JP5831498B2 - Coil component and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、コイル部品およびその製造方法に関し、特に、平面コイル構造を有するコイル部品およびその製造方法に関するものである。
The present invention relates to a coil component and a manufacturing method thereof, and more particularly to a coil component having a planar coil structure and a manufacturing method thereof.

表面実装型のコイル部品には小型化および薄型化が可能な平面コイル構造が採用されている（例えば特許文献１参照）。平面コイル構造は、基板上に例えばスパイラル状の平面コイルパターンを形成したものである。近年の製造技術の進歩により、コイルパターンを非常に小型かつ狭ピッチにすることが可能となってきている。しかし、例えばコモンモードフィルタや電源用コイル（パワーインダクタ）にはその直流抵抗が低いことが求められており、コイルパターンの厚さが薄すぎると直流抵抗が増加するため、コイルパターンをできるだけ厚くして直流抵抗を低減することが望まれている。   The surface mount type coil component employs a planar coil structure that can be reduced in size and thickness (see, for example, Patent Document 1). In the planar coil structure, for example, a spiral planar coil pattern is formed on a substrate. Recent advances in manufacturing technology have made it possible to reduce the coil pattern to a very small and narrow pitch. However, for example, common mode filters and power supply coils (power inductors) are required to have low DC resistance. If the coil pattern is too thin, the DC resistance increases. Therefore, it is desired to reduce DC resistance.

従来、コイルパターンの形成にはいわゆるセミアディティブ法が好ましく採用されている。セミアディティブ法では下地面の全面に薄いシード層を予め形成し、その上にコイルパターンのネガパターンとなるレジストパターンを形成する。次に、シード層の露出面を電解めっきにより成長させて所定の厚さのコイルパターンを形成した後、レジストパターンを除去し、さらにコイルパターン間の余分なシード層をエッチングにより除去し、コイルパターンのみを残す。以上によりコイルパターンが完成する。多層コイル構造の場合、コイルパターンの上に絶縁層を形成した後、上記の工程を繰り返えせばよい。   Conventionally, a so-called semi-additive method is preferably employed for forming a coil pattern. In the semi-additive method, a thin seed layer is formed in advance on the entire base surface, and a resist pattern to be a negative pattern of the coil pattern is formed thereon. Next, the exposed surface of the seed layer is grown by electroplating to form a coil pattern having a predetermined thickness, and then the resist pattern is removed, and the excess seed layer between the coil patterns is removed by etching, and the coil pattern is removed. Leave only. Thus, the coil pattern is completed. In the case of a multilayer coil structure, the above process may be repeated after an insulating layer is formed on the coil pattern.

特開２００８−１８６９９０号公報JP 2008-186990 A

しかしながら、セミアディティブ法では液体の感光性樹脂をスピンコート法により塗布し、これを露光および現像してレジストパターンを形成しているため、レジストパターンを十分に厚く形成することが難しかった。したがって、例えば１００μｍ程度の非常に厚いコイルパターンを形成することが困難であった。   However, in the semi-additive method, a liquid photosensitive resin is applied by a spin coating method, and this is exposed and developed to form a resist pattern. Therefore, it has been difficult to form a sufficiently thick resist pattern. Therefore, it is difficult to form a very thick coil pattern of, for example, about 100 μm.

また、コイルパターンの底面はスパッタリング等で形成されたシード層からなり、下地面との密着性が高いが、コイルパターンの側面は電解めっきにより成長した部分からなり、当該コイルパターンを形成した後に形成された絶縁樹脂材料と接しているため、コイルパターンの側面と絶縁樹脂材料との密着性が悪いという問題がある。コイルパターンには大電流が流れるので発熱によって熱膨張しやすいが、コイルパターンの側面と絶縁樹脂材料との密着性が悪いとコイルパターンが熱膨張と収縮を繰り返したときに絶縁樹脂材料から剥離しやすく、コイルパターンと絶縁樹脂材料との隙間に水分が侵入してコイルパターンのマイグレーションが生じるおそれがある。このような問題はコイル導体の断面がハイアスペクトであるほど顕著である。   In addition, the bottom surface of the coil pattern is made of a seed layer formed by sputtering or the like and has high adhesion to the base surface, but the side surface of the coil pattern is made of a portion grown by electrolytic plating and is formed after the coil pattern is formed. Since it is in contact with the insulating resin material, there is a problem that the adhesion between the side surface of the coil pattern and the insulating resin material is poor. Since a large current flows through the coil pattern, it tends to thermally expand due to heat generation.However, if the adhesion between the side surface of the coil pattern and the insulating resin material is poor, the coil pattern peels off from the insulating resin material when it repeatedly expands and contracts. It is easy to cause migration of the coil pattern due to moisture entering the gap between the coil pattern and the insulating resin material. Such a problem becomes more prominent as the coil conductor has a higher aspect.

また、セミアディティブ法では、コイルパターンの形成時に使用したレジストパターンが除去され、コイルパターン間のスペースには新たな絶縁樹脂材料がスピンコート法により充填される。しかし、コイルパターンをハイアスペクトにするとその上方を覆う絶縁樹脂材料の上面の凹凸が激しくなり、多層コイル構造において上層のコイルパターンの加工精度が大幅に低下するという問題がある。   In the semi-additive method, the resist pattern used at the time of forming the coil pattern is removed, and a space between the coil patterns is filled with a new insulating resin material by a spin coating method. However, when the coil pattern is set to a high aspect, the unevenness of the upper surface of the insulating resin material that covers the coil pattern becomes severe, and there is a problem that the processing accuracy of the upper coil pattern in the multilayer coil structure is greatly reduced.

したがって、本発明の目的は、コイルパターンをハイアスペクトにしても熱剥離やマイグレーションを防止することができ、高性能で信頼性の高いコイル部品およびその製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a high-performance and highly reliable coil component and a method for manufacturing the same, which can prevent thermal peeling and migration even when the coil pattern has a high aspect.

また、本発明の他の目的は、ハイアスペクトなコイルパターンであっても上面の平坦性を確保することができ、コイル層を積み重ねやすいコイル部品およびその製造方法を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a coil component that can ensure flatness of the upper surface even with a high aspect coil pattern and that can easily stack coil layers, and a method for manufacturing the same.

上記課題を解決するため、本発明によるコイル部品は、少なくとも一つのコイル層を有し、前記コイル層は、開口パターンを有するフレーム層と、前記フレーム層と同一平面上に形成されたコイルパターンを含む導体層とを備え、前記開口パターンは、前記コイルパターンのネガパターンを含み、前記コイルパターンは、前記開口パターンの内部に形成されており、前記コイルパターンは、前記開口パターンの少なくとも内側側面を覆うシード層と、前記シード層の表面に設けられためっき層とを有することを特徴とする。   In order to solve the above problems, a coil component according to the present invention includes at least one coil layer, and the coil layer includes a frame layer having an opening pattern, and a coil pattern formed on the same plane as the frame layer. And the opening pattern includes a negative pattern of the coil pattern, the coil pattern is formed inside the opening pattern, and the coil pattern includes at least an inner side surface of the opening pattern. It has a seed layer to cover and a plating layer provided on the surface of the seed layer.

本発明によれば、コイルパターンのシード層がフレーム層の内側側面に接して設けられているので、フレーム層との接着力を高めることができる。したがって、コイルパターンをアイアスペクトにしても熱剥離やマイグレーションを防止することができ、高性能で信頼性の高いコイル部品を提供することができる。   According to the present invention, since the seed layer of the coil pattern is provided in contact with the inner side surface of the frame layer, the adhesive force with the frame layer can be increased. Therefore, even if the coil pattern is an eye aspect, thermal peeling and migration can be prevented, and a high-performance and highly reliable coil component can be provided.

本発明において、前記シード層は前記めっき層と異なる材料を含むことが好ましい。この場合、前記シード層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｎｉ又はＮｉＣｒからなる接着層と、前記接着層に重ねて設けられた前記めっき層と同一材料からなるめっき下地層とをこの順で形成してなる２層構造を有することが特に好ましい。このようなシード層を有するコイルパターンによれば、フレーム層との接着性を高めることができ、高性能で信頼性の高いコイル部品を実現することができる。   In the present invention, the seed layer preferably includes a material different from that of the plating layer. In this case, the seed layer includes an adhesive layer made of Cr, Ti, Ta, Pd, Ni or NiCr, and a plating base layer made of the same material as the plating layer provided to overlap the adhesive layer in this order. It is particularly preferable to have a two-layer structure formed. According to the coil pattern having such a seed layer, the adhesion with the frame layer can be improved, and a high-performance and highly reliable coil component can be realized.

前記コイルパターンの断面のアスペクト比は１以上であることが好ましい。また、前記開口パターンの前記内側側面を覆う前記シード層の高さは前記フレーム層の高さの半分以上であることが好ましい。コイルパターンのアスペクト比が１以上であれば小型で直流抵抗が低いコイルを実現できる反面、コイルパターンの熱剥離やマイグレーションが発生しやすい。しかし、上記構成によればかかる問題を解決することができ、シード層の高さがフレーム層の高さの半分以上であれば本発明におけるコイルパターンの側面とフレーム層との接着性を高める効果を確実に得ることができる。   The aspect ratio of the cross section of the coil pattern is preferably 1 or more. Moreover, it is preferable that the height of the seed layer covering the inner side surface of the opening pattern is not less than half of the height of the frame layer. If the aspect ratio of the coil pattern is 1 or more, a small coil having a low direct current resistance can be realized. However, thermal peeling and migration of the coil pattern are likely to occur. However, according to the above configuration, such a problem can be solved, and if the height of the seed layer is more than half the height of the frame layer, the effect of improving the adhesion between the side surface of the coil pattern and the frame layer in the present invention. Can be definitely obtained.

