JP2013057710A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶層中の不純物の偏在に起因する表示不具合が改善された液晶装置、液晶装置の製造方法、この液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、基板としての素子基板１０上にトランジスターとしてのＴＦＴ３０と、画素電極１５と、画素電極１５をＴＦＴ３０の半導体層３０ａにおける第２ソース・ドレイン領域３０ｄに電気的に接続させる柱状のコンタクト部ＣＮＴ４とを有し、コンタクト部ＣＮＴ４は、画素電極１５の液晶層側の表面において突出部１５ａを形成している。
【選択図】図５

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、液晶装置を備えた電子機器に関する。

上記液晶装置の製造方法として、基板上にパターニング形成された第１導電膜上に絶縁膜を形成する工程と、形成された該絶縁膜を平坦化処理して、該絶縁膜から第１導電膜の上面を露出させる工程と、該絶縁膜上であって、平面視で第１導電膜の上面と重なり、第１導電膜と電気的に接続するように第２導電膜を形成する工程とを有する電気光学装置の製造方法が知られている（特許文献１）。

上記特許文献１によれば、例えば、第１導電膜が画素のスイッチング素子であるトランジスターのソース領域あるいはドレイン領域のどちらか一方と電気的に接続され、第２導電膜が光反射性を有する画素電極である例が示されている。第１導電膜の上面が該絶縁膜の上面と面一であるため、該絶縁膜上に形成された画素電極（第２導電膜）の表面が平坦になる。それゆえに、第１導電膜と画素電極（第２導電膜）との重なり部分の凹凸による液晶配向の乱れおよび画素電極面における反射光の散乱を抑えることができるとしている。

特開２０１１−５９２２９号公報

しかしながら、画素電極（第２導電膜）の表面が平坦になって液晶配向の乱れが抑制されるものの、電気光学素子としての液晶層中に含まれる例えば金属イオンなどの不純物が容易に移動（拡散）し易い。そのために、該不純物の偏在による焼き付きなどの不具合が生じ易いという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例の液晶装置は、基板上にトランジスターと、画素電極と、前記画素電極を前記トランジスターの半導体層における第１または第２ソース・ドレイン領域のいずれかに電気的に接続させる柱状のコンタクト部とを有し、前記コンタクト部は、前記画素電極の液晶層側の表面において突出部を形成していることを特徴とする。

この構成によれば、柱状のコンタクト部によって画素電極の液晶層側の表面に突出部が形成され、この突出部によって不純物が液晶層中を移動（拡散）することが阻まれる。したがって、不純物の偏在が生じ難いので、不純物の偏在に起因する不具合が低減された高い信頼性を有する液晶装置を提供できる。

［適用例２］上記適用例の液晶装置において、前記コンタクト部は、柱状に形成された絶縁部と、前記絶縁部を覆う導電膜とからなり、前記導電膜が前記半導体層の前記第１または第２ソース・ドレイン領域のいずれか一方と前記画素電極とに電気的に接続されていることを特徴とする。
この構成によれば、コンタクト部を導電材料だけを使って構成する場合に比べて、ＭＯ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ）−ＣＶＤ法などでコンタクトホール内に導電材料を埋め込む必要が無く、比較的簡便に柱状のコンタクト部を構成することができる。

［適用例３］上記適用例の液晶装置において、前記画素電極の表面から突出した前記突出部の高さは、前記液晶層の厚みの１０％以上、５０％以下であることが好ましい。
この構成によれば、突出部により液晶層中の不純物の移動（拡散）を阻害しつつ、突出部において液晶分子の配向の乱れが生ずることを低減できる。

［適用例４］上記適用例の液晶装置において、画素の開口領域を規定する遮光部を備え、前記画素電極は、前記開口領域と重なるように配置され、前記コンタクト部は、前記遮光部と平面的に重なるように配置されて、前記画素電極と電気的に接続されていることが好ましい。
この構成によれば、液晶分子の配向が乱れ易い突出部が遮光部と平面的に重なるので、液晶分子の配向の乱れが生じたとしても視認されない。つまり、安定した表示品質と高い信頼性とを有する液晶装置を提供できる。

［適用例５］本適用例の液晶装置の製造方法は、基板上にトランジスターと、画素電極とを有する液晶装置の製造方法であって、前記トランジスターの半導体層を覆う第１層間絶縁膜上に、前記半導体層の第１または第２ソース・ドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続された柱状のコンタクト部を形成する工程と、前記コンタクト部の少なくとも一部が表面から突出するように、前記第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜を覆うと共に、成膜後に前記コンタクト部と重なる部分が突出するように電極膜を成膜し、前記コンタクト部を含むように前記電極膜をパターニングして画素電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。

