JP5936579B2 - 電流印加装置 - Google Patents
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Description
この特許文献1の技術によると、当接部材の接触部は、半導体に当接すると凹みの内周縁を支承点にしてシーソーのように揺動する。そして、揺動時には、当接部材の接触部の中央部寄り部分の変形によって接触圧力の変動が緩和され、半導体の表面のプローブピン当接部位に多少の凹凸やうねりがあっても、当接部材の多数の接触部と半導体の表面との接触状態が揃って安定するとされている。
ここで、コンタクト電極は、安価かつ製造容易であり、使い捨てに適したものである。一方、押圧体は、高価かつ製造困難であり、耐久性を確保し、異常時の大電流が印加されてジュール熱によって破壊される場合に修理を必要とする。
本発明は、電流印加装置に異常時の大電流が印加された場合に、コンタクト電極が押圧体よりも先に破壊される。そして、破壊されたコンタクト電極は、異常時の大電流を遮断し、押圧体を大電流から保護する。これによって、押圧体を修理することなく寿命まで使用することができる。
図1は、本発明の実施形態に係る電流印加装置としてのプローブ装置1の概略構成を示す斜視図であり、図1(a)が分解図であり、図1(b)が全体図である。図2は、本実施形態に係るプローブ装置1の図1(a)のAA断面図である。図1(b)のAA断面は、プローブ装置1の断面構成を分かり易くするために途中で断面位置を変更している。
図1に示されたプローブ装置1は、400〜2000Aの大電流のスイッチングに用いられるパワー半導体(IGBT,MOS,ダイオードなど)100を検査するための半導体検査装置に適用され、パワー半導体Hに圧接して大電流を印加する。
接触体2は、接触部21の隣に、位置決め棒71が挿通されるためにその厚み方向に貫通する1つの位置決め用孔22を有する。なお、接触体2の位置決め用孔22の口径は位置決め棒71の外径よりも所定隙間を有する程大きく、後述する接触体2の接触部21の表面21fとパワー半導体100の表面100fとの平行度の調整を規制するものではない。
接触体2は、位置決め用孔22とは接触部21に対して反対側に、第1信号ピン32および第2信号ピン33の各々が挿通されるためにその厚み方向に貫通する2つの第1信号ピン用孔23および第2信号ピン用孔24を有する。
接触部21は、パワー半導体100と面接触する表面21fを有する。表面21fは、パワー半導体100の表層の表面電極層のみに差し込まれる複数の微小突起25を有する。複数の微小突起25は、同構成である。接触部21は、複数の微小突起25を有しても、表面21fが複数の微小突起25に比して広大な平坦面となっている。
複数の微小突起25は、パワー半導体100の表面電極層の層厚である約10μmよりも小さく、かつ、表面電極層の表面に形成された酸化膜の膜厚である約0.1μmよりも大きな高さに電鋳によって形成される。複数の微小突起25は、等しい形状である。
図3に示すように、接触体2は、耐電力W21と、内部の抵抗として抵抗値R21と、を有する。そして、電流値Iをプローブ装置1に異常時に流れる電流値としたときに、接触体内部電力I2・R21が耐電力W21よりも小さい関係(I2・R21<W21)が成立するよう構成されている。
複数の微小突起25の各々は、耐電力W22と、パワー半導体100の表面100fとの接触抵抗として抵抗値R22と、を有する。微小突起25は、N2=100個設けられる。そして、複数の微小突起25の各々は、電流値Iをプローブ装置1に異常時に流れる電流値としたときに、1個の微小突起25に印加される突起電力(I/N2)2・R22が1個の微小突起25の耐電力W22よりも大きくなる関係((I/N2)2・R22>W22)が成立するよう同様に構成されている。つまり、複数の微小突起25の各々は、電流値I/N2が微小突起25の1個に流れると、微小突起25およびそれに接触するパワー半導体100の表面100fがジュール熱によって破壊されるように構成されている。
