JP5862405B2 - 透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法 - Google Patents
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Description
(1) 真空に排気された試料室を有し、磁性を有する金属材料から透過電子顕微鏡用微小薄膜試料を作製する透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製装置であって、上記試料室内で薄膜試料を載置して移動可能な試料ステージと、上記試料ステージに載置された薄膜試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射光学系と、上記試料ステージに載置された薄膜試料に電子ビームを照射する電子ビーム照射光学系と、上記集束イオンビームおよび電子ビームの照射によって発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、上記二次電子検出器にて検出した二次電子強度から二次電子像を表示する画像表示装置と、上記薄膜試料の一部を集束イオンビームの照射から遮蔽するための薄膜部材を備えた第1の可動プローブと、上記試料ステージに載置された薄膜試料に集束イオンビームを照射して切り出した微小薄膜試料を移送するための第2の可動プローブと、上記微小薄膜試料を切り出す際に上記第2の可動プローブと上記微小薄膜試料を固着するための原料ガスを供給するガスデポジション機構と、を備える透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製装置を用いた透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法であって、
予め電解研磨を施した薄膜試料を上記試料ステージに載置し、該薄膜試料に電子ビームを照射して二次電子像にて該薄膜試料を観察する薄膜試料載置工程と、
上記薄膜試料載置工程にて該薄膜試料を観察しながら、該薄膜試料の一部を遮蔽し集束イオンビームの照射から回避するための薄膜部材を備えた第1の可動プローブを、微小薄膜試料の切り出し箇所の上方に移動させる第1の薄膜部材移動工程と、
上記薄膜部材を含み上記薄膜試料の一部の領域に上記集束イオンビームを照射して上記薄膜試料の一部の領域を二次電子像にて観察し、微小薄膜試料の切り出し位置を設定し、上記集束イオンビームを照射して上記薄膜試料に切り込みを入れる切り込み加工工程と、
上記電子ビーム、または上記集束イオンビームを照射して、上記切り出し位置を二次電子像にて観察し、上記切り出し位置の一部に第2の可動プローブの先端をあてがい、上記集束イオンビームを照射して、上記切り出し位置と上記第2の可動プローブとの接触部分をデポジション膜により固着させる可動プローブ固着加工工程と、
上記切り出し位置に上記集束イオンビームを照射して微小薄膜試料を切り出す微小薄膜試料切り出し加工工程と、
上記切り出した微小薄膜試料を第2の可動プローブを用いて摘出し移送する摘出工程と、
上記微小薄膜試料を支持する支持体を試料ステージに載置する支持体載置工程と、
上記電子ビームを照射して、上記微小薄膜試料と上記支持体を二次電子像にて観察しながら、上記微小薄膜試料を上記支持体に移設する移設工程と、
上記電子ビームを照射して、上記支持体に移設した微小薄膜試料と上記支持体を二次電子像にて観察しながら、上記薄膜部材を備えた第1の可動プローブを上記微小薄膜試料の上方に移動させる第2の薄膜部材移動工程と、
上記集束イオンビームを照射し、上記支持体に移設した微小薄膜試料と上記支持体との接触部分を二次電子像にて観察して、デポジション膜により上記微小薄膜試料と上記支持体とを固着させる固着工程と、
上記集束イオンビームを照射して上記支持体に固着した上記微小薄膜試料から上記第2の可動プローブを切除する切除工程と、
を有することを特徴とする透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法。
薄膜試料載置工程:予め電解研磨を施した薄膜試料3を試料ステージ2に載置し、薄膜試料3に電子ビームを照射して、画像表示装置7に表示される二次電子像にて薄膜試料3を観察する。
第1の薄膜部材移動工程:上記薄膜試料載置工程によって薄膜試料3を観察しながら、薄膜試料3の一部を遮蔽してその部分を集束イオンビームの照射から回避するための薄膜部材8を備えた第1の可動プローブ9を、微小薄膜試料3aの切り出し箇所の上方に移動させる。
切り込み加工工程:薄膜部材8を含み薄膜試料3の一部の領域に、集束イオンビームを照射して、その薄膜試料3の一部の領域を二次電子像にて観察し、微小薄膜試料3aの切り出し位置を設定し、集束イオンビームを照射して薄膜試料3に切り込みを入れる。
可動プローブ固着加工工程:電子ビームまたは集束イオンビームを照射して、微小薄膜試料3aの切り出し位置を二次電子像にて観察し、その切り出し位置の一部に第2の可動プローブ10の先端をあてがい、集束イオンビームを照射して、切り出し位置と第2の可動プローブ10との接触部分をデポジションによる蒸着膜12により固着させる。
微小薄膜試料切り出し加工工程:切り出し位置に集束イオンビームを照射して、微小薄膜試料3aを切り出す。
摘出工程:切り出した微小薄膜試料3aを、第2の可動プローブ10を用いて摘出し移送する。
支持体載置工程:微小薄膜試料3aを支持する支持体13を、試料ステージ2に載置する。
移設工程:電子ビームを照射して、微小薄膜試料3aと支持体13を二次電子像にて観察しながら、微小薄膜試料3aを支持体13に移設する。