この方法によれば、第２層間絶縁膜の表面から少なくとも一部が突出するように柱状のコンタクト部が形成されるので、第２層間絶縁膜上に画素電極を形成すると、コンタクト部と重なった画素電極の部分に突出部が形成される。この突出部によって不純物が液晶層中を移動することが阻まれる。したがって、不純物の偏在が生じ難いので、不純物の偏在に起因する不具合が低減された高い信頼性を有する液晶装置を製造することができる。

［適用例６］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記コンタクト部を形成する工程は、前記第１層間絶縁膜上に柱状の絶縁部を形成する工程と、前記絶縁部を被覆すると共に、前記半導体層の前記第１または第２ソース・ドレイン領域のいずれか一方に電気的に接続するように導電膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。
この方法によれば、コンタクト部を導電材料だけを使って形成する場合に比べて、導電材料の無駄を省き、導電材料よりも安価な絶縁材料を利用してコンタクト部を形成することができる。

［適用例７］上記適用例の液晶装置の製造方法において、前記第２層間絶縁膜を形成する工程は、前記コンタクト部を覆って層間絶縁膜前駆体を成膜する工程と、前記層間絶縁膜前駆体の表面を平坦化処理する工程と、平坦化処理された前記層間絶縁膜前駆体の表面をエッチングして、エッチング後の表面から前記コンタクト部の少なくとも一部を突出させる工程とを含むことが好ましい。
この方法によれば、平坦化処理された層間絶縁膜前駆体の表面から所望の高さでコンタクト部の少なくとも一部を突出させることができ、且つエッチング後の第２層間絶縁膜の表面に形成される画素電極の表面を平坦にすることができる。画素電極の表面が平坦な部分では、液晶分子の配向の乱れが生じ難くなる。つまり、高い信頼性を有すると共により安定した表示品質が得られる液晶装置を製造できる。

［適用例８］本適用例の電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、液晶層中の不純物の偏在に起因する不具合が低減され、高い信頼性を有する液晶装置を備えた電子機器を提供することができる。

（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置における画素の配置を示す概略平面図。 （ａ）および（ｂ）は液晶装置における画素の構成を示す概略平面図。 図４に示す画素のＡ−Ａ’線に沿う概略断面図。 液晶装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｄ）は液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 （ｅ）〜（ｈ）は液晶装置の製造方法を示す概略断面図。 電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。 変形例のコンタクト部を示す概略断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図である。図２は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。

図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、見切り部２１の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている。なお、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部が設けられている。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。

これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。

図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極１５およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。当該遮光構造については後述する。

対向基板２０の液晶層５０側の表面には、見切り部２１と、これを覆うように成膜された層間膜層２２と、層間膜層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。

見切り部２１は、図１（ａ）に示すように平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

層間膜層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような層間膜層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、層間膜層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。

図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０の第１ソース・ドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域に電気的に接続されている。

データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。

保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。

保持容量１６は、遮光性の第１容量電極および第２容量電極との間に誘電体層を有するものである。また、第１容量電極が上記容量線３ｂの機能を果たしている。また、容量線３ｂ（第１容量電極）は、固定電位に接続されている。保持容量１６の詳しい構造については、後述する。

なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。

また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。

このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。

次に、画素Ｐの平面的な配置と断面構造について、図３〜図５を参照して説明する。図３は液晶装置における画素の配置を示す概略平面図、図４（ａ）および（ｂ）は液晶装置における画素の構成を示す概略平面図、図５は図４に示す画素のＡ−Ａ’線に沿う概略断面図である。

図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。

Ｘ方向に延在する非開口領域には、図２に示した走査線３ａが設けられている。走査線３ａは遮光性の導電部材が用いられており、走査線３ａによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。

同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図２に示したデータ線６ａと容量線３ｂが設けられている。データ線６ａおよび容量線３ｂも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。

非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において見切り部２１（図１参照）を構成した遮光性材料により格子状に構成することもできる。

非開口領域の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０や保持容量１６が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０や保持容量１６を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。

