JP5916668B2 - ミラー駆動装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Description
また、前記目的を達成するために、次の発明態様を提供する。
式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素。
Aサイト元素とBサイト元素と酸素元素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。
式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素。
Mが、V,Nb,Ta,及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。
0<x<b、0<y<b、0≦b−x−y。
a:b:c=1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。
図1は第1実施形態に係るマイクロスキャナデバイスの構成を示す平面図である。図示のように、本例のマイクロスキャナデバイス1(「ミラー駆動装置」に相当)は、平面視で円形のミラー部2と、ミラー部2を径方向の両側から支持する第1トーションバー部4及び第2トーションバー部7と、第1トーションバー部4に連結されている圧電アクチュエータ部10としての第1アクチュエータ部11及び第2アクチュエータ部22と、第2トーションバー部7に連結されている圧電アクチュエータ部30としての第3アクチュエータ部31及び第4アクチュエータ部42と、を備える。
本例では円形のミラー部2を例示しているが、発明の実施に際して、ミラー部2の形状は、特に限定されない。図1に例示した円形に限らず、楕円形、正方形、多角形など、様々な形状があり得る。
第1アクチュエータ部11と第2アクチュエータ部22は、それぞれの長手方向の軸を一致させてy軸方向に連結された構成となっている。第1アクチュエータ部11と第2アクチュエータ部22の連結部15に第1トーションバー部4が接続されている。すなわち、連結部15は第1アクチュエータ部11と第2アクチュエータ部22との接続部分であり、かつ、第1アクチュエータ部11及び第2アクチュエータ部22と第1トーションバー部4との接続部分となっている。第1アクチュエータ部11と第2アクチュエータ部22は第1トーションバー部4が接続されている連結部15を挟んでy軸方向の両側(図1において上下両側)に配置されている。図1において連結部15をy軸方向から挟む両側のうち一方の側(図1の上側)に第1アクチュエータ部11が配置され、他方の側(図1の下側)に第2アクチュエータ部22が配置されている。
図2は図1の2−2切断線の断面図である。図2では第1アクチュエータ部11と第2アクチュエータ部22の部分の断面図を示し、第1固定部材51と第2固定部材52の部分の図示を省略した。
図3は駆動電圧印加時における圧電アクチュエータ部の変形の様子を示した模式断面図である。図3では、第1駆動部に相当する第1圧電変換部151と第3圧電変換部251について、第1下部電極部141と第3下部電極部241を接地電位(グランド電位)とし、第1上部電極部111と第3上部電極部221に駆動電圧V1を印加して駆動を行い、第2駆動部に相当する第2圧電変換部152と第4圧電変換部252について、第2上部電極部112と第4上部電極部222を接地電位(グランド電位)とし、第2下部電極部142と第4下部電極部242に駆動電圧V2を印加して駆動を行う。
V2=Voff2+V2Asinωt
上記の式中、V1AとV2Aはそれぞれ電圧振幅、ωは角周波数、tは時間である。
図5は共振駆動時における第1アクチュエータ部11と第2アクチュエータ部22の圧電体の変位を模式的に示した図である。また、図6は共振駆動時における第1アクチュエータ部11と第2アクチュエータ部22の主応力の方向を模式的に示したものである。
〔利用例1〕
図7は、第1圧電変換部151から第8圧電変換部452のすべての電極部を駆動用の電極として用いる例である。上部電極68としての各電極部(111,112,221,222,311,312,421,422)と、下部電極64としての各電極部(141,142,241,242,341,342,441,442)との間に圧電体66が介在する部分がそれぞれ圧電素子部として動作する。本例では、すべての電極部を駆動用の電極(駆動電極)として用い、各圧電変換部151,152,251,252,351,353,451,452がすべて駆動力発生部として機能する。
図8は、第1圧電変換部151から第8圧電変換部452の電極部のうち一部の電極部を応力検知のためのセンシング(検出)用の電極として用いる例である。ここでは、第4圧電変換部252と第8圧電変換部452をセンサ部に利用し、第4下部電極部242と第8下部電極部442を検出用の電極として用い、他の圧電変換部を駆動力発生部として用いる例を示した。
図9は、圧電アクチュエータ部を構成する各アクチュエータ部(11、22、31、42)について、それぞれ少なくとも1つの電圧検出部(応力検出部)を設ける形態の例である。ここでは第1上部電極部111、第4下部電極部242、第5上部電極部311、第8下部電極部442がセンシング用の電極として機能する。