第2の薄膜部材移動工程:電子ビームを照射して、支持体13に移設した微小薄膜試料3aと支持体13を二次電子像にて観察しながら、薄膜部材8を備えた第1の可動プローブ9を微小薄膜試料3aの上方に移動させる。
固着工程:集束イオンビームを照射し、支持体13に移設した微小薄膜試料3aと支持体13との接触部分を二次電子像にて観察して、デポジションによる蒸着膜14により、微小薄膜試料3aと支持体13とを固着させる。
切除工程:集束イオンビームを照射して支持体13に固着した微小薄膜試料3aから、第2の可動プローブ10を切除する。
図3(a):電子ビームを照射して得た二次電子像を観察しながら、薄膜試料3の電解研磨により開いた孔の縁部の微小薄膜試料摘出箇所に、第1の可動プローブ9の先端の薄膜部材8を移動させた。薄膜部材8の大きさは、約10μm×約10μm×約3μmtとした。
図3(b):集束イオンビームにより、観察領域15を遮蔽した薄膜部材8の1辺から2μm離れた位置を加工した。集束イオンビームは、加速電圧40kV、ビーム電流量0.4nAとした。薄膜部材8の1辺から2μm離れた位置を加工した理由は、マイクロサンプリングのための第2の可動プローブ10をガスデポジションにて薄膜試料3と固着する(図3(c))領域を確保するためである。本実施例では間隔を2μmとしたが、第2の可動プローブ10の先端部の大きさに合わせて調整すればよい。
図3(c):観察領域15と図3(b)による加工箇所の間の領域に第2の可動プローブ10を接触させた後、ガスデポジションにより第2の可動プローブ10と薄膜試料3を蒸着膜12にて固着させた。
図3(d):集束イオンビームにて観察領域15の残りの2辺の周りを加工し、約12μm×約11μmの大きさに切り出して微小薄膜試料3aを切り離し、第2の可動プローブ10にて微小薄膜試料3aを摘出した。
図3(e):電子ビームを照射して得た二次電子像を観察しながら、微小薄膜試料3aを固着した第2の可動プローブ10を移動し、支持体13に微小薄膜試料3aを接触させ、第1の可動プローブ9を移動して、薄膜部材8を微小薄膜試料3aの上方に、集束イオンビーム照射光学系4からの集束イオンビームを遮るよう移動した。
図3(f):集束イオンビームを照射してガスデポジションにて微小薄膜試料3aと支持体13を蒸着膜14にて固着し、次いで、第2の可動プローブ10を集束イオンビームにて切り離した。
2 試料ステージ
3 薄膜試料
3a 微小薄膜試料
4 集束イオンビーム照射光学系
5 電子ビーム照射光学系
6 二次電子検出器
7 画像表示装置
8 薄膜部材
9 第1の可動プローブ
10 第2の可動プローブ
11 ガスデポジション機構
12 蒸着膜
13 支持体
14 蒸着膜
Claims (1)
- 真空に排気された試料室を有し、磁性を有する金属材料から透過電子顕微鏡用微小薄膜試料を作製する透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製装置であって、上記試料室内で薄膜試料を載置して移動可能な試料ステージと、上記試料ステージに載置された薄膜試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射光学系と、上記試料ステージに載置された薄膜試料に電子ビームを照射する電子ビーム照射光学系と、上記集束イオンビームおよび電子ビームの照射によって発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、上記二次電子検出器にて検出した二次電子強度から二次電子像を表示する画像表示装置と、上記薄膜試料の一部を集束イオンビームの照射から遮蔽するための薄膜部材を備えた第1の可動プローブと、上記試料ステージに載置された薄膜試料に集束イオンビームを照射して切り出した微小薄膜試料を移送するための第2の可動プローブと、上記微小薄膜試料を切り出す際に上記第2の可動プローブと上記微小薄膜試料を固着するための原料ガスを供給するガスデポジション機構と、を備える透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製装置を用いた透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法であって、
予め電解研磨を施した薄膜試料を上記試料ステージに載置し、該薄膜試料に電子ビームを照射して二次電子像にて該薄膜試料を観察する薄膜試料載置工程と、
上記薄膜試料載置工程にて該薄膜試料を観察しながら、該薄膜試料の一部を遮蔽し集束イオンビームの照射から回避するための薄膜部材を備えた第1の可動プローブを、微小薄膜試料の切り出し箇所の上方に移動させる第1の薄膜部材移動工程と、
上記薄膜部材を含み上記薄膜試料の一部の領域に上記集束イオンビームを照射して上記薄膜試料の一部の領域を二次電子像にて観察し、微小薄膜試料の切り出し位置を設定し、上記集束イオンビームを照射して上記薄膜試料に切り込みを入れる切り込み加工工程と、
上記電子ビーム、または上記集束イオンビームを照射して、上記切り出し位置を二次電子像にて観察し、上記切り出し位置の一部に第2の可動プローブの先端をあてがい、上記集束イオンビームを照射して、上記切り出し位置と上記第2の可動プローブとの接触部分をデポジション膜により固着させる可動プローブ固着加工工程と、
上記切り出し位置に上記集束イオンビームを照射して微小薄膜試料を切り出す微小薄膜試料切り出し加工工程と、
上記切り出した微小薄膜試料を第2の可動プローブを用いて摘出し移送する摘出工程と、
上記微小薄膜試料を支持する支持体を試料ステージに載置する支持体載置工程と、
上記電子ビームを照射して、上記微小薄膜試料と上記支持体を二次電子像にて観察しながら、上記微小薄膜試料を上記支持体に移設する移設工程と、
