ（０≦ｕ_１＜１）からなり、前記チャネル層がＧａＮからなり、前記電子供給層が、引張歪を有するＡｌ_ｕ２Ｇａ_１−ｕ２Ｎ（０＜ｕ_２≦１、ｕ_１＜ｕ_２）からなる。

いくつかの好ましい形態において、前記電子供給層上に絶縁膜を備え、前記ゲート電極は、下部側が前記絶縁膜に設けられた開口部に埋め込まれ、上部側の前記ソース電極と前記ドレイン電極にそれぞれ対向する側部が、前記ソース電極と前記ドレイン電極側にそれぞれ突設されて前記絶縁膜を覆う構成（フィールドプレート構造）とされる。

このような電界効果トランジスタにおいては、格子不整合に伴う熱平衡での内部歪と逆ピエゾ効果に伴う歪変化とが互いに打ち消し合うため、ドレイン電圧印加時の歪エネルギーが抑制される。このため、本発明によれば、関連技術による電界効果トランジスタと比べて劣化開始電圧を改善することができる。その結果、ゲート−ドレイン間に高電圧を印加した場合でも、素子劣化の発生を抑制し、信頼度を高くすることができる。以下添付図面を参照して例示的な実施形態を説明する。

＜実施形態１＞
図１は、本発明の例示的な第１の実施形態の半導体装置の断面構成を模式的に示す図である。図１において、１０は基板であり、１１は格子緩和したバッファ層、１２はチャネル層、１３は電子供給層である。半導体層構造は、［０００１］結晶軸に平行なIII族原子面成長により形成され、電子供給層１３のバンドギャップがチャネル層１２より大きく、且つ、電子供給層１３のａ軸長がバッファ層１１より大きくなっている。すなわち、電子供給層１３には、電圧ゼロの熱平衡にて圧縮歪が生じている。

ここで、バッファ層１１と電子供給層１３の内、チャネル層１２のIII族原子面側にある層は、電子供給層１３であり、チャネル層１２のＶ族原子面側にある層は、バッファ層１１であり、III族原子面側の層（電子供給層１３）の方が、Ｖ族原子面側にある層（バッファ層１１）よりａ軸長が長くなっている。

チャネル層１２内には２ＤＥＧ層１６が形成され、２ＤＥＧ層１６と電気的に接続されたソース電極１４１、ドレイン電極１４２が対向して形成されている。ソース電極１４１とドレイン電極１４２に挟まれた部位の電子供給層１３上にはゲート電極１５が形成されている。

図２は、図１のようなＦＥＴの電子供給層１３内の格子歪み量のドレイン電圧依存性を模式的に示す図である。図３は、歪みエネルギーのドレイン電圧依存性を模式的に示す図である。図２、図３には、関連技術１、２によるＦＥＴの特性も併せて示した。電子供給層１３は、ドレイン電圧ゼロの熱平衡で、圧縮方向の内部歪を有しており、ドレイン電圧の増加と共に、内部歪は、圧縮から引張に転じる。

このため、図３に示すように、ドレイン電圧のゼロからの電圧増加に伴い、歪エネルギーは一旦減少してから増加に転じる。このため、劣化開始電圧が、例えば３６０Ｖ程度と、関連技術１、２の１８０Ｖ、２４０Ｖと比べて大幅に改善される。

本実施形態における、このような格子歪、歪エネルギーの振る舞いの原理を以下に説明する。

本実施形態では、電子供給層１３の格子定数（ａ軸長）がバッファ層１１より大きいことに起因して、熱平衡状態では、電子供給層１３内には、面内方向に圧縮方向の歪ベクトル（−ε_１（ｘ），−ε_２（ｘ），０）が存在している（ただし、ε_１（ｘ）＞０，ε_２（ｘ）＞０）。

ゲートに対してドレインが正電位となるようなドレイン電圧を印加すると、電子供給層１３には基板１０から表面に向かう方向に電界ベクトル（０，０，Ｆ_３）が発生する（Ｆ_３＜０）。逆ピエゾ効果の理論によれば、誘電体に垂直方向電界Ｆ_３を加えると、電界強度に比例した水平方向の歪変化（Δε_１（ｘ），Δε_２（ｘ），０）を生じる。Δ_{εｉ（ｘ）}（ｉ＝１，２）は次式（７）のように表される。

Δε_ｉ（ｘ）＝ｄ_{ｉ３（ｘ）}Ｆ_３ ・・・（７）

ここで、ｄ_{ｉ３（ｘ）}（ｉ＝１，２）は、電子供給層１３を構成する材料の垂直方向電界成分Ｆ_３と水平方向歪Δε_ｉ（ｘ）を関係付けるピエゾ電気成分である。

歪変化の向きは、半導体層構造が［０００１］結晶軸に平行なIII族原子面成長で、電界Ｆ_３が基板１０から表面に向かう方向の場合、引張方向となる。

したがって、電子供給層１３に発生する歪ベクトル（ε_{Ｔ１（ｘ）}，ε_{Ｔ２（ｘ）}，０）は次式（８）のように表される。

ε_{Ｔｉ（ｘ）}＝−ε_ｉ（ｘ）＋ｄ_{ｉ３（ｘ）}Ｆ_３ ・・・（８）

上式（８）において、格子不整合に伴う歪ε_ｉ（ｘ）（ｉ＝１，２）が圧縮方向であり、逆ピエゾ効果による歪Δε_ｉ（ｘ）（＝ｄ_{ｉ３（ｘ）}Ｆ_３）（ｉ＝１，２）は引張方向のため、両者が打ち消し合って、電子供給層１３の内部歪（ε_{Ｔｉ（ｘ）}）が減少する。