前記フレーム層は樹脂シートからなることが好ましい。コイルパターンをハイアスペクトにすると直流抵抗を低減でき、高性能なコイル部品を実現できるが、コイルパターンの熱剥離やマイグレーションが発生しやすい。さらに、スパイラルパターンの上面の凹凸が激しくなり、その上層にコイルパターンを積層する場合に下地面の平坦性の確保が難しい。しかし、フレーム層に樹脂シートを用いた場合にはかかる問題を容易に解決することができ、多層構造のコイル部品を容易に製造することができる。   The frame layer is preferably made of a resin sheet. When the coil pattern has a high aspect, the DC resistance can be reduced and a high-performance coil component can be realized, but the coil pattern is likely to be thermally peeled off or migrated. Further, the unevenness of the upper surface of the spiral pattern becomes severe, and it is difficult to ensure the flatness of the base surface when the coil pattern is laminated on the upper layer. However, when a resin sheet is used for the frame layer, such a problem can be easily solved, and a coil component having a multilayer structure can be easily manufactured.

前記開口パターンの平面形状はスパイラルパターンを含み、前記コイルパターンはスパイラル導体を含むことが好ましい。コイルパターンがハイアスペクトなスパイラル導体である場合、熱剥離やマイグレーションの問題が発生しやすい。さらに、スパイラルパターンの上面の凹凸が激しくなり、その上層にコイルパターンを積層する場合にその下地面の平坦性の確保が難しい。しかし、本発明によればかかる問題を解決することができ、信頼性の高いコイル部品を実現することができる。   Preferably, the planar shape of the opening pattern includes a spiral pattern, and the coil pattern includes a spiral conductor. When the coil pattern is a high-aspect spiral conductor, problems such as thermal peeling and migration are likely to occur. Furthermore, the unevenness of the upper surface of the spiral pattern becomes severe, and when the coil pattern is laminated on the upper layer, it is difficult to ensure the flatness of the underlying surface. However, according to the present invention, such a problem can be solved, and a highly reliable coil component can be realized.

前記開口パターンの前記内側側面は、前記フレーム層の積層方向の下方から上方に向かって開口幅が狭くなるように傾斜した逆テーパー形状を有することが好ましい。この構成によれば、コイルパターンのシード層がフレーム層の内側側面に接して設けられた構造のコイル部品を例えばイオンミリング法を用いて容易に製造することができる。   It is preferable that the inner side surface of the opening pattern has a reverse taper shape that is inclined so that the opening width becomes narrower from the lower side to the upper side in the stacking direction of the frame layer. According to this configuration, a coil component having a structure in which the seed layer of the coil pattern is provided in contact with the inner side surface of the frame layer can be easily manufactured using, for example, an ion milling method.

本発明によるコイル部品は、複数の前記コイル層の積層構造を有することが好ましい。コイルパターンがハイアスペクトである場合、スパイラルパターンの上面の凹凸が激しくなり、その上層にコイルパターンを積層する場合に下地面の平坦性の確保が難しい。しかし、本発明によればかかる問題を解決することができ、信頼性の高いコイル部品を実現することができる。   The coil component according to the present invention preferably has a laminated structure of a plurality of the coil layers. When the coil pattern has a high aspect, unevenness on the upper surface of the spiral pattern becomes severe, and when the coil pattern is laminated on the upper layer, it is difficult to ensure the flatness of the base surface. However, according to the present invention, such a problem can be solved, and a highly reliable coil component can be realized.

また、本発明によるコイル部品の製造方法は、フレーム層を形成する工程と、前記フレーム層と同一平面上にコイルパターンを含む導体層を形成する工程とを備え、前記フレーム層を形成する工程は、樹脂シートを貼り付ける工程と、前記樹脂シートに前記コイルパターンのネガパターンを含む開口パターンを形成する工程とを含み、前記導体層を形成する工程は、前記開口パターンが形成された前記樹脂シートの全面にシード層を形成する工程と、前記樹脂シートの上面に形成されたシード層を選択的に除去し、当該シード層を前記開口パターンの少なくとも内側側面に残す工程と、電解めっきにより前記シード層上にめっき層を形成して前記開口の内部に前記シード層と前記めっき層からなる前記導体層を形成する工程とを含むことを特徴とする。   The coil component manufacturing method according to the present invention includes a step of forming a frame layer, and a step of forming a conductor layer including a coil pattern on the same plane as the frame layer, and the step of forming the frame layer includes: A step of affixing a resin sheet and a step of forming an opening pattern including a negative pattern of the coil pattern on the resin sheet, wherein the step of forming the conductor layer includes the resin sheet on which the opening pattern is formed. Forming a seed layer on the entire surface, selectively removing the seed layer formed on the upper surface of the resin sheet, leaving the seed layer on at least the inner side surface of the opening pattern, and electroplating the seed. Forming a plating layer on the layer and forming the seed layer and the conductor layer made of the plating layer inside the opening. To.

本発明によれば、樹脂シートをコイル間絶縁材料（永久材）として用いるので、ハイアスペクトなコイルパターンを確実に形成することができ、またコイルパターンとフレーム層との密着性を高めることができる。また、樹脂シートを用いることでコイルパターンの上面の平坦性を高めることができ、その上層に積み上げられるコイルパターンの加工精度を高めることができる。したがって、多層構造のコイル部品の信頼性を高めることができる。   According to the present invention, since the resin sheet is used as the inter-coil insulating material (permanent material), a high aspect coil pattern can be reliably formed, and the adhesion between the coil pattern and the frame layer can be improved. . Moreover, the flatness of the upper surface of a coil pattern can be improved by using a resin sheet, and the processing precision of the coil pattern piled up on the upper layer can be improved. Therefore, the reliability of the multilayered coil component can be increased.

前記樹脂シートの上面に形成されたシード層を選択的に除去する工程においては、当該シード層を前記開口パターンの前記内側側面及び底面に残すことが好ましい。これによれば、開口パターンの内部にコイル層を確実に形成することができる。   In the step of selectively removing the seed layer formed on the upper surface of the resin sheet, the seed layer is preferably left on the inner side surface and the bottom surface of the opening pattern. According to this, the coil layer can be reliably formed inside the opening pattern.

本発明において、前記コイルパターンの断面のアスペクト比は１以上であることが好ましい。また、前記樹脂シートの上面に形成されたシード層を選択的に除去する工程は、イオンの出射方向に対して前記フレーム層の上面を斜めに傾けた状態でイオンミリングすることにより行うことが好ましい。これによれば、ハイアスペクトなコイルパターンを有する多層構造のコイル部品を容易に製造することができる。   In the present invention, the aspect ratio of the cross section of the coil pattern is preferably 1 or more. Further, the step of selectively removing the seed layer formed on the upper surface of the resin sheet is preferably performed by ion milling in a state where the upper surface of the frame layer is obliquely inclined with respect to the ion emission direction. . According to this, a multilayered coil component having a high aspect coil pattern can be easily manufactured.

本発明によれば、コイルパターンをハイアスペクトにしても熱剥離やマイグレーションを防止することができ、高性能で信頼性の高いコイル部品およびその製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、ハイアスペクトなコイルパターンであっても上面の平坦性を確保することができ、コイル層を積み重ねやすいコイル部品およびその製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if a coil pattern is made into a high aspect, thermal peeling and migration can be prevented, and a high performance and highly reliable coil component and its manufacturing method can be provided. In addition, according to the present invention, it is possible to provide a coil component and a method of manufacturing the same that can ensure flatness of the upper surface even with a high aspect coil pattern and can easily stack coil layers.

図１は、本発明の第１の実施の形態によるコイル部品１の外観構造を示す略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an external structure of a coil component 1 according to a first embodiment of the present invention. 図２は、コイル部品１の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。FIG. 2 is a schematic exploded perspective view showing the layer structure of the coil component 1 in detail. 図３は、機能層１１の略側面断面図であるである。FIG. 3 is a schematic side sectional view of the functional layer 11. 図４は、本発明の第１の実施の形態によるコイル部品１の製造方法を模式的に示す略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view schematically showing the method for manufacturing the coil component 1 according to the first embodiment of the present invention. 図５は、コイル部品１の製造工程の一工程である、斜めミリング法を説明するための模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the oblique milling method, which is one step of the manufacturing process of the coil component 1. 図６は、本発明の第２の実施の形態によるコイル部品１の製造方法を模式的に示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a method for manufacturing the coil component 1 according to the second embodiment of the present invention. 図７は、本発明の第２の実施の形態によるコイル部品２の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。FIG. 7 is a schematic exploded perspective view showing in detail the layer structure of the coil component 2 according to the second embodiment of the present invention. 図８は、本発明の第３の実施の形態によるコイル部品３の層構造を詳細に示す略断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing in detail the layer structure of the coil component 3 according to the third embodiment of the present invention.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１は、本発明の第１の実施の形態によるコイル部品１の外観構造を示す略斜視図である。   FIG. 1 is a schematic perspective view showing an external structure of a coil component 1 according to a first embodiment of the present invention.

図１に示すように、本実施形態によるコイル部品１は４端子構造を有するコモンモードフィルタであって、基板１０と、基板１０の上面に設けられた機能層１１と、機能層１１の上面に設けられた第１〜第４バンプ電極１２ａ〜１２ｄと、バンプ電極１２ａ〜１２ｄの形成位置を除いた機能層１１の上面に設けられたカバー層１３とを備えている。   As shown in FIG. 1, the coil component 1 according to the present embodiment is a common mode filter having a four-terminal structure, and includes a substrate 10, a functional layer 11 provided on the upper surface of the substrate 10, and an upper surface of the functional layer 11. The first to fourth bump electrodes 12a to 12d are provided, and the cover layer 13 is provided on the upper surface of the functional layer 11 excluding the formation positions of the bump electrodes 12a to 12d.

