JP5895578B2 - 非接触温度センサ - Google Patents
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Description
本実施形態に係わる非接触温度センサは、渦電流による測定原理を用いており、渦電流発生手段、渦電流反磁場検出手段、渦電流が流れる物体、すなわち、渦電流導体からなる。渦電流導体は、温度検出対象部に備えられ、これと対向するように、渦電流発生手段と渦電流反磁場検出手段が設けられている。なお、非接触温度センサは、後述の、永久磁石回転機の温度検出対象部の温度を検知するためのセンサであり、永久磁石回転機に備えられる。
図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに以下に記載した構成要素は、適宜組み合わせることができる。同一の部材については同一の符号を付すものとし、重複する説明を省略する。なお、図面は、模式的なものであり、部材相互間の寸法の比率や部材の形状等は、本発明の効果が得られる範囲内で現実のセンサ構造とは異なっていてもよい。
d=√(2ρ/ωμ)
ρ:抵抗率
ω:電流の角周波数(=2π×周波数)
μ:絶対透磁率
図3は、実施形態2に係わる非接触温度センサを備えた永久磁石回転機11の構成図であり、補正用の検出系統を加えたことを特徴とする。板状の、補正用渦電流導体72と渦電流導体71とは同一面に近接して配置されている。また補正用コイル61と補正用渦電流導体72との位置関係は、渦電流発生・検出のためのコイル6と渦電流導体71との位置関係と同一になっている。従って、補正用コイル61とコイル6とでは、周辺部からの電磁気的影響はほぼ同一となる。ここで、補正用渦電流導体72には、渦電流導体71と比較して、温度による抵抗値あるいは透磁率の変化が小さいものを用いる。例えば、渦電流導体7には抵抗温度係数5.9×10−3のAlを、補正用渦電流導体72には抵抗温度係数−0.02×10−3のマンガニンあるいは、抵抗温度係数0.04×10−3の洋銀を用いる。
さらに、回転に伴う影響を、厳密に除去する実施形態について、図5を用いて説明する。検波回路15及び補正用検波回路151からの検波信号をそれぞれADコンバータ51、52でデジタル数値化する。コイル検波データ53にはhの変動による影響を含む温度データであるが、補正用コイル検波データ54はhの変動のみを表すデータとみなせる。LUT(ルックアップテーブル)55を用いて、hの変動データを参照してコイル検波データを補正すると、hの変動による影響を除いた温度データ56が得られる。さらに角速度センサ57を用いて、角速度情報をLUTに入力すると、渦電流の速度効果を補正することもできる。速度効果とは、渦電流導体71が渦電流発生・検出のためのコイル6に対して動いているときその速度が渦電流や渦電流反磁場に影響する効果である。
渦電流反磁場の検出方法は、いくつかの方式がある。これまでは、渦電流発生・検出のためのコイル6ひとつのみで渦電流の駆動と検出を行っていたが、図6に示す例は、渦電流発生手段である駆動コイル62と、その同軸上でかつ駆動コイル62から等しい前後位置に、渦電流反磁場検出手段としての、前置コイル63、後置コイル64を配置した例である。駆動コイル62からの磁束の影響は、お互いにそこから等距離にある前置コイル63、後置コイル64においては等しい。しかし渦電流反磁場の影響は渦電流導体7に近いほうの前置コイル62のほうが大きな影響を受ける。したがって、前置コイル63、後置コイル64の起電力の差から、渦電流反磁場に応じた信号を取出すことができる。図6で、22は差動回路、15は検波回路である。渦電流反磁場検出手段としての、前置コイル63、後置コイル64は、磁気抵抗効果素子などの磁界検出手段で置き換えることも出来る。
図7aに矩形コイル23を使った例を示す。矩形コイルの長辺24を板状の渦電流導体7の表面に長く添わすことが出来、矩形コイルの長辺24を流れる電流により磁界を渦電流導体7へ与えることが出来る。図7bは、矩形コイル23と板状の渦電流導体7の関係を拡大して図示したのもので、矩形コイルの長辺24を流れる電流の断面と、電流と磁界の様子を示す。矩形コイルの長辺24を流れる電流26により発生する磁界261が渦電流導体7を通過する。磁界261の変化により渦電流262が発生し渦電流262の変化が破線で示す渦電流反磁場263を発生させる。これは磁束261を打ち消す方向である矩形コイル23のインピーダンスが変化する。その変化を検出して渦電流反磁場263の大きさを検出する。
図8は矩形コイルの長辺24付近に、渦電流反磁場検出手段としての、磁気抵抗効果素子28、29を設置したものであり、両者はコイルの中心30に対してお互いに対称の位置にある。矩形コイルの長辺24、25の断面を流れる各電流26と27は大きさが等しく方向が反対であるので、それぞれが発生する磁界261、271も大きさが等しく回転方向が反対である。しかし、板状の渦電流導体7に近い側の磁気抵抗効果素子28は、渦電流反磁場263の影響を受けるので、その分、渦電流導体7に近い側の磁気抵抗効果素子28が検出する磁束は、磁気抵抗効果素子29が検出する磁束より小さくなる。磁気抵抗効果素子28と磁気抵抗効果素子29との出力差が、差動回路22によって渦電流反磁界として検出される。
矩形コイル23に鎖交する渦電流反磁場263以外の磁束は、検出信号のノイズとなる。これを除去するためには、実施形態5、6において、矩形コイル23の代わりに8の字型コイル31を用いる。実施形態5の矩形コイル23を8の字型コイル31に置き換えた例を示す。図9aは8の字コイル31の長軸断面のみを示し、図9bはコイル平面に垂直な方向から見た図である。8の字コイル31に鎖交する外部からの磁束32は、8の字コイルのお互いに逆向きのループ264、272を通過するので、8の字コイル31に生じる起電力としては打消される。従って、検出信号のノイズ源となる外部磁界の影響を除くことができる。図8の実施形態6においても、同様に矩形コイル23を8の字コイル31で置き換えることが出来る。
実施形態2をベースにして、矩形コイル23の長辺24が、板状の渦電流導体71に、他の長辺25が、板状の補正用渦電流導体72に沿うように、それぞれ距離を隔てて、配置したものを示す。図10aは渦電流導体面に垂直な方向から見た図であり、図10bは渦電流導体面に沿った方向から見た図であり、図10cは矩形コイル周辺を拡大して渦電流導体面に沿った方向から見た図である。
図11は、実施形態9であり、実施形態8の矩形コイル23を8の字コイル31で置換えたものであり、2つの磁気抵抗効果素子28、29のうちひとつの検知方向を実施形態8における検知方向と逆向きに設置すれば、上記実施形態8と同等の動作原理となり、外部磁束の影響を打消すことにより、検知信号からノイズ成分を除くことが出来る。
1 ステータ
2 ロータ
3 永久磁石
4 回転軸
5 ステータコイル
6 コイル
61 補正用コイル
7、71 板状渦電流導体
72 板状補正用渦電流導体
11 永久磁石回転機
121、122 直列負荷抵抗
14 交流源
15 検波回路
151 補正用検波回路
17 ローパスフィルタ
18 バンドパスフィルタ
181 補正用バンドパスフィルタ
19 角度範囲
21 ゲイン・オフセット調整アンプ
22 差動回路
23 矩形コイル
24、25 コイルの長辺
26、27 電流
261、271 交番磁界
262、273 渦電流
263、274 渦電流反磁場
264、272 ループ
28、29 磁気抵抗効果素子
30 コイルの中心
31 8の字コイル
32 外部磁束
41、42、43、44、45、46 波形
51、52 ADコンバータ
53 コイル検波データ
54 補正用コイル検波データ
55 LUT
56 温度データ
57 角速度センサ
58 角度位置センサ
62 駆動コイル
63 前置コイル
64 後置コイル
Claims (10)
- 渦電流導体は、温度検出対象部に設けられ、前記渦電流導体と対向するように、前記渦電流導体との距離を隔てて、渦電流発生手段と、渦電流反磁場検出手段が配置されており、
前記渦電流発生手段により、前記渦電流導体に発生した渦電流により発生する渦電流反磁場を、前記渦電流反磁場検出手段で検出することにより、前記渦電流導体の温度を検出し、
前記温度検出対象部は、永久磁石回転機に設けられた、永久磁石を備えたロータであり、
前記温度検出対象部である前記ロータの表面に、板状の渦電流導体が貼り付けられていることを特徴とする非接触温度センサ。 - 前記渦電流発生手段と前記渦電流反磁場検出手段が対向する前記渦電流導体は、温度に応じて抵抗率あるいは透磁率が変化する材質からなることを特徴とする請求項1に記載の非接触温度センサ。
- 前記温度検出対象部であるロータの表面に、温度に応じて抵抗率あるいは透磁率が変化する材質からなる第1の板状渦電流導体と、電気伝導率あるいは透磁率の温度による変化が第1の板状渦電流導体より小さい第2の板状渦電流導体が貼り付けられており、
第1の渦電流発生手段と、第1の渦電流反磁場検出手段が、前記第1の板状渦電流導体に対向するように距離を隔てて配置されており、
第2の渦電流発生手段と、第2の渦電流反磁場検出手段が、前記第2の板状渦電流導体に対向するように距離を隔てて配置されていることを特徴とする請求項1に記載の非接触温度センサ。 - 渦電流導体は、温度検出対象部に設けられ、前記渦電流導体と対向するように、前記渦電流導体との距離を隔てて、渦電流発生手段と、渦電流反磁場検出手段が配置されており、
前記渦電流発生手段により、前記渦電流導体に発生した渦電流により発生する渦電流反磁場を、前記渦電流反磁場検出手段で検出することにより、前記渦電流導体の温度を検出し、
前記渦電流発生手段および、前記渦電流反磁場検出手段は、矩形コイルあるいは8の字コイルであり、
前記矩形コイルの長辺の一辺を、前記第1の板状渦電流導体に沿わせて、前記矩形コイルの他方の長辺の一辺を、前記第2の板状渦電流導体に沿わせて、それぞれ、距離を隔てて、対向して配置させたことを特徴とする非接触温度センサ。 - 渦電流導体は、温度検出対象部に設けられ、前記渦電流導体と対向するように、前記渦電流導体との距離を隔てて、渦電流発生手段と、渦電流反磁場検出手段が配置されており、
前記渦電流発生手段により、前記渦電流導体に発生した渦電流により発生する渦電流反磁場を、前記渦電流反磁場検出手段で検出することにより、前記渦電流導体の温度を検出し、
前記渦電流発生手段および、前記渦電流反磁場検出手段は、矩形コイルあるいは8の字コイルであり、
前記8の字コイルの長辺の一辺を、前記第1の板状渦電流導体に沿わせて、前記8の字コイルの他方の長辺の一辺を、前記第2の板状渦電流導体に沿わせて、それぞれ、距離を隔てて、対向して配置させたことを特徴とする非接触温度センサ。 - 前記渦電流発生手段および、前記渦電流反磁場検出手段は、矩形コイルあるいは8の字コイルであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の非接触温度センサ。
- 前記渦電流発生手段および、前記渦電流反磁場検出手段は、駆動コイル、前置コイル、後置コイルの3つのコイルからなることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の非接触温度センサ。
- 磁気抵抗効果素子を、前記渦電流反磁場検出手段とすることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の非接触温度センサ。
- 前記矩形コイルの長辺の一辺を、前記温度検出対象部であるロータの表面、あるいは前記渦電流導体に沿わせて、距離を隔てて、対向して配置させたことを特徴とする請求項6に記載の非接触温度センサ。
- 前記8の字コイルの長辺の一辺を、前記温度検出対象部分であるロータの表面、あるいは前記渦電流導体に沿わせて、距離を隔てて、対向して配置させたことを特徴とする請求項6に記載の非接触温度センサ。
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