KR101408550B1 - 프로브 카드용 접촉 단자 및 프로브 카드 - Google Patents

프로브 카드용 접촉 단자 및 프로브 카드 Download PDF

Info

Publication number
KR101408550B1
KR101408550B1 KR1020120116312A KR20120116312A KR101408550B1 KR 101408550 B1 KR101408550 B1 KR 101408550B1 KR 1020120116312 A KR1020120116312 A KR 1020120116312A KR 20120116312 A KR20120116312 A KR 20120116312A KR 101408550 B1 KR101408550 B1 KR 101408550B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
contact
outer housing
probe card
hardness
central portion
Prior art date
Application number
KR1020120116312A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130044165A (ko
Inventor
도모히사 호시노
다카시 아메미야
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20130044165A publication Critical patent/KR20130044165A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101408550B1 publication Critical patent/KR101408550B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716—Elastic
    • G01R1/06722—Spring-loaded
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06755—Material aspects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733—Geometry aspects
    • G01R1/06738—Geometry aspects related to tip portion

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

산화 및 훼손을 방지할 수 있는 프로브 카드용 접촉 단자를 제공한다. 반도체 소자를 검사하는 프로브 카드(10)의 베이스(11)에 있어서 반도체 소자와 대향하는 면에는 복수의 포고핀(12)이 배치되고, 각 포고핀(12)의 플런저(14)는 기둥 형상의 접촉부(14c)를 가지고, 접촉부(14c)는 기둥 형상의 중심부(14d)와 중심부(14d)의 측면을 덮는 외부 하우징(14e)을 가지며, 외부 하우징(14e)을 구성하는 재료의 경도 및 비저항은 중심부(14d)를 구성하는 재료의 경도 및 비저항과 다르다.