上記(I/N2)2・R22>W22の関係を成立させるため、本実施形態では、複数の微小突起25の各々の耐電力W22を減少させるようにしている。すなわち、接触体2に形成される微小突起25の個数を減らし、1個の微小突起25への電流量を増加させている。また、複数の微小突起25の各々の材質またはメッキを高抵抗材料に変更して接触抵抗を増加させたり、複数の微小突起25の各々の先端を丸め、接触を不安定化させたりして、複数の微小突起25の各々の接触抵抗を増加させている。
接触体2全体は、接触体2自体の耐電力W21および複数の微小突起25の耐電力N2×W22を含む耐電力W2と、接触体2自体の抵抗値R21および複数の微小突起25とパワー半導体100の表面100fとの接触抵抗としての抵抗値R22/N2を含む抵抗値R2と、を有する。すなわち、抵抗値R2は、R2=R21+R22/N2である。そして、接触体2全体は、電流値Iをプローブ装置1に異常時に流れる電流値としたときに、接触体2に印加される接触体電力I2・R2が接触体2の耐電力W2よりも大きくなる関係(I2・R2>W2)に構成されている。つまり、接触体2全体のI2・R2>W2の関係は、複数の微小突起25の各々の(I/N2)2・R22>W22の関係と置き換え可能になっている。これにより、接触体2全体のI2・R2>W2の関係を1個の微小突起25という構成要素の単位に合わせて容易に設計することができる。
ここで、接触体電力I2・R2は、接触体2自体の抵抗値R21および複数の微小突起25とパワー半導体100の表面100fとの接触抵抗としての抵抗値R22/N2に基づき、接触体内部電力I2・R21と、1個の微小突起25に印加される突起電力(I/N2)2・R22を微小突起25の数N2だけ乗算した電力との総和から算出される。
なお、R21は、およそ0.1〜1mΩの抵抗値である。R22は、およそ80mΩの抵抗値である。W22は、およそ20Wの耐電力である。N2は、100個である。
押圧ピン31は、ケース34から突出させた先端31tによって接触体2の背面2bと接触し、その接触位置が移動可能である。押圧ピン31は、接触体2の背面2bに平面方向に等間隔に配列され、接触体2の複数の区分の各々に押圧力Fを付与する。
押圧ピン31は、ケース34から突出させた後端31bによって基体6の押圧ピン用電極61の表面61fと接触し、基体6の押圧ピン用電極61から第2電流が流入可能である。
上記(I/N1)2・(R11+R12)<W11の関係を成立させるため、本実施形態では、押圧ピン31の耐電力W11を増加させるようにしている。すなわち、押圧ピン31の個数を多くし、1個の押圧ピンへの電流量を減少させている。また、押圧ピン31の材質または先端31tのメッキを低抵抗材料に変更して接触抵抗を減少させたり、押圧ピン31の先端31tの半球状を先鋭化し、接触を安定化させたりして、押圧ピン31と接触体2との接触抵抗を減少させている。
複数の押圧ピン31を有する押圧体アッセンブリ3は、複数の押圧ピン31の耐電力N1×W11を含む耐電力W1と、複数の押圧ピン31の抵抗値R11/N1および複数の押圧ピン31の先端31tと接触体2の背面2bとの接触抵抗としての抵抗値R12/N1を含む抵抗値R1と、を有する。すなわち、抵抗値R1は、R1=(R11+R12)/N1である。そして、押圧体アッセンブリ3は、電流値Iをプローブ装置1に異常時に流れる電流値としたときに、押圧体アッセンブリ3に印加される押圧体電力I2・R1が押圧体アッセンブリ3の耐電力W1よりも小さくなる関係(I2・R1<W1)に構成されている。つまり、押圧体アッセンブリ3のI2・R1<W1の関係は、複数の押圧ピン31の各々の(I/N1)2・(R11+R12)<W11の関係と置き換え可能になっている。これにより、押圧体アッセンブリ3のI2・R1<W1の関係を1本の押圧ピン31という構成要素の単位に合わせて容易に設計することができる。
ここで、押圧体電力I2・R1は、複数の押圧ピン31の抵抗値R11/N1および複数の押圧ピン31の先端31tと接触体2の背面2bとの接触抵抗としての抵抗値R12/N1に基づき、押圧ピン電力(I/N1)2・(R11+R12)を押圧ピンの数N1だけ乗算した電力から算出される。
なお、R11+R12は、およそ40mΩの抵抗値である。W11は、およそ4Wの耐電力である。N1は、330本である。
第1信号ピン32は、パワー半導体100のエミッタに対する第1電流をパワー半導体100に入力する。
第1信号ピン32は、ケース34から突出させた先端32tによってパワー半導体100の表面100fと接触し、その接触位置が移動可能である。
第1信号ピン32は、ケース34から突出させた後端32bによって基体6の第1信号ピン用電極62の表面62fと接触し、基体6の第1信号ピン用電極62の電気信号を受け渡し可能である。
第2信号ピン33は、パワー半導体100のゲートに対するパワー半導体100のオンオフを制御する制御信号をパワー半導体100に入力する。
第2信号ピン33は、ケース34から突出させた先端33tによってパワー半導体100の表面100fと接触し、その接触位置が移動可能である。
第2信号ピン33は、ケース34から突出させた後端33bによって基体6の第2信号ピン用電極63の表面63fと接触し、基体6の第2信号ピン用電極63の電気信号を受け渡し可能である。
複数の押圧ピン31、第1信号ピン32および第2信号ピン33は、ケース34を2分割した一方のケース部材34a上で、各ピン31,32,33のバネ部31c,32c,33cを各孔341,342,343のバネ部用の空洞部に収容することでケース部材34aに配置され、その後に2つのケース部材34a,34bを合わせて一体化させることで、押圧体アッセンブリ3を構成する。
ケース34は、先端側の表面に、接触体2の外周をガイドするためにパワー半導体100側に突出する環状凸部34cを有する。環状凸部34cは、内側に接触体2を収容でき、内周面が接触体2の移動を緩やかに規制する。
ケース34は、外周面にねじ部34dを有する。
絶縁プレート4は、中央に開口41を有する。絶縁プレート4は、接触体2の接触部21の周りの表面2fを覆う一方、開口41を通過させて接触体2の接触部21をパワー半導体100側に突出させる。
絶縁プレート4は、開口41の隣に、第1信号ピン32および第2信号ピン33の各々が挿通される第1信号ピン用孔42および第2信号ピン用孔43を有する。
押圧ピン用電極61は、複数の押圧ピン31の後端31bが突出した範囲に形成され、第2電流の電流供給源64に接続される。押圧ピン用電極61の表面61fは、平滑に形成され、プローブ装置1が組み付けられると、複数の押圧ピン31の後端31bに接触する。
第1信号ピン用電極62は、第1信号ピン32の後端32bが突出した位置に形成され、第1電流を供給すると共に接地された第1信号回路65に接続される。第1信号ピン用電極62の表面62fは、平滑に形成され、プローブ装置1が組み付けられると、第1信号ピン32の後端32bに接触する。
第2信号ピン用電極63は、第2信号ピン33の後端33bが突出した位置に形成され、制御信号を供給する第2信号回路66に接続される。第2信号ピン用電極63の表面63fは、平滑に形成され、プローブ装置1が組み付けられると、第2信号ピン33の後端33bに接触する。
押圧ピン用電極61、第1信号ピン用電極62および第2信号ピン用電極63の各々は、互いに導通しないように基体6の内部において絶縁部材67を介在させて分断してある。
パワー半導体100は、400〜2000Aの大電流のスイッチングに用いられるIGBT,MOS,ダイオードなどである。パワー半導体100は、図示しない載置台上に配置される。載置台は、図示しないシリンダに接続されており、シリンダが載置台上のパワー半導体100をプローブ装置1に押し付ける。
プローブ装置1は、当初、パワー半導体100から離間した待機状態である。
載置台の前進に伴い第1信号ピン32の先端32tがパワー半導体100に接触する。
次に、載置台の前進に伴い第2信号ピン33の先端33tがパワー半導体100に接触する。
特に、接触体2は、背面2b全体が複数の押圧ピン31に押圧される一部材であり、複数の押圧ピン31の挙動が反映されて俊敏に揺動し、パワー半導体100の表面100fとの平行度が調整される。
このとき、載置台には、シリンダによってプローブ装置1に押し付けられる際の横ずれ、捻れおよび振動などが生じる場合がある。これに対し、複数の押圧ピン31は、先端31tが半球形状のため摩擦抵抗が小さく、載置台に生じる横ずれ、捻れおよび振動などを、接触体2の背面2bに接触する先端31tの接触位置のずれで吸収することができる。これにより、接触体2のパワー半導体100の表面100fに対する接触状態は、横ずれ、捻れおよび振動などの影響を受けないため、複数の微小突起25が接触体2の位置ずれを要因としてパワー半導体100の表面100fを削ることはない。
載置台の後退に伴い接触体2の接触部21の表面21fがパワー半導体100から離間する。
次に、載置台の後退に伴い第2信号ピン33の先端33tがパワー半導体100から離間する。
さらに、載置台の後退に伴い第1信号ピン32の先端32tがパワー半導体100から離間する。
そして、プローブ装置1は、待機状態に戻る。
(ケース1)
図4は、本記実施形態に係るプローブ装置1に異常時の大電流が印加された場合(ケース1)を示す図であり、図4(a)が状態図であり、図4(b)が回路図である。
ケース1は、パワー半導体100の星印の1箇所(一部)に不具合がある場合である。この場合には、パワー半導体100に接触する直上の接触体2の1箇所(微小突起1個)に局所的に電流値I(=30A)の電流が集中する。
N1=330本の押圧ピン31における押圧ピン1本あたりの電流値は、I/N1=30/330≒0.1Aである。押圧ピン1本の抵抗値は、R11+R12=40mΩ=0.04Ωである。押圧ピン1本あたりの押圧ピン電力は、(I/N1)2・(R11+R12)≒0.1×0.1×0.04=0.0004Wである。一方、押圧ピン1本あたりの耐電力は、設定された4Wである。
また、電路であるN2=1個の微小突起25の電流値は、I/N2=30/1=30Aである。微小突起1個のR22は、80mΩ=0.08Ωである。微小突起1個の突起電力は、(I/N2)2・R22=30×30×0.08=72Wである。一方、微小突起1個の耐電力は、設定された20Wである。
その結果、押圧ピン電力0.0004W<押圧ピンの耐電力4Wとなり、(I/N1)2・(R11+R12)<W11の関係を満たす。また、突起電力72W>微小突起の耐電力20Wとなり、(I/N2)2・R22>W22の関係を満たす。そして、電路である1個の微小突起25とパワー半導体100の表面100fとが最初に破壊される。そして、破壊された接触体2は、異常時の大電流を遮断し、押圧体アッセンブリ3を大電流から保護する。これによって、押圧体アッセンブリ3を修理することなく寿命まで使用することができる。
図5は、本記実施形態に係るプローブ装置1に異常時の大電流が印加された場合(ケース2)を示す図であり、図5(a)が状態図であり、図5(b)が回路図である。
ケース2は、パワー半導体100の全体(大部分)に不具合がある場合である。この場合には、パワー半導体100に接触する直上の接触体2の全体(星印の複数の微小突起全部)に電流値I(=2000A)の電流が分流する。