上式（８）から、歪量は、垂直方向電界成分Ｆ_３に比例して増加する。縦方向電界成分Ｆ_３はドレイン電圧に比例するため、図２に示すような、歪量（格子歪）と電圧（ドレイン電圧）の関係が得られる。

フックの法則によれば、このときの歪エネルギーＥ_ｘは次式（９）のように表される。

Ｅ_ｘ＝Ｅ_Ｙ（ｘ）ｈ_ｘ（−ε_１（ｘ）＋ｄ_{１３（ｘ）}Ｆ_３）^２ ・・・（９）

上式（９）において、Ｅ_Ｙ（ｘ）は電子供給層１３を構成する材料のヤング率である。ｈ_ｘはゲート電極１５の下部における電子供給層１３の厚さである。なお、III族原子面成長のため、面内方向（ｉ＝１，２）は等価であることを用いた。

上式（９）から、歪エネルギーＥ_ｘは、垂直方向電界成分Ｆ_３の二乗に比例して増加する（Ｆ_３の二乗の係数は正値）。このため、図３に示すような、歪エネルギーと電圧（ドレイン電圧）の関係が得られる。

このように、本実施形態では、格子不整合に伴う内部歪−ε_１（ｘ）と、逆ピエゾ効果による歪Δε_１（ｘ）が打ち消し合うため、電子供給層１３の内部歪は、熱平衡では圧縮で、電圧（ドレイン電圧）の増加にしたがって、圧縮から引張に転じる。

このため、歪エネルギーは、電圧増加と共に一旦減少してから、増加に転じ、歪エネルギーが臨界値Ｅcritに達するときのドレイン電圧である劣化開始電圧は、図３に示す例では３６０Ｖとなり、関連技術１、２の劣化開始電圧１８０Ｖ、２４０Ｖと比べて大幅に改善される。

また、電子供給層１３のバンドギャップがチャネル層１２より大きいため、２ＤＥＧ層１６は、チャネル層１２内部に蓄積され、電子が高電子移動度のチャネル層１２を走行するため、高速動作が可能になる。

次に、このような構造を実現するための具体的な結晶構造について説明する。

図４は、Ｉｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮのａ軸長（縦軸：単位＝Angstrom＝１０^−１０ｍ＝０．１nanometer）のＩｎ組成比（横軸）依存性(特性２)と、バンドギャップ（縦軸単位ｅＶ（electron volt））のＩｎ組成比依存性（特性１）を示している。図４のＩｎ組成比依存性（特性１、２）より、Ｉｎ組成比ｘを０．１８＜ｘ＜０．５３に設定すれば、Ｉｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮのａ軸長はＧａＮのａ軸長（＝３．１９Angstrom）よりも大きく、且つ、Ｉｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮのバンドギャップは、ＧａＮのバンドギャップ（＝３．４ｅＶ）よりも大きくできることが分かる。

したがって、図１のような素子構造において、例えば、
バッファ層１１をＧａＮ、
チャネル層１２をＧａＮ、
電子供給層１３をＩｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（Ｉｎの組成比ｘ：０．１８＜ｘ＜０．５３）
によって構成すれば、電子供給層１３のａ軸長がバッファ層１１より大きく、且つ、電子供給層１３のバンドギャップがチャネル層１２より大となる。

図５は、図１に示した本実施形態のＦＥＴにおいて、Ｉｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮからなる電子供給層１３のＩｎ組成比ｘを変えたときの歪エネルギー（縦軸：J／ｍ^２）の垂直方向電界強度（横軸：V/cm）の依存性の計算結果を示す図である。図５において、点線（ｘ＝０．１７５）は、ＩｎＡｌＮからなる電子供給層１３がＧａＮからなるバッファ層１１と格子整合する場合の歪エネルギーのＩｎ組成比依存性を示しており、関連技術２によるＦＥＴに対応している（比較例）。Ｉｎ組成比ｘが０．２０、０．２２５、０．２５の特性は２次関数の特性となっている。

解析の結果、Ｉｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮからなる電子供給層１３のＩｎ組成比ｘが、０．１８＜ｘ＜０．５３を充たす場合、歪エネルギーの相殺の一応の効果が得られることが分かった。

ただし、Ｉｎ組成比ｘ＞０．２５では、格子不整合が大きくなって、図５に示すように、電界強度＝０での熱平衡での歪エネルギーが増大し過ぎるため好ましくない。このため、Ｉｎ組成比ｘは、０．１９＜ｘ＜０．２５の範囲に設定するのが望ましい。

更なる解析の結果、図５に示すとおり、Ｉｎ組成比ｘを０．２程度に設定した場合には、ＦＥＴ内部の歪エネルギーを最小にすることが出来ることが分かった。Ｉｎ組成比ｘ＝０．２０の場合、電界強度１．５×１０^７Ｖ／ｃｍ付近で歪みエネルギーが最小（＝０）となる２次関数の特性となっている。