Description

프로브 카드용 접촉 단자 및 프로브 카드 {CONTACT TERMINAL FOR A PROBE CARD, AND THE PROBE CARD}
본 발명은 프로브 카드용 접촉 단자 및 프로브 카드에 관한 것이다．
웨이퍼에 형성된 각 반도체 소자의 검사를 실행하기 위해서, 검사 장치로서 프로브가 이용되고 있다. 프로브는 웨이퍼를 탑재하는 스테이지(stage)와, 해당 스테이지와 대향하는 프로브 카드를 구비한다. 프로브 카드는 판 형상의 베이스부와 복수의 기둥 형상 접촉 단자인 포고핀(pogo pin)(스프링 프로브)의 플런저(plunger)나 접촉 프로브(contact probe)를 구비하고, 접촉 프로브는 스테이지와 대향하는 베이스부의 대향면 상에 있어서 웨이퍼의 반도체 소자의 각 전극 패드나 각 땜납 범프와 대향하도록 배치된다 (예를 들면, 특허문헌 1참조).
프로브에 있어서, 스테이지에 탑재된 웨이퍼와 프로브 카드가 대향했을 때, 프로브 카드의 각 접촉 단자가 반도체 소자에 있어서의 전극 패드나 땜납 범프와 접촉하고, 각 접촉 단자로부터 각 전극 패드나 각 땜납 범프에 접속된 반도체 소자의 전기 회로에 전기를 흘림으로써 해당 전기 회로의 도통 상태 등을 검사한다.
최근, 반도체 소자의 전기 회로의 미세화가 진행하면서, 전극 패드나 땜납 범프도 미세화되고 있다. 이에 따라, 프로브 카드의 접촉 단자의 소직경화가 진행되고 있지만, 접촉 단자의 소직경화는 전극 패드와 접촉 단자의 접촉 압력의 증가를 초래하여, 결과적으로 접촉 단자의 마모가 심하게 된다. 접촉 단자의 마모를 방지하기 위해서, 해당 접촉 단자를 구성하는 재료를 경도가 높은 고 내마모성(高耐摩耗性, 마모에 대한 높은 저항성) 재료로 구성하고 있다.
일본 공개 특허 공보 제 2002-22768 호
그러나, 일반적으로 고 내마모성 재료는 비저항(比抵抗)이 크고, 또한, 접촉 단자도 소직경화에 의해 전류에 대한 콘덕턴스(conductance)가 저하하여, 접촉 단자의 저항값이 커지기 때문에, 접촉 단자에 전류를 흘릴 때에 해당 접촉 단자가 크게 발열해서 산화함과 아울러, 주위의 접촉 단자도 산화시킨다. 또한, 접촉 단자의 발열량이 매우 커지면 해당 접촉 단자가 녹아 훼손될 우려도 있다.
따라서, 본 발명은 접촉 단자의 산화 및 훼손을 방지할 수 있는 프로브 카드용 접촉 단자 및 프로브 카드를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 카드용 접촉 단자는 기둥 형상의 본체를 구비하고, 상기 본체는 제 １ 재료로 이루어지는 기둥 형상의 중심부와 제 ２ 재료로 이루어지고, 상기 중심부의 측면을 덮는 외부 하우징을 가지며, 상기 제 ２ 재료의 경도 및 비저항은 상기 제 １ 재료의 경도 및 비저항과 다른 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 프로브 카드는 반도체 기판에 형성된 반도체 소자를 검사하는 프로브 카드이며, 판 형상의 베이스부와 해당 베이스부에 있어서의 상기 반도체 기판과 대향하는 면에 배치된 복수의 프로브 카드용 접촉 단자를 구비하고, 상기 프로브 카드용 접촉 단자의 각각은 기둥 형상의 본체를 가지며, 상기 본체는 제 １ 재료로 이루어지는 기둥 형상의 중심부와 제 ２ 재료로 이루어지고, 상기 중심부의 측면을 덮는 외부 하우징을 가지며, 상기 제 ２ 재료의 경도 및 비저항은 상기 제 １ 재료의 경도 및 비저항과 다른 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 외부 하우징을 이루는 제 ２ 재료의 경도 및 비저항은 중심부를 이루는 제 １ 재료의 경도 및 비저항과 다르기 때문에, 외부 하우징 및 중심부의 어느 한쪽이 마모하지 않아서, 본체의 변형을 억제하고, 다른 쪽이 원활하게 전류를 흘려서 본체가 발열하는 것을 방지하여, 본체의 산화 및 훼손을 방지할 수 있다.
도 １은 본 발명의 실시예에 따른 프로브 카드의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 ２는 도 １에 있어서의 포고핀의 구성을 개략적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 ３은 도 ２의 포고핀에 있어서의 플런저의 접촉부의 확대 단면도이다.
도 ４a~4c는 도 ３의 접촉부의 선단 부분의 변형예를 도시하는 도면으로, 각각 선단 부분의 제 １ 변형예, 제 ２ 변형예 및 제 ３ 변형예를 나타낸다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
도 １은 본 실시예에 따른 프로브 카드의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도１에 있어서, 프로브 카드(10)는 원판 형상의 베이스(11)(베이스부)와, 해당 베이스(11)에 있어서의 반도체 웨이퍼와 대향하는 면(도 １에서는 하면)에 배치된 복수의 포고핀(12)을 구비한다.
복수의 포고핀(12)은, 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 소자에 있어서의 각 전극 패드나 각 납땜 범프(solder bump)의 배치에 대응하도록 배치되어 있어, 프로브 카드(10)가 반도체 웨이퍼와 대향할 때, 각 포고핀(12)의 선단이 각 전극 패드나 각 땜납 범프에 접촉할 수 있다.