画素電極１５は外縁部が遮光性の非開口領域に掛かるように開口領域に平面的に重なって配置されている。画素電極１５と前述したＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域３０ｄ（図４（ａ）参照）とを電気的に接続させるコンタクト部ＣＮＴ４が上記交差部付近の非開口領域において画素電極１５の外縁部と重なる位置に設けられている。コンタクト部ＣＮＴ４と重なった画素電極１５の部分は、液晶層５０側に突出している。コンタクト部ＣＮＴ４の詳しい構造については、後述する液晶装置１００の製造方法において説明する。

図４（ａ）は、走査線３ａが設けられた層から、データ線６ａが設けられた層までの平面的な構造を示している。図４（ｂ）は、データ線６ａが設けられた層から、画素電極１５が設けられた層までの平面的な構造を示している。

図４（ａ）に示すように、画素Ｐは、走査線３ａとデータ線６ａの交差部に設けられたＴＦＴ３０を有している。ＴＦＴ３０は、第１ソース・ドレイン領域３０ｓと、第２ソース・ドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、第１ソース・ドレイン領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に設けられた接合領域３０ｅと、チャネル領域３０ｃと第２ソース・ドレイン領域３０ｄとの間に設けられた接合領域３０ｆとを有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造の半導体層３０ａを有している。半導体層３０ａは上記交差部を通過して、走査線３ａと重なるように配置されている。

走査線３ａはデータ線６ａとの交差部において、Ｘ，Ｙ方向に拡張された拡張部を有ししており、当該拡張部において他の部位と比して走査線３ａの幅が広くなっている。換言すると、当該拡張部の平面形状は四角形となっている。当該拡張部に平面的に重なると共に接合領域３０ｆおよび第２ソース・ドレイン領域３０ｄと重ならない位置に、開口部を有する折れ曲がった形状のゲート電極３０ｇが設けられている。

ゲート電極３０ｇは、Ｙ方向に延在した部分が平面的にチャネル領域３０ｃと重なっている。また、チャネル領域３０ｃと重なった部分から折り曲げられてＸ方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線３ａの拡張部との間に設けられたコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６によって、電気的に走査線３ａと接続している。また、図４（ａ）に示すように、ゲート電極３０ｇのチャネル領域３０ｃと対向する部位は、コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６のＸ方向における位置から左側にずれて配置されている。

コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６は、平面視でＸ方向が長い矩形状（長方形）であって、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと接合領域３０ｆとに沿って接合領域３０ｆを挟むように両側に設けられている。

データ線６ａは、Ｙ方向に延在すると共に、走査線３ａとの交差部において同じく拡張部を有し、当該拡張部において他の部位と比してデータ線６ａの幅が広くなっている。図４（ａ）では、当該拡張部において左側に拡張されている。また、走査線３ａとの交差部の右側では、データ線６ａは中継電極６ｂに対し間隙を挟んで配置されている。また、データ線６ａは、走査線３ａとの交差部においてＸ方向に突出した部分を有している。当該Ｘ方向に突出した部分に設けられたコンタクトホールＣＮＴ１によって第１ソース・ドレイン領域３０ｓと電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ１を含む部分がソース電極３１となっている。一方、第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部にもコンタクトホールＣＮＴ２が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２を含む部分がドレイン電極３２（図５参照）となっている。

図４（ｂ）に示すように、拡張部の一部と平面的に重なるようにコンタクト部ＣＮＴ４が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２とコンタクトホールＣＮＴ３とは島状に設けられた中継電極６ｂによって電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ３とコンタクト部ＣＮＴ４とは、保持容量１６の第２容量電極１６ｂによって中継されて電気的に接続されている。詳しいコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２，ＣＮＴ３およびコンタクト部ＣＮＴ４の構造については、後述する。

画素電極１５は、走査線３ａやデータ線６ａと外縁部が重なるように設けられており、本実施形態では走査線３ａと重なる位置に設けられたコンタクトホールＣＮＴ３とコンタクト部ＣＮＴ４とを介してドレイン電極３２に電気的に接続されている。

保持容量１６は、第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに対向配置された第２容量電極１６ｂとを有している。第１容量電極１６ａは、走査線３ａの拡張部と重なる部分と、該拡張部と重なった部分から走査線３ａの延在方向とデータ線６ａの延在方向とに延出された部分とを有しており、非開口領域（図３参照）に配置されている。走査線３ａの該拡張部と重なった部分のＸ方向の幅はデータ線６ａの延在方向に延出された部分よりも広く、走査線３ａの該拡張部と重なった部分のＹ方向の幅は走査線３ａの延在方向に延出された部分よりも広くなっている。

