JP5879123B2 - 3級アミンの製造方法 - Google Patents
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Description
3級アミンの製造方法は種々知られているが、その中の1つに水素及び触媒の存在下、アルコールにアミンを接触させる方法がある。この方法における触媒としては、銅系触媒(特許文献1参照)、ニッケル系触媒(特許文献2参照)等の遷移金属触媒や、ルテニウム系触媒(特許文献3参照)等の貴金属触媒が知られている。
(a)原料アルコールの脱水素化反応によりアルデヒドが生成する工程
(b)生成したアルデヒドにアミンが求核付加し、続く脱水反応によりエナミンが生成する工程
(c)生成したエナミンの水素化反応により、アミンが生成する工程
この製造方法においては、水素化反応の基質として、また、反応時に生成する水を反応系から追い出すためのキャリアガスとして、さらには、反応性、選択性の向上、生成物の外観や、誘導体化する際の着色性の向上を目的として、大量の水素ガスを用いる必要がある。
本発明は、水素含有ガスの再利用を図ることにより、反応に用いる水素ガスの使用量を抑制することができ、更に触媒活性の低下を抑制し収率よく3級アミンを得ることができる、3級アミンの製造方法を提供することを課題とする。
すなわち、本発明は、下記工程(1)〜(3)を含む3級アミンの製造方法を提供する。
下記工程(1)〜(3)を含む3級アミンの製造方法。
工程(1):炭素数1〜36のアルコールと下記一般式(I)で表される原料アミンとを第1反応槽に導入し、触媒及び水素の存在下で反応させ、反応生成水及び水素含有ガスを反応系外へ排出しつつ反応を継続する工程。
R1R2NH (I)
(式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1〜36の直鎖、分岐鎖又は環状の飽和又は不飽和の炭化水素基を示す。R1及びR2は、互いに結合して飽和炭化水素又は不飽和炭化水素の環を形成していてもよい。)
工程(2):第1反応槽より排出された水素含有ガスを第2反応槽に導入し、水素含有ガスを金属触媒と接触させることにより水素含有ガスに含まれる一酸化炭素の量を低減させた後、水素含有ガスの一部又は全部を第1反応槽へ導入する工程。
工程(3):第2反応槽における金属触媒を水素処理する工程。
以下、本発明に用いられる各成分、各工程、及び実施するための製造装置等について説明する。
本発明の工程(1):アミノ化工程では、下記反応式(II)に示すように反応が進行し、目的とする3級アミンが製造される。
R1R2NH + R3OH → R1R2NR3 (II)
式(II)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1〜36の直鎖、分岐鎖又は環状の飽和又は不飽和の炭化水素基を示す。R1及びR2は、互いに結合して飽和炭化水素又は不飽和炭化水素の環を形成していてもよい。R3は、炭素数1〜36の飽和又は不飽和の炭化水素基を示す。
この反応において、アルコールが脱水素化され、生じたアルデヒドが副反応として脱カルボニル化されることにより、一酸化炭素が生成する。一酸化炭素は金属触媒の触媒毒となるため、次の工程(2):一酸化炭素低減工程により、廃水素中の一酸化炭素を低減する。
アミノ化工程に用いることができるアルコール及び原料アミンは以下のとおりである。
本発明で用いられるアルコールR3OHは、炭素数1〜36の飽和又は不飽和の炭化水素基を有するアルコールである。
炭素数1〜36のアルコールとしては、好ましくは炭素数6〜36、より好ましくは炭素数8〜24、より好ましくは炭素数10〜22、更に好ましくは炭素数12〜18の直鎖、分岐鎖又は環状の飽和又は不飽和の炭化水素基を有するアルコールが挙げられる。また、炭化水素基は、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルコキシ基等の官能基を1つ以上含んでいてもよい。
アルコールの好適例としては、炭素数1〜30の飽和炭化水素基を有する1価アルコール、炭素数1〜30の飽和炭化水素基を有する2価アルコール、炭素数6〜22の飽和環状アルコール、炭素数6〜22の不飽和環状アルコール等が挙げられる。
炭素数2〜30の不飽和炭化水素基を有するアルコールとしては、オレイルアルコール、ゲラニオール等が挙げられる。
炭素数6〜22の不飽和環状アルコールとしては、シクロペンテニルメタノール、シクロヘキセニルメタノール、シクロヘキセニルアルコール等を挙げることができる。
その他のアルコールとしては、ベヘニルアルコール、イコシルアルコール、メトキシエタノール、プロポキシエタノール、ブトキシエタノール、ポリイソブチルアルコール、ポリプロピルアルコール、チーグラー法によって得られるチーグラーアルコール等が挙げられる。
これらの中では、炭素数2〜30の直鎖又は分岐鎖のアルコールが好ましく、炭素数2〜30の直鎖アルコールがより好ましい。
上記アルコールは、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明で用いられる原料アミンは、下記一般式(I)で表されるアミンである。
R1R2NH (I)
式(I)において、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1〜36の直鎖、分岐鎖又は環状の飽和又は不飽和の炭化水素基を示す。R1及びR2は、互いに結合して飽和炭化水素又は不飽和炭化水素の環を形成していてもよい。また、環中に不飽和結合、又はヘテロ原子(O、N、S等)が含まれていてもよい。R1及びR2が炭化水素基である場合の炭素数は1〜5が好ましく、1〜4がより好ましく、1〜3が更に好ましい。
原料アミンの好適例としては、炭素数1〜12の脂肪族アミン、炭素数6〜12の芳香族アミン等が挙げられる。なお、原料アミンは、アンモニアであってもよい。
炭素数6〜12の芳香族アミンとしては、フェニルアミン、ベンジルアミン、メチルフェニルアミン、エチルフェニルアミン、メチルベンジルアミン、エチルベンジルアミン等のモノアリールアミン等、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン等のジアリールアミン及びその類縁化合物が挙げられる。
その他のアミンとしては、モルホリン、ピロリジン、ピペラジン、イソインドリン等の環状アミン及びその類縁化合物等が挙げられる。
アミノ化工程において用いる触媒(アミノ化触媒)としては、例えば、銅系触媒、ニッケル系触媒等の遷移金属触媒や、ルテニウム系触媒等の貴金属触媒を用いることができる。
銅系触媒としては、例えば、特開平2−233号公報(Cu−Cr、Mu、Fe、Ni、Co、Znから選ばれる1種以上の遷移金属−白金族元素−Li、Mg等のアルカリ金属、アルカリ土類金属触媒)、特開平2−234号公報(Cu−Ni、Co等の第4周期遷移金属元素−白金族元素−Al等の第4成分)、及び特開2001−151733号公報(Cu−第4周期遷移金属−白金族元素触媒)等に記載の触媒が挙げられる。
ニッケル系触媒としては、例えば、特開昭50−30804号公報(Ni−Cu−Cr触媒)、特開平7−69999号公報(Ni触媒)、特表2005−527516号公報(Ni−Cu−Co−ZrO2触媒)、及び特開2007−176889号公報(Ni−Cu−アルカリ金属触媒)等に記載の触媒が挙げられる。
ルテニウム系触媒としては、例えば、特開平8−243392号公報(Ru−多孔質酸化物触媒)、欧州特許第729785号明細書(Ru−貴金属触媒)、特開2008−150312号公報(Ru−ZrO2複合酸化物及び/又は金属表面処理ZrO2触媒)、特開2007−176891号公報(Ru−多孔性酸化物触媒)、特開2007−176892号公報(Ru−Ni、Coのうちの1種以上の金属成分−La、Y、Mg、Baのうちの1種以上の金属成分を含む触媒)、及び米国特許第4912260号明細書(Ru−Ni−Pd、Re、Irのうち1種以上の金属成分を含む触媒)等に記載の触媒が挙げられる。
(i)第4周期遷移金属:ニッケル、コバルト、鉄、クロム、及び亜鉛から選ばれる少なくとも1種。
(ii)白金及び第5周期遷移金属:白金、パラジウム、ルテニウム、及びロジウムから選ばれる少なくとも1種。
(iii)アルカリ金属及びアルカリ土類金属:リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、及びバリウムから選ばれる少なくとも1種。
・条件(b):白金及び第5周期遷移金属/(銅+第4周期遷移金属)=0〜0.1、好ましくは0〜0.05
・条件(c):第4周期遷移金属/(アルカリ金属+アルカリ土類金属)=1/0〜1/2、好ましくは1/0〜1/1
上記アミノ化触媒の中では、銅と第4周期遷移金属(特にニッケル)を含有する触媒、銅と白金又は第5周期遷移金属(特にルテニウム)を含有する触媒、銅と第4周期遷移金属(特にニッケル)と第5周期遷移金属(特にルテニウム)を含有する触媒が好ましい。
上記アミノ化触媒は、金属酸化物や複合酸化物等の多孔質担体に、前記主活性成分を担持させて用いることができる。その形状に特に制限はなく、粉末状、球状、円柱状(ペレット状)のいずれであってもよい。
上記アミノ化触媒は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
アミノ化触媒の使用量は反応方式に応じて適宜調整することが好ましい。反応方式が懸濁床バッチ式の場合には、反応性、選択性の観点から、アミノ化触媒の使用量は、原料アルコールに対して0.01〜30重量%が好ましく、0.1〜10重量%がより好ましい。
アミノ化工程の反応方式に特に制限はなく、懸濁床バッチ式でも固定床流通式でもよい。反応温度は、反応性の観点から、100〜300℃が好ましく、150〜250℃がより好ましい。反応圧力は100kPa〜40MPaが好ましく、100kPa〜25MPaがより好ましい。
水素含有ガスの導入速度は、原料アルコール1kg当たり3〜300NL/hが好ましく、8〜100NL/hがより好ましく、20〜50NL/hがさらに好ましい。ここで、NLは標準状態、すなわち0℃、101.3kPaにおける体積(ノルマルリットル)を表す。
反応で生成する水は、断続的に除去しても、連続的に除去してもよいが、反応性、選択性の観点から連続的に除去することが好ましい。反応により生成する水は、反応系中に適当な溶媒を加えておき、共沸させることにより除去してもよい。
第1反応槽から排出された水素含有ガスは、タンク等に貯蔵した後、第2反応槽へ導入してもよく、貯蔵せずにそのまま第2反応槽へ導入してもよい。
なお、原料としてガス状のアミンを用いた場合、第2反応槽での反応性確保と副反応抑制の観点から、予め第2反応槽に導入する前に該水素ガス中の残留アミンガスを除くことが好ましい。残留アミンガスの除去手法として酸スクラバー等を用いることができる。(後述の工程(A))。
ここで、ガス状とは、常温(25℃)において1kPa以上の蒸気圧を有するものである。
前記アミノ化工程において、生成したアルデヒドの一部が副反応(脱カルボニル化反応)により一酸化炭素に変換される。この一酸化炭素は、アミノ化工程で用いる前記アミノ化触媒の活性サイトを被覆したり、アミノ化触媒と複合体を形成して触媒を失活させる。したがって、本発明においては、水素含有ガスの再利用を行うために、第2反応槽において一酸化炭素量(濃度)を低減させることが必要である。
本発明においては、金属触媒を用いて一酸化炭素をメタンに変換するメタン化法(メタネーション法)によって一酸化炭素量(濃度)を低減させる。
なお、炭素数6〜36のアルコール、上記一般式(I)におけるR1又はR2の炭素数が1〜6である原料アミンを用いた場合には、前記一酸化炭素による触媒の失活が生じやすい。したがって、本発明は上記アルコール、原料アミンを用いて第3級アミンを製造する場合に特に好適である。
メタン化法に用いることができる触媒としては、ニッケル、コバルト、ルテニウム、白金、ロジウム、パラジウム、モリブデン、タングステン、及びレニウム等が挙げられる。本発明においては、特に高活性であるニッケル、コバルト、及びルテニウムを用いることが好ましい。
なお、前記金属の1種以上を主活性成分とし、この主活性成分とは異なる金属を助活性成分として用いてもよい。
また、触媒活性の向上の観点から、Al2O3、SiO2、TiO2、CeO2、MgO、及びLa2O3等の金属酸化物や複合酸化物の多孔質担体に、前記主活性成分を担持させてもよい。さらに、触媒活性や入手の容易さの観点から、市販のRu/γ−Al2O3やNi/珪藻土等を用いてもよい。
メタン化触媒の形状に特に制限はなく、粉末状、球状、円柱状(ペレット状)のいずれであってもよい。
一酸化炭素低減工程の反応温度は、反応性の観点から、用いる触媒に応じて反応温度を変更することが好ましい。
前記触媒の主活性成分としてルテニウム、白金、ロジウム、パラジウム、タングステン、及びレニウムから選ばれる少なくとも1種を用いる場合の反応温度としては、100〜350℃が好ましく、120〜300℃がより好ましい。
また、前記触媒の主活性成分としてニッケル、コバルト、及びモリブデンから選ばれる少なくとも1種を用いる場合の反応温度としては、150〜600℃が好ましく、200〜550℃がより好ましい。
反応圧力は、主活性成分としていずれの金属を用いた場合であっても、100kPa〜40MPaが好ましく、100kPa〜25MPaがより好ましい。
第2反応槽から排出される水素含有ガスは、タンク等に貯蔵した後、第1反応槽に導入してアミノ化反応を行ってもよいし、貯蔵することなく第1反応槽へ導入し、連続的に使用してもよい。また、本発明においては、第2反応槽から排出された水素含有ガスの一部を第1反応槽、第2反応槽以外の槽に導入して水素の再利用を図ってもよい。
なお、第1反応槽と第2反応槽との間で水素含有ガスを循環させる場合には、第1反応槽と第2反応槽との間の流通経路に適当な容積を有するガスホルダーを設置することが経路内の圧力を管理する上で好ましい。
前記第2反応槽において一酸化炭素量(濃度)を低減させる処理(一酸化炭素低減工程)を継続すると、第2反応槽における金属触媒の活性が時間と共に低下することから、本発明においては第2反応槽における金属触媒を水素で処理することにより再生する水素処理工程を設ける。
金属触媒を水素処理する方法としては、第2反応槽に水素ガスを流通する方法を挙げることができる。この方法により触媒の再生を行う場合の水素の流量は、効率的に金属触媒を処理する観点から、金属触媒(メタネーション触媒)1kg当たり、300〜30000NL/hが好ましく、1000〜10000NL/hがより好ましく、2000〜5000NL/hが更に好ましい。
また、この水素処理は前記流量で0.3〜3時間行うことが好ましい。水素処理の温度及び圧力は前記した一酸化炭素の低減工程における範囲と同様である。
本発明においては、工程(1)と工程(2)との間に、排出された水素含有ガス中に含まれる原料アミンの量を低減させる工程(A)を設けることが好ましい。具体的には、第1反応槽と第2反応槽との間に残留アミンガスを取り除くための除去手段を設け、第2反応槽にガス状のアミンが混入しないようにすることが好ましい。
本発明においては、工程(1)で排出される前記水素含有ガスを水と接触させて、この水素含有ガス中に含まれるアミンの量を低減させることが好ましく、前記水素含有ガスを酸水溶液と接触させることにより前記水素含有ガス中に含まれる原料アミンの量を低減させることがより好ましい。
前記水素含有ガスと水又は酸水溶液とを接触させる方法としては、水又は酸水溶液に水素含有ガスをバブリングさせて、水又は酸水溶液に原料アミンを吸収させてもよいし、シャワーリング状態の水又は酸水溶液に対して、水素含有ガスを向流接触させることにより原料アミンを吸収させてもよい。
具体的な除去手段としては、水を溶媒として用いる吸収塔や、硫酸水溶液を媒体とする酸スクラバー等を挙げることができる。水素含有ガスをまず水のような吸収媒体に吸収させて大部分のアミンを回収した後、さらに残留するアミンを酸スクラバーで除去することが好ましい。
なお、酸スクラバー等を経た後に水素含有ガス流によって飛散する液を中和するためのアルカリスクラバーを備えていてもよい。
工程(A)後を経た水素含有ガス中の残留アミン濃度は、1重量%以下が好ましく、0.2重量%以下がより好ましく、0.05重量%以下がさらに好ましい。
本発明を実施するための製造装置としては、前記アミノ化工程と、一酸化炭素低減工程とを実施することができるものであれば特に制限はない。例えば、アミノ化反応を行う第1反応槽と、この第1反応槽から排出される水素含有ガス中に含まれる一酸化炭素を除去するための第2反応槽と、第1反応槽と第2反応槽とを直接的又は間接的に連結する管とを有する装置を用いることができる。
第1反応槽としては、水素及び原料アミンを導入する管を備えているものが好ましく、また、反応生成水、水素ガス、アルコール等を凝縮・分離するための凝縮器、分離器を備えたものが好ましい。
第2反応槽としては、前述のメタネーションを行うことができるものが好ましいが、一酸化炭素を除去、又は変換することができる装置であってもよい。
第1反応槽と第2反応槽との間にはアミノ化反応で消費されなかった過剰アミンを除去するための前述の除去手段を設けることが好ましい。
まず、第1反応槽であるアミノ化反応槽に原料となるアルコールと触媒とを仕込み、水素を導入し、充分に撹拌しながら昇温を開始する。触媒は昇温中に還元され活性化される。所定温度に到達後、原料アミンを導入し反応を開始する。導入方法は連続的でも断続的でもよく、液状アミンを用いた場合には一括で導入してもよい。反応中に生成する水は、廃水素ガス(ガス状アミンを用いる場合は水素と未反応のガス状アミン)及びアルコールや炭化水素等の少量の油分と一緒に反応系外に排出され、凝縮器、分離器を経た後に油分と分離される。分離された油分は第1反応槽へと戻される。
第1反応槽から排出された水素含有ガスは第2反応槽に導入する。原料アミンとしてガス状アミンを用いる場合は、水素含有ガス中に未反応のガス状アミンが含まれるため、アミンガス除去手段を経由させ水素含有ガス中のアミンガスを取り除いた後、第2反応槽へと導入することが好ましい。第2反応槽から排出された水素含有ガスを再びアミノ化反応槽へと戻し、再利用する。
製造例1
<工程(1):アミノ化工程>
第1反応槽として2Lのセパラブルフラスコを準備し、これに反応生成水等を凝縮・分離するための凝縮器と分離器とを取り付けた。このセパラブルフラスコにラウリルアルコール(炭素数12)/ミリスチルアルコール(炭素数14)=70/30(質量比)の混合アルコール(原料アルコール)を合計1200g加えた。
1Lのフラスコに硝酸銅と硝酸ニッケルと塩化ルテニウムとを各金属原子のモル比でCu:Ni:Ru=4:1:0.01となるように水に溶かしたものを入れ、撹拌しながら昇温した。50℃でゼオライトを仕込んだあと、90℃で10重量%炭酸ナトリウム水溶液を徐々に滴下し、1時間熟成後、沈殿物をろ過、水洗し、乾燥後、600℃で3時間焼成してCu−Ni−Ru/ゼオライト触媒(各金属原子のモル比はCu:Ni:Ru=4:1:0.01)を調製した。この触媒を原料アルコールに対して0.14重量%添加した。
前記溶液を950r/minの速度で撹拌しながら、このフラスコに循環ポンプを用いて水素を36NL/hrの流量で導入し、第1反応槽と後述の第2反応槽とからなる一連の反応プロセス内を循環させた。第1反応槽の温度を前記触媒を還元することができる温度まで昇温し、一定時間保持することにより前記触媒を還元した。
触媒の還元終了後、ジメチルアミンと水素ガスとを混合して反応系内に導入した。反応系を徐々に昇温し、225℃に維持しながらアミノ化反応を行った。反応はガスクロマトグラフィーにより適宜追跡した。
第1反応槽から排出された水素含有ガスは、アミンガス除去手段(導入された水素含有ガスを、水を入れたフラスコをバブリングにて通過させた後、さらに、硫酸水溶液トラップ及び水酸化ナトリウム水溶液トラップを通過させるアミンガス除去手段)を経由させることにより、水素含有ガス中に含まれる原料アミン成分を取り除いた。反応開始30分後における水素含有ガス中のアミンガス濃度をガスクロマトグラフィー法(株式会社ジーエルサイエンス製、商品名:「GC−3200」、カラム:Varian capillary column CP-SiL 8CB For Amines 内径0.32mm×長さ50m 膜厚5.0μm、オーブン温度60℃、インジェクション温度110℃、ディテクター温度110℃、検出器:TCD)にて測定したところ、検出下限(100ppm)以下であった。アミン成分除去後の水素含有ガスをSUS製の12L廃ガスホルダーを経由させて第2反応槽に導入した。
なお、前記廃ガスホルダーは反応開始前に純粋な水素ガスで置換しておき、アミノ化反応の進行度合いにより103〜160kPaの圧力で運用した。
第2反応槽の触媒として、0.5重量%Ru/Al2O3触媒(Johnson Matthey社製、商品名:「Pellets,Type146」)を用い、該触媒を内径1.1cmのSUS製リアクターに9.0g充填した。第2反応槽の温度を220℃とし、第2反応槽の圧力は第1反応槽と同じ圧力に設定した。第2反応槽から排出された水素含有ガスを第1反応槽に導入・循環させて反応を継続した。
第1反応槽中の未反応アルコールの残量が反応開始時のアルコールの量の1重量%に減少するのに要した時間は4.6時間、反応に要した水素量は21.5L、ジメチルアルキルアミンの収率は95.7重量%、ジアルキルメチルアミン及びワックスからなる副生物の含有量は3.3重量%であった。
なお、一酸化炭素濃度は、メタナイザー(株式会社島津製作所製、商品名:「MTN‐1、Shimalite−Ni」)を備えたガスクロマトグラフィー(株式会社島津製作所製、商品名:「GC‐14A」、カラム:モレキュラーシーブ5A;内径3.2mm×長さ4m、オーブン温度80℃、インジェクション温度80℃、ディテクター温度80℃、キャリアーHeガス60mL/min)により反応開始後30分経過した時点から反応終了まで、30分間隔で測定した値の平均値である。製造例1では、全ての測定において、検出限界(1ppm)未満であった。
<第1回目の反応>
第二反応槽の金属触媒が劣化した状態を再現するため、第一反応槽と第二反応槽の間のアミンガス除去手段を行わずに、それ以外は製造例1と同様の操作にて、工程(1)と工程(2)を行い、第1反応槽中の未反応アルコールの残量が反応開始時のアルコールの量の1重量%まで減少したところで第1回目の反応を終了した。反応開始30分後の水素含有ガス中のアミンガス濃度は1.0重量%であった。
<工程(3):水素処理工程>
この第1回目の反応が終了した後、第2反応槽に200℃にて36NL/hの流量で0.5時間水素を流通し、第2反応槽の金属触媒を水素処理する工程を行った。
<第2回目の反応>
次いで、上記工程(3)にて水素処理を行った第2反応槽を用いて、前記工程(1)及び工程(2)を製造例1と同様の条件で行った。
第1反応槽中の未反応アルコールの残量が反応開始時のアルコールの量の1重量%まで減少するのに費やした時間を反応時間とし、水素の使用量、生成物の組成、及び第1反応槽に導入する際の水素含有ガスに含まれる一酸化炭素濃度を計測した結果を表1に示す。
前記第1回目の反応の後、第2反応槽の金属触媒に対して水素処理する工程を行わなかったこと以外、すなわち、第1回目の反応と第2回目の反応とを続けて行ったこと以外は実施例1と同様に実験を行った。結果を表1に示す。
Claims (9)
- 下記工程(1)〜(3)を含む3級アミンの製造方法。
工程(1):炭素数1〜36のアルコールと下記一般式(I)で表される原料アミンとを第1反応槽に導入し、触媒及び水素の存在下で反応させ、反応生成水及び水素含有ガスを反応系外に排出しつつ反応を継続する工程。
R1R2NH (I)
(式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素1〜36の直鎖、分岐鎖又は環状の飽和又は不飽和の炭化水素基を示す。R1及びR2は、互いに結合して飽和炭化水素又は不飽和炭化水素の環を形成していてもよい。)
工程(2):第1反応槽より排出された水素含有ガスを第2反応槽に導入し、メタン化法により水素含有ガスに含まれる一酸化炭素の量を低減させた後、水素含有ガスの一部又は全部を第1反応槽に導入する工程。
工程(3):第2反応槽におけるメタン化法に用いた金属触媒を水素処理する工程。 - 工程(1)と工程(2)との間に下記工程(A)を有する、請求項1に記載の3級アミンの製造方法。
工程(A):排出された水素含有ガス中に含まれる原料アミンの量を低減させる工程。 - 工程(A)において、前記水素含有ガスを水と接触させて、前記水素含有ガス中に含まれる原料アミンの量を低減させる、請求項2に記載の3級アミンの製造方法。
- 工程(A)において、前記水素含有ガスを酸水溶液と接触させて、前記水素含有ガス中に含まれる原料アミンの量を低減させる、請求項2に記載の3級アミンの製造方法。
- 前記第2反応槽における金属触媒が、ニッケル、コバルト、ルテニウム、白金、ロジウム、パラジウム、モリブデン、タングステン及びレニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種を主活性成分とするものである、請求項1〜4のいずれかに記載の3級アミンの製造方法。
- 前記第2反応槽における金属触媒の主活性成分として、ルテニウム、白金、ロジウム、パラジウム、タングステン及びレニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種を用い、第2反応槽の反応温度を100〜350℃とする、請求項5に記載の3級アミンの製造方法。
- 前記第2反応槽における金属触媒の主活性成分として、ニッケル、コバルト及びモリブデンからなる群から選ばれる少なくとも1種を用い、第2反応槽の反応温度を150〜600℃とする、請求項5に記載の3級アミンの製造方法。
- 前記第2反応槽の圧力を100kPa〜40MPaとして反応を行う、請求項1〜7のいずれかに記載の3級アミンの製造方法。
- 前記第1反応槽の温度を100〜300℃とし、圧力を100kPa〜40MPaとして反応を行う、請求項1〜8のいずれかに記載の3級アミンの製造方法。
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