JP5821485B2 - Copper fine particle dispersion, pattern forming method, and copper pattern film manufacturing method - Google Patents

Copper fine particle dispersion, pattern forming method, and copper pattern film manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP5821485B2
JP5821485B2 JP2011218407A JP2011218407A JP5821485B2 JP 5821485 B2 JP5821485 B2 JP 5821485B2 JP 2011218407 A JP2011218407 A JP 2011218407A JP 2011218407 A JP2011218407 A JP 2011218407A JP 5821485 B2 JP5821485 B2 JP 5821485B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper fine
pattern
copper
fine particle
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011218407A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013079408A (en
Inventor
貴生 松本
貴生 松本
直信 喜
直信 喜
北條 美貴子
美貴子 北條
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2011218407A priority Critical patent/JP5821485B2/en
Publication of JP2013079408A publication Critical patent/JP2013079408A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5821485B2 publication Critical patent/JP5821485B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は、銅微粒子分散体、それを用いたパターン形成方法、及び銅パターン膜の製造方法に関する。さらに詳しくは、被記録媒体上に、厚膜でも膜割れの発生が抑制されたパターン状の銅微粒子焼結膜からなる、表面抵抗値の低い銅パターン膜を形成することができ、かつ分散性が高く、インクジェット印刷適性が良好である上、焼成温度及び/又は焼成時間の低減が可能な銅微粒子分散体、該銅微粒子分散体を用いて、被記録媒体上にパターンを形成する方法、及びこの方法で形成されたパターンを焼成処理して銅パターン膜を製造する方法に関するものである。   The present invention relates to a copper fine particle dispersion, a pattern forming method using the same, and a method for producing a copper pattern film. More specifically, it is possible to form a copper pattern film having a low surface resistance value, which is formed of a patterned copper fine particle sintered film in which the occurrence of film cracking is suppressed even on a thick film, and the dispersibility is high. A copper fine particle dispersion that is high and has good ink jet printability and that can reduce the firing temperature and / or firing time, a method of forming a pattern on a recording medium using the copper fine particle dispersion, and The present invention relates to a method for producing a copper pattern film by baking a pattern formed by the method.

従来、基材上に導電性の配線を施した回路基板を製造するためには、金属箔を貼り合わせた基材上にフォトレジスト等を塗布し、所望の回路パターンを露光し、ケミカルエッチングによりパターンを形成する方法が用いられてきた。この方法では、導電性の配線として金属箔を用いることができるため、体積抵抗率が小さく、高性能の導電性基板を製造することができるが、該方法は工程数が多く、煩雑であるとともに、フォトレジスト材料を要する等の欠点がある。   Conventionally, in order to manufacture a circuit board having conductive wiring on a base material, a photoresist or the like is applied on the base material bonded with a metal foil, a desired circuit pattern is exposed, and chemical etching is performed. A method of forming a pattern has been used. In this method, since a metal foil can be used as the conductive wiring, a volume resistivity is small and a high-performance conductive substrate can be manufactured. However, this method has many steps and is complicated. There are disadvantages such as requiring a photoresist material.

これに対し、金属微粒子を分散させたインクでパターンを直接基材に印刷する方法が注目されている。このような基材に直接パターンを印刷する方法は、フォトレジスト等を用いる必要がなく、きわめて生産性の高い方法である。例えば、特許文献1には、粒子径が200nm未満の金属酸化物及び分散媒を含む金属酸化物分散体であって、分散媒が、多価アルコール及び/又はポリエーテル化合物を含有する金属酸化物分散体が提案されている。特許文献1によれば、該金属酸化物分散体を用いることで、比較的低温での処理で、基板上に金属薄膜を形成することを可能としている。具体的には、平均粒径30nmの酸化第二銅微粒子を、分散媒であるエチレングリコールに分散させた酸化第二銅微粒子分散体を、スライドガラス上に、長さ2cm、幅1cm、厚み20μmになるように塗布し、焼成温度200℃で銅薄膜を形成している(特許文献1、実施例2参照)。   On the other hand, a method of printing a pattern directly on a substrate with an ink in which metal fine particles are dispersed has attracted attention. Such a method for printing a pattern directly on a substrate does not require the use of a photoresist or the like, and is a highly productive method. For example, Patent Document 1 discloses a metal oxide dispersion containing a metal oxide having a particle diameter of less than 200 nm and a dispersion medium, wherein the dispersion medium contains a polyhydric alcohol and / or a polyether compound. Dispersions have been proposed. According to Patent Document 1, by using the metal oxide dispersion, it is possible to form a metal thin film on a substrate by processing at a relatively low temperature. Specifically, a cupric oxide fine particle dispersion in which cupric oxide fine particles having an average particle size of 30 nm are dispersed in ethylene glycol as a dispersion medium is placed on a slide glass in a length of 2 cm, a width of 1 cm, and a thickness of 20 μm. The copper thin film is formed at a firing temperature of 200 ° C. (see Patent Document 1 and Example 2).

ところで、金属微粒子の中でも、銅微粒子は、良好な電気伝導性を有し、かつ廉価であるために、プリント配線基板等の回路を形成する部材等として利用することが種々検討されている。プリント配線基板の回路等を形成する方法としては、銅微粒子を分散媒に分散させ、インキ化し、スクリーン印刷やインクジェット方式による印刷によって、基板上に回路を形成し、次いで、加熱して金属微粒子を融着させる方法がある。特に、インクジェット方式の描画は、版を使用せずにパターンを形成できるため、オンデマンドでのパターン形成、パターン修正等に応用することができることから、好適な手法である(特許文献2参照)。
このような方法により回路等を形成する場合に、銅微粒子の分散性が重要である。すなわち、銅微粒子の一次粒子が著しく凝集した状態であると回路等を形成した際に膜厚が不均一になったり、多孔質化や膜割れによる断線等の欠陥が生じやすい。また、インクジェット方式により基板上に回路を形成する場合には、インクジェットプリンタのヘッドの吐出ノズルに詰まりが生じたり、吐出曲がりが生じる等して、微細パターンの形成に不具合が生じる場合がある。
しかし、上記した特許文献1では、インクジェット方式による印刷適性についての詳細な説明や検討はなされておらず、必ずしもインクジェット印刷適性に優れるものではなかった。
By the way, among the metal fine particles, the copper fine particles have good electrical conductivity and are inexpensive, so that various studies have been made on using them as members for forming a circuit such as a printed wiring board. As a method for forming a circuit of a printed wiring board, etc., copper fine particles are dispersed in a dispersion medium, converted into ink, a circuit is formed on the substrate by screen printing or ink jet printing, and then heated to form metal fine particles. There is a method of fusing. In particular, ink-jet drawing is a suitable technique because it can be applied to on-demand pattern formation, pattern correction, and the like because a pattern can be formed without using a plate (see Patent Document 2).
When forming a circuit or the like by such a method, the dispersibility of the copper fine particles is important. That is, when the primary particles of the copper fine particles are in a state of remarkably agglomeration, the film thickness becomes non-uniform when a circuit or the like is formed, and defects such as disconnection due to porosity or film cracking are likely to occur. In addition, when a circuit is formed on a substrate by an inkjet method, there may be a problem in the formation of a fine pattern due to clogging or ejection bending of the ejection nozzle of the head of the inkjet printer.
However, in the above-mentioned Patent Document 1, detailed explanation and examination about the printability by the ink jet method is not made, and the ink jet printability is not necessarily excellent.

一方、特許文献3には、離型性耐熱基板上に、平均粒子径1〜100nmの導電性金属系粒子を含む分散液をインクジェット記録方式で印刷し、焼成することにより形成された幅200μm以下の配線回路を有することを特徴とする転写用配線回路板が開示されており、インクジェット記録方式で印刷後の焼成温度は130〜250℃が好ましいとされている。そして、導電性金属系微粒子を含む分散液における分散剤として、アルキルアミン、カルボン酸アミド及びアミノカルボン酸塩等の中から選ばれる少なくとも1種を用いることが好ましいと記載されており、具体的にはアルキルアミンとして、オクチルアミン、ドデシルアミン、ステアリルアミン、オレイルアミン等の第1級アミン、ジドデシルアミン、ジステアリルアミン等の第2級アミン、ドデシルジメチルアミン、ジドデシルモノメチルアミン、ステアリルジメチルアミン等の第3級アミン等が例示され、カルボン酸アミドやアミノカルボン酸塩として、ステアリン酸アミド、パルミチン酸アミド、オレイン酸アミド、オレイン酸ジエタノールアミド、オレイルアミノエチルグリシン等が例示されているが、ポリエーテル構造を有する分散剤は示されていない。
また、より高い導電性を達成するには、インクジェット記録方式での印刷に適した、厚膜の形成が可能な材料が必要とされる。
On the other hand, in Patent Document 3, a dispersion liquid containing conductive metal particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm is printed on a releasable heat-resistant substrate by an ink jet recording method, and the width is 200 μm or less. The wiring circuit board for transfer characterized by having the above-mentioned wiring circuit is disclosed, and the firing temperature after printing in the ink jet recording method is preferably 130 to 250 ° C. In addition, it is described that it is preferable to use at least one selected from alkylamines, carboxylic acid amides, aminocarboxylic acid salts, and the like as the dispersant in the dispersion liquid containing conductive metal-based fine particles. Specifically, Are alkylamines, primary amines such as octylamine, dodecylamine, stearylamine, oleylamine, secondary amines such as didodecylamine, distearylamine, dodecyldimethylamine, didodecylmonomethylamine, stearyldimethylamine, etc. Examples include tertiary amines, and examples of carboxylic acid amides and aminocarboxylates include stearic acid amide, palmitic acid amide, oleic acid amide, oleic acid diethanolamide, and oleylaminoethylglycine. Have structure The powders are not shown.
In order to achieve higher conductivity, a material capable of forming a thick film suitable for printing by the ink jet recording method is required.

国際公開2003/51562号パンフレットInternational Publication No. 2003/51562 Pamphlet 特開2002−324966号公報JP 2002-324966 A 特開2010−135692号公報JP 2010-135692 A

しかしながら、従来、金属系粒子を含む分散液をインクジェット記録方式で印刷し、これを焼成するという方法で厚膜を形成しようとすると、特に銅微粒子を用いた場合においては、印刷後及び/又は焼成後の膜に膜割れが発生する場合があり、厚膜形成は極めて困難であった。
本発明は、このような状況下になされたものであり、被記録媒体上に、厚膜でも膜割れの発生が抑制されたパターン状の銅微粒子焼結膜からなる銅パターン膜を形成することができ、かつ分散性が高く、インクジェット印刷適性が良好である上、焼成温度及び/又は焼成時間の低減が可能な銅微粒子分散体、それを用いて被記録媒体上にインクジェット記録方式でパターンを形成し、さらに前記性状を有する銅パターン膜を製造する方法を提供することを目的とするものである。
However, conventionally, when a dispersion containing metal-based particles is printed by an ink jet recording method and a thick film is formed by firing, particularly when copper fine particles are used, after printing and / or firing. Film cracking may occur in the subsequent film, and it was extremely difficult to form a thick film.
The present invention has been made under such circumstances, and it is possible to form a copper pattern film composed of a patterned copper fine particle sintered film in which the occurrence of film cracking is suppressed even on a thick film on a recording medium. A copper fine particle dispersion that is capable of being dispersed and having good dispersibility, good ink-jet printability, and capable of reducing the firing temperature and / or firing time, and using this, a pattern is formed on a recording medium by an ink-jet recording method. Furthermore, it aims at providing the method of manufacturing the copper pattern film | membrane which has the said property.