図示のように、コイル部品１は略直方体状の表面実装型チップ部品であり、上面１ａ、底面１ｂ、Ｘ方向と平行な２つの側面１ｃ，１ｄ、Ｙ方向と平行な２つの側面１ｅ，１ｆを有している。なお、図１のコイル部品１は実装面が上向きの状態であり、実装時には上下反転し、バンプ電極１２ａ〜１２ｄ側を下向きにして使用される。   As shown in the figure, the coil component 1 is a substantially rectangular parallelepiped surface-mounted chip component, and includes an upper surface 1a, a bottom surface 1b, two side surfaces 1c and 1d parallel to the X direction, and two side surfaces 1e and 1f parallel to the Y direction. have. The coil component 1 in FIG. 1 has a mounting surface facing upward, and is turned upside down during mounting, and is used with the bump electrodes 12a to 12d facing downward.

基板１０は、コイル部品１の機械的強度を確保する役割を果たすものである。基板１０の材料としては例えば焼結フェライト等の磁性セラミック材料を用いてもよく、アルミナや非磁性フェライト等の非磁性セラミック材料を用いてもよい。磁性セラミック材料を用いた場合には基板１０をコイル素子の閉磁路として機能させることができる。特に限定されるものではないが、チップサイズが０．６５×０．５０×０．３０（ｍｍ）であるとき、基板１０の厚さは０．２ｍｍ程度とすることができる。   The substrate 10 plays a role of ensuring the mechanical strength of the coil component 1. As the material of the substrate 10, for example, a magnetic ceramic material such as sintered ferrite may be used, or a nonmagnetic ceramic material such as alumina or nonmagnetic ferrite may be used. When the magnetic ceramic material is used, the substrate 10 can function as a closed magnetic path of the coil element. Although not particularly limited, when the chip size is 0.65 × 0.50 × 0.30 (mm), the thickness of the substrate 10 can be about 0.2 mm.

機能層１１は、基板１０とカバー層１３との間に設けられたコイル素子を含む層である。詳細は後述するが、機能層１１は絶縁層と導体層とを交互に積層してなる多層構造を有している。このように、本実施形態によるコイル部品１はいわゆる薄膜タイプであって、磁性コアに導線を巻回した構造を有する巻線タイプとは区別されるものである。   The functional layer 11 is a layer including a coil element provided between the substrate 10 and the cover layer 13. As will be described in detail later, the functional layer 11 has a multilayer structure in which insulating layers and conductor layers are alternately laminated. Thus, the coil component 1 according to the present embodiment is a so-called thin film type, and is distinguished from a winding type having a structure in which a conductive wire is wound around a magnetic core.

第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄは、コイル素子の外部端子電極である。第１および第２のバンプ電極１２ａ、１２ｂはコイル部品１の上面１ａと一方の側面１ｃに露出面を有するＬ字電極を構成しており、第３および第４のバンプ電極１２ｃ、１２ｄはコイル部品１の上面１ａと反対側の側面１ｄに露出面を有するＬ字電極を構成している。   The first to fourth bump electrodes 12a to 12d are external terminal electrodes of the coil element. The first and second bump electrodes 12a and 12b constitute L-shaped electrodes having exposed surfaces on the upper surface 1a and one side surface 1c of the coil component 1, and the third and fourth bump electrodes 12c and 12d are coils. An L-shaped electrode having an exposed surface on the side surface 1d opposite to the upper surface 1a of the component 1 is configured.

カバー層１３は、コイル部品１の実装面を構成する層であり、基板１０と共に機能層１１を機械的および電気的に保護する。ただし、カバー層１３の機械的強度は基板１０よりも小さいため、強度面では補助的な役割を果たすものである。さらにカバー層１３は、第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄを機械的に支持する役割を果たす。カバー層１３としては、フェライト粉を含有するエポキシ樹脂（複合フェライト）を用いてもよく、フェライト粉を含有しないエポキシ樹脂を用いてもよい。複合フェライトを用いた場合にはカバー層１３をコイル部品１の閉磁路として機能させることができる。   The cover layer 13 is a layer constituting the mounting surface of the coil component 1, and mechanically and electrically protects the functional layer 11 together with the substrate 10. However, since the mechanical strength of the cover layer 13 is lower than that of the substrate 10, it plays an auxiliary role in terms of strength. Further, the cover layer 13 serves to mechanically support the first to fourth bump electrodes 12a to 12d. As the cover layer 13, an epoxy resin (composite ferrite) containing ferrite powder may be used, or an epoxy resin not containing ferrite powder may be used. When composite ferrite is used, the cover layer 13 can function as a closed magnetic circuit of the coil component 1.

図２は、コイル部品１の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。   FIG. 2 is a schematic exploded perspective view showing the layer structure of the coil component 1 in detail.

図２に示すように、機能層１１は、基板１０からカバー層１３に向かって順に積層された絶縁層１５ａ〜１５ｅと、絶縁層１５ａ〜１５ｄ上にそれぞれ形成されたフレーム層１６ａ〜１６ｄと、フレーム層１６ａとともに絶縁層１５ａ上に形成された第１のスパイラル導体１９を含む導体層１７ａと、フレーム層１６ｂとともに絶縁層１５ｂ上に形成された第２のスパイラル導体２０を含む導体層１７ｂと、フレーム層１６ｃとともに絶縁層１５ｃ上に形成された第３のスパイラル導体２１を含む導体層１７ｃと、フレーム層１６ｄとともに絶縁層１５ｄ上に形成された第４のスパイラル導体２２を含む導体層１７ｄとを備えている。   As shown in FIG. 2, the functional layer 11 includes insulating layers 15 a to 15 e stacked in order from the substrate 10 toward the cover layer 13, and frame layers 16 a to 16 d formed on the insulating layers 15 a to 15 d, respectively. A conductor layer 17a including a first spiral conductor 19 formed on the insulating layer 15a together with the frame layer 16a; a conductor layer 17b including a second spiral conductor 20 formed on the insulating layer 15b together with the frame layer 16b; A conductor layer 17c including the third spiral conductor 21 formed on the insulating layer 15c together with the frame layer 16c, and a conductor layer 17d including the fourth spiral conductor 22 formed on the insulating layer 15d together with the frame layer 16d. I have.

絶縁層１５ａ〜１５ｅは、異なる導体層に設けられた導体パターン間を絶縁すると共に、導体パターンが形成される下地面の平坦性を確保する役割を果たす。特に、絶縁層１５ａは、基板１０の表面の凹凸を吸収し、導体パターンの加工精度を高める役割を果たす。絶縁層１５ａ〜１５ｅの材料としては、電気的絶縁性に優れ、加工が容易な感光性樹脂を用いることが好ましく、特に限定されるものではないが、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いることができる。絶縁層の厚さは５〜１０μｍであることが好ましい。   The insulating layers 15a to 15e serve to insulate conductor patterns provided in different conductor layers and ensure the flatness of the base surface on which the conductor patterns are formed. In particular, the insulating layer 15a plays a role of absorbing irregularities on the surface of the substrate 10 and improving the processing accuracy of the conductor pattern. As a material of the insulating layers 15a to 15e, it is preferable to use a photosensitive resin that is excellent in electrical insulation and easy to process, and is not particularly limited, but a polyimide resin or an epoxy resin can be used. The thickness of the insulating layer is preferably 5 to 10 μm.

フレーム層１６ａ〜１６ｄは、同一平面上に形成される導体パターンと同一形状の開口パターン（ネガパターン）を有する絶縁樹脂層である。フレーム層１６ａ〜１６ｄは、導体パターンの側面を支持する役割を果たすものであり、そのため導体パターン間の隙間を埋めるように設けられている。フレーム層１６ａ〜１６ｄの材料としては、電気的絶縁性に優れ、加工が容易な感光性樹脂シートを用いることが好ましく、特に限定されるものではないが、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いることができる。フレーム層１６ａ〜１６ｄの厚さは例えば１００μｍとすることができる。   The frame layers 16a to 16d are insulating resin layers having an opening pattern (negative pattern) having the same shape as a conductor pattern formed on the same plane. The frame layers 16a to 16d play a role of supporting the side surfaces of the conductor patterns, and are therefore provided to fill the gaps between the conductor patterns. The material of the frame layers 16a to 16d is preferably a photosensitive resin sheet that is excellent in electrical insulation and easy to process, and is not particularly limited, but a polyimide resin or an epoxy resin can be used. . The thickness of the frame layers 16a to 16d can be set to 100 μm, for example.

絶縁層１５ａ上には第１のスパイラル導体１９とともに第１の引き出し導体２３および内部端子電極２９ａ〜２９ｄが設けられており、絶縁層１５ｂ上には第２のスパイラル導体２０とともに第２の引き出し導体２４および内部端子電極２９ａ〜２９ｄが設けられている。絶縁層１５ｃ上には第３のスパイラル導体２１とともに第３の引き出し導体２５および内部端子電極２９ａ〜２９ｄが設けられており、絶縁層１５ｄ上には第４のスパイラル導体２２とともに第４の引き出し導体２６および内部端子電極２９ａ〜２９ｄが設けられている。内部端子電極２９ａ〜２９ｄは、絶縁層１５ｂ〜１５ｅを貫通するように設けられたスルーホール電極である。   A first lead conductor 23 and internal terminal electrodes 29 a to 29 d are provided on the insulating layer 15 a together with the first spiral conductor 19, and a second lead conductor together with the second spiral conductor 20 is provided on the insulating layer 15 b. 24 and internal terminal electrodes 29a to 29d are provided. A third lead conductor 25 and internal terminal electrodes 29a to 29d are provided on the insulating layer 15c together with the third spiral conductor 21, and a fourth lead conductor is provided together with the fourth spiral conductor 22 on the insulating layer 15d. 26 and internal terminal electrodes 29a to 29d are provided. The internal terminal electrodes 29a to 29d are through-hole electrodes provided so as to penetrate the insulating layers 15b to 15e.