実用上は、Ｉｎ組成比ｘを、例えば０．１９＜ｘ＜０．２１の範囲に設定することで、本発明の作用効果を十分に得ることが出来る。

次に、上記した実施形態のＦＥＴの作製方法について図１を参照して説明する（ただし、Ｉｎ組成比ｘを０．２とする）。

（１１１）面珪素（Ｓｉ）基板１０上に、例えば有機金属気相成長（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：ＭＯＣＶＤと略記される）法により、アンドープＡｌＮとアンドープＧａＮを交互に積層した超格子からなる核生成層（図示せず）を層厚２００ｎｍ、アンドープＧａＮからなるバッファ層１１（層厚：１μｍ）、アンドープＧａＮからなるチャネル層１２（層厚：５０ｎｍ）、アンドープＩｎ_０．２Ａｌ_０．８Ｎからなる電子供給層１３（層厚：２０ｎｍ）をこの順に成長する。ここで、上記半導体層構造は［０００１］結晶軸に平行なＧａ面成長により形成した。電子供給層（ＩｎＡｌＮ）１３の層厚は、バッファ層（ＧａＮ）１１上において転位が発生する臨界膜厚より薄く設定してある。これにより、転位の発生が抑制された良好な結晶品質が得られる。

自発性分極効果とピエゾ分極効果に基づいて、ＩｎＡｌＮからなる電子供給層１３とＧａＮからなるチャネル層１２の界面には、面密度として３×１０^１３ｃｍ^−２程度の正電荷が発生する。このため、電子供給層１３、チャネル層１２ともにアンドープであるが、ＧａＮからなるチャネル層１２内には２ＤＥＧ層１６が生成される。

電子供給層１３上に、例えば、チタニウム（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）等の金属を蒸着、アロイ処理することにより、ソース電極１４１、ドレイン電極１４２をそれぞれ形成し、２ＤＥＧ層１６とのオーム性接触をとる。

次に、窒素（Ｎ）などのイオン注入により素子間分離を行なう。

ソース電極１４１とドレイン電極１４２で挟まれた部位のＩｎＡｌＮからなる電子供給層１３上には、Ｎｉ／Ａｕ等の金属を蒸着し、リフトオフすることにより、ゲート電極１５を形成する。このようにして、図１のようなＦＥＴが作製される。

＜実施形態２＞
図６は、本発明の第２の実施形態のＦＥＴの断面構造を模式的に示す図である。図６において、２０は基板であり、２１は、格子緩和したＡｌ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎからなるバッファ層、２２はＧａＮからなるチャネル層、２３はＡｌ_ｚ２Ｇａ_１−ｚ２Ｎからなる電子供給層である。ここで、０≦ｚ_２＜ｚ_１≦１である。上記半導体層構造は［０００１］結晶軸に平行なＧａ面成長により形成され、電子供給層２３のバンドギャップがチャネル層２２より大きく、電子供給層２３のａ軸長がバッファ層２１のａ軸長よりも大きくなっている。電子供給層２３には、熱平衡にて圧縮歪が生じている。

チャネル層２２内には、２ＤＥＧ層２６が形成され、２ＤＥＧ層２６と電気的に接続されたソース電極２４１、ドレイン電極２４２が対向して形成されている。

電子供給層２３上に絶縁膜２７を形成し、絶縁膜２７に形成した開口部２８に、ゲート電極２５を埋め込むように形成してある。ゲート電極２５は、そのソース側端部とドレイン側端部において絶縁膜２７を覆うように形成され、庇型の形状を有している。この庇部が、所謂電界集中を緩和するフィールドプレート構造として機能する。

本実施形態における半導体層構造は、［０００１］結晶軸に平行なＧａ面成長とし、電子供給層２３のバンドギャップがチャネル層２２より大きく、且つ、電子供給層２３のａ軸長がバッファ層２１より大きい歪層としている。このため、前記第１の実施形態と同様な原理に基づいて、熱平衡での電子供給層２３の内部歪と、逆ピエゾ効果に伴う歪変化とが互いに打ち消し合うため（上式（８）参照）、ドレイン電圧印加時の歪エネルギーが抑制される。

さらに、本実施形態では、フィールドプレートの効果により、ゲートのドレイン端で発生する電界集中が緩和される。このため、垂直方向電界Ｆ_３が減少し、上式（９）にしたがって、逆ピエゾ効果による歪エネルギー増加が更に抑制される。

図７は、図６のようなＦＥＴ構造において、電子供給層（Ａｌ_ｚ２Ｇａ_１−ｚ２Ｎ）２３のＡｌ組成比ｚ_２を変えたときの歪エネルギーの垂直方向電界強度依存性の計算結果を示す図である。バッファ層（Ａｌ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ）２１のＡｌ組成比ｚ_１は０．２に固定してある。図７において、点線（ｚ_２＝０．２、ｚ_１＝０）は、関連技術１によるＦＥＴに対応した歪エネルギーの垂直方向電界強度依存特性である。