本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、膜割れは、印刷後の膜において発生し、その後の焼成処理によりさらに拡大することを突きとめた。そして、平均一次粒径が所定の範囲にある銅微粒子、ポリエーテル構造を有し、重量平均分子量が500〜50,000の範囲にある分散剤、及び分散媒を含有し、かつレベリング性を向上させるシリコーン系添加剤及び/又はフッ素含有添加剤を所定の割合で含む銅微粒子分散体が、前記目的に適合し得ること、そして被記録媒体上に、当該分散体を、インクジェット記録方式でパターン状に描画して焼成処理をすることにより、パターン状の銅微粒子焼結膜からなる銅パターン膜が得られることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found that film cracking occurs in a film after printing and is further enlarged by subsequent baking treatment. And it contains copper fine particles with an average primary particle size in a predetermined range, a polyether structure, a dispersant with a weight average molecular weight in a range of 500 to 50,000, and a dispersion medium, and improves leveling properties. The copper fine particle dispersion containing the silicone-based additive and / or fluorine-containing additive in a predetermined ratio can be adapted to the above-mentioned purpose, and the dispersion is formed into a pattern by an inkjet recording method on a recording medium. It was found that a copper pattern film composed of a patterned copper fine particle sintered film can be obtained by drawing and baking.
The present invention has been completed based on such findings.

すなわち、本発明は、
(1)平均一次粒径が1〜200nmの銅微粒子、ポリエーテル構造を有し、重量平均分子量が500〜50,000の範囲にある分散剤、及び分散媒を含有し、かつ、シリコーン系添加剤及び/又はフッ素含有添加剤を0.1〜1.0質量%含有する銅微粒子分散体、
(2)被記録媒体上に、上記(1)に記載の銅微粒子分散体を用いてインクジェット記録方式でパターンを描画する、パターン形成方法、及び
(3)上記(2)に記載の方法で形成したパターンを、加熱処理、光処理、薬液処理、反応性ガス処理、及びプラズマ処理からなる群から選ばれる少なくとも1種の方法で処理する、銅パターン膜の製造方法、を提供するものである。
That is, the present invention
(1) Copper fine particles having an average primary particle diameter of 1 to 200 nm, a polyether structure, a dispersant having a weight average molecular weight in the range of 500 to 50,000, and a dispersion medium, and a silicone-based additive Copper fine particle dispersion containing 0.1 to 1.0% by mass of an agent and / or fluorine-containing additive,
(2) A pattern forming method of drawing a pattern on a recording medium by an ink jet recording method using the copper fine particle dispersion described in (1) above, and (3) formed by the method described in (2) above. A copper pattern film manufacturing method is provided, in which the processed pattern is processed by at least one method selected from the group consisting of heat treatment, light treatment, chemical treatment, reactive gas treatment, and plasma treatment.

本発明によれば、被記録媒体上に、厚膜でも膜割れの発生が抑制されたパターン状の銅微粒子焼結膜からなる銅パターン膜を形成することができ、かつ分散性が高く、インクジェット印刷適性が良好である上、焼成温度及び/又は焼成時間の低減が可能な銅微粒子分散体、それを用いて被記録媒体上にインクジェット記録方式でパターンを形成し、さらに前記性状を有する銅パターン膜を効果的に製造する方法を提供することができる。   According to the present invention, a copper pattern film composed of a patterned copper fine particle sintered film in which the occurrence of film cracking is suppressed even on a thick film can be formed on a recording medium, and the dispersibility is high. Copper fine particle dispersion having good suitability and capable of reducing the firing temperature and / or firing time, and using the copper fine particle dispersion to form a pattern on a recording medium by an ink jet recording method, and further having the above properties Can be provided effectively.

まず、本発明の銅微粒子分散体について説明する。
[銅微粒子分散体]
本発明の銅微粒子分散体は、平均一次粒径が1〜200nmの銅微粒子、ポリエーテル構造を有し、重量平均分子量が500〜50,000の範囲にある分散剤、及び分散媒を含有し、かつ、シリコーン系添加剤及び/又はフッ素含有添加剤を0.1〜1.0質量%含有することを特徴とする。
First, the copper fine particle dispersion of the present invention will be described.
[Cu fine particle dispersion]
The copper fine particle dispersion of the present invention contains copper fine particles having an average primary particle size of 1 to 200 nm, a dispersant having a polyether structure and a weight average molecular weight in the range of 500 to 50,000, and a dispersion medium. And 0.1-1.0 mass% of silicone type additives and / or fluorine-containing additives are contained, It is characterized by the above-mentioned.

(銅微粒子)
本発明の銅微粒子分散体においては、銅微粒子の平均一次粒径は、1〜200nmの範囲にあることを要する。この平均一次粒径が上記の範囲内であると、当該銅微粒子分散体を用いて製造した銅パターン膜において、銅微粒子同士の融着が十分に進行し、高い導電性を得ることができる。銅微粒子の平均一次粒径は、分散安定性を維持しやすいという観点から、30〜200nmの範囲であることが好ましく、30〜150nmの範囲であることがより好ましい。
なお、上記平均一次粒径は電子顕微鏡を用いて測定したものであり、通常、透過型電子顕微鏡(TEM)や走査透過型電子顕微鏡(STEM)により測定した観察像から統計処理により算出する。
(Copper fine particles)
In the copper fine particle dispersion of the present invention, the average primary particle size of the copper fine particles needs to be in the range of 1 to 200 nm. When the average primary particle size is within the above range, in the copper pattern film produced using the copper fine particle dispersion, the fusion of the copper fine particles sufficiently proceeds and high conductivity can be obtained. The average primary particle diameter of the copper fine particles is preferably in the range of 30 to 200 nm, and more preferably in the range of 30 to 150 nm, from the viewpoint that the dispersion stability is easily maintained.
In addition, the said average primary particle diameter is measured using the electron microscope, and is normally calculated by a statistical process from the observation image measured with the transmission electron microscope (TEM) or the scanning transmission electron microscope (STEM).

当該銅微粒子は、高い導電性を有し、かつ一次粒子同士の凝集・融合が容易に起きず、独立した微粒子の状態を維持でき、また導電性の他に、経済性、耐マイグレーション性にも優れている。なお、ここで銅微粒子とは、金属の状態のものをいうが、表面が酸化されている微粒子をも含むものである。
<銅微粒子の調製方法>
この銅微粒子の調製方法としては種々の方法があり、例えばメカノケミカル法等による銅粉を粉砕して得る物理的な方法;CVD法や蒸着法、スパッタ法、熱プラズマ法、レーザー法のような化学的な乾式法;熱分解法、化学還元法、電気分解法、超音波法、レーザーアブレーション法、超臨界流体法、マイクロ波合成法等による化学的な湿式法と呼ばれる方法で作製できる。
本発明においては、これらの方法の中で、化学還元法により銅微粒子を製造する方法、例えば、保護コロイド、保護分子の存在下、2価の銅酸化物、銅塩、銅錯体等と還元剤とを、溶媒中で混合して反応させる方法が好ましく、中でも、錯化剤及び保護コロイドの存在下、2価の銅酸化物と還元剤とを、溶媒中で混合する方法が好ましい。
The copper fine particles have high conductivity, and the primary particles do not easily aggregate and coalesce, so that the state of independent fine particles can be maintained. In addition to conductivity, the copper particles are also economical and migration resistant. Are better. Here, the copper fine particles are in a metal state, but also include fine particles whose surfaces are oxidized.
<Preparation method of copper fine particles>
There are various methods for preparing the copper fine particles, for example, a physical method obtained by pulverizing copper powder by a mechanochemical method or the like; CVD method, vapor deposition method, sputtering method, thermal plasma method, laser method, etc. It can be produced by a chemical dry method; a method called a chemical wet method such as a thermal decomposition method, a chemical reduction method, an electrolysis method, an ultrasonic method, a laser ablation method, a supercritical fluid method, or a microwave synthesis method.
In the present invention, among these methods, a method for producing copper fine particles by a chemical reduction method, for example, a divalent copper oxide, a copper salt, a copper complex and the like and a reducing agent in the presence of a protective colloid and a protective molecule. Are preferably mixed in a solvent, and a method in which a divalent copper oxide and a reducing agent are mixed in a solvent in the presence of a complexing agent and a protective colloid is particularly preferable.

《錯化剤》
当該銅微粒子の調製方法で用いられる錯化剤とは、該錯化剤が有する配位子のドナー原子と銅イオン又は金属銅とが結合して銅錯体化合物を形成し得るものである。ドナー原子としては、窒素、酸素、及び硫黄が好適に挙げられ、これらは1種単独であってもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
より具体的には、窒素がドナー原子である錯化剤として、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、エチレンジアミン等の1級アミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジエチルアミン、ピペリジン、ピロリジン等のイミン類等の2級アミン類、トリブチルアミン等の3級アミン類、1分子中に1〜3級アミンを2種類以上有するアミン化合物、イミダゾール及びピリジン等の窒素含有複素環式化合物、アセトニトリル、ベンゾニトリル、シアン化合物等のニトリル類、アンモニア、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム等のアンモニウム化合物、オキシム類等が挙げられる。
<Complexing agent>
The complexing agent used in the method for preparing copper fine particles is a compound in which a donor atom of a ligand possessed by the complexing agent and copper ion or metallic copper are bonded to form a copper complex compound. As a donor atom, nitrogen, oxygen, and sulfur are mentioned suitably, These may be single 1 type and may be used in combination of 2 or more type.
More specifically, as a complexing agent in which nitrogen is a donor atom, primary amines such as ethylamine, propylamine, butylamine and ethylenediamine, and imines such as diethylamine, dipropylamine, dibutylamine, diethylamine, piperidine and pyrrolidine Secondary amines such as tributylamine, amine compounds having two or more primary to tertiary amines in the molecule, nitrogen-containing heterocyclic compounds such as imidazole and pyridine, acetonitrile, benzonitrile, Nitriles such as cyan compounds, ammonium compounds such as ammonia, ammonium chloride and ammonium sulfate, oximes and the like can be mentioned.

また、酸素がドナー原子である錯化剤として、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、乳酸、酢酸、ギ酸、シュウ酸、マロン酸、安息香酸等のカルボン酸類、アセトン、アセチルアセトン等のケトン類、アルデヒド類、1,2−ヘキサンジオール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール類、キノン類、エーテル類、リン酸、ピロリン酸、亜リン酸、次亜リン酸等のリン酸系化合物、スルホン酸、スルホン酸系化合物等が挙げられる。
さらに、硫黄がドナー原子である錯化剤として、メチルメルカプタン等の脂肪族チオール類、シクロヘキシルチオール等の脂環式チオール類、芳香族チオール類、チオケトン類、チオエーテル類、ポリチオール類、チオ炭酸類、硫黄含有複素環式化合物、チオシアナート類、イソチオシアナート類、無機硫黄化合物等が挙げられる。
Moreover, as complexing agents in which oxygen is a donor atom, carboxylic acids such as citric acid, malic acid, tartaric acid, lactic acid, acetic acid, formic acid, oxalic acid, malonic acid, benzoic acid, ketones such as acetone and acetylacetone, and aldehydes , 1,2-hexanediol, ethylene glycol, glycerol and other alcohols, quinones, ethers, phosphoric acid, pyrophosphoric acid, phosphorous acid, hypophosphorous acid and other phosphoric acid compounds, sulfonic acid, sulfonic acid Compounds and the like.
Furthermore, as a complexing agent in which sulfur is a donor atom, aliphatic thiols such as methyl mercaptan, alicyclic thiols such as cyclohexyl thiol, aromatic thiols, thioketones, thioethers, polythiols, thiocarbonates, Examples thereof include sulfur-containing heterocyclic compounds, thiocyanates, isothiocyanates, and inorganic sulfur compounds.

また、2種以上のドナー原子を有する錯化剤としては、窒素と酸素を有するものとしてアミノ酸類、エチレンジアミンジ酢酸等のアミノポリカルボン酸類、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類、ニトロソ化合物、ニトロシル化合物;硫黄と酸素を有するものとして、メルカプトカルボン酸類、チオグリコール類、チオン酸類、チオ炭酸類;硫黄及び窒素を有するものとして、アミノチオール類、チオアミド類、チオ尿素類、チアゾール類;硫黄、窒素及び酸素を有するものとして、含硫黄アミノ酸類等が挙げられる。   As complexing agents having two or more donor atoms, amino acids having nitrogen and oxygen, aminopolycarboxylic acids such as ethylenediaminediacetic acid, alkanolamines such as ethanolamine, diethanolamine, and triethanolamine, Nitroso compounds, nitrosyl compounds; those having sulfur and oxygen, mercaptocarboxylic acids, thioglycols, thionic acids, thiocarbonates; those having sulfur and nitrogen; aminothiols, thioamides, thioureas, thiazoles ; Sulfur-containing amino acids etc. are mentioned as what has sulfur, nitrogen, and oxygen.