N1=330本の押圧ピン31における押圧ピン1本あたりの電流値は、I/N1=2000/330≒6Aである。押圧ピン1本の抵抗値は、R11+R12=40mΩ=0.04Ωのである。押圧ピン1本あたりの押圧ピン電力は、(I/N1)2・(R11+R12)≒6×6×0.04=1.6Wである。一方、押圧ピン1本あたりの耐電力は、設定された4Wである。
また、電路であるN2=100個の全部の微小突起25における微小突起1個の電流値は、I/N2=2000/100=20Aである。微小突起1個のR22は、80mΩ=0.08Ωである。微小突起1個の突起電力は、(I/N2)2・R22=20×20×0.08=32Wである。一方、微小突起1個の耐電力は、設定された20Wである。
その結果、押圧ピン電力1.6W<押圧ピンの耐電力4Wとなり、(I/N1)2・(R11+R12)<W11の関係を満たす。また、突起電力32W>微小突起の耐電力20Wとなり、(I/N2)2・R22>W22の関係を満たす。そして、電路である100個の微小突起25とパワー半導体100の表面100fとの各々が最初に破壊される。そして、破壊された接触体2は、異常時の大電流を遮断し、押圧体アッセンブリ3を大電流から保護する。これによって、押圧体アッセンブリ3を修理することなく寿命まで使用することができる。
ここで、接触体2は、安価かつ製造容易であり、使い捨てに適したものである。一方、押圧体アッセンブリ3は、高価かつ製造困難であり、耐久性を確保し、異常時の大電流が印加されてジュール熱によって破壊される場合に修理を必要とする。
本実施形態は、プローブ装置1に異常時の大電流が印加された場合に、接触体2が押圧体アッセンブリ3よりも先に破壊される。そして、破壊された接触体2は、異常時の大電流を遮断し、押圧体アッセンブリ3を大電流から保護する。これによって、押圧体アッセンブリ3を修理することなく寿命まで使用することができる。
2…接触体(コンタクト電極)
3…押圧体アッセンブリ(押圧体)
31…押圧ピン(弾性体)
Claims (3)
- 半導体の表面と接触して電流を印加するコンタクト電極と、前記コンタクト電極を押圧する押圧体と、を直列に接続して前記半導体に電流を印加する電流印加装置であって、
前記コンタクト電極は、前記半導体の表面と面接触する表面を有し、
前記コンタクト電極の表面は、前記半導体の表層に差し込まれる複数の微小突起を有し、
前記押圧体に印加される押圧体電力が前記押圧体の耐電力よりも小さいときに、前記コンタクト電極に印加されるコンタクト電極電力が前記コンタクト電極の耐電力よりも大きくなるように構成され、
前記複数の微小突起の各々は、等しい形状であり、異常電流が印加された場合に1個の微小突起に印加される突起電力が1個の微小突起の耐電力よりも大きくなる関係が成立するように同様に構成されたことを特徴とする電流印加装置。 - 前記押圧体電力は、前記押圧体自体の抵抗と、前記押圧体と前記コンタクト電極との間の接触抵抗と、に基づき算出され、
前記コンタクト電極電力は、前記コンタクト電極自体の抵抗と、前記コンタクト電極と前記半導体との間の接触抵抗と、に基づき算出され、
前記押圧体に印加される押圧体電力が前記押圧体の耐電力よりも小さいときに、前記コンタクト電極に印加されるコンタクト電極電力が前記コンタクト電極の耐電力よりも大きくなるように構成されたことを特徴とする請求項1に記載の電流印加装置。 - 前記押圧体は、複数の弾性体を有し、
前記押圧体に印加される押圧体電力が前記押圧体の耐電力よりも小さい関係は、複数の前記弾性体の全部における前記弾性体の1本に印加される弾性体電力が前記弾性体の1本の耐電力よりも小さい関係であることを特徴とする請求項1または2に記載の電流印加装置。
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