解析の結果、
ｚ_２＜ｚ_１
を充たせば、歪エネルギー相殺の一応の効果が得られることが分かった。

更なる解析の結果、図７のｚ_２＝０．１、ｚ_１＝０．２の結果が示すとおり、ｚ_１−ｚ_２を０．１程度に設定した場合には、ＦＥＴ内部の歪エネルギーを最小にすることが出来ることが分かった。実用上は、
０．０５＜ｚ_１−ｚ_２＜０．１５
の範囲に設定すれば、目的とする作用効果を十分に得ることが出来る。

次に、本発明の第２の実施形態のＦＥＴの作製方法について説明する（ｚ_２＝０．１、ｚ_１＝０．２の場合）。

（１１１）面Ｓｉ基板２０上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、アンドープＡｌＮとアンドープＧａＮを交互に積層した超格子からなる核生成層（図示せず）を層厚：２００ｎｍ、アンドープＡｌ_０．２Ｇａ_０．８Ｎからなるバッファ層２１（層厚：１μｍ）、アンドープＧａＮからなるチャネル層２２（層厚：５０ｎｍ）、ｎ型Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎからなる電子供給層２３（層厚：２０ｎｍ）をこの順に成長する。ここで、上記半導体層構造は［０００１］結晶軸に平行なＧａ面成長により形成した。チャネル層（ＧａＮ）２２、電子供給層（ＡｌＧａＮ）２３の層厚は、バッファ層（ＡｌＧａＮ）２１上において転位が発生する臨界膜厚より薄く設定してある。これにより、転位の発生が抑制された良好な結晶品質が得られる。

電子供給層（ＡｌＧａＮ）２３に添加するｎ型不純物としては、例えばＳｉを用い、不純物濃度としては、例えば５×１０^１８ｃｍ^−３程度に設定する。

自発性分極効果とピエゾ分極効果に基づいてバッファ層（ＡｌＧａＮ）２１と、チャネル層（ＧａＮ）２２の界面には、面密度として１×１０^１３ｃｍ^−２程度の負電荷が発生する。また、電子供給層（ＡｌＧａＮ）２３と、チャネル層（ＧａＮ）２２の界面には、面密度として５×１０^１２ｃｍ^−２程度の正電荷が発生する。

しかしながら、電子供給層（ＡｌＧａＮ）２３に高濃度のｎ型不純物が添加されているため、チャネル層（ＧａＮ）２２内には、２ＤＥＧ層２６が生成される。

電子供給層２３上に、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ等の金属を蒸着し、アロイ処理することにより、ソース電極２４１、ドレイン電極２４２をそれぞれ形成し、２ＤＥＧ層２６とのオーム性接触をとる。

次に、Ｎ等のイオン注入により素子間分離を行なう。その後、例えばプラズマ励起気相成長（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition：「ＰＥＣＶＤ」と略記する）法により、窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）からなる絶縁膜２７（膜厚：６０ｎｍ）を成膜する。

通常のフォトリソグラフィ法により開口パターンを形成した後、例えば、弗化硫黄（ＳＦ_６）等の反応性ガスを用いたドライエッチング法で、絶縁膜２７をエッチング除去して電子供給層２３を露出することにより、開口部２８を形成する。

次に、例えばＮｉ／Ａｕ等の金属を蒸着、リフトオフすることにより、開口部２８に埋め込むようにして、ゲート電極２５を形成する。このようにして、図６に示したＦＥＴが作製される。

＜実施形態３＞
図８は、本発明の第３の実施形態の断面構造を模式的に示す図である。図８において、３０は基板であり、３１は格子緩和したバッファ層、３２はチャネル層、３３は電子供給層である。ここで、上記半導体層構造は、［０００−１］結晶軸に平行なＶ族原子面成長により形成され、電子供給層３３のバンドギャップがチャネル層３２より大きく、電子供給層３３のａ軸長がバッファ層３１のａ軸長よりも小さくなっている。すなわち、電子供給層３３には熱平衡にて、引張歪が生じている。

ここで、バッファ層３１と電子供給層３３の内、
チャネル層３２のIII族原子面側にある層はバッファ層３１、
チャネル層３２のＶ族原子面側にある層は電子供給層３３
であり、III族原子面側の層（バッファ層３１）の方がＶ族原子面側の層（電子供給層３３）よりもａ軸長が長くなっている。

チャネル層３２内には２ＤＥＧ層３６が形成され、２ＤＥＧ層３６と電気的に接続されたソース電極３４１、ドレイン電極３４２が対向して形成されている。

ソース電極３４１とドレイン電極３４２に挟まれた部位の電子供給層３３上にはゲート電極３５が形成されている。

図９は、図８のような、ＦＥＴの電子供給層３３内の格子歪み量のドレイン電圧依存性を模式的に示す図である。図１０は、歪みエネルギーのドレイン電圧依存性を模式的に示す図である。図９、図１０には、比較例として、関連技術１、２によるＦＥＴの特性も併せて示した。

電子供給層３３は、電圧ゼロ（ドレイン電圧＝０）の熱平衡で圧縮方向の内部歪を有しており、ドレイン電圧の増加と共に、内部歪は圧縮から引張に転じ、電圧増加と共に歪エネルギーが一旦減少してから増加に転じる。このため、劣化開始電圧が例えば３６０Ｖ程度と、関連技術１、２の１８０Ｖ、２４０Ｖと比べて大幅に改善される。