錯化剤の配合量としては、2価の銅酸化物100質量部に対して、0.001〜20質量部程度である。この範囲内であると銅微粒子の高い分散性が得られる。なお、この範囲内で錯化剤の配合量を少なくすることで、銅微粒子の一次粒子径を小さくすることができ、一方、配合量を多くすることで、銅微粒子の一次粒子径を大きくすることができる。本発明では、2価の銅酸化物100質量部に対して、錯化剤の配合量を0.05〜15質量部の範囲とすることがより好ましい。   The compounding amount of the complexing agent is about 0.001 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the divalent copper oxide. Within this range, high dispersibility of the copper fine particles can be obtained. In addition, by reducing the compounding amount of the complexing agent within this range, it is possible to reduce the primary particle size of the copper fine particles, while increasing the compounding amount increases the primary particle size of the copper fine particles. be able to. In this invention, it is more preferable to make the compounding quantity of a complexing agent into the range of 0.05-15 mass parts with respect to 100 mass parts of bivalent copper oxide.

《保護コロイド》
当該銅微粒子の調製方法で用いられる保護コロイドは、生成した銅微粒子の分散安定化剤として作用するものであり、種々のものを用いることができる。具体的には、ゼラチン、アラビアゴム、カゼイン、カゼイン酸ナトリウム、カゼイン酸アンモニウム等のタンパク質系;デンプン、デキストリン、寒天、アルギン酸ナトリウム等の天然高分子;ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロース等のセルロース系;ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等のビニル系;ポリアクリル酸ナトリウム、ポリアクリル酸アンモニウム等のアクリル酸系;ポリエチレングリコール等が挙げられる。
これらのうち、分散安定性等の点から、タンパク質系保護コロイドが特に好ましい。
保護コロイドの配合量としては、2価の銅酸化物100質量部に対して、1〜100質量部の範囲であることが好ましく、2〜50質量部の範囲がさらに好ましい。この範囲内であると、生成した銅微粒子が分散安定化しやすい。
《Protective colloid》
The protective colloid used in the method for preparing the copper fine particles acts as a dispersion stabilizer for the produced copper fine particles, and various types can be used. Specifically, protein systems such as gelatin, gum arabic, casein, sodium caseinate, and ammonium caseinate; natural polymers such as starch, dextrin, agar, and sodium alginate; cellulose systems such as hydroxyethyl cellulose and methyl cellulose; polyvinyl alcohol; Examples thereof include vinyl-based materials such as polyvinylpyrrolidone; acrylic acid-based materials such as sodium polyacrylate and ammonium polyacrylate; and polyethylene glycol.
Of these, protein-based protective colloids are particularly preferable from the viewpoint of dispersion stability and the like.
As a compounding quantity of a protective colloid, it is preferable that it is the range of 1-100 mass parts with respect to 100 mass parts of bivalent copper oxide, and the range of 2-50 mass parts is further more preferable. Within this range, the produced copper fine particles are easily dispersed and stabilized.

《還元剤》
当該銅微粒子の調製方法で用いられる還元剤は、還元反応中に1価の銅酸化物が生成しないように、還元力が強いものを使用することが好ましい。具体的には、無水ヒドラジン、ヒドラジン1水和物、塩酸ヒドラジン、硫酸ヒドラジン等のヒドラジン系還元剤、水素化ホウ素ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、亜硝酸ナトリウム、次亜硝酸ナトリウム、亜リン酸、亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム等が挙げられる。特にヒドラジン系還元剤は、還元力が強く好ましい。
これらは、1種を単独で使用することができ、又は2種以上を併用することもできる。
また、還元剤の使用量は、2価の銅酸化物中に含まれる銅1モルに対して、0.2〜5.0モルの範囲であることが好ましい。0.2モル以上であると、還元が十分に進行し、銅微粒子が得られる。一方、5.0モル以下であると、所望の粒子径の銅微粒子が得られる。以上の観点から、より好ましい還元剤の使用量は、2価の銅酸化物中に含まれる銅1モルに対して、0.3〜2.0モルの範囲である。
《Reducing agent》
As the reducing agent used in the method for preparing the copper fine particles, it is preferable to use a reducing agent having a strong reducing power so that a monovalent copper oxide is not generated during the reduction reaction. Specifically, hydrazine-based reducing agents such as anhydrous hydrazine, hydrazine monohydrate, hydrazine hydrochloride, hydrazine sulfate, sodium borohydride, sodium sulfite, sodium hydrogen sulfite, sodium thiosulfate, sodium nitrite, sodium hyponitrite , Phosphorous acid, sodium phosphite, hypophosphorous acid, sodium hypophosphite and the like. In particular, hydrazine-based reducing agents are preferred because of their strong reducing power.
These can be used individually by 1 type, or can also use 2 or more types together.
Moreover, it is preferable that the usage-amount of a reducing agent is the range of 0.2-5.0 mol with respect to 1 mol of copper contained in a bivalent copper oxide. When the amount is 0.2 mol or more, the reduction proceeds sufficiently to obtain copper fine particles. On the other hand, when the amount is 5.0 mol or less, copper fine particles having a desired particle diameter can be obtained. From the above viewpoint, the more preferable amount of the reducing agent used is in the range of 0.3 to 2.0 mol with respect to 1 mol of copper contained in the divalent copper oxide.

《溶媒》
当該銅微粒子の調製方法で用いられる溶媒としては、水等の水系溶媒、アルコール等の有機系溶媒を用いることができるが、水系溶媒がより好ましい。
"solvent"
As a solvent used in the method for preparing the copper fine particles, an aqueous solvent such as water and an organic solvent such as alcohol can be used, but an aqueous solvent is more preferable.

《銅微粒子の調製》
銅微粒子を調製する際には、2価の銅酸化物等の原料、錯化剤、保護コロイド、還元剤を溶媒中で混合する。それぞれの添加順序には制限がないが、反応制御が容易である観点で、原料、保護コロイドをあらかじめ溶媒中に混合しておき、錯化剤と添加剤を添加するのが好ましい。
銅微粒子を調製する際の反応温度としては、10℃〜溶媒の沸点の範囲であることが好ましく、所定の一次平均粒径の銅微粒子を得る観点から、40〜95℃の範囲が好ましく、80〜95℃の範囲がより好ましい。また、pHは3〜12の範囲であることが好ましく、反応時間は、還元剤の濃度等により異なるが、通常、10分〜6時間程度である。
生成した銅微粒子は、必要に応じて分別、洗浄を行う。収率を高め、不純物を除去する観点で、洗浄時に、保護コロイドが分解する溶媒、化合物、分解酵素等で保護コロイドを溶解あるいは分解することによって凝集させ、また、必要に応じて凝集剤を添加して、濾過等の方法により銅微粒子を回収するのが好ましい。
<< Preparation of copper fine particles >>
When preparing copper fine particles, raw materials such as divalent copper oxide, complexing agent, protective colloid, and reducing agent are mixed in a solvent. Although there is no restriction | limiting in each addition order, From a viewpoint that reaction control is easy, it is preferable to mix a raw material and a protective colloid in a solvent previously, and to add a complexing agent and an additive.
The reaction temperature for preparing the copper fine particles is preferably in the range of 10 ° C. to the boiling point of the solvent, and preferably in the range of 40 to 95 ° C. from the viewpoint of obtaining copper fine particles having a predetermined primary average particle diameter. A range of ˜95 ° C. is more preferable. The pH is preferably in the range of 3 to 12, and the reaction time is usually about 10 minutes to 6 hours, although it varies depending on the concentration of the reducing agent.
The produced copper fine particles are separated and washed as necessary. From the viewpoint of increasing the yield and removing impurities, the protective colloid is agglomerated by dissolving or decomposing with a solvent, compound, degrading enzyme, etc. that decomposes the protective colloid during washing, and a flocculant is added if necessary Thus, it is preferable to collect the copper fine particles by a method such as filtration.

(分散剤)
当該銅微粒子分散体に含まれる分散剤としては、ポリエーテル構造を有し、重量平均分子量が500〜50,000の範囲にある分散剤が用いられる。重量平均分子量が500以上であると、インクジェット吐出安定性が良好であり、重量平均分子量が50,000以下であると、低温焼成性に優れる。なお、上記分散剤は、分子量500未満の成分を含有していてもよい。
上記重量平均分子量は、インクジェット吐出安定性及び低温焼成性の観点から、500〜30,000であることが好ましく、500〜20,000であることがより好ましく、500〜15,000であることがさらに好ましい。ここで、重量平均分子量は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)により測定された値である。
また、上記ポリエーテル構造は、主鎖及び側鎖の少なくとも一方に有していればよい。上記のような分散剤は、その構造に起因して、低温での焼成やマイクロ波表面波プラズマの照射等により分解されやすく、有機物が残存しにくいため、得られる焼結膜は十分な導電性を有するものとなる。
当該分散剤は、銅微粒子の分散性に優れ、インクジェット印刷適性が良好であり、焼成温度及び/又は焼成時間の低減が可能で、厚膜でも膜割れの発生が抑制される等の効果を奏する。
(Dispersant)
As the dispersant contained in the copper fine particle dispersion, a dispersant having a polyether structure and having a weight average molecular weight in the range of 500 to 50,000 is used. When the weight average molecular weight is 500 or more, the inkjet discharge stability is good, and when the weight average molecular weight is 50,000 or less, the low-temperature firing property is excellent. In addition, the said dispersing agent may contain the component of molecular weight less than 500.
The weight average molecular weight is preferably 500 to 30,000, more preferably 500 to 20,000, and more preferably 500 to 15,000, from the viewpoints of inkjet discharge stability and low-temperature firing properties. Further preferred. Here, the weight average molecular weight is a value measured by GPC (gel permeation chromatography).
Moreover, the said polyether structure should just have in at least one of a principal chain and a side chain. Due to the structure of the dispersant as described above, it is easy to be decomposed by firing at a low temperature, irradiation with microwave surface wave plasma, etc., and organic matter hardly remains, so that the obtained sintered film has sufficient conductivity. It will have.
The dispersant is excellent in dispersibility of copper fine particles, has good ink jet printing suitability, can reduce the firing temperature and / or firing time, and has the effect of suppressing the occurrence of film cracking even in a thick film. .

上記分散剤で主鎖がポリエーテル構造のものとしては、主鎖がエーテル構造を有するユニットからなる重合体、ポリエーテルアミド等のエーテル構造と他の構造からなるユニットからなる共重合体、エーテル構造を有するユニットからなる重合体と、アクリル、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ、ポリエステル等の他のユニットからなる重合体とのブロック共重合体等の下記一般式(1)で示されるものが好ましい態様として挙げられる。   In the above dispersant, the main chain having a polyether structure includes a polymer having a unit having an ether structure in the main chain, a copolymer having an ether structure such as polyether amide and a unit having another structure, and an ether structure. Preferred examples include a block copolymer of a polymer comprising a unit having a unit and a polymer comprising another unit such as acryl, polyamide, polyurethane, epoxy, polyester, and the like represented by the following general formula (1). It is done.

Figure 0005821485
Figure 0005821485

一般式(1)中、R1は直鎖状又は分岐状アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、フェニル基、直鎖状又は分岐状アルキル基が置換されたフェニル基、リン酸基、又はスルホン酸基であり、R2は炭素数2〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。rは1〜30である。 In general formula (1), R 1 is a linear or branched alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a phenyl group, a phenyl group substituted with a linear or branched alkyl group, a phosphoric acid group, or a sulfonic acid R 2 represents a linear or branched alkylene group having 2 to 10 carbon atoms. r is 1-30.