第１のスパイラル導体１９の外周端は第１の引き出し導体２３を介して第１の内部端子電極２９ａに接続されており、第２のスパイラル導体２０の外周端は第２の引き出し導体２４を介して第３の内部端子電極２９ｃに接続されている。さらに、第１および第２のスパイラル導体１９，２０の内周端どうしは絶縁層１５ｂを貫通する第１のスルーホール導体２７を介して互いに接続されている。そのため、第１および第２のスパイラル導体１９，２０は２つのコイルの直列回路からなる単一のインダクタを構成している。   The outer peripheral end of the first spiral conductor 19 is connected to the first internal terminal electrode 29 a via the first lead conductor 23, and the outer peripheral end of the second spiral conductor 20 is connected to the second lead conductor 24. Connected to the third internal terminal electrode 29c. Furthermore, the inner peripheral ends of the first and second spiral conductors 19 and 20 are connected to each other via a first through-hole conductor 27 that penetrates the insulating layer 15b. Therefore, the first and second spiral conductors 19 and 20 constitute a single inductor composed of a series circuit of two coils.

第３のスパイラル導体２１の外周端は第３の引き出し導体２５を介して第２の内部端子電極２９ｂに接続されており、第４のスパイラル導体２２の外周端は第４の引き出し導体２６を介して第４の内部端子電極２９ｄに接続されている。さらに、第３および第４のスパイラル導体２１，２２の内周端どうしは絶縁層１５ｄを貫通する第２のスルーホール導体２８を介して互いに接続されている。そのため、第３および第４のスパイラル導体２１，２２は２つのコイルの直列回路からなる単一のインダクタを構成している。   The outer peripheral end of the third spiral conductor 21 is connected to the second internal terminal electrode 29 b via the third lead conductor 25, and the outer peripheral end of the fourth spiral conductor 22 is connected to the fourth lead conductor 26. Connected to the fourth internal terminal electrode 29d. Furthermore, the inner peripheral ends of the third and fourth spiral conductors 21 and 22 are connected to each other via a second through-hole conductor 28 that penetrates the insulating layer 15d. Therefore, the third and fourth spiral conductors 21 and 22 constitute a single inductor composed of a series circuit of two coils.

第１〜第４のスパイラル導体１９〜２２は実質的に同一の平面形状を有しており、しかも平面視で同じ位置に設けられて互いに重なり合っている。第１のスパイラル導体１９はその外周端から内周端に向かって時計回りであり、第２のスパイラル導体２０は逆にその内周端から外周端に向かって時計回りであるので、内部端子電極２９ａから内部端子電極２９ｃに電流を流すとき、第１および第２のスパイラル導体１９、２０にそれぞれ流れる電流により発生する磁束の向きは同じになる。同様に、内部端子電極２９ｂから内部端子電極２９ｄに電流を流すとき、第３および第４のスパイラル導体２１，２２にそれぞれ流れる電流により発生する磁束の向きは互いに同じになり、さらに上記第１および第２のスパイラル導体１９、２０による磁束の向きとも同じになる。したがって、第１〜第４のスパイラル導体１９〜２２間には強い磁気結合が生じている。   The first to fourth spiral conductors 19 to 22 have substantially the same planar shape, and are provided at the same position in plan view and overlap each other. Since the first spiral conductor 19 is clockwise from the outer peripheral end to the inner peripheral end, and the second spiral conductor 20 is conversely clockwise from the inner peripheral end to the outer peripheral end, the internal terminal electrode When a current flows from 29a to the internal terminal electrode 29c, the directions of magnetic fluxes generated by the currents flowing through the first and second spiral conductors 19 and 20 are the same. Similarly, when a current is passed from the internal terminal electrode 29b to the internal terminal electrode 29d, the directions of magnetic fluxes generated by the currents flowing in the third and fourth spiral conductors 21 and 22 are the same, and the first and The direction of the magnetic flux by the second spiral conductors 19 and 20 is also the same. Therefore, strong magnetic coupling is generated between the first to fourth spiral conductors 19 to 22.

第１〜第４のスパイラル導体１９〜２２の外形は円形スパイラルである。円形スパイラル導体は高周波での減衰が少ないため、高周波用インダクタンスとして好ましく用いることができる。なお、スパイラル導体は真円であってもよく、長円であってもよく、楕円であってもよい。また、略矩形であってもかまわない。なお、第１〜第４のスパイラル導体１９〜２２の上下方向の位置関係は特に限定されず、例えば第１および第２のスパイラル導体１９，２０を第３および第４のスパイラル導体２１，２２よりも上層に配置してもかまわない。   The outer shapes of the first to fourth spiral conductors 19 to 22 are circular spirals. Since the circular spiral conductor has little attenuation at high frequency, it can be preferably used as an inductance for high frequency. The spiral conductor may be a perfect circle, an ellipse, or an ellipse. Further, it may be substantially rectangular. The vertical positional relationship of the first to fourth spiral conductors 19 to 22 is not particularly limited. For example, the first and second spiral conductors 19 and 20 are connected to the third and fourth spiral conductors 21 and 22. May also be arranged in the upper layer.

絶縁層１５ｄ上には第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄがそれぞれ設けられている。第１〜第４のバンプ電極１２ａ〜１２ｄは内部端子電極２９ａ〜２９ｄにそれぞれ接続されている。なお、本明細書において「バンプ電極」とは、フリップチップボンダーを用いてＣｕ，Ａｕ等の金属ボールを熱圧着することにより形成されるものとは異なり、めっき処理により形成された厚膜めっき電極を意味する。特に限定されるものではないが、バンプ電極の材料としてはＣｕを用いることが好ましい。バンプ電極の厚さは、カバー層１３の厚さと同等かそれ以上であり、０．０８〜０．１ｍｍ程度とすることができる。   First to fourth bump electrodes 12a to 12d are provided on the insulating layer 15d, respectively. The first to fourth bump electrodes 12a to 12d are connected to the internal terminal electrodes 29a to 29d, respectively. In the present specification, the “bump electrode” is a thick film plating electrode formed by a plating process, different from the one formed by thermocompression bonding of metal balls such as Cu and Au using a flip chip bonder. Means. Although not particularly limited, Cu is preferably used as a material for the bump electrode. The thickness of the bump electrode is equal to or greater than the thickness of the cover layer 13 and can be about 0.08 to 0.1 mm.

図３は、図２のＹ０−Ｙ０線に沿った機能層１１の側面断面図である。 FIG. 3 is a side cross-sectional view of the functional layer 11 taken along line Y 0 -Y 0 in FIG.

図３に示すように、機能層１１は、第１〜第４のコイル層１４ａ〜１４ｄをこの順で積層してなる多層構造を有しており、第１のコイル層１４ａは絶縁層１５ａ、フレーム層１６ａおよび導体層１７ａからなり、第２のコイル層１４ｂは絶縁層１５ｂ、フレーム層１６ｂおよび導体層１７ｂからなり、第３のコイル層１４ｃは絶縁層１５ｃ、フレーム層１６ｃおよび導体層１７ｃからなり、第４のコイル層１４ｄは絶縁層１５ｄ、フレーム層１６ｄおよび導体層１７ｄからなる。   As shown in FIG. 3, the functional layer 11 has a multilayer structure in which the first to fourth coil layers 14a to 14d are laminated in this order, and the first coil layer 14a includes the insulating layer 15a, The second coil layer 14b is composed of the insulating layer 15b, the frame layer 16b and the conductor layer 17b, and the third coil layer 14c is composed of the insulating layer 15c, the frame layer 16c and the conductor layer 17c. The fourth coil layer 14d is composed of an insulating layer 15d, a frame layer 16d, and a conductor layer 17d.

第１〜第４の絶縁層１５ａ〜１５ｄの上面にはフレーム層１６ａ〜１６ｄがそれぞれ設けられており、フレーム層１６ａ〜１６ｄには開口パターン１８ａ〜１８ｄがそれぞれ形成されている。開口パターン１８ａ〜１８ｄは第１〜第４のスパイラル導体１９〜２１等の導体パターンのネガパターンであり、開口パターン１８ａ〜１８ｄの内部に導体層１７ａ〜１７ｄの導体パターンが形成されている。   Frame layers 16a to 16d are respectively provided on the top surfaces of the first to fourth insulating layers 15a to 15d, and opening patterns 18a to 18d are formed in the frame layers 16a to 16d, respectively. The opening patterns 18a to 18d are negative patterns of conductor patterns such as the first to fourth spiral conductors 19 to 21 and the conductor patterns 17a to 17d are formed inside the opening patterns 18a to 18d.

第２のスパイラル導体２０の内周端は、絶縁層１５ｂを貫通するスルーホール導体２７を介して第１のスパイラル導体１９の内周端に接続されており、第４のスパイラル導体２２の内周端は、第４の絶縁層１５ｄを貫通するスルーホール導体２８を介して第３のスパイラル導体２１の内周端に接続されている。導体層１７ｂ〜１７ｄの内部端子電極２９ａ〜２９ｄはその下地面を構成する絶縁層１５ｂ〜１５ｄを貫通して下層の内部端子電極２９ａ〜２９ｄに接続されており、さらにバンプ電極１２ａ〜１２ｄは第５の絶縁層１５ｅを貫通して対応する内部端子電極２９ａ〜２９ｄにそれぞれ接続されている。   The inner peripheral end of the second spiral conductor 20 is connected to the inner peripheral end of the first spiral conductor 19 through a through-hole conductor 27 that penetrates the insulating layer 15b. The end is connected to the inner peripheral end of the third spiral conductor 21 through a through-hole conductor 28 that penetrates the fourth insulating layer 15d. The internal terminal electrodes 29a to 29d of the conductor layers 17b to 17d pass through the insulating layers 15b to 15d constituting the underlying surface and are connected to the lower internal terminal electrodes 29a to 29d, and the bump electrodes 12a to 12d are 5 are connected to the corresponding internal terminal electrodes 29a to 29d through the insulating layer 15e.

直流抵抗を低減するため、第１〜第４のスパイラル導体１９〜２２はできるだけ厚いほうがよく、その断面のアスペクト比は１以上であることが好ましい。具体的には、スパイラル導体の厚さを１００μｍとし、幅を２０μｍとすることができる。アスペクト比が高いスパイラル導体を高精度に形成するためには、直立するスパイラル導体の側面がしっかりと支持されている必要があり、本実施形態ではスパイラル導体１９〜２２の側面がフレーム層１６ａ〜１６ｄよって支持されている。   In order to reduce DC resistance, the first to fourth spiral conductors 19 to 22 should be as thick as possible, and the cross-sectional aspect ratio is preferably 1 or more. Specifically, the thickness of the spiral conductor can be 100 μm and the width can be 20 μm. In order to form a spiral conductor having a high aspect ratio with high accuracy, the side surfaces of the upright spiral conductor must be firmly supported. In this embodiment, the side surfaces of the spiral conductors 19 to 22 are the frame layers 16a to 16d. Therefore, it is supported.

スパイラル導体１９〜２２を含む各導体層１７ａ〜１７ｄの導体パターンは、シード層３０とめっき層３１の積層構造を有し、シード層３０は開口パターン１８ａ〜１８ｄの底面のみならず内側側面も覆っている。シード層３０はその下地面に密着する緻密な導体層であるため、下地面との密着性が高く、導体パターンの熱剥離やマイグレーションが生じにくい。   The conductor pattern of each of the conductor layers 17a to 17d including the spiral conductors 19 to 22 has a laminated structure of the seed layer 30 and the plating layer 31, and the seed layer 30 covers not only the bottom surfaces of the opening patterns 18a to 18d but also the inner side surfaces. ing. Since the seed layer 30 is a dense conductor layer that is in close contact with the underlying surface, the seed layer 30 has high adhesiveness with the underlying surface and is less likely to cause thermal peeling or migration of the conductor pattern.

以上説明したように、本実施形態によるコイル部品１は、スパイラル導体１９〜２２を含む導体パターンがシード層３０とめっき層３１からなり、シード層３０は開口パターンの底面と内側側面の両方を覆っているので、アスペクト比が高いスパイラル導体１９〜２２を容易に形成することができる。また、導体パターンのマイグレーションや熱剥離の問題がなく、高性能で信頼性の高いコイル部品を実現することができる。   As described above, in the coil component 1 according to the present embodiment, the conductor pattern including the spiral conductors 19 to 22 includes the seed layer 30 and the plating layer 31, and the seed layer 30 covers both the bottom surface and the inner side surface of the opening pattern. Therefore, the spiral conductors 19 to 22 having a high aspect ratio can be easily formed. In addition, there is no problem of conductor pattern migration or thermal separation, and a high-performance and highly reliable coil component can be realized.

次にコイル部品１の製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the coil component 1 is demonstrated.

図４は、コイル部品１の製造方法を説明するための略断面図である。なお、図４では説明の便宜上、１つのコイル部品だけを示しているが、実際の製造では一枚の大きな集合基板上に複数個のコイル部品を同時に形成する量産工程が採られる。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing the coil component 1. In FIG. 4, only one coil component is shown for convenience of explanation, but in actual manufacturing, a mass production process of simultaneously forming a plurality of coil components on one large collective substrate is adopted.

コイル部品１の製造では、まず基板１０を用意し（図４（ａ））、基板１０の上面に機能層１１を形成する（図４（ｂ）〜（ｉ））。機能層１１はいわゆる薄膜工法によって形成される。薄膜工法とは、感光性樹脂を塗布し、これを露光および現像して絶縁層を形成した後、絶縁層の表面に導体パターンを形成する工程を繰り返すことにより、絶縁層および導体層が交互に形成された多層膜を形成する方法である。本実施形態による機能層１１は、第１〜第５の絶縁層１５ａ〜１５ｅと第１〜第４の導体層１７ａ〜１７ｄとをこの順で交互に積層したものである。さらに本実施形態では、第１〜第４の導体層１７ａ〜１７ｄと同一平面上にコイル間絶縁材料（永久材）としての第１〜第４のフレーム層１６ａ〜１６ｄがそれぞれ形成される。   In manufacturing the coil component 1, first, the substrate 10 is prepared (FIG. 4A), and the functional layer 11 is formed on the upper surface of the substrate 10 (FIGS. 4B to 4I). The functional layer 11 is formed by a so-called thin film construction method. The thin film method is to apply a photosensitive resin, expose and develop this to form an insulating layer, and then repeat the process of forming a conductor pattern on the surface of the insulating layer, so that the insulating layer and the conductive layer are alternately formed. This is a method of forming a formed multilayer film. The functional layer 11 according to the present embodiment is formed by alternately stacking first to fifth insulating layers 15a to 15e and first to fourth conductor layers 17a to 17d in this order. Further, in the present embodiment, the first to fourth frame layers 16a to 16d as the inter-coil insulating material (permanent material) are formed on the same plane as the first to fourth conductor layers 17a to 17d, respectively.

機能層１１の形成工程では、まず基板１０の上面の全面に絶縁層１５ａを形成する（図４（ｂ））。絶縁層１５ａは感光性樹脂をスピンコート法により塗布し、露光することにより形成することができる。   In the step of forming the functional layer 11, first, an insulating layer 15a is formed on the entire upper surface of the substrate 10 (FIG. 4B). The insulating layer 15a can be formed by applying a photosensitive resin by spin coating and exposing.

次に、絶縁層１５ａの上面にフレーム層１６ａを形成する（図４（ｃ））。フレーム層１６ａは感光性樹脂シートを貼り付けることにより形成することが好ましい。これによれば十分な厚さのフレーム層を形成することができ、またその上面の平坦性を高めることができる。   Next, the frame layer 16a is formed on the upper surface of the insulating layer 15a (FIG. 4C). The frame layer 16a is preferably formed by attaching a photosensitive resin sheet. According to this, a sufficiently thick frame layer can be formed, and the flatness of the upper surface can be improved.

次に、フレーム層１６ａを露光および現像することにより開口パターン１８ａを形成する（図４（ｄ））。この開口パターン１８ａは、絶縁層１５ａ上に形成されるスパイラル導体１９、引き出し導体２３、内部端子電極２９ａ〜２９ｄを含む導体パターンのネガパターンである。   Next, the opening pattern 18a is formed by exposing and developing the frame layer 16a (FIG. 4D). The opening pattern 18a is a negative pattern of a conductor pattern including a spiral conductor 19, a lead conductor 23, and internal terminal electrodes 29a to 29d formed on the insulating layer 15a.

次に、パターニングされたフレーム層１６ａの全面にシード層３０を形成する（図４（ｅ））。シード層３０はスパッタリングまたは無電解めっきにより形成することができる。シード層３０はＣｒからなる接着層と、Ｃｕからなるめっき下地層をこの順で成膜してなる２層膜（Ｃｕ／Ｃｒ膜）であることが好ましい。この場合、Ｃｒ膜およびＣｕ膜の厚さはそれぞれ１０ｎｍ（１００Å）および１００ｎｍ（１０００Å）とすることができる。Ｃｒの代わりにＴｉ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｎｉ、ＮｉＣｒ等を用いてもよい。この工程により、シード層３０はフレーム層１６ａの上面Ｓａのみならず開口パターン１８ａの底面Ｓｂや内側側面Ｓｃにも形成される。   Next, the seed layer 30 is formed on the entire surface of the patterned frame layer 16a (FIG. 4E). The seed layer 30 can be formed by sputtering or electroless plating. The seed layer 30 is preferably a two-layer film (Cu / Cr film) in which an adhesive layer made of Cr and a plating base layer made of Cu are formed in this order. In this case, the thicknesses of the Cr film and the Cu film can be 10 nm (100 Å) and 100 nm (1000 Å), respectively. Ti, Ta, Pd, Ni, NiCr or the like may be used instead of Cr. By this step, the seed layer 30 is formed not only on the upper surface Sa of the frame layer 16a but also on the bottom surface Sb and the inner side surface Sc of the opening pattern 18a.

次に、フレーム層１６ａの上面Ｓａに形成されたシード層３０だけを選択的に除去し、フレーム層１６ａの上面Ｓａを露出させる（図４（ｆ））。この工程は例えばシード層３０が形成されたフレーム層１６ａの上面Ｓａのみを化学的に研磨することにより行ってもよく、あるいは斜めミリング法により行ってもよい。斜めミリング法は図５に示すように、破線の矢印で示すアルゴンイオンの出射方向に対して被研磨面を垂直ではなく斜めに傾けてミリングする方法である。その際、被研磨面の研磨量が面内で均一になるように被研磨面を自転させることが好ましい。斜めミリング法によれば、開口パターン１８ａの内側側面Ｓｃを覆うシード層３０の上端部がわずかに除去されるものの、内側側面Ｓｃの大部分と底面Ｓｂにシード層３０を残すことができる。特にアスペクト比が高い導体パターンにおいてその効果が顕著である。   Next, only the seed layer 30 formed on the upper surface Sa of the frame layer 16a is selectively removed to expose the upper surface Sa of the frame layer 16a (FIG. 4F). This step may be performed, for example, by chemically polishing only the upper surface Sa of the frame layer 16a on which the seed layer 30 is formed, or may be performed by an oblique milling method. As shown in FIG. 5, the oblique milling method is a method in which the surface to be polished is tilted obliquely rather than perpendicularly to the argon ion emission direction indicated by the dashed arrow. At that time, it is preferable to rotate the surface to be polished so that the polishing amount of the surface to be polished becomes uniform in the surface. According to the oblique milling method, although the upper end portion of the seed layer 30 covering the inner side surface Sc of the opening pattern 18a is slightly removed, the seed layer 30 can be left on most of the inner side surface Sc and the bottom surface Sb. The effect is particularly remarkable in a conductor pattern having a high aspect ratio.

開口パターン１８ａの内側側面Ｓｃを覆うシード層３０の高さは、フレーム層１６ａの高さの半分以上であれば良い。シード層３０の高さがフレーム層１６ａの高さの半分以上であれば、スパイラル導体１９の側面とフレーム層１６ａとの接着性を高める効果を確実に得ることができる。 The height of the seed layer 30 covering the inner side surface Sc of the opening pattern 18a may be not less than half the height of the frame layer 16a. If the height of the seed layer 30 is not less than half the height of the frame layer 16a, the effect of improving the adhesion between the side surface of the spiral conductor 19 and the frame layer 16a can be obtained with certainty.

次に、電解銅めっきによりシード層３０上にＣｕからなるめっき層３１を形成し、これにより開口パターン１８ａの内部のシード層３０とめっき層３１からなる導体層１７ａを形成する（図４（ｇ））。導体層１７ａの導体パターンは第１のスパイラル導体１９、第１の引き出し導体２３および第１〜第４の内部端子電極を含むことが好ましい。導体層１７ａの厚さは約１００μｍであることが好ましい。また、第１のスパイラル導体の線幅が例えば１０μｍ程度であり、そのアスペクト比は非常に高いが、第１のスパイラル導体の側面はフレーム層によって支持されているので、アスペクト比が高いスパイラル導体を確実に形成することができる。   Next, a plating layer 31 made of Cu is formed on the seed layer 30 by electrolytic copper plating, thereby forming a conductor layer 17a made of the seed layer 30 and the plating layer 31 inside the opening pattern 18a (FIG. 4G )). The conductor pattern of the conductor layer 17a preferably includes a first spiral conductor 19, a first lead conductor 23, and first to fourth internal terminal electrodes. The thickness of the conductor layer 17a is preferably about 100 μm. Further, the line width of the first spiral conductor is, for example, about 10 μm and its aspect ratio is very high. However, since the side surface of the first spiral conductor is supported by the frame layer, a spiral conductor having a high aspect ratio is used. It can be reliably formed.

次に、フレーム層１６ａおよび導体層１７ａからなる下地層の上面に絶縁層１５ｂを形成するとともに、絶縁層１５ｂを貫通するスルーホールを形成する（図４（ｈ））。スルーホールを有する絶縁層１５ｂは、感光性樹脂をスピンコート法により塗布し、これを露光および現像することにより形成することができる。   Next, the insulating layer 15b is formed on the upper surface of the base layer composed of the frame layer 16a and the conductor layer 17a, and a through-hole penetrating the insulating layer 15b is formed (FIG. 4H). The insulating layer 15b having a through hole can be formed by applying a photosensitive resin by a spin coating method, and exposing and developing it.

その後、フレーム層の形成から絶縁層の形成までの一連の工程（図４（ｃ）〜（ｈ））を繰り返すことにより、フレーム層１６ｂ、導体層１７ｂ、絶縁層１５ｃ、フレーム層１６ｃ、導体層１７ｃ、絶縁層１５ｄ、フレーム層１６ｄ、導体層１７ｄおよび絶縁層１５ｅを順に形成する（図４（ｉ））。以上により、機能層１１が完成する。   Thereafter, by repeating a series of steps (FIGS. 4C to 4H) from formation of the frame layer to formation of the insulating layer, the frame layer 16b, the conductor layer 17b, the insulating layer 15c, the frame layer 16c, and the conductor layer 17c, insulating layer 15d, frame layer 16d, conductor layer 17d, and insulating layer 15e are formed in this order (FIG. 4 (i)). Thus, the functional layer 11 is completed.

次に、機能層１１の上面にバンプ電極１２ａ〜１２ｄおよびカバー層１３を形成する。バンプ電極１２ａ〜１２ｄはセミアディティブ法により形成することができる。またカバー層１３は樹脂ペーストを充填し、硬化させることにより形成することができる。その後、ダイシング、バレル研磨、バレルめっき等の所定の工程を経てコイル部品１が完成する。   Next, bump electrodes 12 a to 12 d and a cover layer 13 are formed on the upper surface of the functional layer 11. The bump electrodes 12a to 12d can be formed by a semi-additive method. The cover layer 13 can be formed by filling a resin paste and curing it. Thereafter, the coil component 1 is completed through predetermined processes such as dicing, barrel polishing, and barrel plating.

以上説明したように、本実施形態によるコイル部品１の製造方法によれば、コイルパターンをめっき成長させる際に用いるフレーム層の材料として樹脂シートを用いるので、ハイアスペクトなコイルパターンを確実に形成することができる。また、導体パターンを電解めっきにより形成した後もフレーム層をコイル間絶縁材料（永久材）としてそのまま使用するので、開口パターンの底面と内側側面の両方にシード層を形成することができ、コイルパターンとフレーム層との密着性を高めることができる。また、樹脂シートを用いることでハイアスペクトなコイルパターンの上面の平坦性を高めることができ、その上層に積み上げられるコイルパターンの加工精度を高めることができる。したがって、多層構造のコイル部品の信頼性を高めることができる。   As described above, according to the method for manufacturing the coil component 1 according to the present embodiment, since the resin sheet is used as the material of the frame layer used when the coil pattern is plated and grown, the high aspect coil pattern is reliably formed. be able to. In addition, since the frame layer is used as an inter-coil insulating material (permanent material) even after the conductor pattern is formed by electrolytic plating, a seed layer can be formed on both the bottom surface and the inner side surface of the opening pattern. And the frame layer can be improved in adhesion. Moreover, the flatness of the upper surface of a high aspect coil pattern can be improved by using a resin sheet, and the processing precision of the coil pattern piled up on the upper layer can be improved. Therefore, the reliability of the multilayered coil component can be increased.

図６は、本発明の第２の実施の形態によるコイル部品１の製造方法を示す略断面図である。   FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing the coil component 1 according to the second embodiment of the present invention.

図６に示すように、本実施形態によるコイル部品１の製造方法の特徴は、露光時の光の回り込みを利用して開口パターン１８ａ（及び１８ｂ〜１８ｄ）の内側側面が逆テーパー形状となるように形成する点にある。図６（ａ）に示すように、フォトマスク４１を通過した光源４０からの光はわずかに回り込んでフレーム層１６ａ上に照射される。このフレーム層１６ａを現像することにより、図６（ｂ）に示すように、フレーム層１６ａにはその積層方向の下方から上方に向かって開口幅が狭くなるように傾斜した逆テーパー形状の内側側面を有する開口パターン１８ａが形成される。なお、積層方向の下方から上方に向かう方向とは積層方向の順方向であって、フレーム層と垂直な方向のうち基板１０から離れる方向をいう。   As shown in FIG. 6, the feature of the manufacturing method of the coil component 1 according to the present embodiment is that the inner side surfaces of the opening patterns 18a (and 18b to 18d) have a reverse taper shape by utilizing the wraparound of light at the time of exposure. The point is to form. As shown in FIG. 6A, the light from the light source 40 that has passed through the photomask 41 slightly wraps around and is irradiated onto the frame layer 16a. By developing the frame layer 16a, as shown in FIG. 6B, the frame layer 16a has an inversely tapered inner side surface that is inclined so that the opening width becomes narrower from the bottom to the top in the stacking direction. An opening pattern 18a having the following is formed. The direction from the lower side to the upper side in the stacking direction is the forward direction of the stacking direction, and is the direction away from the substrate 10 in the direction perpendicular to the frame layer.

その後、図６（ｃ）に示すように、開口パターン１８ａが形成されたフレーム層１６ａの全面にシード層３０を形成し、さらに図６（ｄ）で示すように、フレーム層１６ａの上面に形成されたシード層３０を除去する。このとき、フレーム層１６ａの上面を矢印で示すアルゴンイオンの入射方向と垂直に向けてイオンミリングを実施する。開口パターン１８ａの内側側面が下端から上端に向かって開口幅が狭くなるように傾斜した逆テーパー形状を有するので、開口パターン１８ａの内側側面はアルゴンイオンの入射方向に対する影となる。したがって、開口パターン１８ａの内側側面に形成されたシード層３０は除去されず、フレーム層１６ａの上面と開口パターン１８ａの底面に形成されたシード層３０のみが除去される。   Thereafter, as shown in FIG. 6C, the seed layer 30 is formed on the entire surface of the frame layer 16a on which the opening pattern 18a is formed, and further formed on the upper surface of the frame layer 16a as shown in FIG. 6D. The seed layer 30 is removed. At this time, ion milling is performed with the upper surface of the frame layer 16a being perpendicular to the incident direction of argon ions indicated by arrows. Since the inner side surface of the opening pattern 18a has a reverse taper shape so that the opening width becomes narrower from the lower end toward the upper end, the inner side surface of the opening pattern 18a becomes a shadow with respect to the incident direction of the argon ions. Therefore, the seed layer 30 formed on the inner side surface of the opening pattern 18a is not removed, and only the seed layer 30 formed on the upper surface of the frame layer 16a and the bottom surface of the opening pattern 18a is removed.

このように、シード層３０が開口パターン１８ａの底面に形成されず内側側面にのみ形成される場合であっても、開口パターン１８ａの内部に形成された導体パターンは、シード層３０を介して開口パターン１８ａの内側側面と密着しているので、熱剥離等を抑制することができる。以上はコイル層１４ａの説明であるが、コイル層１４ｂ〜１４ｄについても同様である。   Thus, even when the seed layer 30 is formed only on the inner side surface and not on the bottom surface of the opening pattern 18a, the conductor pattern formed inside the opening pattern 18a is opened via the seed layer 30. Since it is in close contact with the inner side surface of the pattern 18a, thermal peeling or the like can be suppressed. The above is the description of the coil layer 14a, but the same applies to the coil layers 14b to 14d.

図７は、本発明の第２の実施の形態によるコイル部品２の層構造を詳細に示す略分解斜視図である。   FIG. 7 is a schematic exploded perspective view showing in detail the layer structure of the coil component 2 according to the second embodiment of the present invention.

図７に示すように、本実施形態によるコイル部品２は２端子構造を有する電源用コイルであり、第１および第２のバンプ電極１２ａ，１２ｃを備えるものである。絶縁層１５ａ〜１５ｅ、フレーム層１６ａ〜１６ｄ、導体層１７ａ〜１７ｄの基本的な構成は第１の実施形態と同じであるが、第１〜第４のスパイラル導体１９〜２２は直列に接続されて単一のインダクタを構成している点が第１の実施形態と異なっている。   As shown in FIG. 7, the coil component 2 according to the present embodiment is a power supply coil having a two-terminal structure, and includes first and second bump electrodes 12a and 12c. The basic configurations of the insulating layers 15a to 15e, the frame layers 16a to 16d, and the conductor layers 17a to 17d are the same as those of the first embodiment, but the first to fourth spiral conductors 19 to 22 are connected in series. This is different from the first embodiment in that a single inductor is configured.

第１のスパイラル導体１９の外周端は第１の引き出し導体２３を介して第１の内部端子電極２９ａに接続されており、第４のスパイラル導体２２の外周端は第４の引き出し導体２６を介して第２の内部端子電極２９ｃに接続されている。第１および第２のスパイラル導体１９，２０の内周端どうしは絶縁層１５ｂを貫通する第１のスルーホール導体２７を介して互いに接続されている。第３および第４のスパイラル導体２１，２２の内周端どうしは絶縁層１５ｄを貫通する第２のスルーホール導体２８を介して互いに接続されている。さらに、第２および第３のスパイラル導体２０、２１の外周端どうしは絶縁層１５ｃを貫通する第３のスルーホール導体３２を介して互いに接続されている。そのため、第１、第２、第３および第４のスパイラル導体１９，２０，２１，２２は４つのコイルの直列回路からなる単一のインダクタを構成している。第１の内部端子電極２９ａは第１のバンプ電極１２ａに接続されており、第２の内部端子電極２９ｃは第２のバンプ電極１２ｃに絶属されている。   The outer peripheral end of the first spiral conductor 19 is connected to the first internal terminal electrode 29 a via the first lead conductor 23, and the outer peripheral end of the fourth spiral conductor 22 is connected via the fourth lead conductor 26. Connected to the second internal terminal electrode 29c. The inner peripheral ends of the first and second spiral conductors 19 and 20 are connected to each other through a first through-hole conductor 27 that penetrates the insulating layer 15b. The inner peripheral ends of the third and fourth spiral conductors 21 and 22 are connected to each other through a second through-hole conductor 28 that penetrates the insulating layer 15d. Furthermore, the outer peripheral ends of the second and third spiral conductors 20 and 21 are connected to each other via a third through-hole conductor 32 that penetrates the insulating layer 15c. Therefore, the first, second, third and fourth spiral conductors 19, 20, 21, and 22 constitute a single inductor composed of a series circuit of four coils. The first internal terminal electrode 29a is connected to the first bump electrode 12a, and the second internal terminal electrode 29c is completely disconnected from the second bump electrode 12c.

第１〜第４のスパイラル導体１９〜２２は平面視で同じ位置に設けられて互いに重なり合っている。第１のスパイラル導体１９はその外周端から内周端に向かって時計回りであり、第２のスパイラル導体２０は逆にその内周端から外周端に向かって時計回りであり、第３のスパイラル導体２１はその外周端から内周端に向かって時計回りであり、第４のスパイラル導体２２は逆にその内周端から外周端に向かって時計回りである。そのため、内部端子電極２９ａから内部端子電極２９ｃに電流を流すとき、第１〜第４のスパイラル導体１９〜２２にそれぞれ流れる電流により発生する磁束の向きは同じになる。したがって、第１〜第４のスパイラル導体１９〜２２間には強い磁気結合が生じている。   The first to fourth spiral conductors 19 to 22 are provided at the same position in plan view and overlap each other. The first spiral conductor 19 is clockwise from the outer peripheral end to the inner peripheral end, and the second spiral conductor 20 is conversely clockwise from the inner peripheral end to the outer peripheral end. The conductor 21 is clockwise from the outer peripheral end toward the inner peripheral end, and the fourth spiral conductor 22 is conversely clockwise from the inner peripheral end toward the outer peripheral end. Therefore, when a current is passed from the internal terminal electrode 29a to the internal terminal electrode 29c, the directions of magnetic flux generated by the currents flowing through the first to fourth spiral conductors 19 to 22 are the same. Therefore, strong magnetic coupling is generated between the first to fourth spiral conductors 19 to 22.

本実施形態においても、第１〜第４の絶縁層１５ａ〜１５ｄの上面にはフレーム層１６ａ〜１６ｄが設けられており、フレーム層１６ａ〜１６ｄには開口パターン１８ａ〜１８ｄがそれぞれ形成されている。そしてスパイラル導体１９〜２２を含む各導体層１７ａ〜１７ｄの導体パターンは、シード層３０とめっき層３１の積層構造を有し、シード層３０は開口パターン１８ａ〜１８ｄの底面のみならず内側側面も覆っている（図３参照）。シード層３０はその下地面に密着する緻密な導体層であるため、下地面との密着性が高く、導体パターンの熱剥離やマイグレーションが生じにくい。したがって、アスペクト比が高いスパイラル導体１９〜２２を容易に形成することができる。また、導体パターンのマイグレーションや熱剥離の問題がなく、高性能で信頼性の高いコイル部品を実現することができる。   Also in this embodiment, frame layers 16a to 16d are provided on the top surfaces of the first to fourth insulating layers 15a to 15d, and opening patterns 18a to 18d are formed in the frame layers 16a to 16d, respectively. . The conductor pattern of each of the conductor layers 17a to 17d including the spiral conductors 19 to 22 has a laminated structure of the seed layer 30 and the plating layer 31, and the seed layer 30 has not only the bottom surface of the opening patterns 18a to 18d but also the inner side surface. It covers (see FIG. 3). Since the seed layer 30 is a dense conductor layer that is in close contact with the underlying surface, the seed layer 30 has high adhesiveness with the underlying surface and is less likely to cause thermal peeling or migration of the conductor pattern. Therefore, the spiral conductors 19 to 22 having a high aspect ratio can be easily formed. In addition, there is no problem of conductor pattern migration or thermal separation, and a high-performance and highly reliable coil component can be realized.

本実施形態によるコイル部品２は、図４〜図６に示した製造方法で製造することができる。すなわち、コイル部品２の製造では、コイルパターンをめっき成長させる際に用いるフレーム層の材料として樹脂シートを用いるので、ハイアスペクトなコイルパターンを確実に形成することができる。また、導体パターンを電解めっきにより形成した後もフレーム層をコイル間絶縁材料（永久材）としてそのまま使用するので、開口パターンの底面と内側側面の両方にシード層を形成することができ、コイルパターンとフレーム層との密着性を高めることができる。また、樹脂シートを用いることでハイアスペクトなコイルパターンの上面の平坦性を高めることができ、その上層に積み上げられるコイルパターンの加工精度を高めることができる。したがって、多層構造のコイル部品の信頼性を高めることができる。   The coil component 2 according to the present embodiment can be manufactured by the manufacturing method shown in FIGS. That is, in the manufacture of the coil component 2, since the resin sheet is used as the material of the frame layer used when the coil pattern is plated and grown, a high aspect coil pattern can be reliably formed. In addition, since the frame layer is used as an inter-coil insulating material (permanent material) even after the conductor pattern is formed by electrolytic plating, a seed layer can be formed on both the bottom surface and the inner side surface of the opening pattern. And the frame layer can be improved in adhesion. Moreover, the flatness of the upper surface of a high aspect coil pattern can be improved by using a resin sheet, and the processing precision of the coil pattern piled up on the upper layer can be improved. Therefore, the reliability of the multilayered coil component can be increased.

図８は、本発明の第３の実施の形態によるコイル部品３の層構造を詳細に示す略断面図である。   FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing in detail the layer structure of the coil component 3 according to the third embodiment of the present invention.

図８に示すように、本実施形態によるコイル部品３の特徴は、第１〜第４のスパイラル導体１９〜２２の内側の中空部を貫通する磁性コア３３を備えている点にある。磁性コア３３は、フレーム層１６ａ〜１６ｄ並びに絶縁層１５ｂ〜１５ｅを貫通するように設けられている。このような磁性コア３３が設けられている場合には、第１〜第４のスパイラル導体１９〜２２のインダクタンスを高めることができ、より高性能なコイル部品を提供することができる。   As shown in FIG. 8, the coil component 3 according to the present embodiment is characterized in that it includes a magnetic core 33 that penetrates the hollow portion inside the first to fourth spiral conductors 19 to 22. The magnetic core 33 is provided so as to penetrate the frame layers 16a to 16d and the insulating layers 15b to 15e. When such a magnetic core 33 is provided, the inductance of the first to fourth spiral conductors 19 to 22 can be increased, and a higher-performance coil component can be provided.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Needless to say, it is included in the range.

例えば、上記実施形態ではコイルパターンとしてスパイラル導体を例に挙げたが、例えばミアンダパターン等の他のコイルパターンを用いてもよい。また、上記のコイル部品１は４層のコイル層を有する多層コイル構造であるが、コイル層の総数は特に限定されず、５層以上であってもよく３層以下であってもよく、単層コイル構造であってもよい。ただし、本発明は多層コイル構造において有利な効果を発揮することができる。   For example, in the above embodiment, the spiral conductor is taken as an example of the coil pattern, but other coil patterns such as a meander pattern may be used. The coil component 1 has a multilayer coil structure having four coil layers. However, the total number of coil layers is not particularly limited, and may be five or more, three or less, A layer coil structure may be used. However, the present invention can exhibit advantageous effects in the multilayer coil structure.

また、上記実施形態では、絶縁層１５ａの上面にフレーム層１６ａを形成しているが、絶縁層１５ａを省略し、フレーム層１６ａおよび導体層１７ａを基板１０の上面にそれらを直接形成することも可能である。   In the above embodiment, the frame layer 16a is formed on the upper surface of the insulating layer 15a. However, the insulating layer 15a may be omitted, and the frame layer 16a and the conductor layer 17a may be directly formed on the upper surface of the substrate 10. Is possible.

１ コイル部品
１ａ コイル部品の上面
１ｂ コイル部品の底面
１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ コイル部品の側面
１０ 基板
１１ 機能層
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ バンプ電極
１３ カバー層
１４ａ コイル層
１４ｂ コイル層
１４ｃ コイル層
１４ｄ コイル層
１５ａ 絶縁層
１５ｂ 絶縁層
１５ｃ 絶縁層
１５ｄ 絶縁層
１５ｅ 絶縁層
１６ａ フレーム層
１６ｂ フレーム層
１６ｃ フレーム層
１６ｄ フレーム層
１７ａ 導体層
１７ｂ 導体層
１７ｃ 導体層
１７ｄ 導体層
１８ａ〜１８ｄ 開口パターン
１９ スパイラル導体
２０ スパイラル導体
２１ スパイラル導体
２２ スパイラル導体
２３ 引き出し導体
２４ 引き出し導体
２５ 引き出し導体
２６ 引き出し導体
２７ スルーホール導体
２８ スルーホール導体
２９ａ 内部端子電極
２９ｂ 内部端子電極
２９ｃ 内部端子電極
２９ｄ 内部端子電極
３０ シード層
３１ めっき層
３２ スルーホール導体
３３ 磁性コア
Ｓａ フレーム層の上面
Ｓｂ 開口パターンの底面
Ｓｃ 開口パターンの内側側面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Coil component 1a Coil component upper surface 1b Coil component bottom surface 1c, 1d, 1e, 1f Coil component side surface 10 Board | substrate 11 Functional layer 12a, 12b, 12c, 12d Bump electrode 13 Cover layer 14a Coil layer 14b Coil layer 14c Coil layer 14d Coil layer 15a Insulating layer 15b Insulating layer 15c Insulating layer 15d Insulating layer 15e Insulating layer 16a Frame layer 16b Frame layer 16c Frame layer 16d Frame layer 17a Conductive layer 17b Conductive layer 17c Conductive layer 17d Conductive layers 18a to 18d Opening pattern 19 Spiral conductor 20 spiral conductor 21 spiral conductor 22 spiral conductor 23 lead conductor 24 lead conductor 25 lead conductor 26 lead conductor 26 lead conductor 27 through hole conductor 28 through hole conductor 29a internal terminal electrode 29b internal terminal electrode 29c internal terminal Electrode 29d internal terminal electrodes 30 inside the side surface of the bottom Sc aperture pattern of the upper surface Sb opening pattern of the seed layer 31 plated layer 32 through-hole conductors 33 magnetic core Sa frame layer

Claims (11)

少なくとも一つのコイル層を有するコイル部品であって、
前記コイル層は、
開口パターンを有するフレーム層と、
前記フレーム層と同一平面上に形成されたコイルパターンを含む導体層とを備え、
前記開口パターンは、前記コイルパターンのネガパターンを含み、
前記コイルパターンは、前記開口パターンの内部に形成されており、
前記コイルパターンは、
前記開口パターンの少なくとも内側側面を覆うシード層と、
前記シード層の表面に設けられためっき層とを有し、
前記開口パターンの前記内側側面を覆う前記シード層の高さは前記フレーム層の高さの半分以上であり且つ前記フレーム層の高さよりも低いことを特徴とするコイル部品。 A coil component having at least one coil layer,
The coil layer is
A frame layer having an opening pattern;
A conductor layer including a coil pattern formed on the same plane as the frame layer,
The opening pattern includes a negative pattern of the coil pattern,
The coil pattern is formed inside the opening pattern,
The coil pattern is
A seed layer covering at least the inner side surface of the opening pattern;
A plating layer provided on the surface of the seed layer ,
The coil component, wherein a height of the seed layer covering the inner side surface of the opening pattern is at least half of a height of the frame layer and lower than a height of the frame layer . 前記シード層は前記めっき層と異なる材料を含む、請求項１に記載のコイル部品。   The coil component according to claim 1, wherein the seed layer includes a material different from that of the plating layer. 前記シード層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｎｉ又はＮｉＣｒからなる接着層と、前記接着層に重ねて設けられた前記めっき層と同一材料からなるめっき下地層とをこの順で形成してなる２層構造を有する、請求項１又は２に記載のコイル部品。   The seed layer includes an adhesive layer made of Cr, Ti, Ta, Pd, Ni, or NiCr and a plating base layer made of the same material as the plating layer provided to overlap the adhesive layer in this order. The coil component according to claim 1, which has a two-layer structure. 前記コイルパターンの断面のアスペクト比は１以上である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコイル部品。   The coil component according to any one of claims 1 to 3, wherein an aspect ratio of a cross section of the coil pattern is 1 or more. 前記フレーム層は樹脂シートからなる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のコイル部品。 The coil component according to any one of claims 1 to 4 , wherein the frame layer is made of a resin sheet. 前記開口パターンの平面形状はスパイラルパターンを含み、
前記コイルパターンはスパイラル導体を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のコイル部品。 The planar shape of the opening pattern includes a spiral pattern,
The coil pattern includes a spiral conductor coil component according to any one of claims 1 to 5. 前記開口パターンの前記内側側面は、前記フレーム層の積層方向の下方から上方に向かって開口幅が狭くなるように傾斜した逆テーパー形状を有する、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のコイル部品。 The said inner side surface of the said opening pattern has a reverse taper shape inclined so that opening width may become narrow toward the upper direction from the downward direction of the lamination | stacking direction of the said frame layer, It is any one of Claims 1 thru | or 6 . Coil parts. 複数の前記コイル層の積層構造を有する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のコイル部品。 The coil component according to any one of claims 1 to 7 , wherein the coil component has a laminated structure of a plurality of the coil layers. フレーム層を形成する工程と、
前記フレーム層と同一平面上にコイルパターンを含む導体層を形成する工程とを備え、
前記フレーム層を形成する工程は、
下地面に樹脂シートを貼り付ける工程と、
前記樹脂シートに前記コイルパターンのネガパターンを含む開口パターンを形成する工程とを含み、
前記導体層を形成する工程は、
前記開口パターンが形成された前記樹脂シートの全面にシード層を形成する工程と、
前記樹脂シートの上面に形成されたシード層を選択的に除去し、当該シード層を前記開口パターンの少なくとも内側側面に残す工程と、
電解めっきにより前記シード層上にめっき層を形成して前記開口の内部に前記シード層と前記めっき層からなる前記導体層を形成する工程とを含み、
前記樹脂シートの上面に形成されたシード層を選択的に除去する工程は、イオンの出射方向に対して前記フレーム層の上面を斜めに傾けた状態でイオンミリングすることにより、前記樹脂シートの上面に形成されたシード層と前記開口の内側側面を覆うシード層の上端部とを除去することを特徴とするコイル部品の製造方法。 Forming a frame layer;
Forming a conductor layer including a coil pattern on the same plane as the frame layer,
The step of forming the frame layer includes
A process of attaching a resin sheet to the lower ground ;
Forming an opening pattern including a negative pattern of the coil pattern on the resin sheet,
The step of forming the conductor layer includes:
Forming a seed layer on the entire surface of the resin sheet on which the opening pattern is formed;
Selectively removing the seed layer formed on the upper surface of the resin sheet, leaving the seed layer on at least the inner side surface of the opening pattern;
Forming a plating layer on the seed layer by electrolytic plating, and forming the conductor layer composed of the seed layer and the plating layer inside the opening ,
The step of selectively removing the seed layer formed on the upper surface of the resin sheet is performed by ion milling in a state where the upper surface of the frame layer is obliquely inclined with respect to the ion emission direction. A method of manufacturing a coil component, comprising: removing the seed layer formed on the upper surface and the upper end of the seed layer covering the inner side surface of the opening . 前記樹脂シートの上面に形成されたシード層を選択的に除去する工程においては、当該シード層を前記開口パターンの前記内側側面及び底面に残す、請求項９に記載のコイル部品の製造方法。 The method for manufacturing a coil component according to claim 9 , wherein in the step of selectively removing the seed layer formed on the upper surface of the resin sheet, the seed layer is left on the inner side surface and the bottom surface of the opening pattern. 前記コイルパターンの断面のアスペクト比は１以上である、請求項９又は１０に記載のコイル部品の製造方法。 The method for manufacturing a coil component according to claim 9 or 10 , wherein an aspect ratio of a cross section of the coil pattern is 1 or more.
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