一方、第２容量電極１６ｂは、画素Ｐごとに独立して島状に設けられている。１つの画素Ｐを囲むようにして当該画素Ｐの第２容量電極１６ｂと隣り合う画素Ｐの第２容量電極１６ｂとが配置され、遮光性の非開口領域（図３参照）を構成している。

より具体的には、第２容量電極１６ｂは、データ線６ａと走査線３ａとの交差部における拡張部と平面的に重なる四角形部分１６ｂ１と、四角形部分１６ｂ１からデータ線６ａに沿ってＹ方向に突出した突出部１６ｂ２と、同じく四角形部分１６ｂ１から走査線３ａに沿って突出した突出部１６ｂ３とを有している。突出部１６ｂ３の一部はコンタクトホールＣＮＴ３と重なる位置まで突出し、コンタクトホールＣＮＴ３とコンタクト部ＣＮＴ４とを電気的に接続させる中継層としても機能している。四角形部分１６ｂ１において、第２容量電極１６ｂのＸ方向の幅は突出部１６ｂ２よりも広く、第２容量電極１６ｂのＹ方向の幅は突出部１６ｂ３よりも広くなっている。

次に、図５を参照して、画素Ｐの構造について、さらに詳しく説明する。図５に示すように、素子基板１０上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。

走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（下地絶縁膜）１１ａが形成され、第１絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、前述した第１ソース・ドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、第２ソース・ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造が形成されている。

半導体層３０ａを覆うように第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第２絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域３０ｃに対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。

ゲート電極３０ｇと第２絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第３絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。

そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第３絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域３０ｓに繋がるソース電極３１ならびにデータ線６ａが形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域３０ｄに繋がるドレイン電極３２（中継電極６ｂ）が形成される。

次に、データ線６ａおよび中継電極６ｂと第３絶縁膜１１ｃを覆って第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chamical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。

第１層間絶縁膜１２を覆うように導電膜が形成され、これをデータ線６ａに沿って複数の画素Ｐに跨るようにパターニングすることにより、第１容量電極１６ａが形成される。

第１容量電極１６ａのうち、後に形成される誘電体層１６ｃを介して第２容量電極１６ｂと対向する部分の外縁を覆うように第４絶縁膜１３が形成される。また、第４絶縁膜１３の形成時に、第１容量電極１６ａのうちコンタクト部ＣＮＴ４と重なる部分には柱状の絶縁部１３ｂが形成される。柱状の絶縁部１３ｂの詳しい形成方法は、後述する。

第４絶縁膜１３および柱状の絶縁部１３ｂを覆うと共に、第１容量電極１６ａの一部を覆って誘電体層１６ｃが成膜される。誘電体層１６ｃとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ₂）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。

平面的に中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２と第４絶縁膜１３と誘電体層１６ｃとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を被覆すると共に誘電体層１６ｃを覆う導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａに対向配置され、コンタクトホールＣＮＴ３を介して中継電極６ｂに繋がる第２容量電極１６ｂが形成される。
コンタクト部ＣＮＴ４は、第１容量電極１６ａ上に形成された柱状の絶縁部１３ｂと、誘電体層１６ｃを介して絶縁部１３ｂの頭頂部を含む表面を覆う第２容量電極１６ｂによって構成されている。

次に、第２容量電極１６ｂと誘電体層１６ｃとを覆う第２層間絶縁膜１４が形成される。第２層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、コンタクト部ＣＮＴ４の少なくとも頭頂部が形成面から突出して露出するように形成される。

第２層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクト部ＣＮＴ４を介して第２容量電極１６ｂと繋がる画素電極１５が形成される。これにより、画素電極１５のコンタクト部ＣＮＴ４と重なる部分には突出部１５ａが形成される。

上述したように第２容量電極１６ｂはコンタクトホールＣＮＴ３および中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０のドレイン電極３２と電気的に接続すると共に、コンタクト部ＣＮＴ４を介して画素電極１５と電気的に接続している。

第１容量電極１６ａの本線部は上述したようにデータ線６ａの延在方向（Ｙ方向）において複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図２参照）における容量線３ｂとしても機能している。これにより、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとの間において保持することができる。