本実施形態における格子歪、歪エネルギーの振る舞いの原理を以下に説明する。

本実施形態では、電子供給層３３の格子定数（ａ軸長）がバッファ層３１の格子定数（ａ軸長）よりも小さいことに起因して、熱平衡状態では、電子供給層３３内には面内方向に引張方向の歪ベクトル（ε_１（ｙ），ε_２（ｙ），０）が存在している（ε_１（ｙ）＞０，ε_２（ｙ）＞０）。

ゲートに対してドレインが正電位となるような電圧を印加すると、電子供給層３３には基板３０から表面に向かう方向に、電界ベクトル（０，０，Ｆ_３）が発生する（Ｆ_３＜０）。逆ピエゾ効果の理論によれば、誘電体に垂直方向電界Ｆ_３を加えると、電界強度に比例した水平方向の歪変化（Δε_１（ｙ），Δε_２（ｙ），０）を生じる。ここで、Δε_ｉ（ｙ）（ｉ＝１，２）は、次式（１０）のように表される。

Δε_ｉ（ｙ）＝−ｄ_{ｉ３（ｙ）}Ｆ_３ ・・・（１０)

上式（１０）において、ｄ_{ｉ３（ｙ）}（ｉ＝１，２）は電子供給層３３を構成する材料の垂直方向電界成分Ｆ_３と水平方向歪Δε_ｉ（ｙ）を関係付けるピエゾ電気成分である。

歪変化の向きは、半導体層構造が［０００−１］結晶軸に平行なＶ族原子面成長で、電界が基板から表面に向かう方向の場合、圧縮方向となる。

したがって、電子供給層３３に発生する歪ベクトル（ε_{Ｔ１（ｙ）}，ε_{Ｔ２（ｙ）}，０）は次式（１１）のように表される。

ε_{Ｔｉ（ｙ）}＝ε_ｉ（ｙ）−ｄ_{ｉ３（ｙ）}Ｆ_３ ・・・（１１）

格子不整合に伴う歪ε_ｉ（ｙ）が引張方向であり、逆ピエゾ効果による歪Δε_ｉ（ｙ）は圧縮方向であるため、両者が打ち消しあって、電子供給層３３の内部歪が減少する。

歪量は、垂直方向電界成分Ｆ_３に比例して増加するため、図９に示すような格子歪と電圧の関係が得られる。

フックの法則によれば、このときの歪エネルギーＥ_ｙは次式（１２）で表される。

Ｅ_ｙ＝Ｅ_Ｙ（ｙ）ｈ_ｙ（ε_１（ｙ）−ｄ_{１３（ｙ）}Ｆ_３）^２ ・・・（１２）

上式（１２）において、Ｅ_Ｙ（ｙ）は電子供給層３３を構成する材料のヤング率である。ｈ_ｙはゲート電極３５の下部における電子供給層３３の厚さである。なお、Ｖ族原子面成長のため、面内方向（ｉ＝１，２）は等価であることを用いた。

歪エネルギーＥ_ｙは、垂直方向電界成分Ｆ_３の二乗に比例して増加するため（Ｆ_３の二乗の係数は正値）、図１０に示すような、歪エネルギーと電圧の関係が得られる。

このように、本実施形態では、格子不整合に伴う内部歪ε_１（ｙ）と逆ピエゾ効果による歪Δε_１（ｙ）が打ち消し合うため、内部歪は、熱平衡では、引張で電圧増加にしたがって引張から圧縮に転じる。このため、歪エネルギーＥ_ｙは、電圧（ドレイン）の増加に伴い、一旦減少してから、増加に転じ、劣化開始電圧（歪エネルギー＝Ｅcritとなるドレイン電圧：３６０V）は、関連技術１、２と比べて大幅に改善される。

また、電子供給層３３のバンドギャップがチャネル層３２より大きいため、２ＤＥＧ層３６は、チャネル層３２内部に形成され、電子が高電子移動度のチャネル層３２を走行するため、高速動作が可能になる。

次に、第３の実施形態の構造を実現するための具体的な結晶構造について述べる。

図４より、Ｉｎ組成比ｙを０＜ｙ＜０．１７に設定すれば、Ｉｎ_ｙＡｌ_１−ｙＮのａ軸長はＧａＮより小さく、且つ、Ｉｎ_ｙＡｌ_１−ｙＮのバンドギャップはＧａＮより大きくなる。

したがって、図８のような素子構造において、例えば、
バッファ層３１をＧａＮ、
チャネル層３２をＧａＮ、
電子供給層３３をＩｎ_ｙＡｌ_１−ｙＮ（０＜ｙ＜０．１７）
によって構成すれば、電子供給層３３のａ軸長がバッファ層３１よりも小さく、且つ、電子供給層３３のバンドギャップがチャネル層３２より大となる。

図１１は、図８のようなＦＥＴ構造においてＩｎ_ｙＡｌ_１−ｙＮからなる電子供給層３３のＩｎ組成比ｙを変えたときの歪エネルギーの垂直方向電界強度依存性の計算結果を示す図である。図１１において、点線（ｙ＝０．１７５）はＩｎＡｌＮ電子供給層３３がＧａＮバッファ層３１と格子整合する場合で、関連技術２によるＦＥＴに対応している。

解析の結果、Ｉｎ_ｙＡｌ_１−ｙＮからなる電子供給層３３のＩｎ組成比ｙが０＜ｙ＜０．１７を充たせば、歪エネルギー相殺の一応の効果が得られることが分かった。

ただし、ｙ＜０．１では、格子不整合が大きくなって熱平衡での歪エネルギーが増大し過ぎるため好ましくない。このため、０．１＜ｙ＜０．１６の範囲に設定するのが望ましい。

更なる解析の結果、図１１に示すとおり、ｙを０．１５程度に設定した場合には、ＦＥＴ内部の歪エネルギーを最小にすることが出来ることが分かった。実用上は、０．１４＜ｙ＜０．１６の範囲に設定すれば、目的とする効果を十分に得ることが出来る。

第３の実施形態のＦＥＴの作製方法について説明する（ｙ＝０．１５の場合）。

（１１１）面Ｓｉ基板３０上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、アンドープＡｌＮとアンドープＧａＮを交互に積層した超格子からなる核生成層（図示せず）を層厚：２００ｎｍ、アンドープＧａＮからなるバッファ層３１（層厚：１μｍ）、アンドープＧａＮからなるチャネル層３２（層厚：５０ｎｍ）、ｎ型Ｉｎ_０．１５Ａｌ_０．８５Ｎからなる電子供給層３３（層厚：２０ｎｍ）をこの順に成長する。ここで、上記半導体層構造は［０００−１］結晶軸に平行なＮ面成長により形成した。

Ｉｎ_０．１５Ａｌ_０．８５Ｎからなる電子供給層３３の層厚は、ＧａＮからなるバッファ層３１上において転位が発生する臨界膜厚よりも薄く設定してある。これにより、転位の発生が抑制された良好な結晶品質が得られる。

Ｉｎ_０．１５Ａｌ_０．８５Ｎからなる電子供給層３３に添加するｎ型不純物として、例えばＳｉを用い、不純物濃度は、例えば５×１０^１９ｃｍ^−３程度に設定する。

自発性分極効果とピエゾ分極効果に基づいて電子供給層（Ｉｎ_０．１５Ａｌ_０．８５Ｎ）３３とチャネル層（ＧａＮ）３２の界面には、面密度として、３×１０^１３ｃｍ^−２程度の負電荷が発生する。しかしながら、電子供給層３３に高濃度のｎ型不純物が添加されているため、チャネル層（ＧａＮ）３２内に２ＤＥＧ層３６が生成される。

電子供給層３３上に、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ等の金属を蒸着し、アロイ処理することにより、ソース電極３４１、ドレイン電極３４２をそれぞれ形成し、２ＤＥＧ層３６とのオーム性接触をとる。

次に、Ｎ等のイオン注入により素子間分離を行なう。ソース電極３４１とドレイン電極３４２で挟まれた部位の電子供給層３３上には、Ｎｉ／Ａｕなどの金属を蒸着し、リフトオフすることにより、ゲート電極３５を形成する。このようにして、図８のようなＦＥＴが作製される。

＜実施形態４＞
図１２は、本発明の第４の実施形態の断面構造を模式的に示す図である。図１２において、４０は基板であり、４１は格子緩和したＡｌ_ｕ１Ｇａ_１−ｕ１Ｎからなるバッファ層、４２はＧａＮからなるチャネル層、４３はＡｌ_ｕ２Ｇａ_１−ｕ２Ｎからなる電子供給層である。ここで、０≦ｕ_１＜ｕ_２≦１である。上記半導体層構造は［０００−１］結晶軸に平行なＮ面成長により形成され、電子供給層４３のバンドギャップがチャネル層４２よりも大きく、且つ、電子供給層４３のａ軸長がバッファ層４１よりも小さくなっている。すなわち、電子供給層４３には熱平衡にて引張歪が生じている。

チャネル層４２内には２ＤＥＧ層４６が形成され、２ＤＥＧ層４６と電気的に接続されたソース電極４４１、ドレイン電極４４２が対向して形成されている。

電子供給層４３上に、絶縁膜４７を形成し、絶縁膜４７に形成した開口部４８にゲート電極４５を埋め込むように形成してある。ゲート電極４５はそのソース側端部とドレイン側端部において絶縁膜４７を覆うように形成され、庇型の形状を有している。この庇部が所謂フィールドプレートとして機能する。

本実施形態における半導体層構造は、［０００−１］結晶軸に平行なＮ面成長とし、電子供給層４３のバンドギャップがチャネル層４２より大きく、且つ、電子供給層４３のａ軸長がバッファ層４１より小さい歪層としている。

このため、本実施形態は、前記第３の実施形態と同様な原理に基づいて、熱平衡での電子供給層４３の内部歪と逆ピエゾ効果に伴う歪変化が打ち消し合うため、電圧印加時の歪エネルギーが抑制される。

さらに、本実施形態では、フィールドプレートの効果により、ゲートのドレイン端で発生する電界集中が緩和される。このため、垂直方向電界成分Ｆ_３が減少して、上式（１２）にしたがって、逆ピエゾ効果による歪エネルギーの増加が更に抑制される。

