JP5894854B2 - 検査装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェハ、セラミックス基板などの被検査体の異物や傷等の欠陥を検査
する表面検査装置に関する。
半導体ウェハに異物や傷等の欠陥が存在する場合、そのウェハを用いて製作した半導体
デバイスには不良が生じることになる。そこで、ウェハは表面検査装置によって、欠陥の
有無が検査される。表面検査装置はウェハ表面にレーザ光を照射し、ウェハからの光を検
出器で受け、その信号を閾値と比較しウェハの欠陥の有無を判定する。このとき、ウェハ
は基板保持具によって固定され、スピンドルによって所定の速さで回転する。スピンドル
による回転と同時に、ウェハはステージによって直線的に移動する。スピンドルによる回
転、ステージによる直線移動によってレーザ光はウェハ上を相対的に螺旋状に走査するこ
とになる。この走査によりウェハ全面の検査が行われることになる。また、製造ラインに
おいて、製造装置の発塵状況の監視の目的でも検査装置が用いられることもある。
年々、半導体回路幅の微小化に伴い、ウェハに付着した際に問題となる異物や傷の径も
微小化している。問題となる欠陥の径が微小化することで、問題となる欠陥の数が増大し
ているため、装置内の更なる清浄度の向上が必要である。
検査装置の清浄技術に関する先行技術としては、主に特許文献１乃至３が挙げられる。
特許文献１では、装置内の清浄化を図るために、ファンフィルタユニットと呼ばれる清浄
空気を供給するファンと排気ユニットを複数配置し、それぞれの流量を制御することで装
置内の気流の乱れを抑制し、異物付着数を低減すること開示する。
特許文献２では、ルーバと排気ユニットの構造を工夫することで半導体ウェハ近傍の気
流の乱れを抑制し、異物付着数を低減することを開示する。
特許文献３では、ダウンフロー方式と排気ユニットを採用し、異物付着数を低減するこ
とを開示する。
その他の先行技術としては、特許文献４乃至７が挙げられる。
特開２０１１−７５３５１号公報 特開２０１０−２３６９４８号公報 特開平７−２３００３７号公報 特開２０００−２３０９１０号公報 米国特許第７４２０６６８号公報 米国特許第７３７２５５９号公報 米国特許第６００５６６０号公報
本発明では、ウェハが回転することで、ウェハ周辺の雰囲気に漂う異物がウェハの中心
に引き寄せられ、この異物はウェハの中心から外周へ向かう過程でウェハに付着する可能
性が高いことを見出した。
この現象はより具体的には下記のように説明される。（１）検査は半導体ウェハを数千
rpm程度で回転させた状態で行われ、ウェハと気体との摩擦により、ディスクファンと同
様の気流が発生する。（２）回転ウェハ近傍の気流は外周部に近づくほど周方向の流速が
高くなる。そのため、気流は遠心力によりウェハの半径方向外側への速度をもち、ウェハ
面上から外側へ流れていく。したがって、ウェハ中心部は周囲と比べて負圧となり、ウェ
ハ中心部へ気流が流入する。（３）流入した気流はウェハ中心から外周部へ向かい、ウェ
ハの外側へ流出していくものとなる。（４）そのため、ウェハ回転時に付着する異物は、
前記気流と同様な経路を進行中に付着していると考えられる。
このような数千rpm程度の回転により発生する回転気流は、特許文献１に開示されるよ
うなファンフィルタユニットから供給される気流よりも流速が高く、検査部内で支配的な
流れになりやすい。よって、特許文献１に開示される方法のみでは回転気流による雰囲気
の巻き上げや乱れを完全に排除することはできない。
特許文献３では、ウェハの上方から清浄気流を供給するダウンフロー方式を開示する。
しかし、ウェハの上方には検査の要となる光学系の部品が配置されることが多く、どのよ
うに気流を供給するシステムを配置するかという点には配慮がなされていない。仮に、光
学系の部品の配置を変更し、ダウンフロー方式を適用できた場合でも、半導体ウェハ上方
に部品があると、部品の後流で乱れが生じ、部品から異物が発生した場合に、異物がウェ
ハへ付着する可能性が高くなる。