上記電子ビームを照射して、上記支持体に移設した微小薄膜試料と上記支持体を二次電子像にて観察しながら、上記薄膜部材を備えた第1の可動プローブを上記微小薄膜試料の上方に移動させる第2の薄膜部材移動工程と、
上記集束イオンビームを照射し、上記支持体に移設した微小薄膜試料と上記支持体との接触部分を二次電子像にて観察して、デポジション膜により上記微小薄膜試料と上記支持体とを固着させる固着工程と、
上記集束イオンビームを照射して上記支持体に固着した上記微小薄膜試料から上記第2の可動プローブを切除する切除工程と、
を有することを特徴とする透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012070579A JP5862405B2 (ja) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012070579A JP5862405B2 (ja) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013205017A JP2013205017A (ja) | 2013-10-07 |
JP5862405B2 true JP5862405B2 (ja) | 2016-02-16 |
Family
ID=49524278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012070579A Active JP5862405B2 (ja) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 透過電子顕微鏡用微小薄膜試料作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5862405B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103645204A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高透射电子显微镜照射样品成功率的方法 |
CN105628468B (zh) * | 2015-12-28 | 2018-05-15 | 西安电子科技大学 | GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法 |
CN114527150B (zh) * | 2022-01-25 | 2022-09-27 | 北京科技大学 | 一种拍摄磁性钢中纳米Cu析出相高分辨图像的方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0528950A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Hitachi Ltd | 断面加工方法及び装置 |
JP3236484B2 (ja) * | 1994-09-22 | 2001-12-10 | 株式会社荏原製作所 | エネルギービーム加工法 |
JP3326293B2 (ja) * | 1995-02-02 | 2002-09-17 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 無機物極薄片及びその作製方法 |
JP3263920B2 (ja) * | 1996-02-01 | 2002-03-11 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡用試料作成装置および方法 |
US6538254B1 (en) * | 1997-07-22 | 2003-03-25 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for sample fabrication |
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JP3825191B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2006-09-20 | 株式会社神戸製鋼所 | アルミニウム合金スパッタリングターゲット材料 |
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JP4323655B2 (ja) * | 2000-01-25 | 2009-09-02 | 新日本製鐵株式会社 | 電界イオン顕微鏡観察用針状試料作製方法 |
JP2001289752A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Nippon Steel Corp | 磁性材料の透過電子顕微鏡観察用試料作製方法 |
JP4890373B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2012-03-07 | 新日本製鐵株式会社 | 試料作製方法 |
JP5348634B2 (ja) * | 2009-08-10 | 2013-11-20 | 株式会社ケミカル山本 | 分析用試料の電解研磨装置 |
-
2012
- 2012-03-27 JP JP2012070579A patent/JP5862405B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013205017A (ja) | 2013-10-07 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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