図１３は、図１２のようなＦＥＴ構造において、Ａｌ_ｕ２Ｇａ_１−ｕ２Ｎからなる電子供給層４３のＡｌ組成比ｕ_２を変えたときの歪エネルギーの垂直方向電界強度依存性の計算結果を示す図である。Ａｌ_ｕ１Ｇａ_１−ｕ１Ｎからなるバッファ層４１のＡｌ組成比ｕ_１は０．１に固定してある。図１３において、点線（ｕ_２＝０．２、ｕ_１＝０）は、関連技術１によるＦＥＴ（Ｇａ面成長）の歪エネルギーの垂直方向電界強度依存特性に対応している。

解析の結果、バッファ層のＡｌ組成比ｕ１と電子供給層４３のＡｌ組成比ｕ２が、
ｕ_１＜ｕ_２
を充たせば、歪エネルギー相殺の一応の効果が得られることが分かった。

更なる解析の結果、図１３において、ｕ_２＝０．２、ｕ_１＝０．１の結果が示すとおり、ｕ_２−ｕ_１を０．１程度に設定した場合には、ＦＥＴ内部の歪エネルギーを最小にすることが出来ることが分かった。実用上は、
０．０５＜ｕ_２−ｕ_１＜０．１５
の範囲に設定すれば、目的とする作用効果を十分に得ることが出来る。

次に、本実施形態のＦＥＴの作製方法について説明する（ただし、ｕ_２＝０．１、ｕ_１＝０．０の場合）。

（１１１）面Ｓｉ基板４０上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、アンドープＡｌＮとアンドープＧａＮを交互に積層した超格子からなる核生成層（図示せず）を２００ｎｍ、アンドープＧａＮからなるバッファ層４１（層厚１μｍ）、アンドープＧａＮからなるチャネル層４２（層厚５０ｎｍ）、ｎ型Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎからなる電子供給層４３（層厚２０ｎｍ）をこの順に成長する。

ここで、上記半導体層構造は、［０００−１］結晶軸に平行なＮ面成長により形成した。

Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎからなる電子供給層４３の層厚は、ＧａＮからなるバッファ層４１上において転位が発生する臨界膜厚より薄く設定してある。これにより、転位の発生が抑制された良好な結晶品質が得られる。

Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎからなる電子供給層４３に添加するｎ型不純物としては、例えばＳｉを用い、不純物濃度としては例えば５×１０^１８ｃｍ^−３程度に設定する。

自発性分極効果とピエゾ分極効果に基づいて、電子供給層（ＡｌＧａＮ）４３とチャネル層（ＧａＮ）４２の界面には面密度として５×１０^１２ｃｍ^−２程度の負電荷が発生する。しかしながら、電子供給層４３には高濃度のｎ型不純物が添加されているため、ＧａＮチャネル層４２内には２ＤＥＧ層４６が生成される。

電子供給層４３上に、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ等の金属を蒸着、アロイ処理することにより、ソース電極４４１、ドレイン電極４４２をそれぞれ形成し、２ＤＥＧ層４６とのオーム性接触をとる。

次に、Ｎ等のイオン注入により素子間分離を行なう。

その後、例えばＰＥＣＶＤ法により、Ｓｉ_３Ｎ_４からなる絶縁膜４７（６０ｎｍ）を成膜する。

通常のフォトリソグラフィ法により、開口パターンを形成した後、例えばＳＦ_６等の反応性ガスを用いたドライエッチング法で、絶縁膜４７をエッチング除去して電子供給層４３を露出することにより、開口部４８を形成する。

次に、例えばＮｉ／Ａｕ等の金属を蒸着、リフトオフすることにより、開口部４８に埋め込むようにして、ゲート電極４５を形成する。このようにして、図１２に示したようなＦＥＴが作製される。

以上、本発明を上記実施形態に即して説明したが、本発明は上記態様にのみ限定されず、本発明の原理に準ずる各種態様を含むことは勿論である。

例えば、前記実施形態では、基板として、Ｓｉを用いたが、炭化珪素（ＳｉＣ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ＧａＮ、ダイヤモンド（Ｃ）等、他の基板であっても良い。

前記実施形態では、核生成層として、ＡｌＮとＧａＮの超格子を用いたが、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ等の単層を用いても良い。

前記実施形態では、バッファ層の材料として、ＧａＮ又はＡｌＧａＮを用いたが、ＡｌＮ、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等他のIII窒化物半導体を用いても良い。

前記実施形態では、チャネル層の材料として、ＧａＮを用いたが、電子供給層よりバンドギャップの小さい他のIII族窒化物半導体を用いても良い。例えば、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、窒化インジウム（ＩｎＮ）等他のIII族窒化物半導体を用いても良い。

前記実施形態では、電子供給層の材料として、ＩｎＡｌＮ又はＡｌＧａＮを用いたが、チャネル層よりバンドギャップの大きい他のIII族窒化物半導体を用いても良い。例えば、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ等であっても良い。

また前記実施形態では、電子供給層は、アンドープ若しくはｎ型としたが、アンドープ層とｎ型層の二層構造や、アンドープ層とｎ型層とアンドープ層の三層構造等の多層構造で構成しても良い。

前記実施形態では、絶縁膜として、Ｓｉ_３Ｎ_４を用いたが、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）等他の絶縁体を用いても良い。

前記実施形態では、ソース電極、ドレイン電極の材料として、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕを用いたが、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ａｌ／モリブデン（Ｍｏ）／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ／ニオビウム（Ｎｂ）／Ａｕ等他の材料を用いても良い。