도 ２는 도 １에 있어서의 포고핀(12)의 구성을 개략적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 ２에 있어서, 포고핀(12)은 통 형상의 외부 케이스(13)와, 해당 외부 케이스(13) 내에 미끄러지도록 끼워진 원 기둥 형상의 플런저(14)(프로브 카드용 접촉 단자)와, 코일 스프링(15)을 구비한다. 외부 케이스(13)는 대직경의 하반부(13a)와 소직경의 상반부(13b)로 이루어지는, 단차가 있는 부착 케이스이며, 하반부(13a)와 상반부(13b)의 사이에는 어깨부(13c)가 형성되어 있다. 플런저(14)는, 하반부(13a)에 미끄러지도록 끼워진 대직경의 가이드부(14a), 상반부(13b)에 미끄러지도록 끼워진 소직경 상축부(上軸部)(14b) 및 가이드부(14a)를 사이에 두고 상축부(14b)와 반대측으로 연장하고, 또한 가이드부(14a)보다도 직경이 작은 접촉부(14c)(본체)를 갖는다. 코일 스프링(15)은 외부 케이스(13)의 어깨부(13c)와 플런저(14)의 가이드부(14a)의 사이에 배치되어 있다. 이 포고핀(12)에서는, 전극 패드와의 접촉에 의해 플런저(14)가 외부 케이스(13)에 눌려 들어가면, 코일 스프링(15)이 압축되어서 반력을 발생시키므로, 플런저(14)의 접촉부(14c)가 재차, 전극 패드를 향해서 압출된다. 그 결과, 접촉부(14c)는 전극 패드와 접촉을 유지할 수 있다.
프로브 카드(10)에 있어서, 각 포고핀(12)의 외부 케이스(13)는 베이스(11)에 매설되어, 프로브 카드(10)의 하면으로부터 플런저(14)만이 돌출한다. 또한, 각 포고핀(12)에는 전류가 흐르고, 해당 전류는 추가로 포고핀(12)을 거쳐서 접촉하는 전극 패드나 땜납 범프로 흐른다.
도 ３은 도 ２의 포고핀에 있어서의 플런저의 접촉부의 확대 단면도이다.
도 ３에 있어서, 접촉부(14c)는, 기둥 형상의 중심부(14d)와, 해당 중심부(14d)의 측면을 덮는 외부 하우징(14e)을 가지며, 중심부(14d) 및 외부 하우징(14e)의 사이에는 밀착층(14f)이 개재되어 중심부(14d) 및 외부 하우징(14e)을 밀착시킨다. 접촉부(14c)는, 전극 패드와의 접촉 부분(이하, 「선단 부분」이라고 함)이 포탄 형상을 나타낸다. 이것에 의해, 전극 패드에 대하여 접촉부(14c)가 경사져도, 해당 접촉부(14c)와 전극 패드의 접촉 형태가 급변하지 않고, 접촉 압력을 거의 일정하게 유지할 수 있다. 또, 본 실시예에서는, 접촉부(14c)의 단부에 이르기까지 중심부(14d)의 측면을 외부 하우징(14e)이 덮는다.
중심부(14d)와 외부 하우징(14e)은 서로 다른 재료에 의해 구성된다. 구체적으로는, 외부 하우징(14e)을 구성하는 재료(제 2 재료, 이하, 「외부 재료」라 함)의 경도 및 비저항은, 중심부(14d)를 구성하는 재료(제 1 재료, 이하, 「중심부 재료」라 함)의 경도 및 비저항과 다르다.
본 실시예에서는, 중심부 재료 및 외부 재료의 조합으로서, 외부 재료를 중심부 재료보다도 경도가 높은 고 내마모성 재료로 하고, 중심부 재료를 외부 재료보다도 비저항이 작은 저 저항 재료로 하는 조합(이하, 「제 1 조합」이라 함), 또는, 중심부 재료를 외부 재료보다도 경도가 높은 고 내마모성 재료로 하고, 외부 재료를 중심부 재료보다도 비저항이 작은 저 저항 재료로 하는 조합(이하, 「제 ２ 조합」이라 함)이 채용된다.
상술한 제 1 조합에서는, 접촉부(14c)가 전극 패드와의 접촉을 반복해도 외부 하우징(14e)이 마모하지 않고, 이것에 수반하여 외부 하우징(14e) 근방의 중심부(14d)의 마모도 방지할 수 있기 때문에, 결과적으로 접촉부(14c)의 변형을 억제할 수 있다. 또한, 전극 패드와의 접촉시에 중심부(14d)가 원활하게 전류를 흘려서 고전도성을 실현하므로, 접촉부(14c)가 발열하는 것을 방지하고, 결과적으로 접촉부(14c)의 산화 및 훼손을 방지할 수 있다.
또한, 상술한 제 ２ 조합에서는, 접촉부(14c)가 전극 패드와의 접촉을 반복해도, 중심부(14d)가 마모하지 않고, 이것에 수반하여 중심부(14d) 근방의 외부 하우징(14e)의 마모도 방지할 수 있기 때문에, 결과적으로 접촉부(14c)의 변형을 억제할 수 있다. 또한, 전극 패드와의 접촉시에 외부 하우징(14e)이 원활하게 전류를 흘려서 고전도성을 실현하므로, 접촉부(14c)가 발열하는 것을 방지하고, 결과적으로 접촉부(14c)의 산화 및 훼손을 방지할 수 있다.
본 실시예에서 이용되는 저 저항 재료로서는, 비저항이 작을 뿐만 아니라, 비열이 크고 열전도율이 낮은 것이 바람직하다. 비열이 크면, 접촉부(14c)에 높은 전류가 흘러 주울(Joule) 열이 발생해도, 저 저항 재료의 온도가 상승하기 어렵기 때문에, 해당 온도가 저 저항 재료의 융점이나 연화점에 접근하기 어려워져서 저 저항 재료로 구성되는 중심부(14d)나 외부 하우징(14e)이 달구어져서 끊어지거나 형상이 무너지는 일이 없다. 이것에 의해, 접촉부(14c)에 대전류를 계속해서 흘릴 수 있다. 또한, 열 전달율이 낮으면 발생한 주울 열을 다른 부재, 예를 들면, 외부 케이스(13)나 코일 스프링(15)에 전달하기 어려우므로, 외부 케이스(13)나 코일 스프링(15)이 열팽창해서 포고핀(12)이 오동작하는 것을 방지할 수 있다.
본 실시예에서 이용되는 저 저항 재료의 비저항으로서는 10×108Ω·ｍ 이하가 바람직하고, 1.6×108Ω·ｍ ~ 6×108Ω·ｍ의 범위가 더 바람직하다. 또한, 이 저 저항 재료의 비열로서는, 1000J/kgK 이하가 바람직하고, 100J/kgK ∼ 500J/kgK의 범위가 더 바람직하다. 또한, 이 저 저항 재료의 열 전도율로서는, 10W/mK ∼ 1000W/mK의 범위가 바람직하고, 20W/mK ∼ 500W/mK의 범위가 더 바람직하다.
또한, 본 실시예에서 이용되는 저 저항 재료로서는, 예를 들면, Au(금), Ag(은), Cu(동), Cu/Au, Au/DLC(Diamond Like Carbon), Au/나노 다이아몬드가 해당하고, 고내마모성 재료로서는, Pt(백금), Pd(팔라듐), W(텅스텐), Rh(로듐), Ni(니켈), DLC, Ni/DLC, Au/DLC, Au/나노 다이아몬드, Ti(티탄), 또한, Ti 합금, BeCu(베릴륨동, beryllium copper)나 인청동 등의 동합금, 강선류(鋼線類)가 해당하고, 밀착제로서는 Ni, Ti, Ta(탄탈)이 해당한다. 저 저항 재료, 밀착층 및 고 내마모성 재료의 바람직한 조합으로서는, 예를 들면, Au, Ni, Pt로 이루어지는 조합, Au, Ni, W로 이루어지는 조합, Cu, Ni, Au/DLC로 이루어지는 조합, Au, Ti, Pt로 이루어지는 조합, Au, Ti, W로 이루어지는 조합, Au, Ta, Pt로 이루어지는 조합, Au, Ta, W로 이루어지는 조합이 해당한다.
또, 플런저(14)가 전극 패드와의 접촉을 반복하는 동안에 중심부(14d) 및 외부 하우징(14e)이 서로 박리해도 접촉부(14c)에 전류가 흐르면, 반도체 소자의 검사를 실행할 수 있기 때문에, 중심부(14d) 및 외부 하우징(14e)의 사이에 밀착층(14f)을 개재하지 않아도 좋다.
플런저(14)에 있어서, 외부 하우징(14e)은 중심부(14d)의 주위에 고 내마모성 재료 또는 저 저항 재료를 적층함으로써 형성된다. 외부 하우징(14e)의 형성 방법으로서는, 전기 주조, CVD(Chemical Vapor Deposition)이나 PVD(Physical Vapor Deposition)가 이용된다.
본 실시예에 있어서 중심부(14d) 및 외부 하우징(14e)에 소정의 특성(내마모성, 고전도성)을 구현하기 위해서는, 어느 정도의 두께가 필요하다. 예를 들면, 상기 제 １ 조합에서는, 중심부(14d)의 굵기(t)는 0.5 μm ∼ 50 μm, 바람직하게는 3 μm ∼ 50 μm이며, 외부 하우징(14e)의 두께(T)는 0.5 μm ∼ 100 μm, 바람직하게는 10μm ∼ 30μm인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 중심부(14d)의 저항값을 낮게 유지할 수 있고, 그래서, 중심부(14d)에 전류를 원활하게 흘려 접촉부(14c)가 발열하는 것을 확실하게 방지할 수 있음과 아울러, 외부 하우징(14e)에 있어서의 전극 패드와의 접촉 압력을 낮게 유지할 수 있다. 그래서 외부 하우징(14e)의 마모를 억제하여, 결과적으로 접촉부(14c)의 변형을 확실하게 억제할 수 있다. 또한, 상기 제 ２ 조합에서는, 중심부(14d)의 굵기(t)는 0.5 μm ∼ 50 μm, 바람직하게는 3 μm ∼ 30 μm이며, 외부 하우징(14e)의 두께(T)는 0.5 μm ∼ 100 μm, 바람직하게는 5 μm ∼ 50 μm인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 외부 하우징(14e)의 저항값을 낮게 유지할 수 있다. 따라서, 외부 하우징(14e)에 전류를 원활하게 흘려 접촉부(14c)가 발열하는 것을 확실하게 방지할 수 있고, 아울러, 중심부(14d)에 있어서의 전극 패드와의 접촉 압력을 낮게 유지할 수 있다. 그러므로 중심부(14d)의 마모를 억제하여, 결과적으로 접촉부(14c)의 변형을 확실하게 억제할 수 있다.
이상, 본 발명에 대해서, 상기 실시예를 이용하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 상술한 접촉부(14c)는 선단 부분이 포탄 형상을 나타내지만, 선단 부분의 형상은 이것에 한정되지 않고, 기둥 끝단 형상(도 4a)이나 송곳 형상(도 ４b)을 나타내도 좋고, 또한, 선단 부분을, 접촉부(14c)의 중심축에 대하여 경사진 면(이하, 단지 「경사면」이라 함)을 따라서 해당 접촉부(14c)의 선단을 절제함으로써 형성해도 좋다(도 ４c). 기둥 끝단 형상의 경우, 접촉부(14c)는 전극 패드와 면 접촉할 수 있고, 접촉부(14c)의 마모를 상당히 억제할 수 있다. 송곳 형상의 경우, 전극 패드가 미세하여도, 접촉부(14c)의 선단이 매우 가늘기 때문에, 해당 전극 패드와 확실하게 접촉할 수 있다. 또한, 경사면을 따라 접촉부(14c)의 선단을 절제할 경우, 선단 부분의 가공 공정을 줄일 수 있고 해당 선단 부분을 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 상술한 실시예에서는, 접촉부(14c)가 중심부(14d)와 외부 하우징(14e)으로 이루어지는 2층 구조를 가지지만, 적어도 하나의 층이 저 저항 재료로 구성되고, 다른 적어도 하나의 층이 고 내마모성 재료로 구성되면, 접촉부(14c)는 적어도 3개 층이 적층된 구조를 가져도 좋다. 또한, 플런저(14)가 원기둥 형상의 부재로 구성되었지만, 플런저(14)를 구성하는 부재의 형상은 원기둥에 한정되지 않고, 예를 들면, 각기둥이여도 좋다. 또한, 상술한 실시예에서는 본 발명이 포고핀의 플런저에 적용되었지만, 본 발명을 접촉 프로브의 접촉부에 적용해도 좋다.
10 : 프로브 카드 11 : 베이스
12 : 포고핀 14 : 플런저
14c : 접촉부 14d : 중심부
14e : 외부 하우징

Claims (10)

  1. 기둥 형상의 본체를 구비하고,
    상기 본체는 제 １ 재료로 이루어지는 기둥 형상의 중심부와, 상기 중심부의 측면을 덮고 제 ２ 재료로 이루어지는 외부 하우징과, 상기 중심부 및 상기 외부 하우징의 사이에 개재되어 상기 중심부 및 상기 외부 하우징을 밀착시키는 밀착층을 가지며,
    상기 제 ２ 재료의 경도 및 비저항은 상기 제 １ 재료의 경도 및 비저항과 다른 것을 특징으로 하는
    프로브 카드용 접촉 단자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 ２ 재료의 경도는 상기 제 １ 재료의 경도보다 높고, 상기 제 １ 재료의 비저항은 상기 제 ２ 재료의 비저항보다 작은 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 접촉 단자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 １ 재료의 경도는 상기 제 ２ 재료의 경도보다 높고, 상기 제 ２ 재료의 비저항은 상기 제 １ 재료의 비저항보다 작은 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 접촉 단자.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 본체에 있어서의 반도체 소자와의 접촉 부분은 송곳 형상인 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 접촉 단자.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 본체에 있어서의 반도체 소자와의 접촉 부분은 포탄 형상인 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 접촉 단자.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 본체에 있어서의 반도체 소자와의 접촉 부분은 기둥 끝단 형상인 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 접촉 단자.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 본체에 있어서의 반도체 소자와의 접촉 부분은 상기 본체의 중심축에 대하여 경사진 면을 따라 상기 본체를 절제함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 접촉 단자.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 중심부의 굵기는 0.5 μm 내지 50 μm이며, 상기 외부 하우징의 두께는 0.5 μm 내지 100 μm인 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 접촉 단자.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 중심부의 굵기는 0.5 μm 내지 50 μm이며, 상기 외부 하우징의 두께는 0.5 μm 내지 100 μm인 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 접촉 단자.
  10. 반도체 기판에 형성된 반도체 소자를 검사하는 프로브 카드로서,
    판 형상의 베이스부와,
    해당 베이스부에 있어서의 상기 반도체 기판과 대향하는 면에 배치된 복수의 프로브 카드용 접촉 단자
    를 구비하고,
    상기 프로브 카드용 접촉 단자의 각각은 기둥 형상의 본체를 가지고,
    상기 본체는 제 １ 재료로 이루어지는 기둥 형상의 중심부와,
    제 ２ 재료로 이루어지고 상기 중심부의 측면을 덮는 외부 하우징과,
    상기 중심부 및 상기 외부 하우징의 사이에 개재되어 상기 중심부 및 상기 외부 하우징을 밀착시키는 밀착층을 가지며,
    상기 제 ２ 재료의 경도 및 비저항은 상기 제 １ 재료의 경도 및 비저항과 다른 것을 특징으로 하는
    프로브 카드.
KR1020120116312A 2011-10-21 2012-10-19 프로브 카드용 접촉 단자 및 프로브 카드 KR101408550B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-231673 2011-10-21
JP2011231673A JP2013088389A (ja) 2011-10-21 2011-10-21 プローブカード用接触端子及びプローブカード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130044165A KR20130044165A (ko) 2013-05-02
KR101408550B1 true KR101408550B1 (ko) 2014-06-17