第１容量電極１６ａは、例えば、低抵抗配線材料であるＡｌ（アルミニウム）を主成分とする合金からなる導電膜１６ａ１と、ＴｉＮ（窒化チタン）からなる導電性の保護膜１６ａ２とが積層されたものである。導電膜１６ａ１の厚みはおよそ３５０ｎｍ、保護膜１６ａ２の厚みはおよそ１５０ｎｍである。つまり、第１容量電極１６ａの厚みはおよそ５００ｎｍである。

第２容量電極１６ｂを構成する導電膜は、例えば、ＴｉＮを用いることができる。厚みはおよそ３００ｎｍである。

＜液晶装置の製造方法＞
次に、本実施形態の液晶装置１００の製造方法について、図６〜図８を参照して説明する。図６は液晶装置の製造方法を示すフローチャート、図７（ａ）〜（ｄ）および図８（ｅ）〜（ｈ）は液晶装置の製造方法を示す概略断面図である。なお、素子基板１０におけるＴＦＴ３０やこれに接続される各種信号線の形成や対向基板２０における見切り部２１や共通電極２３などの形成方法は、公知の方法を適用できる。したがって、本発明における特徴部分である素子基板１０側のコンタクト部ＣＮＴ４の形成方法を主体として説明する。なお、図７および図８の各概略断面図は、図４のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図に相当するものである。

図６に示すように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、第１容量電極形成工程（ステップＳ１）と、第４絶縁膜および絶縁部形成工程（ステップＳ２）と、誘電体層形成工程（ステップＳ３）と、コンタクトホール形成工程（ステップＳ４）と、第２容量電極形成工程（ステップＳ５）と、第２層間絶縁膜形成工程（ステップＳ６）と、画素電極形成工程（ステップＳ７）とを備えている。

ステップＳ１の第１容量電極形成工程では、図７（ａ）に示すように、素子基板１０においてＴＦＴ３０を覆って平坦化処理が施された第１層間絶縁膜１２上に第１容量電極１６ａを形成する。第１容量電極１６ａの形成方法は、まず、Ａｌを主成分とする合金からなる導電膜１６ａ１を成膜する。その膜厚はおよそ３５０ｎｍである。さらに、導電膜１６ａ１上に導電性のＴｉＮからなる保護膜１６ａ２を成膜する。その膜厚はおよそ１５０ｎｍである。導電膜１６ａ１と保護膜１６ａ２との積層体をパターニングして、第１容量電極１６ａを形成する。前述したように、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂとしても機能させるので、できる限り電気抵抗が低いことが好ましい。その点で、低抵抗金属材料のＡｌを主成分とする合金からなる導電膜１６ａ１を使うと共に、この後のフォトリソ工程において、導電膜１６ａ１が損傷しないように、ＴｉＮからなる保護膜１６ａ２で覆うことが好ましい。本工程では、導電膜１６ａ１と保護膜１６ａ２と積層してからパターニングしているが、先に導電膜１６ａ１をパターニングしてから保護膜１６ａ２を成膜してパターニングしてもよい。

ステップＳ２の第４絶縁膜および絶縁部形成工程では、まず、図７（ｂ）に示すように、第１容量電極１６ａを覆うように絶縁膜前駆体１３ａを成膜する。絶縁膜前駆体１３ａは、例えば酸化シリコンからなり、プラズマＣＶＤ法などを用いて例えば厚みが８００ｎｍ程度に成膜する。続いて、図７（ｃ）に示すように、第１容量電極１６ａ上に柱状の絶縁部１３ｂが残るように、成膜された絶縁膜前駆体１３ａをエッチングする。同時に、柱状の絶縁部１３ｂを除いた部分の膜厚が、例えば２００ｎｍ程度となるようにエッチングして第４絶縁膜１３を形成する。これにより、第４絶縁膜１３に一体形成された絶縁部１３ｂが形成される。さらに第４絶縁膜１３は、第１容量電極１６ａのうち後に誘電体層１６ｃを介して第２容量電極１６ｂと対向配置される部分の外縁部を覆うように形成され、第１容量電極１６ａ上において開口部１３ｃが形成される。これにより、第１容量電極１６ａに対向する第２容量電極１６ｂをパターニングして形成する際に、第１容量電極１６ａが外縁部側からエッチングされるなどの不具合を防止することができる。
本実施形態では、ドライエッチング法を用いて絶縁膜前駆体１３ａを選択的に６００ｎｍエッチングしたので、絶縁部１３ｂの断面形状は台形となっている。したがって、第１容量電極１６ａ上の絶縁部１３ｂの高さはおよそ６００ｎｍである。

ステップＳ３の誘電体層形成工程では、図７（ｄ）に示すように、第４絶縁膜１３や絶縁部１３ｂが形成された表面を覆うように誘電体層１６ｃを成膜する。本実施形態では、誘電体層１６ｃをアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）と酸化ハウニュウム（ＨｆＯ₂）とをこの順に積層させた多層膜とし、厚みはおよそ２０ｎｍ〜３０ｎｍとした。

ステップＳ４のコンタクトホール形成工程では、同じく図７（ｄ）に示すように、中継電極６ｂと重なる部分において第１層間絶縁膜１２と第４絶縁膜１３と誘電体層１６ｃとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ３を例えばドライエッチング法を用いて形成する。

ステップＳ５の第２容量電極形成工程では、図８（ｅ）に示すように、コンタクトホールＣＮＴ３を埋めると共に誘電体層１６ｃを覆うように例えばＴｉＮからなる導電膜を成膜してパターニングすることにより、第２容量電極１６ｂを島状に形成する。第２容量電極１６ｂの厚みはおよそ３００ｎｍである。第２容量電極１６ｂは誘電体層１６ｃを介して柱状の絶縁部１３ｂの頭頂部と側面部の少なくとも一部とを被覆すると共に、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２に中継電極６ｂを介して電気的に接続するように形成される。これにより、ドレイン電極３２に第２容量電極１６ｂが電気的に接続された保持容量１６が形成される。また、絶縁部１３ｂと誘電体層１６ｃと第２容量電極１６ｂとからなるコンタクト部ＣＮＴ４が形成される。

ステップＳ６の第２層間絶縁膜形成工程では、まず、図８（ｆ）に示すように、保持容量１６およびコンタクト部ＣＮＴ４が形成された素子基板１０の表面を覆うように層間絶縁膜前駆体１４ａを成膜する。層間絶縁膜前駆体１４ａは、例えば、耐湿性が向上するようにＢ（ボロン）が添加された酸化シリコン膜を、プラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する。膜厚はおよそ８００ｎｍ〜１０００ｎｍ（１μｍ）であり、柱状のコンタクト部ＣＮＴ４をほとんど覆い隠すように成膜される。

次に、柱状のコンタクト部ＣＮＴ４などを覆った層間絶縁膜前駆体１４ａの表面には凹凸が生ずるので、ＣＭＰ法などを用いて表面を平坦化処理する。

続いて、図８（ｇ）に示すように、平坦化処理された層間絶縁膜前駆体１４ａの表面を例えばドライエッチング法を用いてエッチングして、コンタクト部ＣＮＴ４の頭頂部を含む一部を露出させる。これにより、表面からコンタクト部ＣＮＴ４の一部が突出した第２層間絶縁膜１４が形成される。

ステップＳ７の画素電極形成工程では、図８（ｈ）に示すように、コンタクト部ＣＮＴ４を含む第２層間絶縁膜１４を覆って、例えばＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）を成膜してパターニングすることにより画素電極１５を形成する。画素電極１５の厚みはおよそ２０ｎｍ〜１５０ｎｍである。コンタクト部ＣＮＴ４と重なった画素電極１５の部分には突出部１５ａが形成される。この場合、画素電極１５の表面から突出した突出部１５ａの高さは、およそ２００ｎｍである。言い換えれば、エッチング後の表面からコンタクト部ＣＮＴ４の一部がおよそ２００ｎｍの高さで突出するように、層間絶縁膜前駆体１４ａの表面をエッチングする。

本実施形態の液晶装置１００における液晶層５０の厚みはおよそ２μｍであり、画素電極１５の突出部１５ａの高さ（２００ｎｍ）は、液晶層５０の厚みの１０％に相当する。
なお、画素電極１５の突出部１５ａの高さが、液晶層５０の厚みに対して、１０％以上、５０％以下となるように、コンタクト部ＣＮＴ４および第２層間絶縁膜１４を形成することが好ましい。これにより、画素電極１５の突出部１５ａが液晶層中における不純物の移動（拡散）を阻む機能が与えられると共に、突出部１５ａの付近において配向膜１８の形成不良による液晶分子の配向の乱れが顕著に発生することを抑制することができる。

また、本実施形態におけるコンタクト部ＣＮＴ４すなわち画素電極１５の突出部１５ａは、平面視でおよそ１辺が０．５μｍ〜０．６μｍの四角形である。不純物の移動（拡散）を阻害する目的では平面的な大きさができるだけ大きいことが好ましい。その一方で、突出部１５ａの付近における液晶分子の配向の乱れが表示に影響しない程度の大きさとすることが好ましい。