図10は、図8の変形例である。図10は、センシングに用いる第1上部電極部111、第5上部電極部311のそれぞれをさらに複数の電極に分割した例である。図10では、第1上部電極部111をx方向に3つの電極111A,111B、111Cに分割し、第5上部電極部311をx方向に3つの電極311A,311B、311Cに分割した例が示されている。
図11は、図9の変形例である。図11では、図9で説明した第1上部電極部111、第4下部電極部242、第5上部電極部311、第8下部電極部442をさらに複数の電極に分割した例である。図11において、図10で説明した構成と同一の要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
実施例1として以下に示す製造方法により、マイクロスキャナデバイスを作製した。
実施例1と全く同じ基板(SOI基板)、製造プロセス方法にて、図12に示すような比較例1に係るマイクロスキャナデバイスを作製した。
上記の式中、Voff3はオフセット電圧、V3Aは電圧振幅、φは位相差であり、ここではφ=180°である。
実施例1で作製したデバイスと比較例1で作製したデバイスの動作性能を比較する実験を行った。図14は実験対象のデバイスにおける駆動電圧とスキャン角度の関係を示したグラフである。
本実施形態に好適な圧電体としては、下記式で表される1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物(P)を含むものが挙げられる。
式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素。
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Sb,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素。
O:酸素元素。
式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素。
Mが、V、Nb、Ta、及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。
0<x<b、0<y<b、0≦b−x−y。
a:b:c=1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。
圧電体の成膜方法としては気相成長法が好ましい。例えば、スパッタリング法の他、イオンプレーティング法、MOCVD法(有機金属気相成長法)、PLD法(パルスレーザー堆積法)など、各種の方法を適用し得る。また、気相成長法以外の方法(例えば、ゾルゲル法など)を用いることも考えられる。気相成長法やゾルゲル法などにより基板上に圧電薄膜を直接成膜する構成が好ましい。特に、本実施形態の圧電体66としては、1μm以上10μm以下の膜厚の薄膜であることが好ましい。
実施例1とまったく同じ基板(SOI基板)を用い、同じプロセス方法にて、図15に示すようなマイクロスキャナデバイス601を作製した。図15において、図1で説明したデバイス1と同一又は類似する要素に同一の符号を付し、その説明は省略する。
SiO2膜、スピンコート法で生成されるポリイミド系薄膜、エポキシ系薄膜などを用いることができる。
実施例1の図7〜図11で説明した例と同様に、実施例2のデバイスについても、圧電変換部のすべてを駆動に用いることもできるし、一部の圧電変換部をセンシング(検出用)として用いることができる。
実施例1と全く同じ基板(SOI基板)、製造プロセス方法にて、図20に示すような比較例2に係るマイクロスキャナデバイスを作製した。
実施例2で作製したデバイスと比較例2で作製したデバイスの動作性能を比較する実験を行った。図22は実験対象のデバイスにおける駆動電圧とスキャン角度の関係を示したグラフである。
上述した実施例1,2においては、駆動電圧V1,V2の波形として、互いに同位相の駆動波形が用いられる。駆動電圧V1,V2は、同位相(位相差φ=0°)としたが、両者の位相は完全に一致している必要はなく、位相差は0°からある程度シフトしていても良い。例えば、目的とする共振振動以外の成分(ノイズ振動)が生じた場合、これを消去するためにV1、V2間の位相差を0°から少量シフトさせることが有効な場合がある。例えば、位相差が±10度の範囲内であれば、実質的に同位相として把握することができる。
V12=Voff12+V12Asinωt
V21=Voff21+V21Asinωt
V22=Voff22+V22Asinωt
上記の式中、V11A、V12A、V21A、V22Aはそれぞれ電圧振幅、ωは角周波数、tは時間である。
実施例1及び実施例2で説明した実施形態に係るデバイスは、非共振モードの駆動を行う場合でも、高い変位量が得られる。つまり、共振を利用せずに、共振周波数よりも十分に低い周波数で駆動することも可能である。
デバイスの形状の一例として、図25に示す実施例2の各寸法の具体例を示す。圧電アクチュエータ部の全長a=2.3mm、アクチュエータの腕部の幅b=0.4mm、ミラー部の直径c=1.2mm、トーションバー部の接続部間の横幅d=1.7mm、トーションバー部の太さe=0.16mmである。
図26はデバイスの駆動に用いられる制御系の構成例を示す図である。ここでは、図18で例示した実施例2のデバイス形態の制御系を例示した。図18で説明した形態の場合、図26に示すように、駆動用に用いられる第1アクチュエータ部610の第2下部電極部642A、642Bと、第2アクチュエータ部620の第3上部電極部623A、623B、第4下部電極部664のそれぞれは駆動回路810の対応する電圧出力端子に接続される。
上述の実施例1,2を含む本発明の実施形態によれば、デバイスのシミュレーション解析から把握される共振モード振動時の主応力の応力分布に基づき、応力方向が互いに逆方向となる圧縮方向領域、引張方向領域に対応させて、アクチュエータ部の上部電極、下部電極を分割した構成を採用し、それぞれ異なる位相の駆動力を発生する第1グループの圧電変換部と、第2グループの圧電変換部とを設けることで、効率的に駆動でき、高い変位角度を得ることができる。
上述した実施形態では、第1トーションバー部4と第2トーションバー部7は、ミラー部2の回転軸RAと一致する位置に接続されており、ミラー部2の外側に向かって回転軸RAの軸方向に延設される形態となっている。実施例1、2では、ミラー部2の回転軸RAと一致する位置に第1トーションバー部4と第2トーションバー部7を接続した例を示したが、トーションバー部の接続位置は厳密に回転軸RAと一致していなくてもよく、また、必ずしも1箇所で接続されている形態に限定されず、複数箇所で接続されていてもよい。
図1では、第1アクチュエータ部11と第2アクチュエータ部22とを連結し、その連結部15に第1トーションバー部4を接続した構成を説明したが、第1アクチュエータ部11と第2アクチュエータ部22とが分離された形態も可能である。図28にその例を示す。
本発明のミラー駆動装置は、レーザー光等の光を反射して光の進行方向を変える光学装置として様々な用途に利用できる。例えば、光偏向器、光走査装置、レーザープリンタ、バーコード読取機、表示装置、各種の光学センサ(測距センサ、形状測定センサ)、光通信装置、レーザープロジェクタ、光干渉断層画像診断装置などに広く適用することができる。
Claims (15)
- 光を反射する反射面を有するミラー部と、
前記ミラー部に連結され、前記ミラー部を回転軸の周りに回動可能に支持するミラー支持部と、
前記ミラー支持部に連結され、前記ミラー部を前記回転軸の周りに回動させる駆動力を発生させる圧電アクチュエータ部と、
前記圧電アクチュエータ部を支持する固定部と、を備えるミラー駆動装置であって、
前記圧電アクチュエータ部は、振動板、下部電極、圧電体、上部電極の順に積層された積層構造を有し、駆動電圧の印加による前記圧電体の逆圧電効果によって変形する圧電ユニモルフアクチュエータである第1アクチュエータ部及び第2アクチュエータ部を備え、
前記第1アクチュエータ部と前記第2アクチュエータ部は、平面視で互いに前記回転軸に対して前記回転軸と直交する方向から前記回転軸を挟むように前記回転軸の前記直交する方向の両側に配置され、
前記第1アクチュエータ部と前記第2アクチュエータ部は、前記ミラー支持部との接続部分に対する前記回転軸と直交する方向の両側のうち、一方の側に前記第1アクチュエータ部が配置され、他方の側に前記第2アクチュエータ部が配置され、
前記第1アクチュエータ部における前記ミラー支持部と反対側の第1基端部、並びに、
前記第2アクチュエータ部における前記ミラー支持部と反対側の第2基端部がそれぞれ前記固定部に固定されており、
前記第1アクチュエータ部と前記第2アクチュエータ部とを互いに逆方向に撓ませることで前記ミラー支持部を傾き駆動させるものであり、
前記第1アクチュエータ部の上部電極は、互いに絶縁分離された第1上部電極部と第2上部電極部とを含み、前記第1上部電極部と前記第2上部電極部は前記第1アクチュエータ部の前記第1基端部から前記ミラー支持部との連結部に至る形状の長さ方向に並んで配置され、
前記第1アクチュエータ部の下部電極は、前記第1上部電極部に対向する第1下部電極部と、前記第2上部電極部に対向する第2下部電極部とを含み、前記第1下部電極部と前記第2下部電極部は互いに絶縁分離されており、
前記第1アクチュエータ部は、前記第1上部電極部と前記第1下部電極部を電極対として構成される第1圧電変換部と、前記第2上部電極部と前記第2下部電極部とを電極対として構成される第2圧電変換部と、を有し、
前記第2アクチュエータ部の上部電極は、互いに絶縁分離された第3上部電極部と第4上部電極部とを含み、前記第3上部電極部と前記第4上部電極部は前記第2アクチュエータ部の前記第2基端部から前記ミラー支持部との連結部に至る形状の長さ方向に並んで配置され、
前記第2アクチュエータ部の下部電極は、前記第3上部電極部に対向する第3下部電極部と、前記第4上部電極部に対向する第4下部電極部とを含み、前記第3下部電極部と前記第4下部電極部は互いに絶縁分離されており、
前記第2アクチュエータ部は、前記第3上部電極部と前記第3下部電極部を電極対として構成される第3圧電変換部と、前記第4上部電極部と前記第4下部電極部とを電極対として構成される第4圧電変換部と、を有し、
前記第1上部電極部、前記第2上部電極部、前記第3上部電極部、及び前記第4上部電極部の配置形態は、前記回転軸の周りの回動による前記ミラー部の傾き変位を伴う共振モード振動において前記圧電体の膜厚方向に直交する面内方向の主応力の応力分布に対応しており、
前記第1上部電極部及び前記第3上部電極部の位置に対応する圧電体部分と、前記第2上部電極部及び前記第4上部電極部の位置に対応する圧電体部分とは、前記共振モード振動において互いに逆方向の応力が生じる構成であり、
前記第1圧電変換部、前記第2圧電変換部、前記第3圧電変換部、及び前記第4圧電変換部のそれぞれは駆動電圧が印加される駆動力発生部として機能し、
かつ、前記第1アクチュエータ部における前記第1圧電変換部と前記第2圧電変換部のうち、前記第1基端部に近い方の圧電変換部の上部電極部又は下部電極部が3つの電極に分割されており、
前記3つの電極のうち1つの電極は前記圧電体の変形に伴い圧電効果によって発生する電圧を検出する検出用の電極として用いられ、残りの2つの電極は駆動用の電極として用いられ、前記2つの電極には同位相の駆動電圧が印加されるミラー駆動装置。 - 前記第1アクチュエータ部と前記第2アクチュエータ部は連結されており、
前記第1アクチュエータ部と前記第2アクチュエータ部の連結部に前記ミラー支持部が連結されている請求項1に記載のミラー駆動装置。 - 前記ミラー支持部として、前記ミラー部を前記回転軸の軸方向の両側から支持する第1ミラー支持部と、第2ミラー支持部とを有する請求項1又は2に記載のミラー駆動装置。
- 前記第1ミラー支持部は、前記ミラー部の前記回転軸の方向の両側のうち一方の側に連結され、他方の側に前記第2ミラー支持部が連結されており、
前記圧電アクチュエータ部は、駆動電圧の印加による圧電体の逆圧電効果によって変形する第3アクチュエータ部及び第4アクチュエータ部を備え、
前記第1アクチュエータ部と前記第2アクチュエータ部は、前記第1ミラー支持部と連結され、
前記第3アクチュエータ部と前記第4アクチュエータ部は、前記第2ミラー支持部と連結され、
前記第1アクチュエータ部と前記第2アクチュエータ部は、前記第1ミラー支持部との接続部分に対する前記回転軸と直交する方向の両側のうち、一方の側に前記第1アクチュエータ部が配置され、他方の側に前記第2アクチュエータ部が配置され、
前記第1アクチュエータ部における前記第1ミラー支持部と反対側の前記第1基端部、並びに、前記第2アクチュエータ部における前記第1ミラー支持部と反対側の前記第2基端部がそれぞれ前記固定部に固定されており、
前記第3アクチュエータ部と前記第4アクチュエータ部は、平面視で前記回転軸に対して互いに前記回転軸と直交する方向から前記回転軸を挟むように前記回転軸の前記直交する方向の両側に配置され、
前記第3アクチュエータ部と前記第4アクチュエータ部は、前記第2ミラー支持部との接続部分に対する前記回転軸と直交する方向の両側のうち、一方の側に前記第3アクチュエータ部が配置され、他方の側に前記第4アクチュエータ部が配置され、
前記第3アクチュエータ部における前記第2ミラー支持部と反対側の第3基端部、並びに、前記第4アクチュエータ部における前記第2ミラー支持部と反対側の第4基端部がそれぞれ前記固定部に固定されており、
前記第3アクチュエータ部と前記第4アクチュエータ部とを互いに逆方向に撓ませることで前記第2ミラー支持部を傾き駆動させるものであり、
前記第3アクチュエータ部の上部電極は、互いに絶縁分離された第5上部電極部と第6上部電極部とを含み、前記第5上部電極部と前記第6上部電極部は前記第3アクチュエータ部の前記第3基端部から前記ミラー支持部との連結部に至る形状の長さ方向に並んで配置され、
前記第3アクチュエータ部の下部電極は、前記第5上部電極部に対向する第5下部電極部と、前記第6上部電極部に対向する第6下部電極部とを含み、前記第5下部電極部と前記第6下部電極部は互いに絶縁分離されており、
前記第3アクチュエータ部は、前記第5上部電極部と前記第5下部電極部を電極対として構成される第5圧電変換部と、前記第6上部電極部と前記第6下部電極部とを電極対として構成される第6圧電変換部と、を有し、
前記第4アクチュエータ部の上部電極は、互いに絶縁分離された第7上部電極部と第8上部電極部とを含み、前記第7上部電極部と前記第8上部電極部は前記第4アクチュエータ部の前記第4基端部から前記ミラー支持部との連結部に至る形状の長さ方向に並んで配置され、
前記第4アクチュエータ部の下部電極は、前記第7上部電極部に対向する第7下部電極部と、前記第8上部電極部に対向する第8下部電極部とを含み、前記第7下部電極部と前記第8下部電極部は互いに絶縁分離されており、
前記第4アクチュエータ部は、前記第7上部電極部と前記第7下部電極部を電極対として構成される第7圧電変換部と、前記第8上部電極部と前記第8下部電極部とを電極対として構成される第8圧電変換部と、を有し、
前記第5上部電極部、前記第6上部電極部、前記第7上部電極部、及び前記第8上部電極部の配置形態は、前記回転軸の周りの回動による前記ミラー部の傾き変位を伴う共振モード振動において前記圧電体の膜厚方向に直交する面内方向の主応力の応力分布に対応しており、
前記第5上部電極部及び前記第7上部電極部の位置に対応する圧電体部分と、前記第6上部電極部及び前記第8上部電極部の位置に対応する圧電体部分とは、前記共振モード振動において互いに逆方向の応力が生じる構成であり、
前記第5圧電変換部、前記第6圧電変換部、前記第7圧電変換部、及び前記第8圧電変換部のそれぞれは駆動電圧が印加される駆動力発生部として機能し、
かつ、前記第3アクチュエータ部における前記第5圧電変換部と前記第6圧電変換部のうち、前記第3基端部に近い方の圧電変換部の上部電極部又は下部電極部が3つの電極に分割されており、
前記第3アクチュエータ部における前記3つの電極のうち1つの電極は前記圧電体の変形に伴い圧電効果によって発生する電圧を検出する検出用の電極として用いられ、残りの2つの電極は駆動用の電極として用いられ、前記第3アクチュエータ部における前記2つの電極には同位相の駆動電圧が印加される請求項3に記載のミラー駆動装置。 - 前記第1アクチュエータ部と前記第2アクチュエータ部は、前記固定部に固定された前記第1基端部と前記第2基端部とをそれぞれの固定端とするカンチレバー構造を有する請求項1から4のいずれか1項に記載のミラー駆動装置。
- 前記第1アクチュエータ部と前記第2アクチュエータ部のそれぞれは、前記ミラー部を挟んで両側に分かれた2つの腕部が配置された音叉型のアクチュエータ部であり、
前記圧電アクチュエータ部は、前記第1アクチュエータ部の腕部と前記第2アクチュエータ部の腕部とが連結された環状構造を有し、
前記ミラー支持部として、前記ミラー部を前記回転軸の軸方向の両側から支持する第1ミラー支持部と、第2ミラー支持部とを有し、
前記第1アクチュエータ部と前記第2アクチュエータ部の連結部に前記ミラー支持部が連結されている請求項1に記載のミラー駆動装置。 - 前記第1圧電変換部及び前記第3圧電変換部のそれぞれの上部電極部を構成する電極に駆動用の電圧を印加し、かつ、前記第2圧電変換部及び前記第4圧電変換部のそれぞれの下部電極部を構成する電極に駆動用の電圧を印加する駆動回路を備え、
前記第1圧電変換部及び前記第3圧電変換部のそれぞれの上部電極部を構成する電極に印加する駆動電圧と、前記第2圧電変換部及び前記第4圧電変換部のそれぞれの下部電極部に印加する駆動電圧とが、同位相である請求項1から6のいずれか1項に記載のミラー駆動装置。 - 前記3つの電極のうち、前記検出用の電極として用いられる前記1つの電極がフローティング電位に設定され、当該フローティング電位の電極から圧電体の変形に伴い圧電効果によって発生する電圧を検出する検出回路を備える請求項1から7のいずれか1項に記載のミラー駆動装置。
- 前記圧電アクチュエータ部に駆動電圧を供給する駆動回路であって、
前記ミラー部が前記回転軸を中心に回転運動を行う共振モードの共振周波数fxの付近で前記ミラー部を共振駆動させる駆動電圧を供給する駆動回路を備える請求項1から8のいずれか1項に記載のミラー駆動装置。 - 前記圧電アクチュエータ部に用いられる前記圧電体は1〜10μm厚の薄膜であり、振動板となる基板上に直接成膜された薄膜である請求項1から9のいずれか1項に記載のミラー駆動装置。
- 前記圧電アクチュエータ部に用いられる圧電体は、下記式(P)で表される1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物である請求項1から10のいずれか1項に記載のミラー駆動装置。
一般式ABO3・・・(P)
式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素。
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Sb,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素。
O:酸素元素。
Aサイト元素とBサイト元素と酸素元素のモル比は1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。 - 前記圧電アクチュエータ部に用いられる圧電体は、下記式(PX)で表される1種又は2種以上のペロブスカイト型酸化物である請求項1から10のいずれか1項に記載のミラー駆動装置。
Aa(Zrx,Tiy,Mb−x−y)bOc・・・(PX)
式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素。
Mが、V,Nb,Ta,及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素である。
0<x<b、0<y<b、0≦b−x−y。
a:b:c=1:1:3が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。 - 前記ペロブスカイト型酸化物(PX)は、Nbを含み、Nb/(Zr+Ti+Nb)モル比が0.06以上0.20以下である請求項12に記載のミラー駆動装置。
- 請求項1から13のいずれか1項に記載のミラー駆動装置におけるミラー駆動方法であって、
前記第1圧電変換部及び前記第3圧電変換部のそれぞれの圧電変換部を構成している電極に対して第1駆動電圧を印加し、かつ、
前記第2圧電変換部及び前記第4圧電変換部のそれぞれの圧電変換部を構成している電極に対して前記第1駆動電圧と同位相の第2駆動電圧を印加することにより、
前記第1アクチュエータ部と第2アクチュエータ部とを互いに逆方向に撓ませるミラー駆動方法。 - 前記ミラー部の駆動中に前記検出用の電極から検出信号を得る請求項14に記載のミラー駆動方法。
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EP3961289A4 (en) * | 2019-04-26 | 2022-06-15 | FUJIFILM Corporation | MICRO-MIRROR DEVICE |
JP7451930B2 (ja) * | 2019-10-11 | 2024-03-19 | 株式会社リコー | 光偏向器、偏向装置、距離測定装置、画像投影装置、及び車両 |
CN110989164B (zh) * | 2019-12-24 | 2020-12-08 | 成都英飞睿技术有限公司 | 快速控制反射镜的自适应驱动控制方法、***及装置 |
CN113130734A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | 一种压电驱动结构和成像模组 |
CN114105081A (zh) * | 2020-08-27 | 2022-03-01 | 中光电智能感测股份有限公司 | 微型扫描面镜 |
CN113709642A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-11-26 | 天津大学 | 压电mems执行器及其形成方法和运行方法 |
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JPH11112048A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Seiko Epson Corp | 圧電体素子、インクジェット式記録ヘッドおよびそれらの製造方法 |
US6972883B2 (en) | 2002-02-15 | 2005-12-06 | Ricoh Company, Ltd. | Vibration mirror, optical scanning device, and image forming using the same, method for making the same, and method for scanning image |
JP2005128147A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Stanley Electric Co Ltd | 光偏向器及び光学装置 |
EP1684406A1 (en) | 2004-06-07 | 2006-07-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Actuator, fine motion mechanism including the actuator, and camera module including the fine motion mechanism |
JP4237208B2 (ja) | 2005-09-26 | 2009-03-11 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子及びその駆動方法、圧電装置、液体吐出装置 |
JP2007199682A (ja) | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Konica Minolta Holdings Inc | 光偏向器および光ビーム走査装置 |
JP2007206480A (ja) | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Toko Inc | 光走査素子 |
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US20080081215A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Fujifilm Corporation | Process for forming a film, piezoelectric film, and piezoelectric device |
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JP2010080813A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 圧電体膜とその製造方法、圧電素子、及び液体吐出装置 |
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