JP5919673B2 - 固体電解質及びその製造方法 - Google Patents
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Description
形成工程では、結晶質のリチウムイオン伝導性物質と、フラックスとを含む原料体を形成する。この際、結晶質のリチウムイオン伝導性物質とフラックスとを含む原料体を被接合体表面などに形成してもよいし、このような被接合体を用いなくてもよい。なお、全固体二次電池を製造する場合、被接合体としては、後述する加熱工程において、原料体と一体焼結することによって正極又は負極となるものが挙げられる。以下では、原料体の形成に際し、原料を被接合体表面に形成する場合について説明する。
加熱工程では、被接合体表面に形成した原料体を、フラックスの融点以上、かつ、結晶質のリチウムイオン伝導性物質とフラックスとが化合物を生成する温度以下の温度で加熱する。このように、フラックスの融点以上の温度で加熱するため、フラックスが液相状態となり、結晶質のリチウムイオン伝導性物質どうしの密着性を高めることができる。また、結晶質のリチウムイオン伝導性物質とフラックスとが化合物を生成する温度以下の温度で加熱するため、結晶質のリチウムイオン伝導性物質と、フラックスとの反応生成物が生じない。これにより、リチウムイオン伝導率を低下させるような第三相の生成を抑制できる。さらに、加熱温度は、結晶質のリチウムイオン伝導性物質やフラックスの変質が生じない温度であることが好ましい。さらに、被接合体に含まれる活物質に変質が生じない温度であることが好ましい。これにより、リチウムイオン伝導率を低下させるような第三相や変質層の生成をより抑制できる。なお、変質が生じない温度は、合成時の処理温度に基づいて定めてもよい。合成時の処理温度よりも低温であれば変質が生じにくいと考えられるからである。加熱温度は、具体的には、600℃を超え900℃以下が好ましく、650℃以上800℃以下がより好ましく、700℃以上750℃以下がさらに好ましい。加熱時の雰囲気は特に限定されないが、大気雰囲気や酸化性雰囲気であることが好ましい。このような雰囲気では、Li+ x(B1-y,Ay)z+O2- δ構造からの酸素の脱離が抑制され、また、結晶質のリチウムイオン伝導性物質が酸化物である場合には、結晶質のリチウムイオン伝導性物質からの酸素の脱離が抑制される。このため、フラックスや結晶質のリチウムイオン伝導性物質の変質が生じにくく、また、反応生成物が生じにくいからである。なお、加熱工程を経た原料体は、その後冷却するが、この際、急冷することが好ましい。急冷は大気中で放冷することによって行ってもよいし、液体窒素中などに入れて急冷してもよい。冷却速度は例えば1000℃/secなどが好ましいが、それより早くても遅くてもよい。
(1)LLZONb(理論化学組成:Li6.75La3Zr1.75Nb0.25O12)の合成
Li2CO3、La(OH)3、ZrO2、Nb2O5を出発原料とし、Li6.75La3Zr1.75Nb0.25O12の基本組成の化学量論比になるようにこの出発原料を秤量し、エタノール中にて遊星ボールミル(300rpm/ジルコニアボール)で4時間、混合・粉砕を行った。次に、出発原料(無機材料)の混合粉末をボールとエタノールから分離したのち、Al2O3るつぼ中にて、950℃、10時間の条件で大気雰囲気で仮焼を行った。その後、本焼成でのLiの欠損をも補う目的で、仮焼した粉末に対してLi2CO3を無機材料中のLi量に対してLi量が5atmic%となるように添加し、仮焼した粉末の粉砕と混合の目的で、エタノール中にて遊星ボールミル(300rpm/ジルコニアボール)で6時間粉砕混合した。得られた粉末を再び大気圧下、950℃、5時間の条件下で再度仮焼した。続いて、得られた粉末を成形し冷水間等方加圧(CIP)を施したのち、成形焼成温度を1150℃とし、36時間、大気中の条件下で本焼成を行い、LLZONbバルクペレットを得た。CIPは、溶媒を水とし、27℃、200MPaの条件で行った。さらにバルクペレットを乳鉢で粉砕し、LLZONb粉末を得た。なお、LLZONbは、本願における結晶質のリチウムイオン伝導性物質に相当する。
出発原料にLi2CO3とB2O3を用いた。Li2CO3:B2O3がモル比で3:1となるように秤量後、エタノール中にて、遊星ボールミルを用いて混合した。乾燥後、600℃−10hの条件でLi3BO3粉末を合成した。なお、Li3BO3は本願におけるフラックス(加熱後は母材)に相当する。
LLZONb粉末とLi3BO3粉末を体積比で1:3の比率になるように秤量した。これらの粉末3gにバインダー(日新化成製、ECビヒクル(エチルセルロースとターピオネールの混合物))2gを混ぜ、混錬することでLLZONb+Li3BO3ペーストを作製した。
一般的なAl2O3基板上にスクリーン印刷法で、Au電極を塗布し、それを850℃−0.5hの条件で焼き付けることで、Au/Al2O3基板を用意した。なお、この基板は、実験の便宜上用いたものであり、本発明の固体電解質を製造するに際して必ずしも必要なものではない。
上記(4)で用意したAu/Al2O3基板上に、上記(3)で用意したLLZONb+Li3BO3ペーストを塗布した。これを、予め700℃に加熱した大気雰囲気の電気炉内に入れ1h保持して焼き付け、その後、急冷した。このようにして、実施例1の試料を作成した。
上記(3)において,LLZONb粉末とLi3BO3粉末を体積比で1:2の比率になるようにした以外は実施例1と同様にして実施例2の試料を作成した。また、LLZONb粉末とLi3BO3粉末を体積比で1:1の比率になるようにした以外は実施例1と同様にして実施例3の試料を作成した。また、LLZONb粉末とLi3BO3粉末を体積比で2:1の比率になるようにした以外は実施例1と同様にして実施例4の試料を作成した。
上記(3)において、Li3BO3を加えなかったこと、及び、上記(5)における焼き付けを、950℃に加熱した電気炉内で36h保持して行ったこと以外は、実施例1と同様にして比較例1の試料を作成した。
作製した試料について、XRD測定を行った。XRD測定は、Rigaku社製TTRにて、線源:CuKα線、1step:0.02deg/sec、2θ=10〜80deg.の範囲で測定を実施した。
リチウムイオン伝導率の測定は、作成した試料にAuをイオンコーターで形成することで電極とし、厚さ方向のリチウムイオン伝導率を測定した。測定は恒温槽中にて、10℃から50℃の範囲で5℃間隔で測定した。
図4に、比較例1のXRD測定結果を示す。比較例1では、高温雰囲気下で焼成したため、LLZONb表面からLiが揮発し、garnet相を維持することが出来ずにLa2ZrO7になっていることがわかった。なお、LLZONbのみを用いた場合、700℃−1hの焼成では焼き付けが行えなかったため、比較例1では高温雰囲気下(950℃)で焼成した。以上より、LLZONbの粉末のみをスラリー化し、塗布・焼成を行ってもLLZONb薄膜を得ることが難しいことがわかった。
Claims (6)
- 結晶質のリチウムイオン伝導性物質としての基本式Li5+xLa3ZrxA2-xO12(式中、Aは、Nb又はTa,xは1.4≦x<2)で表されるガーネット型酸化物と、
母材としてのLi3BO3と、
を含み、
CuKα線を用いたXRD測定において、前記リチウムイオン伝導性物質のピークと前記母材のピークとが確認される、
固体電解質。 - 前記固体電解質は、CuKα線を用いたXRD測定において、前記リチウムイオン伝導性物質と前記母材との反応生成物のピークが確認されない、請求項1に記載の固体電解質。
- 前記結晶質のリチウムイオン伝導性物質と前記母材との合計に対する前記結晶質のリチウムイオン伝導性物質の体積割合が33〜50%である、請求項1又は2に記載の固体電解質。
- 結晶質のリチウムイオン伝導性物質としての基本式Li5+xLa3ZrxA2-xO12(式中、Aは、Nb又はTa,xは1.4≦x<2)で表されるガーネット型酸化物とフラックスとしてのLi3BO3とを含む原料体を形成する形成工程と、
前記原料体を、前記フラックスの融点以上、かつ、前記リチウムイオン伝導性物質と前記フラックスとが化合物を生成する温度以下の温度で加熱する加熱工程と、
を含む、固体電解質の製造方法。 - 前記加熱工程では、650℃以上800℃以下の温度で加熱する、請求項4に記載の固体電解質の製造方法。
- 前記形成工程では、前記結晶質のリチウムイオン伝導性物質と前記フラックスとの合計に対する前記結晶質のリチウムイオン伝導性物質の体積割合を33〜50%とする、請求項4又は5に記載の固体電解質の製造方法。
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