JP2019165063A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態の半導体装置は、窒化物半導体層と、窒化物半導体層の上の第1の領域及び第2の領域に設けられたソース電極と、第1の領域及び第2の領域に設けられたドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極の間の第1の領域及び第2の領域に設けられた絶縁膜と、ソース電極とドレイン電極の間の窒化物半導体層の上の第1の領域及び第2の領域に設けられたゲート電極と、を備え、第1の領域のゲート長方向におけるソース電極とドレイン電極の間の第1の距離は、第2の領域のゲート長方向におけるソース電極とドレイン電極の第2の距離より短く、第1の領域のゲート長方向における絶縁膜の第1の長さは、第2の領域のゲート長方向における絶縁膜の第2の長さより短い。
本実施形態の半導体装置は、窒化物半導体層と、窒化物半導体層の上の第1の領域及び第2の領域に設けられたソース電極と、第1の領域及び第2の領域に設けられたドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極の間の第1の領域及び第2の領域に設けられた第1の絶縁膜と、ソース電極とドレイン電極の間の窒化物半導体層の上の第1の領域及び第2の領域に設けられたゲート電極と、第1の絶縁膜と離間して第1の領域のドレイン電極内に設けられた第2の絶縁膜と、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜と離間して第2の領域のドレイン電極内に設けられた第3の絶縁膜と、を備える。
本実施形態の半導体装置は、第2の絶縁膜22と第4の絶縁膜26が一体として設けられ、また第3の絶縁膜24と第5の絶縁膜28が一体として設けられている点で、第2の半導体装置と異なっている。ここで、第1及び第2の実施形態と重複する点については、記載を省略する。
4 バッファ層(第3の半導体層)
6 第1の半導体層
8 第2の半導体層
10 窒化物半導体層
20 第1の絶縁膜
20a 第1の膜(CVD窒化膜)
20b 第2の膜(PE窒化膜)
22 第2の絶縁膜
24 第3の絶縁膜
26 第4の絶縁膜
28 第5の絶縁膜
30 第6の絶縁膜
38a 第1のソース電極(ソース電極)
38b 第2のソース電極
40a 第1のゲート電極(ゲート電極)
40b 第2のゲート電極
42a 第1のゲートフィールドプレート電極(ゲートフィールドプレート電極)
42b 第2のゲートフィールドプレート電極
50 ドレイン電極
52 第1の電極部分
54 第2の電極部分
56 第3の電極部分
58 第4の電極部分
60 第5の電極部分
62 第6の電極部分
64 第7の電極部分
70 レジスト
72 電極材料
74 除去される電極材料
80 第1の領域
90 第2の領域
100a 第1の半導体装置
100b 第2の半導体装置
200a 第1の半導体装置
200b 第2の半導体装置
500 第3の半導体装置
600 第3の半導体装置
700 第3の半導体装置
Claims (10)
- 窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の上の第1の領域及び第2の領域に設けられたソース電極と、
前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられたドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた絶縁膜と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記窒化物半導体層の上の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられたゲート電極と、
を備え、
前記第1の領域のゲート長方向における前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の第1の距離は、前記第2の領域の前記ゲート長方向における前記ソース電極と前記ドレイン電極の第2の距離より短く、
前記第1の領域の前記ゲート長方向における前記絶縁膜の第1の長さは、前記第2の領域の前記ゲート長方向における前記絶縁膜の第2の長さより短い、
半導体装置。 - 前記ドレイン電極は、
前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第1の電極部分と、
前記第1の領域の前記第1の電極部分と前記第1の領域の前記絶縁膜の間に設けられた第2の電極部分と、
を有する請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1の電極部分の膜厚は前記第2の電極部分の膜厚より厚い請求項2記載の半導体装置。
- 前記ドレイン電極は、前記第2の領域の前記第1の電極部分と前記第2の領域の前記ゲート電極の間の前記絶縁膜上に設けられた第3の電極部分を有する請求項2または請求項3記載の半導体装置。
- 窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の上の第1の領域及び第2の領域に設けられたソース電極と、
前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられたドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第1の絶縁膜と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記窒化物半導体層の上の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられたゲート電極と、
前記第1の絶縁膜と離間して前記第1の領域の前記ドレイン電極内に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜と離間して前記第2の領域の前記ドレイン電極内に設けられた第3の絶縁膜と、
を備える半導体装置。 - 前記ドレイン電極は、
前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第1の電極部分であって、前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜は前記第1の絶縁膜と前記第1の電極部分の間に設けられた前記第1の電極部分と、
前記第2の絶縁膜と前記第1の領域の前記第1の絶縁膜の間及び前記第3の絶縁膜と前記第2の領域の前記第1の絶縁膜の間に設けられた第2の電極部分と、
を有する請求項5記載の半導体装置。 - 前記第1の電極部分の膜厚は前記第2の電極部分の膜厚より厚い請求項6記載の半導体装置。
- 前記第2の絶縁膜と離間して前記第1の領域の前記ドレイン電極内に設けられた第4の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜と離間して前記第1の領域の前記ドレイン電極内に設けられた第5の絶縁膜と、
をさらに備える請求項6または請求項7記載の半導体装置。 - 窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の上の第1の領域及び第2の領域に設けられた第1のソース電極と、
前記窒化物半導体層の上の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第2のソース電極と、
前記第1のソース電極と前記第2のソース電極の間の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられたドレイン電極と、
前記第1のソース電極と前記ドレイン電極の間の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第2のソース電極と前記ドレイン電極の間の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第1のゲート電極と、
前記第2の絶縁膜の上の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第6のゲート電極と、
を備え、
前記第1の領域のゲート長方向における前記第1のソース電極と前記ドレイン電極の間の第1の距離は、前記第2の領域の前記ゲート長方向における前記第1のソース電極と前記ドレイン電極の第2の距離より短く、
前記第1の領域の前記ゲート長方向における前記第1の絶縁膜の第1の長さは、前記第2の領域の前記ゲート長方向における前記第2の絶縁膜の第2の長さより短く、
前記第1の領域の前記ゲート長方向における前記第2のソース電極と前記ドレイン電極の間の第3の距離は、前記第2の領域の前記ゲート長方向における前記第2のソース電極と前記ドレイン電極の第4の距離より短く、
前記第1の領域の前記ゲート長方向における前記第2の絶縁膜の第3の長さは、前記第2の領域の前記ゲート長方向における前記第2の絶縁膜の第4の長さより短い、
半導体装置。 - 窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の上の第1の領域及び第2の領域に設けられた第1のソース電極と、
前記窒化物半導体層の上の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第2のソース電極と、
前記第1のソース電極と前記第2のソース電極の間の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられたドレイン電極と、
前記第1のソース電極と前記ドレイン電極の間の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第1の絶縁膜と、
前記第2のソース電極と前記ドレイン電極の間の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第6の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の上の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第1のゲート電極と、
前記第6の絶縁膜の上の前記第1の領域及び前記第2の領域に設けられた第6のゲート電極と、
前記第1の絶縁膜と前記第6の絶縁膜の間の、前記第1の領域の前記ドレイン電極内に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜と前記第6の絶縁膜の間の、前記第2の領域の前記ドレイン電極内に設けられた第3の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜と離間して前記第1の領域の前記ドレイン電極内に設けられた第4の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜と離間して前記第2の領域の前記ドレイン電極内に設けられた第5の絶縁膜と、
を備える半導体装置。
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