Family

ID=48106592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120116312A KR101408550B1 (ko) 2011-10-21 2012-10-19 프로브 카드용 접촉 단자 및 프로브 카드

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130099813A1 (ko)
JP (1) JP2013088389A (ko)
KR (1) KR101408550B1 (ko)
CN (1) CN103063883A (ko)
TW (1) TW201333474A (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170032381A (ko) * 2014-07-14 2017-03-22 테크노프로브 에스.피.에이. 테스트 헤드용 콘택 프로브 및 그 제조 방법
EP3241028B1 (en) * 2014-12-30 2020-02-05 Technoprobe S.p.A Contact probe for testing head
TWI704352B (zh) * 2015-03-13 2020-09-11 義大利商探針科技公司 測試頭之接觸探針
KR102466151B1 (ko) 2015-11-30 2022-11-15 삼성전자주식회사 프로브 카드 및 그를 포함하는 테스트 장치
CN107688107B (zh) * 2016-08-04 2019-11-22 创意电子股份有限公司 测试装置与其探针连接器
JP6892277B2 (ja) * 2017-02-10 2021-06-23 株式会社日本マイクロニクス プローブ及び電気的接続装置
US10578647B2 (en) * 2017-09-29 2020-03-03 Intel Corporation Probes for wafer sorting
TWI626453B (zh) * 2017-09-29 2018-06-11 中華精測科技股份有限公司 探針組件及其空間轉換介面板
EP3680101B1 (de) 2019-01-11 2022-03-02 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Geschichtete cu/refraktärmetall-folie und verfahren zu deren herstellung
EP3680102A1 (de) 2019-01-11 2020-07-15 Heraeus Deutschland GmbH & Co KG Geschichtete ag/refraktärmetall-folie und verfahren zu deren herstellung
IT201900024889A1 (it) * 2019-12-19 2021-06-19 Technoprobe Spa Sonda di contatto per applicazioni ad alta frequenza con migliorata portata di corrente
EP3862759B1 (de) 2020-02-04 2022-05-11 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Manteldraht und verfahren zur herstellung von manteldrähten
EP3878986A1 (de) 2020-03-12 2021-09-15 Heraeus Deutschland GmbH & Co KG Draht und band mit bornitrid-nanoröhren für elektrische kontaktierungen
US20230393171A1 (en) * 2020-10-22 2023-12-07 Yokowo Co., Ltd. Contact probe
EP4325227A1 (de) 2022-08-16 2024-02-21 Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG Bandförmiger verbundwerkstoff für prüfnadeln

