JP5865073B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
2 基板保持部
4 凍結部
5 基板回転機構
6 加熱液供給部
7 チャンバ
9 基板
31 第1液体供給部
32 第2液体供給部
91 上面
92 下面
S11〜S22 ステップ
Claims (7)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内において主面を上側に向けた状態で基板を保持する基板保持部と、
前記基板の前記主面に凝固点よりも低い温度まで過冷却された過冷却液を供給する液体供給部と、
前記過冷却液が供給された前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転することにより、前記主面上に前記過冷却液からなる液膜を形成する基板回転機構と、
前記液膜を冷却して凍結させる凍結部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記液体供給部から前記過冷却液を前記基板の前記主面に供給することにより、前記主面の温度を前記過冷却液の凝固点よりも低い温度とした後に、前記基板回転機構による前記液膜の形成が行われることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記液膜が形成される際に、回転中の前記基板の他方の主面を冷却する冷却部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記冷却部が、前記過冷却液を前記他方の主面に供給することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記過冷却液が純水であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
凍結した前記液膜である凍結膜に加熱された解凍用液体を供給して前記凍結膜を除去する凍結膜除去部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理する基板処理方法であって、
a)チャンバ内において一方の主面を上側に向けた状態で保持された基板の前記主面に凝固点よりも低い温度まで過冷却された過冷却液を供給する工程と、
b)前記基板を前記主面に垂直な軸を中心として回転することにより、前記主面上に前記過冷却液からなる液膜を形成する工程と、
c)前記液膜を冷却して凍結させる工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
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