前記実施形態では、ゲート電極の材料として、Ｎｉ／Ａｕを用いたが、Ｎｉ／パラディウム（Ｐｄ）／Ａｕ、Ｎｉ／白金（Ｐｔ）／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等他の材料を用いても良い。

また、前記実施形態では、電子供給層に接してゲート電極を形成したが、電子供給層とゲート電極の間に、例えば、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ等III族窒化物半導体からなる厚さ数ｎｍのキャップ層を挿入しても良い。

前記実施形態では、電子供給層に接してチャネル層を形成したが、電子供給層とチャネル層の間に、例えば、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ等III族窒化物半導体からなる厚さ数ｎｍのスペーサ層を挿入しても良い。

前記実施形態では、電子供給層に接してゲート電極を形成するショットキー型ゲートとしたが、電子供給層とゲート電極の間にＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、あるいはＳｉ_３Ｎ_４等の絶縁膜を挿入した金属−絶縁膜−半導体（ＭＩＳ）型ゲートを用いても良い。

前記実施形態では、Ｎ等のイオン注入により素子間分離を行ったが、イオン注入には硼素（Ｂ）等他のイオンを用いても良い。あるいは、素子間分離として、メサエッチングにより素子間分離を行なっても良い。

前記実施形態では、デバイス最表面に保護膜が設けられていないが、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁体からなる保護膜を形成しても良い。

本発明によれば、劣化開始電圧の高い窒化物半導体からなるＦＥＴが得られ、携帯電話基地局、固定無線伝送装置、ディジタル放送地上局、レーダ装置、モータ制御、高周波発生装置、電源装置、インバータ照明等に用いられる電子機器の高性能化に寄与するところ大である。

なお、上記の特許文献、非特許文献の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。

１０，２０，３０，４０，８０，９０ 基板
１１，２１，３１，４１，８１，９１ バッファ層
１２，２２，３２，４２，８２，９２ チャネル層
１３，２３，３３，４３，８３，９３ 電子供給層
１４１，２４１，３４１，４４１，８４１，９４１ ソース電極
１４２，２４２，３４２，４４２，８４２，９４２ ドレイン電極
１５，２５，３５，４５，８５，９５ ゲート電極
１６，２６，３６，４６，８６，９６ ２ＤＥＧ層（２次元電子ガス層）
２７，４７ 絶縁膜
２８，４８ 開口部

Claims (3)

1. 基板上に、［０００１］結晶軸に平行なＩＩＩ族原子面成長モードにて、バッファ層、チャネル層、電子供給層がこの順にそれぞれＩＩＩ族窒化物半導体を用いて形成してなる半導体層構造を備え、
   前記チャネル層と電気的に接続されたソース電極とドレイン電極と、前記電子供給層上に形成されたゲート電極を有する電界効果トランジスタであって、
   前記チャネル層のＩＩＩ族原子面側にある前記電子供給層のａ軸長が、前記チャネル層のＶ族原子面側にある前記バッファ層のａ軸長よりも大きく、且つ、前記電子供給層は、前記チャネル層よりもバンドギャップが大きくし、
   前記バッファ層がＡｌ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ（０＜ｚ_１≦１）からなり、
   前記チャネル層がＧａＮからなり、
   前記電子供給層が、圧縮歪を有するＡｌ_ｚ２Ｇａ_１−ｚ２Ｎ（０≦ｚ_２＜１、ｚ_２＜ｚ_１）からなる、電界効果トランジスタを備えた半導体装置。
2. 前記電子供給層が、圧縮歪を有するＡｌ_ｚ２Ｇａ_１−ｚ２Ｎ（０≦ｚ_２＜１、ｚ_２＜ｚ_１、０．０５＜ｚ_１−ｚ_２＜０．１５）からなる、請求項１記載の半導体装置。
3. 基板上に、［０００１］結晶軸に平行なＩＩＩ族原子面成長モードにて、バッファ層、チャネル層、電子供給層がこの順にそれぞれＩＩＩ族窒化物半導体を用いて形成してなる半導体層構造を備え、
   前記チャネル層と電気的に接続されたソース電極とドレイン電極と、前記電子供給層上に形成されたゲート電極を有する電界効果トランジスタであって、
   前記チャネル層のＩＩＩ族原子面側にある前記電子供給層のａ軸長が、前記チャネル層のＶ族原子面側にある前記バッファ層のａ軸長よりも大きく、且つ、前記電子供給層は、前記チャネル層よりもバンドギャップが大きくし、
   前記バッファ層がＧａＮからなり、
   前記チャネル層がＧａＮからなり、
   前記電子供給層が、ａ軸長が圧縮歪を有するＩｎ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１９＜ｘ＜０．２５）からなり、
   前記バッファ層のａ軸長の格子不整合に起因した面内方向の圧縮歪と逆ピエゾ効果による歪とが打ち消し合い、前記電子供給層の内部歪は、熱平衡では圧縮でドレイン電圧の増加にしたがって圧縮から引張に転じ、歪エネルギーはドレイン電圧の増加と共に一旦減少してから、増加に転じることで劣化開始電圧を増大してなる電界効果トランジスタを備えた半導体装置。

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