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05215774A (ja) * 1992-02-06 1993-08-24 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路測定用端子およびその製造方法
JPH0733596A (ja) * 1993-07-27 1995-02-03 Denki Kagaku Kogyo Kk 針状単結晶体複合品
JP2001289874A (ja) 2000-04-07 2001-10-19 Japan Electronic Materials Corp プローブおよびこのプローブを用いたプローブカード
JP2011180034A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Citizen Tohoku Kk コンタクトプローブ用プランジャー

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10319039A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Toshiba Corp プローブ用垂直ニードル、垂直ニードル型プローブおよびそれに用いられる複合細線
WO2003027689A1 (en) * 2001-09-24 2003-04-03 Rika Electronics International Electrical test probes and methods of making the same
CN100507577C (zh) * 2005-10-24 2009-07-01 旺矽科技股份有限公司 探针卡的探针装置
TWI482973B (zh) * 2009-04-03 2015-05-01 Nhk Spring Co Ltd 彈簧用線材、接觸探針及探針單元
CN102193009B (zh) * 2010-03-16 2013-08-28 台湾积体电路制造股份有限公司 垂直式探针卡
CN202583262U (zh) * 2012-04-14 2012-12-05 安拓锐高新测试技术（苏州）有限公司 一种弹性探针

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05215774A (ja) * 1992-02-06 1993-08-24 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路測定用端子およびその製造方法
JPH0733596A (ja) * 1993-07-27 1995-02-03 Denki Kagaku Kogyo Kk 針状単結晶体複合品
JP2001289874A (ja) 2000-04-07 2001-10-19 Japan Electronic Materials Corp プローブおよびこのプローブを用いたプローブカード
JP2011180034A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Citizen Tohoku Kk コンタクトプローブ用プランジャー

Also Published As

Publication number Publication date
TW201333474A (zh) 2013-08-16
CN103063883A (zh) 2013-04-24
US20130099813A1 (en) 2013-04-25
JP2013088389A (ja) 2013-05-13
KR20130044165A (ko) 2013-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101408550B1 (ko) 프로브 카드용 접촉 단자 및 프로브 카드
JP5861423B2 (ja) コンタクトプローブ及びそれを備えた半導体素子用ソケット
TWI704352B (zh) 測試頭之接觸探針
US20170122980A1 (en) Contact probe for a testing head and corresponding manufacturing method
JP2018501490A (ja) テストヘッド用コンタクトプローブ
JP2014025737A (ja) 検査用治具及び接触子
JP6103821B2 (ja) 通電試験用プローブ
WO2003005043A1 (en) Conductive contact
KR102498454B1 (ko) 컨택트 프로브 및 검사 지그
KR102165662B1 (ko) 전기 접촉자 및 전기 부품용 소켓
JP2012068076A (ja) プローブユニット
US10509057B2 (en) Probe assembly and probe structure thereof
CN107431318B (zh) 电子元件用插座及其制造方法
JP6546719B2 (ja) 接触検査装置
JP2006284292A (ja) コンタクトプローブ構造体
US10094853B2 (en) Systems and methods for reliable integrated circuit device test tooling
JP2007147518A (ja) 電極子装置
JP6969930B2 (ja) プローブ
WO2012063858A1 (ja) プローブユニット
JP2016011925A (ja) コンタクトプローブ及びコンタクトプローブユニット
CN109425814B (zh) 探针组件及其探针结构
JP6961422B2 (ja) プローブ
CN109425762B (zh) 探针组件及其探针结构
JP6506590B2 (ja) 電気接触子及び電気部品用ソケット
JP2012145489A (ja) 検査用プローブの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee