JP5872327B2 - 半導体整流素子 - Google Patents
半導体整流素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5872327B2 JP5872327B2 JP2012042375A JP2012042375A JP5872327B2 JP 5872327 B2 JP5872327 B2 JP 5872327B2 JP 2012042375 A JP2012042375 A JP 2012042375A JP 2012042375 A JP2012042375 A JP 2012042375A JP 5872327 B2 JP5872327 B2 JP 5872327B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- resistance
- contact
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 95
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 41
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 25
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/868—PIN diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
そして、この整流素子は、アノード電極と、前記アノード電極に接しており、第2導電型の半導体からなるアノード領域と、前記アノード領域に接している低濃度の第1導電型の半導体からなるドリフト層と、前記ドリフト層と接している前記ドリフト層よりも高濃度な第1の導電型の半導体からなる少数キャリア吸収層と、前記少数キャリア吸収層と接しており、前記ドリフト層よりも厚さが薄く、前記少数キャリア吸収層よりも低濃度の第1導電型である高抵抗半導体層と、前記高抵抗半導体層と接しており、前記高抵抗半導体層より高濃度の第1導電型の半導体であるカソードコンタクト層と、前記カソードコンタクト層に接しているカソード電極を少なくとも備え、前記高抵抗半導体層の不純物濃度と厚さの関係を、下記式2の範囲とし、さらに下記式3の範囲とし、高抵抗半導体層の厚さであるdcは10μm以下である。
以下、この実施の形態の半導体整流素子であるPiNダイオード素子の概略断面図である図1を用いて説明する。
図1に示すように、この実施の形態のPiNダイオード素子は、アノード電極11と、前記アノード電極に接している第2導電型の半導体からなるアノード領域13と、前記アノード領域と接している低濃度の第1導電型の半導体からなるドリフト層14と、前記ドリフト層と接しており、前記ドリフト層よりも高濃度な第1導電型の半導体からなる少数キャリア吸収層15と、前記少数キャリア吸収層と接しており、前記少数キャリア吸収層よりも低濃度の第1導電型である高抵抗半導体層16と、前記高抵抗半導体層と接している高濃度第1導電型であるカソードコンタクト層18と、前記カソードコンタクト層と接しているカソード電極17とを少なくとも備えている。
このアノード領域13は、SiCにアルミニウムまたはボロンをドープして形成したp+層で、好ましい不純物濃度は、例えば5E+17〜1E+18cm−3程度である。また、層の厚さは、例えば1.5μm程度である。
このアノード領域13と、アノード電極11間との接合が、オーミックコンタクトとならない場合には、他の実施の形態である半導体整流素子の概略断面図である図7に示すように、このアノード領域とアノード電極間に高濃度p++半導体であるアノードコンタクト領域を介在させることが好ましい。
このアノードコンタクト領域12は、SiCにアルミニウムまたはボロンをドープして形成したp++層で、その不純物濃度は、1E+19cm−3以上であることが望ましい。
このアノードコンタクト領域12の層の厚さは、1nm以上の厚さを有することが望ましい。この層の厚さが、これを下回った場合、電極とのコンタクトシンター工程で、電極材料が拡散し、p+領域まで到達してしまうと、p++との界面とならずに、コンタクト抵抗があがってしまうため、好ましくない。
ドリフト層14は、窒素を不純物としてドープしたn−SiC層であり、このドリフト層の不純物濃度および厚さを制御することによって、目的とする整流素子の耐圧を制御する。高耐圧にする場合には、濃度を低く、厚さを厚くするが、他方、低耐圧にする場合には、不純物濃度を高く、厚さを薄くする。耐圧5kV程度の素子を作成する場合には、不純物濃度は例えば、1.2E+15cm−3で、厚さは例えば36μmである。
前記少数キャリア吸収層15は、アノードから注入されるホールを再結合させ、高抵抗半導体層16へ拡散することを阻止するために設けている。これによって、高抵抗半導体層16が、伝導度変調を起こすことを抑止している。
この小数キャリア吸収層15の不純物濃度と厚さを所定の範囲に制御することが本実施の形態においては重要である。後述するように、シミュレーションの結果、少数キャリア吸収層の不純物濃度と厚さの関係は、以下の一般式で表される範囲で選択されることが好ましいことが判明した。
この高抵抗半導体層16は、SiCあるいはPoly−Siなどから構成されるn−半導体層であり、PiNダイオードでありながらユニポーラ動作を行う領域である。この高抵抗半導体層16においては、本実施の形態の整流素子の温度上昇と共に、フォノン散乱による抵抗が上昇し、整流素子全体での抵抗の温度係数が「正」となる。
前記フォノン散乱層の不純物濃度と厚さの関係は、前記小数キャリア吸収層の場合と同様、後述するシミュレーションの結果、下記式2で表されることが判明した。
これらのDc、dcは、上記式を満足する範囲で選択される。Dc、dcの価が上記式を満足しない場合には、素子に電流密度が500A/cm2よりも大きな電流が流れ込んでも素子全体の温度係数を正とすることはできず、素子の破壊を招いてしまう。
また、この高抵抗半導体層の不純物濃度は、下記式3で表される範囲とすることが、さらに好ましい。
この高抵抗半導体層の不純物濃度をこの範囲とすることによって、電流密度が300A/cm2程度の動作領域で、素子全体の温度係数を正にすることができ、素子に流れ込む電流集中を抑制し素子の破壊を回避することができる。
この高抵抗半導体層の厚さは、前記ドリフト層の厚さより薄いことが必要である。この高抵抗半導体層の厚さが、ドリフト層の厚さより厚いと、I−V特性グラフにおいて、電圧が高い位置にクロスポイントが発現することとなる。これは抵抗が増大することを意味しており、結果的に損失が増大し、好ましくない。
このカソードコンタクト層18は、前記高抵抗半導体層とカソード電極との接合がオーミックとならない場合、カソード電極17と、高抵抗半導体層16との間に配置して、オーミック接合をとるものである。
このカソードコンタクト層は、n++SiC半導体層であることが好ましい。
アノード電極は、例えばAlを主とした金属材料で、また、カソード電極は、Niなどの金属材料を主とした金属材料を用いることで、コンタクトをとることができる。
(小数キャリア吸収層における不純物濃度と層厚さの選択)
以下、図7に示すこの発明の実施の形態の整流素子と、図3に示す従来の整流素子とにおいて、素子温度を変化させて、小数キャリア吸収層の不純物濃度と厚さに対するI−V曲線をシミュレーションによって調べた。その結果を図2及び図4に示す。
図2に見られるI−V曲線は、温度が上昇すると共に、順方向の抵抗が増加し、想定される電流密度1000A/cm2近傍から順方向電圧が逆転し温度係数は正であることが明かとなった。
図4に明らかなように、従来の整流素子は、素子温度が上昇すると共に、順方向の抵抗が低下しており、温度係数は負となっていることがわかる。
Drは、不純物濃度(cm−3)を表し、drは、小数キャリア層の厚さ(μm)を表している。
次に、高抵抗半導体層の不純物濃度と厚さを種々変化させて、I−V曲線の変化をシミュレーションしてみた。その結果を図6に示す。
図6に示すように、高抵抗半導体層の不純物濃度と厚さは、式3に示す関係を充足することによって抵抗の温度係数を正にすることが可能になり、この関係を充足するような不純物濃度と、厚さを制御することが必要であることが判明した。
図1に示す上記実施の形態の半導体整流素子は、以下の工程によって製造することができる。
(1) n+層であるSiC基板18表面に、エピタキシャル成長あるいはイオン注入などの方法により高抵抗半導体層16を形成する。
(2) 次いで、高抵抗半導体層16の表面に、少数キャリア吸収層15をエピタキシャル成長、またはイオン注入などの方法により形成する。
(3) 次いで、この少数キャリア吸収層15の表面に、エピタキシャル成長あるいはイオン注入などの方法によりドリフト層14を形成する。
(4) ドリフト層14の表面に、エピタキシャル成長、またはイオン注入などの方法により、全面または選択的にSiCのアノード領域13を形成した後、イオン注入により所要の不純物濃度を有する層とする。また必要に応じて、アノードコンタクト層の形成を行う。
(5) 次いで、アノード領域13の一部を反応性イオンエッチングなどの手法で除去することによって行うメサ構造の形成や、また、イオン注入によるリサーフ構造の形成などによって、一般的な耐圧構造を形成する。
(6) 注入した不純物を活性化するアニール工程を行う。
(7) 前記アノード領域表面に、スパッタリングなどの方法によりアノード電極11を形成する。
以上のプロセスにより、前記実施の形態の整流素子を製造することができる。
上記実施の形態の半導体整流素子は、以下の工程によって製造することができる。
(1) SiC基板表面に、エピタキシャル成長法などを採用してn−のドリフト層とする。
(2) ドリフト層の表面に、エピタキシャル成長、またはイオン注入などの方法により、全面または選択的にSiCのアノード領域を形成した後、イオン注入により所要の不純物濃度を有する層とする。また必要に応じて、アノードコンタクト層の形成を行う。
(3) 次いで、アノード領域の一部を反応性イオンエッチングなどの手法で除去することによって行うメサ構造の形成や、また、イオン注入によるリサーフ構造の形成などによって、一般的な耐圧構造を形成する。
(4) 注入した不純物を活性化するアニール工程を行う。
(5) 前記アノード領域表面に、スパッタリングなどの方法によりアノード電極を形成する。
(6) SiC基板の裏面に、高抵抗半導体層を形成する。この層形成にも、エピタキシャル成長法及びイオン注入法を採用することができる。
(7) 高抵抗半導体層の表面に、高濃度のカソードコンタクト層を形成する。
(8) 前記カソードコンタクト層の上に、スパッタ法などの手段によりカソード電極を形成する。
この時、SiC基板裏面はグラインド、CMP、ホーニング等により薄化することにより順方向特性をさらに改善することが出来る。以上のプロセスにより、整流素子を製造することができる。
11…アノード電極
13…アノード領域
14…ドリフト層
15…少数キャリア吸収層
16…高抵抗半導体層
18…カソードコンタクト層
17…カソード電極
Claims (6)
- アノード電極と、
前記アノード電極に接している第2導電型の半導体からなるアノード領域と、
前記アノード領域と接している低濃度の第1導電型の半導体からなるドリフト層と、
前記ドリフト層と接している、前記ドリフト層よりも高濃度な第1導電型の半導体からなる少数キャリア吸収層と、
前記少数キャリア吸収層と接しており、前記ドリフト層よりも厚さが薄く、前記少数キャリア吸収層よりも低濃度の第1導電型である高抵抗半導体層と、
前記高抵抗半導体層と接しており、前記高抵抗半導体層より高濃度の第1導電型の半導体であるカソードコンタクト層と、
前記カソードコンタクト層に接しているカソード電極と、
からなり、
前記高抵抗半導体層の不純物濃度と厚さの関係を、下記式2の範囲とし、さらに下記式3の範囲とし、
前記高抵抗半導体層の厚さであるdcは10μm以下であることを特徴とする半導体整流素子。
- 前記半導体は、SiCからなることを特徴とする請求項1に記載の半導体整流素子。
- 前記少数キャリア吸収層は、アノードから注入されるホールを再結合させ、前記高抵抗半導体層が伝導度変調を起こさない役割を果たしていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体整流素子。
- 前記高抵抗半導体層は、ユニポーラ動作を行う領域で作動させて、素子の温度上昇と共にフォノン散乱による抵抗上昇をさせ、素子全体での抵抗の温度係数を正にすることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体整流素子
- 前記カソード電極は、Niを含む金属材料を用いたものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体整流素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012042375A JP5872327B2 (ja) | 2011-03-10 | 2012-02-28 | 半導体整流素子 |
US13/409,820 US8648447B2 (en) | 2011-03-10 | 2012-03-01 | Semiconductor rectifier device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011052785 | 2011-03-10 | ||
JP2011052785 | 2011-03-10 | ||
JP2012042375A JP5872327B2 (ja) | 2011-03-10 | 2012-02-28 | 半導体整流素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012199522A JP2012199522A (ja) | 2012-10-18 |
JP5872327B2 true JP5872327B2 (ja) | 2016-03-01 |
Family
ID=46794729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012042375A Active JP5872327B2 (ja) | 2011-03-10 | 2012-02-28 | 半導体整流素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8648447B2 (ja) |
JP (1) | JP5872327B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016113938A1 (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6930113B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2021-09-01 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6827433B2 (ja) | 2018-03-02 | 2021-02-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4410902A (en) * | 1981-03-23 | 1983-10-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Planar doped barrier semiconductor device |
FR2597662B1 (fr) * | 1986-04-22 | 1988-06-17 | Thomson Csf | Photodiode pin realisee a partir de semi-conducteur amorphe |
US5942788A (en) * | 1995-05-09 | 1999-08-24 | Minolta Co., Ltd. | Solid state image sensing device |
SE9602993D0 (sv) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | Abb Research Ltd | A bipolar semiconductor device having semiconductor layers of SiC and a method for producing a semiconductor device of SiC |
JP4626893B2 (ja) * | 1996-08-16 | 2011-02-09 | クリー、インコーポレイテッド | SiCから構成された半導体層を有するバイポーラ半導体デバイスおよびSiCから構成された半導体デバイスを製造する方法 |
US6303945B1 (en) * | 1998-03-16 | 2001-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor element having microcrystalline semiconductor material |
US6734462B1 (en) * | 2001-12-07 | 2004-05-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Silicon carbide power devices having increased voltage blocking capabilities |
EP2261988B1 (en) * | 2002-04-30 | 2016-03-30 | Cree, Inc. | High voltage switching devices and process for forming same |
JP4901115B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2012-03-21 | 昭和電工株式会社 | 窒化ガリウム系半導体素子 |
JP2006245475A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102005046707B3 (de) * | 2005-09-29 | 2007-05-03 | Siced Electronics Development Gmbh & Co. Kg | SiC-PN-Leistungsdiode |
US20070096239A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | General Electric Company | Semiconductor devices and methods of manufacture |
JP2010092991A (ja) | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Toyota Central R&D Labs Inc | ダイオード |
JP5282818B2 (ja) * | 2009-05-28 | 2013-09-04 | トヨタ自動車株式会社 | ダイオードの製造方法、及び、ダイオード |
-
2012
- 2012-02-28 JP JP2012042375A patent/JP5872327B2/ja active Active
- 2012-03-01 US US13/409,820 patent/US8648447B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012199522A (ja) | 2012-10-18 |
US8648447B2 (en) | 2014-02-11 |
US20120228635A1 (en) | 2012-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI724160B (zh) | 溝槽式金氧半型肖特基二極體 | |
US9870923B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device | |
JP5175872B2 (ja) | 半導体整流装置 | |
US8841683B2 (en) | Semiconductor rectifier device | |
JP6111572B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US9184229B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
JP5774205B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20130140584A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2008172008A (ja) | SiCショットキー障壁半導体装置 | |
JP7263740B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2012059870A (ja) | 半導体整流装置 | |
US20120228734A1 (en) | High breakdown voltage semiconductor rectifier | |
JP2008211171A (ja) | バイポーラ型半導体装置、その製造方法およびツェナー電圧の制御方法 | |
JP2014187111A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
WO2022025010A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JP5872327B2 (ja) | 半導体整流素子 | |
JP5377548B2 (ja) | 半導体整流装置 | |
JP2012248736A (ja) | 半導体装置 | |
US9484415B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2017098318A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6930113B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2021077903A (ja) | トレンチmos型ショットキーダイオード | |
JP2015149375A (ja) | ダイオード | |
JP2018022794A (ja) | 半導体装置 | |
JP2023130240A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150130 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150330 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150507 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150731 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160113 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5872327 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |