JP5891851B2 - シリコンウェーハの表面に形成された酸化膜の除去方法 - Google Patents
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Description
本発明の第7の観点の方法では、上記載置用ステージとして、載置表面の中央部に凹み部が形成されたステージを用いることにより、気相エッチング中に、載置用ステージ表面とウェーハ下面に形成された酸化膜との密着力を向上させ、にじみ領域をより低減させることができる。
先ず、直径200mmであって、面取り幅0.3mm、抵抗率0.01Ω・cmのボロンドープのp型シリコンウェーハを用意し、このシリコンウェーハの下面に膜厚5000オングストロームの酸化膜をCVD法により成膜した。このとき、ウェーハ下面以外に、面取り面、端面に、不可避的に酸化膜が形成される。
載置用ステージ13表面の表面粗さを以下の試験例1〜5のように変更し、ステージ表面の表面粗さとにじみ発生領域幅との関係を調べた。
ステージ径が198mmφであり、表面粗さRaが0.5μmの載置用ステージ13を用い、エッチング処理時間を600秒として、実施例1と同様に、ウェーハ外周部に形成された余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去した。
表面粗さRaが0.4μmの載置用ステージ13を使用したこと以外は、試験例1と同様に、ウェーハ外周部に形成された余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去した。
表面粗さRaが0.3μmの載置用ステージ13を使用したこと以外は、試験例1と同様に、ウェーハ外周部に形成された余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去した。
表面粗さRaが6.5μmの載置用ステージ13を用い、その表面に表面粗さRaが0.05μmのポリ塩化ビニリデン製の樹脂フィルムを被着してなる載置用ステージ13を使用したこと以外は、試験例1と同様に、ウェーハ外周部に形成された余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去した。
表面粗さRaが6.5μmの載置用ステージ13を使用したこと以外は、試験例1と同様に、ウェーハ外周部に形成された余分な酸化膜32を気相エッチングにより除去した。
試験例1〜5において、それぞれ計5回ずつ同じ条件で気相エッチングを行い、にじみ領域幅を測定した。にじみ領域幅は光学顕微鏡を用いて測定した。これらの結果を、図8に示す。
上記実施例2の各試験例1〜5で気相エッチングを行ったシリコンウェーハを、各試験例ごとに5枚ずつ採取した。それぞれのウェーハについて、その酸化膜が形成されていないウェーハ上面側の表面にエピタキシャル膜を形成し、目視検査によりウェーハ下面のにじみ領域におけるノジュールの発生の有無を確認した。
11 反応容器
12 上蓋
13 載置用ステージ
14 エッチングガス
16 ガス供給管
31 シリコンウェーハ
32 酸化膜
Claims (8)
- 上面、下面、面取り面及び端面を有し、少なくともシリコンウェーハの下面全面に酸化膜が形成されたシリコンウェーハを用意する工程と、
気相エッチング装置の反応容器内に、少なくとも前記酸化膜との接触部分が耐酸性樹脂層で構成され、前記接触部分における表面粗さRaが0.5μm以下の円板状のウェーハ載置用ステージを1又は2以上配置する工程と、
前記シリコンウェーハの下面を前記載置用ステージ上面に向けて前記シリコンウェーハを、ウェーハ中心が前記載置用ステージの中心軸と一致するように前記載置用ステージ上に載置する工程と、
前記反応容器内にフッ化水素含有ガスを流通させることにより、面取り面とウェーハ下面との界面からウェーハの内側に向かって所望の間隔aまで酸化膜を除去する工程とを含み、
前記所望の間隔aの調整を、前記載置用ステージのステージ径を変更することにより行い、
前記所望の間隔aの調整が、前記シリコンウェーハの抵抗率に応じて行われるシリコンウェーハの表面に形成された酸化膜の除去方法。 - 前記載置用ステージの、前記酸化膜との接触部分における表面粗さRaが0.4μm以下である請求項1記載の酸化膜の除去方法。
- 前記耐酸性樹脂層がポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレンのいずれか一種により形成されてなる請求項1又は2記載の酸化膜の除去方法。
- 前記耐酸性樹脂層が、表面粗さRaが0.5μm以下の脱着可能な樹脂フィルムからなる請求項1記載の酸化膜の除去方法。
- 前記樹脂フィルムの表面粗さRaが0.4μm以下である請求項4記載の酸化膜の除去方法。
- 前記樹脂フィルムがポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレンのいずれか一種により形成されてなる請求項4又は5記載の酸化膜の除去方法。
- 前記載置用ステージとして、載置表面の中央部に凹み部が形成されたステージを用いる請求項1ないし6いずれか1項に記載の酸化膜の除去方法。
- 請求項1ないし7いずれか1項に記載の方法によりシリコンウェーハの表面に形成された酸化膜を除去する工程と、
前記シリコンウェーハの上面にエピタキシャル成長処理を施す工程と
を含むエピタキシャルウェーハの製造方法。
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