本発明の目的は、ウェハに付着する異物を少なくすることを目的とする。
本発明は、基板の内周部へ２つの方向から媒体を供給することを特徴とする。
本発明によれば、従来よりもウェハに付着する異物を少なくすることができる。
実施例１の検査装置の概略図。 実施例１の検査装置の概略構成を示す上面図。 実施例１の検査装置の概略構成を示す正面図。 ダクトを用いない場合の、基板周辺の気流の概略図。 ダクトを用いる場合の、基板周辺の気流の概略図。 実施例１の検査装置の動作を示すフローチャート図。 実施例２の検査装置の概略構成を示す上面図。 実施例２の検査装置で供給される気流の概略図。 実施例２の検査装置の動作を示すフローチャート図。 実施例３の検査装置の概略構成を示す上面図。 実施例３の気流供給システムの詳細図。 基板１２０３へ２本のダクト１２０１、１２０２から平均流速５ｍ／ｓで気流を供給した場合を説明する図。 基板１２０３へ２本のダクト１２０１、１２０２から平均流速１ｍ／ｓで気流を供給した場合を説明する図。 実施例４を説明する図。 実施例４を説明する図。（続き）
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
図１に本実施の検査装置の概略図を示す。レーザ射光器１０４は基板１０１へレーザ光
１０７を射出する。レーザ光１０７の照射によって、基板１０１から発生した散乱光１０
８は検出光学系１０５で受光される。受光した信号は処理部１０６で閾値と比較され、受
光した信号が閾値より高ければ異物や傷等の欠陥であると判定されるし、閾値以下であれ
ば虚報であると判断される。その際に基板１０１は基板保持具１０２によって保持され、
スピンドル１０３によって回転する。この回転によって、レーザ射光器１０４によって基
板１０１上に形成された照明領域は、周方向（円周方向）について走査されることになる
。なお、後述する様々な制御は処理部１０６で行われる。
図２は、本実施例の検査装置を基板１０１上方から説明する図である。基板１０１は基
板保持具１０２に保持されている。基板保持具１０２はスピンドル１０３上に搭載されて
いる。さらに、スピンドル１０３は移動ステージ２０１上に搭載されている。移動ステー
ジ２０１は、ステージ２０３上に配置されたガイドレール２０２に沿って、基板１０１を
矢印２０４の方向に直線的に移動させるものである。スピンドル１０３の回転、移動ステ
ージの移動によってレーザ光１０７によって基板１０１上に形成された照明領域２００１
は、基板１０１に対して相対的に螺旋状の軌跡を描くことになる。
移動ステージ２０１が移動する範囲には、その移動方向に沿って、媒体の一例である気
流を供給するためのダクト２１１乃至２１８が配置されている。なお、媒体としては、空
気の他にも、窒素、アルゴン等の不活性ガスが考えられる。なお、ダクト２１２・ダクト
２１４（ダクト２１１・ダクト２１３についても同様）間の間隔はＤ1、ダクト２１４・
ダクト２１６（ダクト２１３・ダクト２１５についても同様）間の間隔はＤ2、ダクト２
１６・ダクト２１８（ダクト２１５・ダクト２１７についても同様）間の間隔はＤ3で表
現され、Ｄ1＝Ｄ2＝Ｄ3である。
図３は、光学系３０１とダクト２１１乃至２１８の関係を説明する図である。図３（ａ
）は本実施例の検査装置をｘ方向から見た図である。光学系３０１は前述したレーザ射光
器１０４等の照明光学系、検出光学系１０５を含むものである。光学系３０１は基板１０
１の上方に配置され、ダクト２１１乃至２１８は光学系３０１の周囲に配置される。
図３（ｂ）は本実施例の検査装置をｙ方向から見た図である。検出光学系１０５は、基
板１０１からの光を集光するレンズ３００１と、集光された光を光電変換する光電変換素
子３００２とを有する。レンズ３００１はある範囲３００３で、基板１０１からの光を取
り込む訳であるが、例えばダクト２１２（他のダクトについても同様）は基板１０１から
の光の検出に支障をきたすことのないよう、この範囲３００３の外側に配置される。なお
、本実施例の検出光学系は、図３（ｂ）に示したレンズ３００１と光電変換素子３００２
との組み合わせを複数有する場合もある。
次に、本実施例のダクト２１１乃至２１８が基板１０１上に形成する清浄空気の層につ
いて説明する。まず、ダクト２１１乃至２１８を使用しない場合について説明する。図４
は、ダクト２１１乃至２１８を使用しない場合に、基板１０１周辺に形成される気流を説
明する図である。基板１０１は基板保持具１０２に支持され、スピンドル１０３により、
上方から見て反時計回りに回転している。基板１０１が回転すると、基板１０１の上方か
ら中心部４０１へ向かう気流４０２が発生し、その気流４０２は基板１０１の表面近傍に
おいて中心から外周へ向かうことになる。さらに、基板１０１の外周に近づくに従い気流
４０２の周方向（円周方向）の速度は速くなり、乱れも強くなる。気流４０２に存在する
多くの異物は気流４０２と同様の経路を辿り、その過程で基板１０１に付着することにな
る。
次に、ダクト２１１乃至２１８を用いる場合について説明する。図５は、ダクト２１１
乃至２１８を使用する場合に、基板１０１周辺に形成される気流を説明する図である。ダ
クト２１１、２１２（特に基板１０１への投影線同士）は対向して基板１０１の内周（よ
り具体的には、中心部４０１）を向くよう配置されており、基板１０１周辺の雰囲気より
も清浄度の高い清浄気流５１１、５１２を基板１０１の中心部４０１へ向かって供給する
。なお、この清浄気流５１１、５１２は、ダクト２１１、２１２内のフィルタ等により清
浄化されたものである。
基板１０１の回転により、清浄気流５１１、５１２は基板１０１の中心部４０１から外
周部へと向かう清浄気流５２１、５２２となる。清浄気流５２１、５２２は基板１０１全
面の表面近傍を流れる。つまり、基板１０１上には清浄度の高い空気の層が形成されるこ
とになる。そして、清浄気流５２１、５２２よりも清浄度の低い気流４０２は清浄気流５
１１、５１２、５２１、５２２の外側を流れるため、基板１０１に付着する異物数を低減
することが可能となる。
なお、清浄気流５１１、５１２の供給に当たっては、その流速を制御することも可能で
ある。この点について、図１２、図１３を用いて説明する。図１２は基板保持具１２０４
に搭載された基板１２０３へ２本のダクト１２０１、１２０２から平均流速５ｍ／ｓで気
流を供給した場合を説明する図である。図１３は基板保持具１２０４に搭載された基板１
２０３へ２本のダクト１２０１、１２０２から平均流速１ｍ／ｓで気流を供給した場合を
説明する図である。図１３の状態よりも流速の高い気流を供給する図１２では基板１２０
３起因棒を通過する流線１２１１、１２１２がダクト１２０１、１２０２から基板１０１
へ流入しているが、流速の低い図１３では流線１３０１がダクト以外から基板１２０３へ
流入していることが分かる。これは、清浄気流の流速を制御し、図１２の場合のように流
速を一定以上の高さで流入させれば、基板１２０３の中心部に清浄気流を供給でき、ウェ
ハ近傍の清浄度向上を図れることを示している。
また、図５において、ダクト２１１、２１２から一定流速以上で供給した場合は、清浄
気流５１１と清浄気流５１２が衝突し、かつ基板１０１と衝突することで基板１０１の中
心付近の気体の圧力が周囲に比べて上昇する。その結果、より確実に清浄度の低い気流４
０２の侵入が防止され、基板１０１の表面近傍の清浄化を図れる。
更に、ダクト２１１、２１２から供給する清浄気流５１１、５１２の流速および流量を
制御して増大させることで、清浄気流５１１、５１２が基板１０１上に形成する清浄な気
流の層の厚さを増加させ、外周部での乱れによって清浄な気流の層の外側から巻き込まれ
る異物の数を更に低減し、ウェハへの異物付着数をさらに低減させることも可能になる。
また、清浄気流５１１、５１２の流量増加に伴い基板１０１の外周部での気流の半径方向
外側への流速が増加し、巻き込まれた異物はより速く基板１０１上から排出されるため、
異物付着数が低減することも可能になる。
ここで、清浄気流５１１、５１２は基板１０１の中心部へ向かって供給できれば良いの
で、ダクト２１１、２１２は完全に対向している必要はないが、対向していれば基板１０
１の中心部を効果的に昇圧することができ、上述した理由により、異物付着数の低減効果
が大きくなる。
また、ダクト２１１、２１２を対向させることにより、以下のような効果もある。すな
わち、数十rpmまたは数百rpmといった低速回転時では、基板１０１の回転による流れは支
配的でなく、ダクト２１１、２１２からの気流が支配的になる。図５のように、ダクト２
１１とダクト２１２を対向するように配置し、清浄気流５１１、５１２を衝突させること
で、対向させていない場合よりも基板１０１の表面上を比較的均一に清浄気流が流れるこ
とになる。この結果、低速回転時においても異物付着数の低減効果を得られることになる
。
次に、本実施例の検査装置の検査時の動作を図６のフローチャートを用いて説明する。
まず、基板１０１は基板保持具１０２へ搭載される（ステップ６００）。処理部１０６は
基板１０１をスピンドル１０３で回転させる（ステップ６０１）。処理部１０６は基板１
０１の回転が検査のための一定の回転数になったのを確認したら、移動ステージ２０１を
移動させる（ステップ６０２）。処理部１０６は、基板１０１上にどのダクトがあるのか
を検出する（ステップ６０３）。基板１０１上にあると判断されたダクトからはその内部
のバルブが開き、清浄気流が供給さる（ステップ６０４）。一方、基板１０１上にないと
判断されたダクトでは、その内部のバルブが閉じられることで清浄気流は供給されないこ
とになる（ステップ６０５）。なお、検査はステップ６０１からステップ６０４の間に行
われる。そして、基板１０１全面の検査が終了したなら、次の基板を検査することになる
（ステップ６０６）。
ステップ６０３について、より詳細に説明する。ステップ６０３では、処理部１０６内
のプログラムで基板１０１の水平移動速度等から時々刻々の基板１０１の中心位置を規定
しておき、基板１０１の中心位置と予め保存されたダクトの位置との関係から基板１０１
上に存在するダクトを検出する。
すなわち、移動ステージ２０１の水平移動速度をｖとすると、水平移動開始から時間ｔ
経過した際の基板１０１の中心の移動距離は図２に表記したｘ軸方向においてｖｔとなる
。ここで、基板１０１の移動方向に関するダクト間の距離を図２のようにＤ1、Ｄ2とする
と、プログラムを以下のように設定することで基板１０１上のダクトを検出できる。
（１）０≦ｖｔ＜Ｄ1／２ →ダクト２１１、２１２より供給
（２）Ｄ1／２≦ｖｔ＜(Ｄ1＋Ｄ2／２) →ダクト２１３、２１４より供給
（３）(Ｄ1＋Ｄ2／２)≦ｖｔ＜(Ｄ1＋Ｄ2＋Ｄ3／２) →ダクト２１４、２１６より供給
（４）(Ｄ1＋Ｄ2＋Ｄ3／２)≦ｖｔ≦(Ｄ1＋Ｄ2＋Ｄ3) →ダクト２１７、２１８より供給
なお、理想的には基板１０１が水平移動している間は、常に清浄気流によって基板１０
１の中心付近の圧力が周囲より高い状態が維持されることが望ましいが、清浄気流の供給
については、上述した制御方法に限定されるものではなく、検査の間（移動ステージ２０
１が移動している間と表現することもできる）、基板１０１上に実質的に清浄な空気の層
を形成できていれば良い。また、本実施例では対向するダクトの数は４組だが、ダクトの
数は本実施例に限定されるものではなく、検査の間（移動ステージ２０１が移動している
間と表現することもできる）、基板１０１上に実質的に清浄な空気の層を形成できる数で
あれば足りる。
本実施例によれば、従来よりも基板１０１に付着する異物の数を少なくすることが可能
になる。
次に、実施例２について説明する。実施例２は以下の点で実施例１と異なる。（１）実
施例１よりも密にダクトを配置する。（２）ダクトから供給される気流の温度を変更する
（制御する）。
図７は、本実施例の検査装置を説明する図である。本実施例では、ダクト７０１乃至７
１２を、矢印２０４の方向におけるダクト間の距離Ｄを基板１０１の半径Ｄw／２よりも
短くなるよう配置する。
図８を用いて本実施例で供給される気流について説明する。本実施例では、ダクト７０
３、７０４は中心部４０１を向き、ダクト７０１、７０２、７０５、７０６はダクト７０
３、７０４よりも外側に配置されており、基板１０１の外周部を向いている。
基板１０１はスピンドル１０３によって上方から見て反時計回りに回転している。本実
施例では、ダクト７０１、７０３、７０４、７０６のみ清浄気流を供給し、ダクト７０２
とダクト７０５からは清浄気流を供給しない。
またダクト７０３、７０４からはヒーター等によって加熱され、周囲温度よりも高く、
フィルタを一回以上は通過した清浄熱気流８０１、８０２を供給する。基板１０１の回転
によって、清浄熱気流８０１、８０２は基板１０１の中心部から外周部へと向かい、基板
１０１の表面近傍を流れる清浄熱気流８１１、８１２となる。
一方、ダクト７０１とダクト７０６からは冷却器等によって冷却され、周囲温度以下で
、フィルタを一回以上は通過した清浄冷気流８２１、８２２を供給する。清浄冷気流８２
１、８２２は清浄熱気流８１１、８１２よりも上方を流れる。以上のような流れを形成す
ることで基板１０１の表面近傍には清浄な熱気流が流れ、その外側を清浄な冷気流が流れ
る流れ場が形成される。
本実施例の作用は、より具体的には、以下のように説明される。直径がサブミクロン程
度の微小な異物の周囲に温度勾配がある場合、熱泳動により異物には温度の低い領域に向
かう力が働き、異物は温度の低い領域に移動する。図８では基板１０１に近いほど温度が
高い気流が流れ、基板１０１から離れるほど温度が低い気流が流れており、異物が清浄熱
気流８１１、８１２や清浄冷気流８２１、８２２に存在している場合でも、異物は熱泳動
によって基板１０１から離れる方向に力を受けてウェハ近傍から離れるため、異物付着数
をより低減できることになる。
次に、本実施例の検査装置の検査時の動作を図９のフローチャートを用いて説明する。
基板１０１は基板保持具１０２へ搭載される（ステップ９００）。処理部１０６は基板１
０１をスピンドル１０３で回転させる（ステップ９０１）。処理部１０６は基板１０１の
回転が検査のための一定の回転数になったのを確認したら、移動ステージ２０１を移動さ
せる（ステップ９０２）。処理部１０６は、基板１０１上にどのダクトがあるのかを検出
する（ステップ９０３）。基板１０１上に存在しているダクトの中で中心部４０１に最も
近いダクトを検出する（ステップ９０４）。中心部４０１に最も近いダクトからは、清浄
熱気流を供給する（ステップ９０６）。なお、基板１０１上にあると判断されたダクト以
外のダクトについては気流の供給を停止する（ステップ９０５）。基板１０１上に存在し
ている残りのダクトから清浄冷気流を供給する（ステップ９０７）。この際、基板１０１
の回転接線方向と同方向のダクトからは気流を供給し、反対向きのダクトからの気流は停
止している。
具体的には本実施例では、図８において、ダクト７０３、７０４から清浄熱気流８０１
、８０２を供給し、基板１０１の回転接線方向と気流供給方向が合うダクト７０１、７０
６からのみ清浄冷気流８２１、８２２を供給する。
図７において、本実施例では、基板１０１が反時計回りに回転する場合、基板１０１が
移動すると、以下のような時系列で気流の供給が行われる。
（１）ダクト７０３、７０４より清浄熱気流供給、ダクト７０１、７０６より清浄冷気流
供給
（２）ダクト７０５、７０６より清浄熱気流供給、ダクト７０３、７０８より清浄冷気流
供給
（３）ダクト７０７、７０８より清浄熱気流供給、ダクト７０５、７１０より清浄冷気流
供給
（４）ダクト７０９、７１０より清浄熱気流供給、ダクト７０７、７１２より清浄冷気流
供給
本実施例によれば、より異物の付着を防ぐことが可能となる。なお、本実施例では基板
１０１の上方に温度の異なる気流を供給する例を説明したが、温度の異なる気流ではなく
、温度が同程度の気流を用いて、基板１０１の回転接線方向と同方向に流れる気流を供給
しても良い。この時の効果は実施例１と同様である。
次に、実施例３を説明する。実施例３では、気流を供給するシステムの構成が他の実施
例とは異なる。実施例１、２では、空間的に離れて配置された複数のダクトを使用したが
、本実施例では、複数の吹き出し口を有する実質的に１つの気流供給システムを有するこ
とを特徴とする。
図１０は、本実施例の検査装置を基板１０１上方から説明する図である。本実施例では
、基板１０１が移動ステージ２０１によって搬送される矢印２０４の方向に沿って、気流
供給システム１００１、１００２を配置している。この気流供給システム１００１、１０
０２は、移動ステージ２０１が基板１０１を搬送する間、基板１０１上に気流を供給する
ものである。
次に、気流供給システム１００１について図１１を用いて詳細に説明する。図１１（ａ
）は気流供給システム１００１の斜視図、図１１（ｂ）は気流供給システム１００１の気
流供給方向から見た図、図１１（ｃ）は図１１（ｂ）の断面１１０３における、気流供給
システム１００１の断面図である。なお、構造については気流供給システム１００２につ
いても同様で合う。
気流供給システム１００１は幅ｄの吹き出し口１２００をもつ複数のダクトが隣接した
構造を有している。
図１１（ｃ）のように、吹き出し口１２００周辺では、個別のダクトが独立した流路と
なっているが、吹き出し口１２００から離れた内部で１つの流路１２１０に連結されてい
る。
また、気流供給システム１００１の内部には穴１１０２を有するベルト１１０１と２つ
のベルト巻取り機構１１１１及び１１１２が設けられている。ベルト巻取り機構１１１１
及び１１１２によって、ベルト１１０１の穴１１０２の位置を制御することができる。な
お、この際、ベルト１１０１の幅と穴１１０２の幅は、気流供給システム１００１の吹き
出し口１２００の寸法ｄと同等程度とする。
このような気流供給システム１００１では、図１０の基板１０１の中心の座標と図１１
のベルト１１０１における穴１１０２の中心の座標を、図１０における矢印２０４の方向
について一致させることができ、基板１０１の中心と清浄気流供給位置を一致させること
ができる。この結果、基板１０１が水平移動している状態でも、常に基板１０１の中心に
清浄な気流を供給することができ、異物の付着を抑制できる。このような効果を得るため
には、幅ｄのダクトの数をＮとし、移動ステージ２０１の移動距離をＬとすると、ｄ・Ｎ
＞Ｌであることが望ましい。
また、気流供給システム１００１の吹き出し口１２００全面にフィルタを設けることで
、ベルト１１０１と気流供給システム１００１との摩擦やベルト巻取り機構１１１１及び
１１１２から異物が発生しても、気流供給システム１００１からは清浄な気流を供給する
ことができる。
次に実施例４について説明する。本実施例は、スピンドルの回転数に応じて、基板へ供
給する媒体の流量、流速のうち少なくとも１つを変更することを特徴とする。
まず、スピンドルの回転数に応じて、基板へ供給する媒体の流量を変更する点について
説明する。図１４は、本実施例を説明する図であり、図１４（ａ）は時間と実施例１乃至
３のスピンドル１０３の回転数との関係を示している。図１４（ｂ）は時間と実施例１乃
至３で基板１０１へ供給される気流の流量ｖとの関係を示している。
時間Ｔ1はスピンドルが検査のための所望の回転数になるまでの時間を表し、時間Ｔ2は
所望の回転数で検査を行っている時間を表し、時間Ｔ3は検査を終了した後、基板１０１
の回転を終えるまでの時間を表している。
基板１０１への異物の付着は、時間Ｔ1、Ｔ2の時間の場合の方が顕著である場合も考え
られる。そこで、本実施例では、時間Ｔ1での流量ｓ1、及び時間Ｔ2での流量ｓ2を時間Ｔ
2での流量ｓ2よりも多くする。このようにすることで、検査時以外の時間でも異物の付着
を防止することが可能となる。
次に、スピンドルの回転数に応じて、基板へ供給する媒体の流速を変更する点について
説明する。図１５は、本実施例を説明する図であり、図１５（ａ）は時間と実施例１乃至
３のスピンドル１０３の回転数との関係を示している。図１５（ｂ）は時間と実施例１乃
至３で基板１０１へ供給される気流の流速ｖとの関係を示している。
時間Ｔ1はスピンドルが検査のための所望の回転数になるまでの時間を表し、時間Ｔ2は
所望の回転数で検査を行っている時間を表し、時間Ｔ3は検査を終了した後、基板１０１
の回転を終えるまでの時間を表している。
基板１０１への異物の付着は、時間Ｔ1、Ｔ2の時間の場合の方が顕著である場合も考え
られる。そこで、本実施例では、時間Ｔ1での流速ｖ1、及び時間Ｔ2での流速ｖ2を時間Ｔ
2での流速ｖ2よりも速くする。このようにすることで、検査時以外の時間でも異物の付着
を防止することが可能となる。
以上、本発明の実施例について説明したが、本実施例の内容はＸＹ方向に基板１０１を
移動させる検査装置に適用しても良い。
１０１、１２０３ 基板
１０２、１２０４ 基板保持具
１０３ スピンドル
１０４ レーザ射光器
１０５ 検出光学系
１０６ 処理部
１０７ レーザ光
１０８ 散乱光
２０１ 移動ステージ
２０２ ガイドレール
２０３ ステージ
２０４ 矢印
２１１、２１２、２１３、２１４、２１５、２１６、２１７、２１８、７０１、７０２、
７０３、７０４、７０５、７０６、７０７、７０８、７０９、７１０、７１１、７１２、
１２０１、１２０２ ダクト
３０１ 光学系
４０１ 中心部
４０２ 気流
５１１、５１２、５２１、５２２ 清浄気流
６０１、６０２、６０３、６０４、６０５、９０１、９０２、９０３、９０４、９０５、
９０６、９０７ 処理
８０１、８０２、８１１、８１２ 清浄熱気流
８２１、８２２ 清浄冷気流
１００１、１００２ 気流供給システム
１１０１ ベルト
１１０２ 穴
１１０３ 断面
１１１１、１１１２ ベルト巻取り機構
１２１１、１２１２、１３０１ 流線

Claims (11)

  1. 円板状の基板を回転させる回転部と、
    前記基板の内周部へ２つの方向から前記基板周辺の雰囲気よりも清浄度の高い媒体を供給する供給部と、を有し、
    前記供給部は前記基板の回転に伴い、前記媒体が前記内周部から外周部へ向かい、前記基板上に前記媒体の層を形成するよう前記媒体を供給することを特徴とする検査装置。
  2. 請求項１に記載の検査装置において、
    前記供給部は対向する２つの方向から前記媒体を供給することを特徴とする検査装置。
  3. 請求項２に記載の検査装置において、
    前記基板を直線的に移動させる移動部を有し、
    前記供給部は、前記移動部が移動する間、前記基板の内周部へ前記媒体を供給することを特徴とする検査装置。
  4. 請求項３に記載の検査装置において、
    前記供給部は、対向して配置された２本のダクトであり、
    さらに、前記移動部が移動する方向に沿って、前記供給部は複数配置されていることを特徴とする検査装置。
  5. 請求項３に記載の検査装置において、
    前記供給部は、前記媒体を供給するための複数の吹き出し口を有し、
    前記基板の移動に応じて前記媒体を供給する吹き出し口は変更されることを特徴とする検査装置。
  6. 請求項１に記載の検査装置において、
    前記供給部は、前記基板の回転に応じて前記媒体の流量を変更することを特徴とする検査装置。
  7. 請求項１に記載の検査装置において、
    前記供給部は、前記基板の回転に応じて前記媒体の流速を変更することを特徴とする検査装置。
  8. 請求項１に記載の検査装置において、
    前記供給部は、前記媒体の温度を変更することを特徴とする検査装置。
  9. 請求項１に記載の検査装置において、
    前記供給部は、前記基板の内周部に第１の媒体を供給し、前記基板の外周部に第２の媒体を供給し、
    前記第１の媒体の温度は前記第２の媒体の温度よりも高いことを特徴とする検査装置。
  10. 請求項１に記載の検査装置において、
    前記基板からの光を検出する検出光学系を有し、
    前記供給部は前記検出光学系より下にあることを特徴とする検査装置。
  11. 請求項１に記載の検査装置において、
    前記供給部は、供給した媒体が衝突し、かつ基板と衝突することで前記基板の中心付近の気体の圧力が周囲に比べて上昇するよう前記媒体を供給することを特徴とする検査装置。
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