さらには、コンタクト部ＣＮＴ４すなわち画素電極１５の突出部１５ａの平面的な形状は、図３あるいは図４（ｂ）に示すように四角形であることに限定されない。パターニングによる平面形状の安定性を考慮すると円形や楕円形、あるいは四角形以上の多角形であってもよい。

以上に述べた前記実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶装置１００およびその製造方法において、画素電極１５をＴＦＴ３０のドレイン電極３２に電気的に接続させる柱状のコンタクト部ＣＮＴ４は、ＴＦＴ３０を覆う第１層間絶縁膜１２上に形成され、さらに第１層間絶縁膜１２を覆う第２層間絶縁膜１４の表面から一部が突出するように形成される。これにより、第２層間絶縁膜１４上に形成された画素電極１５にはコンタクト部ＣＮＴ４と重なる部分に液晶層５０側に突出する突出部１５ａが形成される。画素電極１５の表面から突出した突出部１５ａの高さは、液晶層５０の厚みの１０％以上、５０％以下であるため、突出部１５ａは液晶層中で不純物が移動（拡散）することを阻むと共に、突出部１５ａの付近で液晶分子の配向に乱れが顕著に発生することが抑制される。すなわち、液晶層中の不純物が移動（拡散）して画素領域Ｅの一部に偏在することに起因する焼き付きなどの表示不具合が改善された液晶装置１００を提供または製造することができる。
（２）コンタクト部ＣＮＴ４は、保持容量１６を形成する工程で用いられる部材を用いて形成され、第１容量電極１６ａ上に形成された柱状の絶縁部１３ｂと、誘電体層１６ｃを介して絶縁部１３ｂを覆う第２容量電極１６ｂとからなる。したがって、画素電極１５の表面に突出部１５ａを形成するために、新たな材料や工程などを導入しなくてもよい。すなわち、効率的にコンタクト部ＣＮＴ４を形成することができる。
（３）第２層間絶縁膜１４は、コンタクト部ＣＮＴ４を覆うように形成された層間絶縁膜前駆体１４ａを平坦化処理してからエッチングすることにより、コンタクト部ＣＮＴ４の一部が表面から突出するように形成される。言い換えれば、コンタクト部ＣＮＴ４の少なくとも一部をエッチング後の表面から所望の高さで突出させて形成することができる。また、第２層間絶縁膜１４上に形成される画素電極１５は突出部１５ａを除いた領域が平坦に形成される。それゆえに、画素電極１５上における凹凸に起因する液晶分子の配向の乱れが低減され、表示ムラが少ない表示品質を有する液晶装置１００を提供または製造することができる。
（４）コンタクト部ＣＮＴ４は、画素電極１５の外縁部と重なると共に非開口領域に配置されている。したがって、コンタクト部ＣＮＴ４によって形成された画素電極１５の突出部１５ａの付近における液晶分子の配向の乱れに起因する表示ムラが目立ち難い。

（第２実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図９を参照して説明する。図９は、電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図９に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、液晶層中の不純物の偏在に起因する焼き付きなどの表示不具合が改善された液晶装置１００を用いているので、高い信頼性と表示品質とが実現されている。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置１００および該液晶装置１００の製造方法ならびに該液晶装置１００を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）液晶装置１００におけるコンタクト部ＣＮＴ４の構成は、これに限定されない。図１０は変形例のコンタクト部を示す概略断面図である。例えば、図１０に示すように、第４絶縁膜１３と誘電体層１６ｃとを介して第１容量電極１６ａ上に形成された第２容量電極１６ｂに対して接触するように例えばＡｌなどからなる導電部材を柱状に形成し、これをコンタクト部１７とする。このような変形例のコンタクト部１７の形成方法としては、第２容量電極１６ｂを覆う第２層間絶縁膜１４にコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールを埋めるように上記導電部材からなる導電膜を成膜する。そして、該導電膜をパターニングして、第２層間絶縁膜１４の表面から突出するコンタクト部１７を形成する。さらに、コンタクト部１７と重なるように電極膜を成膜してパターニングすることにより画素電極１５を形成する。画素電極１５のコンタクト部１７と重なる部分には突出部１５ｂが形成される。なお、図１０では、第２層間絶縁膜１４に順テーパーの側壁を有するコンタクトホールを形成する関係で、コンタクト部１７が逆テーパー状となっている。
変形例のコンタクト部１７は、上記実施形態のコンタクト部ＣＮＴ４に比べて、新たに低抵抗な導電部材を用いる点でコストや生産性において劣っているものの、コンタクト部１７における接続抵抗を引き下げることができるという点で優れている。

（変形例２）柱状のコンタクト部ＣＮＴ４を有する液晶装置１００は、透過型であることに限定されない。例えば、光反射性を有する画素電極を用いれば、反射型の液晶装置においても適用することができる。なお、反射型の液晶装置の場合、素子基板１０は透明である必要ななく、不透明な例えばシリコン基板を用いることもできる。

（変形例３）誘電体層１６ｃは、柱状の絶縁部１３ｂが形成された素子基板１０の表面をすべて覆うように形成されることに限定されない。例えば、素子基板１０の表面をすべて覆ってから、保持容量１６を構成するために必要な第１容量電極１６ａの特定の部分だけを残して、他の部分を取り除いてもよい。これによれば、誘電体層１６ｃを介する場合に比べて、コンタクトホールＣＮＴ３の形成時に、誘電体層１６ｃをエッチングする必要がなく、コンタクトホールＣＮＴ３の内壁部分で誘電体層１６ｃが庇状になって第２容量電極１６ｂが段切れする危険性がなくなる。また、開口領域に残った誘電体層１６ｃは、開口領域を透過する光の透過率に悪影響を及ぼさないよう予め取り除いておくか、もしくは第２容量電極１６ｂを島状にパターニングする際に同時にエッチングして取り除いておくことが望ましい。

（変形例４）液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。

１０…基板としての素子基板、１２…第１層間絶縁膜、１３ｂ…絶縁部、１４…第２層間絶縁膜、１４ａ…層間絶縁膜前駆体、１５…画素電極、１５ａ，１５ｂ…突出部、１６ｂ…導電膜としての第２容量電極、１７…変形例のコンタクト部、３０…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、３０ａ…半導体層、３０ｄ…第２ソース・ドレイン領域、３０ｓ…第１ソース・ドレイン領域、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、ＣＮＴ４…コンタクト部。

Claims (8)

1. 基板上にトランジスターと、
   画素電極と、
   前記画素電極を前記トランジスターの半導体層における第１または第２ソース・ドレイン領域のいずれかに電気的に接続させる柱状のコンタクト部とを有し、
   前記コンタクト部は、前記画素電極の液晶層側の表面において突出部を形成していることを特徴とする液晶装置。
2. 前記コンタクト部は、柱状に形成された絶縁部と、前記絶縁部を覆う導電膜とからなり、
   前記導電膜が前記半導体層の前記第１または第２ソース・ドレイン領域のいずれか一方と前記画素電極とに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記画素電極の表面から突出した前記突出部の高さは、前記液晶層の厚みの１０％以上、５０％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 画素の開口領域を規定する遮光部を備え、
   前記画素電極は、前記開口領域と重なるように配置され、
   前記コンタクト部は、前記遮光部と平面的に重なるように配置されて、前記画素電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
5. 基板上にトランジスターと、画素電極とを有する液晶装置の製造方法であって、
   前記トランジスターの半導体層を覆う第１層間絶縁膜上に、前記半導体層の第１または第２ソース・ドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続された柱状のコンタクト部を形成する工程と、
   前記コンタクト部の少なくとも一部が表面から突出するように、前記第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、
   前記第２層間絶縁膜を覆うと共に、成膜後に前記コンタクト部と重なる部分が突出するように電極膜を成膜し、前記コンタクト部を含むように前記電極膜をパターニングして画素電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
6. 前記コンタクト部を形成する工程は、前記第１層間絶縁膜上に柱状の絶縁部を形成する工程と、
   前記絶縁部を被覆すると共に、前記半導体層の前記第１または第２ソース・ドレイン領域のいずれか一方に電気的に接続するように導電膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶装置の製造方法。
7. 前記第２層間絶縁膜を形成する工程は、前記コンタクト部を覆って層間絶縁膜前駆体を成膜する工程と、
   前記層間絶縁膜前駆体の表面を平坦化処理する工程と、
   平坦化処理された前記層間絶縁膜前駆体の表面をエッチングして、エッチング後の表面から前記コンタクト部の少なくとも一部を突出させる工程とを含むことを特徴とする請求項５または６に記載の液晶装置の製造方法。
8. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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