次に、側鎖にポリエーテル構造を有する分散剤は、主鎖がポリエステル、ポリウレタン、アクリル、エポキシ、ポリアミン又はポリイミン構造であり、側鎖は分岐構造や櫛型構造であることが好ましい。なお、側鎖を構成するポリエーテル構造については、上述の主鎖を構成するポリエーテル構造と同様のものが挙げられ、例えば、エーテル構造を有するユニットからなる構造、ポリエーテルアミド等のエーテル構造と他の構造からなるユニットからなる共重合構造、エーテル構造を有するユニットからなる重合体とアクリル、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ、ポリエステル等の他のユニットからなる重合体とのブロック共重合構造等が挙げられる。
主鎖がポリアミン構造である場合には、該ポリアミン構造が、ポリアルキレンアミンであることが好ましく、例えば、下記一般式(2)に示されるようなポリアリルアミンが好適である。
Next, in the dispersant having a polyether structure in the side chain, the main chain is preferably a polyester, polyurethane, acrylic, epoxy, polyamine or polyimine structure, and the side chain is preferably a branched structure or a comb structure. The polyether structure constituting the side chain includes the same structure as the polyether structure constituting the main chain described above, for example, a structure composed of units having an ether structure, an ether structure such as polyether amide, and the like. Examples include copolymer structures composed of units composed of other structures, block copolymer structures composed of polymers composed of units having an ether structure and polymers composed of other units such as acrylic, polyamide, polyurethane, epoxy, and polyester. .
When the main chain has a polyamine structure, the polyamine structure is preferably a polyalkyleneamine. For example, a polyallylamine as represented by the following general formula (2) is suitable.

Figure 0005821485
Figure 0005821485

一般式(2)中、R3及びR4は、それぞれ独立に水素、又は重合開始剤残基のいずれかであり、R5は水素又は下記一般式(3)で示される基である。また、sは2〜20であり、2〜8であることがより好ましい。但し、s個あるR5のうち、少なくとも1個は、一般式(3)で示される。 In general formula (2), R 3 and R 4 are each independently either hydrogen or a polymerization initiator residue, and R 5 is hydrogen or a group represented by the following general formula (3). Moreover, s is 2-20, and it is more preferable that it is 2-8. However, at least one of s R 5 is represented by the general formula (3).

NHCOR6 ・・・(3) NHCOR 6 (3)

ここで、R6は、一般式(1)に示される、R1O−(R2O)r−で表されるようなポリエーテル構造である(R1、R2、及びrは前記と同じである)。該ポリエーテル構造は、エチレンオキシドから誘導されるポリエチレングリコール、及びプロピレンオキシドから誘導されるポリプロピレングリコール、ポリエーテルアミドの少なくとも一方を構成単位(ユニット)として有することが好ましい。また、ポリエチレングリコールユニット及びポリプロピレングリコールユニットの数の合計(上記rに相当)が、平均値として、10以上であることが、銅微粒子の分散性の点から好ましく、特に10〜18の範囲が好ましい。また、全てがポリエーテル構造である必要はなく、一部は直鎖状又は分岐状の飽和又は不飽和の1価の炭化水素基又はポリエステル骨格を有する構造であると、有機溶媒への分散性を高めるのに有効である。 Here, R 6 is a polyether structure represented by R 1 O— (R 2 O) r — represented by the general formula (1) (R 1 , R 2 , and r are as defined above. The same). The polyether structure preferably has at least one of polyethylene glycol derived from ethylene oxide, polypropylene glycol derived from propylene oxide, and polyether amide as a structural unit. The total number of polyethylene glycol units and polypropylene glycol units (corresponding to r) is preferably 10 or more as an average value from the viewpoint of dispersibility of the copper fine particles, and particularly preferably in the range of 10 to 18. . In addition, it is not necessary that all have a polyether structure, and part of the structure has a linear or branched saturated or unsaturated monovalent hydrocarbon group or a polyester skeleton, and dispersibility in an organic solvent. It is effective to increase

次に、主鎖がポリイミン構造である場合には、該ポリイミン構造が、ポリアルケニルイミンであることが好ましく、例えば、下記一般式(4)に示されるようなポリエチレンイミンが好適である。   Next, when the main chain has a polyimine structure, the polyimine structure is preferably a polyalkenylimine, and for example, a polyethyleneimine as represented by the following general formula (4) is suitable.

Figure 0005821485
Figure 0005821485

ここで、R7及びR8は、それぞれ独立に水素、又は重合開始剤残基のいずれかであり、R9及びR10は、それぞれ水素又は下記一般式(5)で示される基である。uは2〜20であり、2〜8であることがより好ましい。但し、u個あるR9のうち、少なくとも1個は、一般式(5)で示される。 Here, R 7 and R 8 are each independently hydrogen or a polymerization initiator residue, and R 9 and R 10 are each hydrogen or a group represented by the following general formula (5). u is 2 to 20, and more preferably 2 to 8. However, at least one of u R 9 is represented by the general formula (5).

CH2−CH2−NHR11 ・・・(5) CH 2 —CH 2 —NHR 11 (5)

ここで、R11は、一般式(1)に示される、R1O−(R2O)r−で表されるようなポリエーテル構造である(R1、R2、及びrは前記と同じである)。該ポリエーテル構造は、エチレンオキシドから誘導されるポリエチレングリコール、及びプロピレンオキシドから誘導されるポリプロピレングリコールの少なくとも一方を構成単位(ユニット)として有することが好ましい。また、ポリエチレングリコールユニット及びポリプロピレングリコールユニットの数の合計(上記rに相当)が、平均値として、10以上であることが、銅微粒子の分散性の点から好ましく、特に10〜18の範囲が好ましい。また、すべてがポリエーテル構造である必要はなく、一部は、直鎖状又は分岐状の飽和又は不飽和の1価の炭化水素基又はポリエステル骨格を有する構造であると、有機溶媒への分散性を高めるのに有効である。 Here, R 11 is a polyether structure represented by R 1 O— (R 2 O) r — represented by the general formula (1) (R 1 , R 2 , and r are as defined above. The same). The polyether structure preferably has at least one of polyethylene glycol derived from ethylene oxide and polypropylene glycol derived from propylene oxide as a structural unit. The total number of polyethylene glycol units and polypropylene glycol units (corresponding to r) is preferably 10 or more as an average value from the viewpoint of dispersibility of the copper fine particles, and particularly preferably in the range of 10 to 18. . In addition, it is not necessary that all have a polyether structure, and a part of the structure has a linear or branched saturated or unsaturated monovalent hydrocarbon group or a polyester skeleton, and is dispersed in an organic solvent. It is effective to enhance sex.

上記主鎖及び側鎖の少なくとも一方にポリエーテル構造を有し、重量平均分子量が500〜50,000の範囲にある分散剤としては、ソルスパース41000、ソルスパース8200、ソルスパース71000(ルーブリゾール社製)、マリアリムAAB−0851(日本油脂株式会社製)、EFKA4010(エフカケミカル株式会社製)、DISPER BYK−111、DISPER BYK−145、DISPER BYK−183、DISPER BYK−2155、DISPER BYK−9076(ビックケミー社製)等が市販されている。   As a dispersant having a polyether structure in at least one of the main chain and the side chain and having a weight average molecular weight in the range of 500 to 50,000, Solsperse 41000, Solsperse 8200, Solsperse 71000 (manufactured by Lubrizol), Marialim AAB-0851 (manufactured by NOF Corporation), EFKA4010 (manufactured by Efka Chemical Co., Ltd.), DISPER BYK-111, DISPER BYK-145, DISPER BYK-183, DISPER BYK-2155, DISPER BYK-9076 (manufactured by Big Chemie), etc. Is commercially available.

上記分散剤は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、本発明の銅微粒子分散体における前述した分散剤の含有量は、該分散体全量に対して、1質量%以上であることが好ましく、3質量%以上であることがより好ましい。この含有量が1質量%以上であると、銅微粒子の分散性が確保される。また、焼成等による分散剤由来の有機物の除去の容易性、経済性の観点から、当該分散剤の含有量は、1〜10質量%の範囲にあることが好ましく、より好ましくは3〜8質量%の範囲であり、さらに好ましくは3〜6質量%の範囲である。
You may use the said dispersing agent individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
In addition, the content of the dispersant described above in the copper fine particle dispersion of the present invention is preferably 1% by mass or more, and more preferably 3% by mass or more based on the total amount of the dispersion. When the content is 1% by mass or more, the dispersibility of the copper fine particles is ensured. In addition, from the viewpoint of ease of removal of organic substances derived from the dispersant by baking or the like, the content of the dispersant is preferably in the range of 1 to 10% by mass, more preferably 3 to 8% by mass. %, And more preferably in the range of 3 to 6% by mass.

(分散媒)
当該銅微粒子分散体に用いられる分散媒としては、水及び/又は有機系分散媒を用いることができる。有機系分散媒としては、デカン、ドデカン、テトラデカン等の脂肪族炭化水素;シクロヘキサン等の脂環式炭化水素;等の芳香族炭化水素;ジイソブチルケトン等のケトン類;乳酸エチル、乳酸ブチル、3−エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、オレイルアルコール、ベンジルアルコール、2−エチル−1−ヘキサノール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル(メチルセロソルブ)、エチレングリコールモノエチルエーテル(エチルセロソルブ)、エチレングリコールモノブチルエーテル(ブチルセロソルブ)、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(ブチルカルビトールアセテート)、3−メトキシブチルアセテート等のエーテル類;その他の有機系分散媒としてγ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン等が好ましく挙げられる。これらの分散媒は、1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(Dispersion medium)
As a dispersion medium used for the copper fine particle dispersion, water and / or an organic dispersion medium can be used. Examples of the organic dispersion medium include aliphatic hydrocarbons such as decane, dodecane, and tetradecane; alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane; aromatic hydrocarbons such as diisobutylketone; ketones such as diisobutylketone; ethyl lactate, butyl lactate, 3- Esters such as ethyl ethoxypropionate; alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, propylene glycol, glycerin, oleyl alcohol, benzyl alcohol, 2-ethyl-1-hexanol; tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol monomethyl ether ( Methyl cellosolve), ethylene glycol monoethyl ether (ethyl cellosolve), ethylene glycol monobutyl ether (butyl cellosolve), diethylene glycol dibutyl ether, tripro Glycol dimethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether acetate (butyl carbitol acetate), 3-ethers such as methoxy butyl acetate; other γ- butyrolactone as the organic dispersion medium, N- methyl-2-pyrrolidone, and the like preferably. These dispersion media may be used alone or in combination of two or more.

前記分散媒としては、当該銅微粒子分散体は、インクジェット印刷適性の観点から、常圧における沸点が170℃以上の有機系分散媒を用いることが好ましい。該沸点は、180℃以上であることがより好ましく、200℃以上であることがさらに好ましく、230℃以上であることがよりさらに好ましい。また、パターン描画後に該分散媒を除去しやすく、焼成が容易になるという観点から、該沸点は280℃以下であることが好ましい。また、該分散媒は、後で説明するように、たとえ銅微粒子含有量が50質量%以上の高濃度銅微粒子分散体を用いても、インクジェットのノズルの詰まりを防止する観点から、20℃における粘度が1.0〜4.0mPa・sであり、かつ25℃における表面張力が20〜32mN/mであるものが好ましい。該表面張力は、より好ましくは25〜30mN/mである。
このような分散媒としては、例えばジエチレングリコールジブチルエーテル(沸点:256℃、20℃の粘度:2.4mPa・s、25℃の表面張力:24.9mN/m)、トリプロピレングリコールジメチルエーテル(沸点:215℃、20℃の粘度:2.3mPa・s、25℃の表面張力:26.4mN/m)、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(沸点:247℃、20℃の粘度:3.6mPa・s、25℃の表面張力:29.7mN/m)、テトラデカン(沸点:254℃、20℃の粘度:3.8mPa・s、25℃の表面張力:28.9mN/m)等を挙げることができる。
As the dispersion medium, the copper fine particle dispersion is preferably an organic dispersion medium having a boiling point of 170 ° C. or higher at normal pressure from the viewpoint of ink jet printing suitability. The boiling point is more preferably 180 ° C. or higher, further preferably 200 ° C. or higher, and further preferably 230 ° C. or higher. In addition, the boiling point is preferably 280 ° C. or less from the viewpoint that the dispersion medium can be easily removed after pattern drawing and baking is facilitated. Further, as will be described later, the dispersion medium is used at 20 ° C. from the viewpoint of preventing clogging of the nozzles of the ink jet even if a high concentration copper fine particle dispersion having a copper fine particle content of 50% by mass or more is used. It is preferable that the viscosity is 1.0 to 4.0 mPa · s and the surface tension at 25 ° C. is 20 to 32 mN / m. The surface tension is more preferably 25 to 30 mN / m.
Examples of such a dispersion medium include diethylene glycol dibutyl ether (boiling point: 256 ° C., viscosity at 20 ° C .: 2.4 mPa · s, surface tension at 25 ° C .: 24.9 mN / m), tripropylene glycol dimethyl ether (boiling point: 215 Viscosity at 20 ° C .: 2.3 mPa · s, surface tension at 25 ° C .: 26.4 mN / m, diethylene glycol monobutyl ether acetate (boiling point: 247 ° C., viscosity at 20 ° C .: 3.6 mPa · s, 25 ° C. Surface tension: 29.7 mN / m), tetradecane (boiling point: 254 ° C., viscosity at 20 ° C .: 3.8 mPa · s, surface tension at 25 ° C .: 28.9 mN / m), and the like.

(シリコーン系添加剤、フッ素含有添加剤)
本発明の銅微粒子分散体においては、被記録媒体上に、該銅微粒子分散体を用いて、インクジェット記録方式で描画されるパターンの膜質を向上させるために、レベリング性を向上させる機能を有するシリコーン系添加剤及び/又はフッ素含有添加剤を0.1〜1.0質量%の割合で含有することを要する。
前記添加剤を上記範囲で含むことにより、描画されたパターン膜の塗布ムラが抑制され、面状均一性が高くなるばかりではなく、厚膜を形成しても膜割れの発生が抑制され、表面抵抗値の低い銅パターン膜が得られる。
(Silicone-based additive, fluorine-containing additive)
In the copper fine particle dispersion of the present invention, a silicone having a function of improving leveling properties in order to improve the film quality of a pattern drawn by an ink jet recording method on the recording medium using the copper fine particle dispersion. It is necessary to contain a system additive and / or a fluorine-containing additive in a proportion of 0.1 to 1.0% by mass.
By including the additive in the above range, uneven coating of the drawn pattern film is suppressed, and not only the surface uniformity is increased, but also the occurrence of film cracking is suppressed even when a thick film is formed. A copper pattern film having a low resistance value is obtained.

当該シリコーン系添加剤及びフッ素含有添加剤としては、特に制限はなく、従来公知のシリコーン系レベリング剤及びフッ素系レベリング剤の中から、共存する銅微粒子の性状や含有量、分散剤の種類や含有量及び分散媒の種類等に応じて、適宜選択して用いることができる。   There is no restriction | limiting in particular as the said silicone type additive and a fluorine-containing additive, From the conventionally well-known silicone type leveling agent and fluorine type leveling agent, the property and content of the coexisting copper fine particle, the kind and content of a dispersing agent It can be appropriately selected and used depending on the amount and the kind of the dispersion medium.

<シリコーン系添加剤>
当該シリコーン系添加剤としては、主鎖及び側鎖の少なくとも一方にポリオルガノシロキサン構造を有する添加剤が挙げられる。本発明においては、主鎖にポリオルガノシロキサン構造を有する添加剤が好適に用いられ、該ポリオルガノシロキサン構造としては、ポリジメチルシロキサン、又はポリジメチルシロキサンの一部を有機変性した有機変性ポリシロキサンであることが好ましい。
ここで、ポリジメチルシロキサンの一部を有機変性した有機変性ポリシロキサンとは、ポリジメチルシロキサン中のジメチルシロキサンユニットにおける一部のメチル基が、ポリオキシエチレン及び/又はポリオキシプロピレン等のポリエーテル、ポリエステル、アラルキル、炭素数2以上のアルキル等の1種又は2種以上に置換されたポリシロキサンをいう(以下、これを「変性ポリジメチルシロキサン」という)。これらのうち、レベリング性及び溶解性の観点から、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン、ポリエステル変性ポリジメチルシロキサン、ポリエーテルエステル変性ポリジメチルシロキサンが好ましい。
上記変性ポリジメチルシロキサンは、(メタ)アクリル基、カルボキシ基、水酸基等の反応性官能基を有していてもよい。
<Silicone additive>
Examples of the silicone-based additive include an additive having a polyorganosiloxane structure in at least one of a main chain and a side chain. In the present invention, an additive having a polyorganosiloxane structure in the main chain is preferably used. The polyorganosiloxane structure is polydimethylsiloxane or an organically modified polysiloxane obtained by organically modifying a part of polydimethylsiloxane. Preferably there is.
Here, the organically modified polysiloxane obtained by organically modifying a part of polydimethylsiloxane is a part of methyl group in the dimethylsiloxane unit in polydimethylsiloxane is a polyether such as polyoxyethylene and / or polyoxypropylene, Polysiloxane substituted with one or more of polyester, aralkyl, alkyl having 2 or more carbon atoms and the like (hereinafter referred to as “modified polydimethylsiloxane”). Of these, polyether-modified polydimethylsiloxane, polyester-modified polydimethylsiloxane, and polyetherester-modified polydimethylsiloxane are preferred from the viewpoint of leveling properties and solubility.
The modified polydimethylsiloxane may have a reactive functional group such as a (meth) acryl group, a carboxy group, or a hydroxyl group.

当該シリコーン系添加剤としては、例えば市販品のビックケミー社製、商品名「BYK−302」、「BYK−307」、「BYK−375」等を用いることができる。   As the silicone-based additive, for example, commercially available products manufactured by Big Chemie, trade names “BYK-302”, “BYK-307”, “BYK-375”, and the like can be used.

<フッ素含有添加剤>
一方、フッ素含有添加剤としては、フッ素を含有するオリゴマー又はポリマーを用いることができる。例えば、パーフルオロアルキル基含有(メタ)アクリレート等のパーフルオロアルキル基含有モノマーの単独重合体、又は当該モノマーと共重合可能な他のモノマーとの共重合体からなるフッ素系オリゴマー又はポリマーを挙げることができる。
当該モノマーと共重合可能な他のモノマーとしては、アルキル(メタ)アクリレート、ポリエーテル構造を有する(メタ)アクリレート等が挙げられる。
<Fluorine-containing additive>
On the other hand, as the fluorine-containing additive, an oligomer or polymer containing fluorine can be used. For example, mention is made of a fluorine-based oligomer or polymer comprising a homopolymer of a perfluoroalkyl group-containing monomer such as a perfluoroalkyl group-containing (meth) acrylate, or a copolymer with another monomer copolymerizable with the monomer. Can do.
Examples of other monomers copolymerizable with the monomer include alkyl (meth) acrylates and (meth) acrylates having a polyether structure.

当該フッ素含有添加剤としては、例えば市販品のDIC株式会社製、商品名「メガファックF−554」、「メガファックF−552」、「メガファックF−558」や、ビックケミー社製、商品名「BYK−340」等を用いることができる。
前述したシリコーン系添加剤及びフッ素含有添加剤を比較した場合、膜割れの抑制及びレベリング性向上の観点から、フッ素含有添加剤の方が好適である。
Examples of the fluorine-containing additive include commercial products manufactured by DIC Corporation, trade names “Megafac F-554”, “Megafac F-552”, “Megafac F-558”, manufactured by BYK Chemie, Inc. “BYK-340” or the like can be used.
When the silicone-based additive and the fluorine-containing additive described above are compared, the fluorine-containing additive is more preferable from the viewpoint of suppressing film cracking and improving leveling properties.

(その他の成分)
本発明の銅微粒子分散体には、上記成分のほかに、界面活性剤、可塑剤、防カビ剤等の添加剤を適宜配合することができる。また、更に分散性を高めるため、他の低分子量の分散剤を配合してもよい。
これらのうち、界面活性剤は、銅微粒子の分散性をさらに高めたり、塗工性を向上させることができるため、好適に配合される。界面活性剤として、具体的には、4級アンモニウム塩等のカチオン系界面活性剤;カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、リン酸エステル塩等のアニオン系界面活性剤;エーテル型、エステル型、エーテルエステル型等のノニオン系界面活性剤等が挙げられる。
さらに、造膜性を高めること、印刷適性を付与すること、及び分散性を高めることを目的として、例えばポリエステル樹脂、アクリル樹脂、あるいはウレタン樹脂等を樹脂バインダーとして銅微粒子分散体に添加してもよい。また、必要に応じて、粘度調整剤、表面張力調整剤、あるいは安定剤等を添加してもよい。
(Other ingredients)
In addition to the above components, additives such as surfactants, plasticizers, and fungicides can be appropriately blended with the copper fine particle dispersion of the present invention. In order to further improve dispersibility, other low molecular weight dispersants may be blended.
Among these, the surfactant is suitably blended because it can further enhance the dispersibility of the copper fine particles and improve the coating property. Specific examples of surfactants include cationic surfactants such as quaternary ammonium salts; anionic surfactants such as carboxylate salts, sulfonate salts, sulfate ester salts, and phosphate ester salts; ether types and esters. Type, ether ester type nonionic surfactants and the like.
Furthermore, for the purpose of improving the film forming property, imparting printability, and improving dispersibility, for example, a polyester resin, an acrylic resin, or a urethane resin may be added to the copper fine particle dispersion as a resin binder. Good. Moreover, you may add a viscosity modifier, a surface tension modifier, a stabilizer, etc. as needed.

(銅微粒子分散体の性状)
本発明の銅微粒子分散体における銅微粒子の含有量は、インクジェット印刷適性の観点から、20〜70質量%であることが好ましく、25〜65質量%であることがより好ましく、30〜65質量%であることがさらに好ましい。ここで、被記録媒体上に設けられたパターン状の銅微粒子焼結膜が4μm程度の厚膜であっても膜割れを防止し得るという観点からは、当該銅微粒子の含有量は、50質量%以上であることが好ましく、50〜70質量%であることがより好ましく、50〜65質量%であることがさらに好ましい。
本発明の銅微粒子分散体の固形分濃度は、インクジェット印刷適性の観点から、20〜75質量%であることが好ましく、25〜70質量%であることがより好ましく、30〜70質量%であることがさらに好ましい。
また、インクジェット印刷適性の観点から、当該銅微粒子分散体は、25℃における粘度が6.0〜20.0mPa・sであり、かつ25℃における表面張力が25〜35mN/mであることが好ましい。25℃における粘度が6.0mPa・s以上であると、ノズルから吐出された液が、液滴を形成しやすく、吐出不良を引き起こしにくい。また、粘度が20.0mPa・s以下であると、ノズルからインクが吐出されやすい。25℃における表面張力は、25mN/m以上であると、ノズルへのぬれ性が良好であり、ノズル詰まりや吐出曲がりが生じにくい。また、35mN/m以下であると、ノズルに液が十分に供給され、吐出不良を引き起こしにくい。
25℃における粘度は、より好ましくは6.0〜18.0mPa・sであり、25℃における表面張力は、より好ましくは27〜35mN/mである。
(Properties of copper fine particle dispersion)
The content of the copper fine particles in the copper fine particle dispersion of the present invention is preferably 20 to 70% by mass, more preferably 25 to 65% by mass, and more preferably 30 to 65% by mass from the viewpoint of ink jet printing suitability. More preferably. Here, from the viewpoint of preventing film cracking even if the patterned copper fine particle sintered film provided on the recording medium is a thick film of about 4 μm, the copper fine particle content is 50 mass%. It is preferable that it is above, it is more preferable that it is 50-70 mass%, and it is further more preferable that it is 50-65 mass%.
The solid content concentration of the copper fine particle dispersion of the present invention is preferably 20 to 75% by mass, more preferably 25 to 70% by mass, and 30 to 70% by mass from the viewpoint of ink jet printing suitability. More preferably.
Further, from the viewpoint of ink jet printing suitability, the copper fine particle dispersion preferably has a viscosity at 25 ° C. of 6.0 to 20.0 mPa · s and a surface tension at 25 ° C. of 25 to 35 mN / m. . When the viscosity at 25 ° C. is 6.0 mPa · s or more, the liquid ejected from the nozzle easily forms liquid droplets and hardly causes ejection failure. Further, when the viscosity is 20.0 mPa · s or less, ink is easily ejected from the nozzle. When the surface tension at 25 ° C. is 25 mN / m or more, the wettability to the nozzle is good, and nozzle clogging and ejection bending are unlikely to occur. Further, when it is 35 mN / m or less, the liquid is sufficiently supplied to the nozzle, and it is difficult to cause ejection failure.
The viscosity at 25 ° C. is more preferably 6.0 to 18.0 mPa · s, and the surface tension at 25 ° C. is more preferably 27 to 35 mN / m.

(銅微粒子分散体の調製)
当該銅微粒子分散体を調製するには、上記した分散媒中に、上記のようにして得られた銅微粒子と分散剤とシリコーン系添加剤及び/又はフッ素含有添加剤、及び必要に応じて用いられるその他成分とを、それぞれ所定の割合で加え、例えば、湿式ジェットミル、薄膜旋回法、液滴衝突法、超音波法、ミキサー法、3本ロール法、2本ロール法、アトライター、バンバリーミキサー、ペイントシェーカー、ニーダー、ホモジナイザー、ボールミル、サンドミル等を用いて分散処理することにより、調製することができる。シリコーン系添加剤及び/又はフッ素含有添加剤、及びその他成分は、分散処理後に混合してもよい。また、分散処理後に更に分散媒で希釈し、所望の粘度、表面張力に調整してもよい。
このようにして得られた銅微粒子分散体は、分散性が高く、低粘度であるためインクジェット印刷適性が向上すると共に、焼成温度及び/又は焼成時間の低減が可能な上、厚膜でも膜割れの発生が抑制され、基材界面まで焼結することが可能となる。特にマイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマによる焼成によっても、厚膜であり、かつ基材界面まで焼結された焼結膜を得ることができる。
(Preparation of copper fine particle dispersion)
In order to prepare the copper fine particle dispersion, the copper fine particles obtained as described above, the dispersant, the silicone-based additive and / or the fluorine-containing additive, and, if necessary, used in the dispersion medium described above. And other components to be added at a predetermined ratio, for example, wet jet mill, thin film swirl method, droplet collision method, ultrasonic method, mixer method, three-roll method, two-roll method, attritor, Banbury mixer It can be prepared by a dispersion treatment using a paint shaker, kneader, homogenizer, ball mill, sand mill or the like. The silicone-based additive and / or fluorine-containing additive and other components may be mixed after the dispersion treatment. Further, after the dispersion treatment, it may be further diluted with a dispersion medium and adjusted to a desired viscosity and surface tension.
The copper fine particle dispersion obtained in this manner has high dispersibility and low viscosity, so that the ink jet printing suitability is improved, and the firing temperature and / or firing time can be reduced. Is suppressed, and it is possible to sinter up to the substrate interface. In particular, a sintered film that is thick and is sintered to the substrate interface can also be obtained by firing with surface wave plasma generated by application of microwave energy.

次に、本発明のパターン形成方法について説明する。
[パターン形成方法]
本発明のパターン形成方法は、被記録媒体上に、前述した銅微粒子分散体を用いてインクジェット記録方式でパターンを描画することを特徴とする。
Next, the pattern forming method of the present invention will be described.
[Pattern formation method]
The pattern forming method of the present invention is characterized in that a pattern is drawn on a recording medium by the ink jet recording method using the copper fine particle dispersion described above.

(被記録媒体)
本発明のパターン形成方法において用いる被記録媒体としては、被記録媒体として用いられるものであれば特に制限されるものではなく、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、高歪点ガラス、石英ガラス等のガラス、アルミナ、シリカ等の無機材料を用いることができ、さらに高分子材料、紙等を用いることもできる。また、本発明では後に詳述するように、銅微粒子が低温で焼結されて銅パターン膜が形成されるため、被記録媒体に損傷を与えることがなく、高歪点ガラス等耐熱性の高い特殊なガラスを使わなくてもよく、耐熱性の低い通常のソーダライムガラス等であっても使用することができる。さらには、プラスチック等の高分子材料や紙も使用することができ、特に樹脂フィルムを用いることができる点で非常に有用である。
(Recording medium)
The recording medium used in the pattern forming method of the present invention is not particularly limited as long as it is used as a recording medium. For example, soda lime glass, alkali-free glass, borosilicate glass, high strain point glass In addition, glass such as quartz glass, inorganic materials such as alumina and silica can be used, and polymer materials, paper, and the like can also be used. In addition, as described in detail later, in the present invention, copper fine particles are sintered at a low temperature to form a copper pattern film, so that the recording medium is not damaged and high heat resistance such as high strain point glass is provided. There is no need to use special glass, and even ordinary soda lime glass having low heat resistance can be used. Furthermore, a polymer material such as plastic and paper can be used, which is particularly useful in that a resin film can be used.

ここで用いられる樹脂フィルムとしては、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ガラス−エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、液晶性高分子化合物等を挙げることができる。   The resin film used here is polyimide, polyamide, polyamideimide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, polyether sulfone, polycarbonate, polyether imide, epoxy resin, phenol resin, glass-epoxy. Examples thereof include resins, polyphenylene ethers, acrylic resins, polyolefins such as polyethylene and polypropylene, and liquid crystalline polymer compounds.

被記録媒体の厚さについては特に制限はないが、樹脂フィルム等のプラスチック基材の場合には、通常10〜300μmの範囲である。10μm以上であると、銅パターン膜を形成する際に被記録媒体の変形が抑制され、形成される銅パターン膜の形状安定性の点で好適である。また、300μm以下であると巻き取り加工を連続して行う場合に、柔軟性の点で好適である。
一方、被記録媒体が無機材料である場合には、通常0.1〜10mm程度、好ましくは0.3〜3mmである。
被記録媒体には、描画したパターンの形状を制御するため、及び密着性を付与するために表面処理を行ってもよい。表面処理の方法としては、例えば、コロナ処理、UV処理、真空紫外ランプ処理、プラズマ処理等のドライ処理、アミン系シランカップリング剤、イミダゾール系シランカップリング剤、チタンカップリング剤、アルミニウムカップリング剤等による薬液処理、多孔質膜形成処理、活性エネルギー線硬化型樹脂層、熱硬化型樹脂層、熱可塑性樹脂層等の樹脂層を形成する樹脂層形成処理等を行うことができる。
上記表面処理により、被記録媒体表面に撥液性を付与すると、被記録媒体に吐出された銅微粒子分散体の液滴が広がらず、高精細で、かつ、厚膜のパターンを形成することが可能である。また、被記録媒体に多孔質膜等のインク受容層を形成することで、銅微粒子分散体中の溶媒成分が浸透し、高精細なパターンを形成することが可能である。
逆に、上記表面処理により被記録媒体表面に親液性を付与すると、被記録媒体に吐出された銅微粒子分散体の液滴が重なってもパターンの膜厚が均一に保たれ、かつ、該液滴の不均一なぬれ広がり等によるパターンの欠落が発生しにくくなる。
Although there is no restriction | limiting in particular about the thickness of a recording medium, In the case of plastic base materials, such as a resin film, it is the range of 10-300 micrometers normally. When the thickness is 10 μm or more, deformation of the recording medium is suppressed when the copper pattern film is formed, which is preferable in terms of shape stability of the formed copper pattern film. Moreover, when it is 300 micrometers or less, when winding-up processing is performed continuously, it is suitable at the point of a softness | flexibility.
On the other hand, when the recording medium is an inorganic material, it is usually about 0.1 to 10 mm, preferably 0.3 to 3 mm.
The recording medium may be subjected to surface treatment in order to control the shape of the drawn pattern and to provide adhesion. Examples of the surface treatment method include corona treatment, UV treatment, vacuum ultraviolet lamp treatment, dry treatment such as plasma treatment, amine-based silane coupling agent, imidazole-based silane coupling agent, titanium coupling agent, and aluminum coupling agent. A chemical layer treatment, a porous film formation treatment, an active energy ray curable resin layer, a thermosetting resin layer, a resin layer formation treatment for forming a resin layer such as a thermoplastic resin layer, and the like can be performed.
By imparting liquid repellency to the surface of the recording medium by the above surface treatment, the droplets of the copper fine particle dispersion discharged on the recording medium do not spread, and a high-definition and thick film pattern can be formed. Is possible. In addition, by forming an ink receiving layer such as a porous film on the recording medium, the solvent component in the copper fine particle dispersion can penetrate and a high-definition pattern can be formed.
Conversely, when the surface treatment imparts lyophilicity to the surface of the recording medium, the film thickness of the pattern can be kept uniform even when the droplets of the copper fine particle dispersion discharged onto the recording medium overlap, and the Pattern loss due to non-uniform wetting and spreading of droplets is less likely to occur.

本発明のパターン形成方法では、上述した本発明の銅微粒子分散体を用いることを特徴とする。本発明の銅微粒子分散体は、上述のように、特定の分散剤及び添加剤を用いることによって、分散性及び安定性が高いものである。それと同時に、インクジェット記録方式によりパターンを描画する場合に、吐出安定性が高く、良好なパターニング適性が得られる。   The pattern forming method of the present invention is characterized by using the above-described copper fine particle dispersion of the present invention. As described above, the copper fine particle dispersion of the present invention has high dispersibility and stability by using a specific dispersant and additive. At the same time, when a pattern is drawn by the ink jet recording method, the ejection stability is high and good patterning aptitude is obtained.

(描画方法)
本発明のパターン形成方法においては、前述した銅微粒子分散体を用いて、インクジェット記録方式により被記録媒体上にパターンを描画する。当該銅微粒子分散体は、分散性に優れ、低粘度であり、かつ塗膜のレベリング性が良好であることから、インクジェットの吐出ノズルに詰まりが生じたり、吐出曲がりが生じることがなく、かつ形成されるパターン膜は、塗布ムラが抑制されると共に、面状均一性が高く、銅微粒子分散体の性状によっては、焼結パターン膜は2μm以上の厚膜であっても割れが発生しにくい。
前記2μm以上の焼結パターン膜を得るためには、インクジェット記録方式で描画されるパターンの厚さは、2μm以上であって、所望の焼結パターン膜厚に、分散剤等の有機分が分解・除去することによる膜の収縮分を考慮した膜厚にすることが好ましい。
なお、パターン膜の厚さは、インクジェットによる塗布量や、銅微粒子分散体中の銅微粒子の含有量、描画条件等を適宜変更することにより、制御することができる。
(Drawing method)
In the pattern forming method of the present invention, a pattern is drawn on a recording medium by the ink jet recording method using the copper fine particle dispersion described above. The copper fine particle dispersion has excellent dispersibility, low viscosity, and good leveling properties of the coating film. Therefore, the ink jet discharge nozzle is not clogged or bent, and formed. The applied pattern film suppresses coating unevenness and has high surface uniformity. Depending on the properties of the copper fine particle dispersion, the sintered pattern film is less likely to crack even if it is a thick film of 2 μm or more.
In order to obtain a sintered pattern film of 2 μm or more, the thickness of the pattern drawn by the ink jet recording method is 2 μm or more, and organic components such as a dispersant are decomposed into a desired sintered pattern film thickness. -It is preferable to make the film thickness considering the shrinkage of the film due to removal.
Note that the thickness of the pattern film can be controlled by appropriately changing the coating amount by inkjet, the content of copper fine particles in the copper fine particle dispersion, the drawing conditions, and the like.

被記録媒体上に、前述した当該銅微粒子分散体を用いて、インクジェット記録方式により膜厚2μm以上のパターンを形成するには、前記被記録媒体上に、同一パターンを重ねて描画する方法(以下、この描画方法を「重ね描画法」と称する場合がある。)や、前記被記録媒体上に、前記銅微粒子分散体の複数の液滴を重ならないように吐出して複数のドットパターンを描画した後、該ドットパターンの一部に重なるように該銅微粒子分散体の液滴を吐出して描画する工程を繰り返す方法(以下、この描画方法を「間引き描画法」と称する場合がある。)を採用することができる。本発明の銅微粒子分散体は、厚膜としても割れが発生しにくいため、上記方法により、描画後2μm以上の膜厚のパターンを形成することが可能である。
前記重ね描画法としては、前記被記録媒体上に、前記銅微粒子分散体を用いてラインパターンを描画して、該被記録媒体から分散媒や低分子量成分が一定量揮発してから、同一パターンを重なるように描画していく工程を繰り返す方法が挙げられる。
また、前記間引き描画法については、最初に描画されたドットパターンからある程度分散媒、低分子量成分が乾燥して揮発した後に、次のドットパターンが重なるため、描画後の液滴が広がらず、高精細で、かつ、厚膜なパターンを形成することが可能である。
液滴が被記録媒体に吐出されると同時に、あるいは吐出後に加熱して、銅微粒子分散体に含まれる分散媒、低分子量成分を揮発させることによって、より高精細で、かつ、厚膜なパターンを形成することが可能である。具体的には、例えば、被記録媒体を設置するステージを面状ヒーターで加熱したり、熱風、遠赤外線によって乾燥する方法が挙げられる。該温度としては、被記録媒体の耐熱性にもよるが、例えば、40〜120℃の温度とすることが好ましい。
In order to form a pattern having a film thickness of 2 μm or more on the recording medium using the above-mentioned copper fine particle dispersion by the ink jet recording method, a method of drawing the same pattern on the recording medium (hereinafter referred to as the same pattern) This drawing method may be referred to as an “overlapping drawing method”), or a plurality of dot patterns are drawn on the recording medium by discharging a plurality of droplets of the copper fine particle dispersion so as not to overlap. After that, a method of repeating the drawing process by discharging the droplets of the copper fine particle dispersion so as to overlap a part of the dot pattern (hereinafter, this drawing method may be referred to as “thinning drawing method”). Can be adopted. Since the copper fine particle dispersion of the present invention is not easily cracked even as a thick film, it is possible to form a pattern having a thickness of 2 μm or more after drawing by the above method.
As the overlay drawing method, a line pattern is drawn on the recording medium using the copper fine particle dispersion, and after the dispersion medium and low molecular weight components are volatilized from the recording medium by a certain amount, the same pattern is obtained. There is a method of repeating the process of drawing so as to overlap each other.
In the thinning drawing method, since a dispersion medium and a low molecular weight component are dried to some extent from the initially drawn dot pattern and volatilize, the next dot pattern overlaps, so that the droplet after drawing does not spread and the It is possible to form a fine and thick film pattern.
High-definition and thick film pattern by heating the droplets to the recording medium or after heating to volatilize the dispersion medium and low molecular weight components contained in the copper fine particle dispersion. Can be formed. Specifically, for example, a stage on which a recording medium is installed is heated with a planar heater, or dried with hot air or far infrared rays. The temperature is preferably 40 to 120 ° C., for example, although it depends on the heat resistance of the recording medium.

次に、本発明の銅パターン膜の製造方法について説明する。
[銅パターン膜の製造方法]
本発明の銅パターン膜の製造方法は、前述の方法で被記録媒体上に、インクジェット記録方式により形成されたパターンを、加熱処理、光処理、薬液処理、反応性ガス処理、及びプラズマ処理からなる群から選ばれる少なくとも1種の方法で処理(以下、該処理を「焼成処理」と称する場合がある。)することを特徴とする。
Next, the manufacturing method of the copper pattern film | membrane of this invention is demonstrated.
[Method for producing copper pattern film]
The method for producing a copper pattern film of the present invention comprises a pattern formed by an inkjet recording method on a recording medium by the above-described method, comprising heat treatment, light treatment, chemical treatment, reactive gas treatment, and plasma treatment. The treatment is performed by at least one method selected from the group (hereinafter, the treatment may be referred to as “baking treatment”).

(焼成処理)
本発明の銅パターン膜の製造方法においては、前述した方法で被記録媒体上に形成されたパターンを、加熱処理、光処理、薬液処理、反応性ガス処理、及びプラズマ処理の中から選ばれる少なくとも1種の方法を用いて焼成処理を行う。
加熱処理としては、ホットプレート加熱、熱風加熱、熱板や熱ロールによるホットプレス法が挙げられる。光処理としては、レーザー処理、紫外線ランプ処理、赤外線ランプ処理、遠赤外線ランプ処理、パルス状のキセノンランプ処理等が挙げられる。薬液処理としては、銅パターンに含まれる有機物を分解、溶解する溶媒や、酸化した銅を還元する化合物、例えば、クエン酸、アスコルビン酸、グリセリン等に浸漬し、必要に応じ加熱する処理が挙げられる。反応性ガス処理としては、例えば、酸化した銅に対して還元性を示すメタノール、エタノール、グリセリン等のアルコール、ギ酸、シュウ酸等の酸、水素、一酸化炭素、アンモニア等に曝し、必要に応じ加熱する処理が挙げられる。プラズマ処理としては、還元性を示す水素、一酸化炭素、アンモニア、アルコール等のガスを電離してプラズマ状態とし、反応性の高い活性種を生成させる処理であり、例えば、電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマ、高周波プラズマ、大気圧プラズマ、マイクロ波プラズマ、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマ等が挙げられる。これらの処理は、2種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの処理の前に、パターン中に含まれる分散媒、有機物等を除去するため、大気下又は酸素を含む雰囲気下、50〜300℃の温度で、1分〜120分程度、加熱処理してもよい。
なお、焼成処理では、銅パターン膜中の銅微粒子すべてを焼結させる必要はなく、十分に低い表面抵抗の膜が得られるのであれば、被記録媒体近傍に銅微粒子層、銅微粒子層が酸化した層を残存させておいてもよい。
(Baking process)
In the method for producing a copper pattern film of the present invention, the pattern formed on the recording medium by the above-described method is at least selected from heat treatment, light treatment, chemical treatment, reactive gas treatment, and plasma treatment. A baking process is performed using one kind of method.
Examples of the heat treatment include hot plate heating, hot air heating, hot pressing using a hot plate or a hot roll. Examples of the light treatment include laser treatment, ultraviolet lamp treatment, infrared lamp treatment, far-infrared lamp treatment, and pulsed xenon lamp treatment. Examples of the chemical solution treatment include a treatment for decomposing and dissolving organic substances contained in the copper pattern and a treatment for reducing oxidized copper such as citric acid, ascorbic acid, glycerin and the like, and heating as necessary. . Examples of reactive gas treatment include exposure to alcohols such as methanol, ethanol, glycerin, etc. that exhibit reducibility to oxidized copper, acids such as formic acid and oxalic acid, hydrogen, carbon monoxide, ammonia, etc. The process which heats is mentioned. The plasma treatment is a treatment that ionizes gases such as hydrogen, carbon monoxide, ammonia, and alcohol that exhibit reducing properties to form a plasma state to generate highly reactive active species. For example, electron cyclotron resonance (ECR) Examples thereof include plasma, high-frequency plasma, atmospheric pressure plasma, microwave plasma, and surface wave plasma generated by application of microwave energy. These treatments can be used in combination of two or more.
In addition, before these treatments, in order to remove the dispersion medium, organic matter, and the like contained in the pattern, heat treatment is performed at a temperature of 50 to 300 ° C. for about 1 minute to 120 minutes in an atmosphere or an atmosphere containing oxygen. May be.
In the baking process, it is not necessary to sinter all the copper fine particles in the copper pattern film. If a film having a sufficiently low surface resistance is obtained, the copper fine particle layer and the copper fine particle layer are oxidized in the vicinity of the recording medium. This layer may remain.

これらの焼成処理の中でも、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマ(以下「マイクロ波表面波プラズマ」と称する場合がある。)により行うことが好ましい。焼成処理にマイクロ波表面波プラズマを用いることで、被記録媒体への熱ダメージを少なくすることができる。また、被記録媒体の表面が粗化することを防ぐことができるため、透明被記録媒体を用いる場合には、導電パターンが形成された部分以外の被記録媒体の透明性が確保される。
また、マイクロ波表面波プラズマによる焼成処理は、大面積の処理が可能で、短時間の焼成処理が可能であるため、生産性が極めて高い。
Among these firing treatments, it is preferable to carry out by surface wave plasma generated by application of microwave energy (hereinafter sometimes referred to as “microwave surface wave plasma”). By using microwave surface wave plasma for the baking treatment, thermal damage to the recording medium can be reduced. Further, since the surface of the recording medium can be prevented from being roughened, when the transparent recording medium is used, the transparency of the recording medium other than the portion where the conductive pattern is formed is ensured.
In addition, the baking treatment using the microwave surface wave plasma can be performed over a large area and can be performed in a short time, so that productivity is extremely high.

さらに、マイクロ波表面波プラズマを用いた焼成は、不活性ガス雰囲気下又は還元性ガス雰囲気下で行うのが、銅微粒子焼結膜の導電性の観点から好ましい。
特に、本発明においては、マイクロ波表面波プラズマを、還元性ガスの雰囲気下で発生させることが好ましく、とりわけ水素ガス雰囲気下で発生させることが好ましい。これにより、銅微粒子表面に存在する絶縁性の酸化物が還元除去され、表面抵抗の低い銅パターン膜が形成される。
Further, firing using microwave surface wave plasma is preferably performed in an inert gas atmosphere or a reducing gas atmosphere from the viewpoint of the conductivity of the copper fine particle sintered film.
In particular, in the present invention, the microwave surface wave plasma is preferably generated under a reducing gas atmosphere, and particularly preferably generated under a hydrogen gas atmosphere. Thereby, the insulating oxide present on the surface of the copper fine particles is reduced and removed, and a copper pattern film having a low surface resistance is formed.

還元性雰囲気を形成する還元性気体としては、水素、一酸化炭素、アンモニア等のガス、あるいはこれらの混合ガスが挙げられるが、特に、副生成物が少ない点で水素ガスが好ましい。
なお、還元性気体には、窒素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の不活性ガスを混合して用いれば、プラズマが発生し易くなる等の効果がある。
Examples of the reducing gas that forms the reducing atmosphere include gases such as hydrogen, carbon monoxide, and ammonia, or a mixed gas thereof. In particular, hydrogen gas is preferable in that there are few byproducts.
Note that the reducing gas has an effect that plasma is easily generated when an inert gas such as nitrogen, helium, argon, neon, krypton, or xenon is mixed.

マイクロ波表面波プラズマ処理の前に、銅微粒子分散体を含むインクをインクジェット記録方式で描画したパターン膜に含まれる分散剤等の有機物を除去するために、大気下又は酸素を含む雰囲気下、50〜300℃程度の温度で1分〜2時間程度焼成処理することが好ましい。この焼成処理により、有機物が酸化分解除去され、マイクロ波表面波プラズマ処理において、銅微粒子の焼結が促進される。ただし、本発明では、上述のように、分散剤として特定のものを用いることによって、焼成処理をより低温にしたり、該マイクロ波表面波プラズマ処理の前の焼成処理を省略することができる。   Before the microwave surface wave plasma treatment, in order to remove organic substances such as a dispersant contained in the pattern film in which the ink containing the copper fine particle dispersion is drawn by the ink jet recording method, the atmosphere 50 or an atmosphere containing oxygen is used. The baking treatment is preferably performed at a temperature of about 300 ° C. for about 1 minute to 2 hours. By this baking treatment, organic substances are oxidatively decomposed and removed, and the sintering of the copper fine particles is promoted in the microwave surface wave plasma treatment. However, in the present invention, as described above, by using a specific dispersant, the firing treatment can be performed at a lower temperature, or the firing treatment prior to the microwave surface wave plasma treatment can be omitted.

(マイクロ波表面波プラズマの発生方法)
前記マイクロ波表面波プラズマの発生方法に特に制限はなく、例えば減圧状態の焼成処理室の照射窓からマイクロ波エネルギーを供給し、該焼成処理室内に照射窓に沿う表面波プラズマを発生させる無電極プラズマ発生手段を用いることができる。
(Method for generating microwave surface wave plasma)
There is no particular limitation on the method of generating the microwave surface wave plasma, for example, an electrodeless electrode that supplies microwave energy from the irradiation window of the baking processing chamber in a reduced pressure state and generates surface wave plasma along the irradiation window in the baking processing chamber. Plasma generating means can be used.

前記プラズマ発生手段としては、例えば焼成処理室の照射窓から周波数2450MHzのマイクロ波エネルギーを供給し、該処理室内に、電子温度が約1eV以下、電子密度が約1×1011〜1×1013cm-3のマイクロ波表面波プラズマを発生させることができる。
なお、マイクロ波エネルギーは、一般に周波数が300MHz〜3000GHzの電磁波であるが、例えば、2450MHzの電磁波が用いられる。この際、マイクロ波発振装置であるマグネトロンの精度誤差等のために2450MHz/±50MHzの周波数範囲を有している。
As the plasma generating means, for example, microwave energy having a frequency of 2450 MHz is supplied from an irradiation window of a baking processing chamber, and an electron temperature is about 1 eV or less and an electron density is about 1 × 10 11 to 1 × 10 13 in the processing chamber. A cm -3 microwave surface wave plasma can be generated.
The microwave energy is generally an electromagnetic wave having a frequency of 300 MHz to 3000 GHz. For example, an electromagnetic wave of 2450 MHz is used. At this time, the frequency range is 2450 MHz / ± 50 MHz due to an accuracy error of the magnetron which is a microwave oscillation device.

(マイクロ波表面波プラズマの効果)
このようなマイクロ波表面波プラズマは、プラズマ密度が高く、電子温度が低い特性を有し、前記パターン膜を低温かつ短時間で焼成処理することが可能であり、緻密かつ平滑な銅微粒子焼結膜を形成することができる。マイクロ波表面波プラズマは、処理面に対して、面内で均一の密度のプラズマが照射される。その結果、他の焼成方式と比べて、面内で部分的に粒子の焼結が進行する等、不均一な膜が形成されることが少なく、また粒成長を防ぐことができるため、非常に緻密で、平滑な膜が得られる。また、面内処理室内に電極を設ける必要がないので、電極由来の不純物のコンタミネーションを防ぐことができ、また処理材料に対して異常な放電によるダメージを防ぐことができる。
さらに、マイクロ波表面波プラズマは、電子温度が低いため、被記録媒体をエッチングする能力が小さく、プラスチック製の被記録媒体に対するダメージを小さくすることができると推察される。
(Effect of microwave surface wave plasma)
Such microwave surface wave plasma has the characteristics that the plasma density is high and the electron temperature is low, the pattern film can be fired at a low temperature in a short time, and a dense and smooth copper fine particle sintered film. Can be formed. The microwave surface wave plasma is irradiated with plasma having a uniform density within the surface with respect to the processing surface. As a result, compared to other firing methods, it is less likely that a non-uniform film is formed, such as partial sintering of particles in the plane, and grain growth can be prevented. A dense and smooth film can be obtained. In addition, since it is not necessary to provide an electrode in the in-plane processing chamber, contamination of impurities derived from the electrode can be prevented, and damage to the processing material due to abnormal discharge can be prevented.
Furthermore, since the microwave surface wave plasma has a low electron temperature, it is presumed that the ability to etch the recording medium is small and damage to the plastic recording medium can be reduced.

マイクロ波表面波プラズマは、樹脂製の被記録媒体に対する銅微粒子焼結膜の密着性を高めるのに好適である。この理由としては、マイクロ波表面波プラズマは、銅微粒子焼結膜との界面で水酸基やカルボキシル基等の極性官能基を発生させやすいためと推測される。特にポリエステル製被記録媒体に対して、還元性ガス雰囲気下で発生するプラズマを用いた場合には、ポリエステルのエステル結合に、還元性ガスを有するガスのプラズマが反応し、基材の界面側に改質が起こり、極性の高い反応基が多く発生するために、銅微粒子焼結膜と被記録媒体の界面での密着性が向上するものと推察している。
したがって、従来のように、被記録媒体表面をあらかじめプラズマ処理等により粗化して、銅パターン膜との密着性を向上させる方法に比較しても、本発明の方法は、被記録媒体と銅パターン膜との界面が平滑であり、かつ密着性が高い点で優れている。
The microwave surface wave plasma is suitable for enhancing the adhesion of the copper fine particle sintered film to the resin recording medium. This is presumably because the microwave surface wave plasma easily generates polar functional groups such as hydroxyl groups and carboxyl groups at the interface with the copper fine particle sintered film. In particular, when a plasma generated in a reducing gas atmosphere is used for a recording medium made of polyester, the plasma of the gas having the reducing gas reacts with the ester bond of the polyester, and the substrate side of the substrate becomes the interface. It is presumed that the adhesion at the interface between the copper fine particle sintered film and the recording medium is improved because the reforming occurs and many reactive groups having high polarity are generated.
Therefore, as compared with the conventional method of improving the adhesion with the copper pattern film by roughening the surface of the recording medium in advance by plasma treatment or the like, the method of the present invention is effective for the recording medium and the copper pattern. It is excellent in that the interface with the film is smooth and the adhesiveness is high.

本発明の方法によれば、前述した方法で、被記録媒体上に、厚さが1.0〜6.0μm、好ましくは2.5〜6.0μmであり、かつ表面抵抗値が0.01〜0.5Ω/□である銅パターン膜を形成することができる。本発明の方法では膜割れの発生なしに銅パターン膜を厚膜化することが可能であるため、表面抵抗値の低い銅パターン膜を形成できるものである。   According to the method of the present invention, the thickness is 1.0 to 6.0 μm, preferably 2.5 to 6.0 μm, and the surface resistance value is 0.01 on the recording medium by the method described above. A copper pattern film of ~ 0.5Ω / □ can be formed. In the method of the present invention, it is possible to increase the thickness of the copper pattern film without the occurrence of film cracking, so that it is possible to form a copper pattern film having a low surface resistance value.

次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、この例によってなんら限定されるものではない。
なお、合成例で得られた粉体状銅微粒子の平均一次粒径、並びに実施例で得られた銅微粒子分散体の粘度と表面張力、及び焼成前後の膜厚と膜割れの有無、及び焼結膜の表面抵抗値を、以下に示す方法により測定した。
EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited at all by this example.
The average primary particle size of the powdered copper fine particles obtained in the synthesis example, the viscosity and surface tension of the copper fine particle dispersion obtained in the examples, the film thickness before and after firing, the presence or absence of film cracks, and the firing The surface resistance value of the conjunctiva was measured by the following method.

(1)銅微粒子の平均一次粒子径
走査型電子顕微鏡(SEM)(「S−4800(型番)」,株式会社日立ハイテクノロジーズ製)を用い、同装置に付属するSTEMによる観察像により、加速電圧30kV、エミッション電流10μAにて、銅微粒子の観察を行い、その平均一次粒径について、得られた画像から任意の粒子100個を抽出し、その粒径を計測し、算術平均(個数平均)することにより求めた。
(1) Average primary particle diameter of copper fine particles Using a scanning electron microscope (SEM) (“S-4800 (model number)”, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), an accelerating voltage is obtained by an observation image by STEM attached to the apparatus. Copper fine particles are observed at an emission current of 10 μA at 30 kV, and for the average primary particle size, 100 arbitrary particles are extracted from the obtained image, the particle size is measured, and arithmetic average (number average) is performed. Was determined by

(2)銅微粒子分散体の粘度及び表面張力
(a)粘度
銅微粒子分散体の温度25℃における粘度を、レオメーター(Anton Paar社製)を用いて、せん断速度1000(1/s)の条件で測定した。
(b)表面張力
銅微粒子分散体の温度25℃における表面張力を、動的表面張力計(SITA社製)を用いて、最大泡圧法により気泡発生周期0〜10Hzの範囲で測定した。
(2) Viscosity and surface tension of copper fine particle dispersion (a) Viscosity The viscosity at a temperature of 25 ° C. of the copper fine particle dispersion was measured using a rheometer (manufactured by Anton Paar) at a shear rate of 1000 (1 / s). Measured with
(B) Surface tension The surface tension of the copper fine particle dispersion at a temperature of 25 ° C. was measured in a range of a bubble generation period of 0 to 10 Hz by a maximum bubble pressure method using a dynamic surface tension meter (manufactured by SITA).

(3)銅微粒子分散体のインクジェット印刷適性の評価
銅微粒子分散体のインクジェット印刷適性について、インクジェットプリンタ(「DMP−2831(型番)」,FUJIFILM Dimatix社製)を用いて、吐出量:10pLのカートリッジヘッドで印刷し、該カートリッジヘッドの吐出曲がりや詰まり、及び被記録媒体上に形成された描画パターンを観察し、印刷適性を評価した。
(3) Evaluation of Ink-jet Printing Suitability of Copper Fine Particle Dispersion Regarding the ink-jet printing suitability of the copper fine particle dispersion, an ink jet printer (“DMP-2831 (model number)”, manufactured by FUJIFILM Dimatix) has a discharge amount of 10 pL. The printability was evaluated by observing the discharge bend and clogging of the cartridge head and the drawing pattern formed on the recording medium.

(4)膜厚、膜割れの有無、及び焼結膜の表面抵抗値
(a)膜厚、及び膜割れの有無
非接触表面形状測定機(商品名「NEW VIEW TM7300」、ZYGO社製)を用いて、走査型白色干渉法により、焼成前後の膜厚を測定した。また、デジタルマイクロスコープ(商品名「VHX−1000」、株式会社KEYENCE製)を用いて、膜表面の状態や膜割れの有無を観察した。
(b)焼結膜の表面抵抗値
表面抵抗計(「ロレスタGP(型番)」、株式会社ダイアインスツルメンツ製、PSPタイププローブ)を用いて、銅微粒子焼結膜に4探針を接触させ、4探針法にて表面抵抗値を測定した。
(4) Film thickness, presence / absence of film cracking, and surface resistance value of sintered film (a) Film thickness, presence / absence of film cracking Non-contact surface shape measuring instrument (trade name “NEW VIEW TM7300”, manufactured by ZYGO) The film thickness before and after firing was measured by a scanning white light interference method. Moreover, the state of the film | membrane surface and the presence or absence of a film crack were observed using the digital microscope (Brand name "VHX-1000", the product made from KEYENCE).
(B) Surface Resistance Value of Sintered Film Using a surface resistance meter (“Loresta GP (model number)”, manufactured by Dia Instruments Co., Ltd., PSP type probe), 4 probes are brought into contact with the copper fine particle sintered film. The surface resistance value was measured by the method.

合成例1 銅微粒子の合成
酸化第二銅64g、保護コロイドとしてゼラチン5.1gを650mLの純水に添加・混合し、15質量%のアンモニア水を用いて混合液のpHを10に調整した後、20分かけて室温から90℃まで昇温させた。昇温後、撹拌しながら錯化剤として1質量%のメルカプト酢酸溶液6.4gと80質量%のヒドラジン一水和物75gを150mLの純水に混合した液を添加して、1時間かけて酸化第二銅を反応させた。
反応液を濾過した後、濾液を洗浄・乾燥して、粉体状の銅微粒子を得た。得られた銅微粒子の平均一次粒径は50nmであった。
Synthesis Example 1 Synthesis of Copper Fine Particles After adding and mixing 64 g of cupric oxide and 5.1 g of gelatin as a protective colloid to 650 mL of pure water and adjusting the pH of the mixture to 10 using 15% by mass of ammonia water. The temperature was raised from room temperature to 90 ° C. over 20 minutes. After raising the temperature, a solution prepared by mixing 6.4 g of a 1% by mass mercaptoacetic acid solution and 75 g of 80% by mass hydrazine monohydrate with 150 mL of pure water as a complexing agent was added over 1 hour. Cupric oxide was reacted.
After the reaction solution was filtered, the filtrate was washed and dried to obtain powdered copper fine particles. The average primary particle size of the obtained copper fine particles was 50 nm.

比較例1
容量140mLのマヨネーズ瓶に、分散媒としてジエチレングリコールジブチルエーテルを34.2g(57.0質量%)、分散剤として高分子分散剤である「ソルスパース71000」(ルーブリゾール社製)を1.8g(3.0質量%)計量して撹拌した。分散剤が溶解してから合成例で得られた銅微粒子を24.0g(40.0質量%)加えて撹拌した。直径0.3mmのジルコニアビーズ150gを加えて、瓶に蓋をして、ペイントシェーカーにて4時間処理することで銅微粒子分散体を得た。
この分散体の25℃における粘度は6.9mPa・s、25℃における表面張力は31.9mN/mであり、また、該分散体の上記規定のインクジェット印刷適性は、カートリッジヘッドの吐出曲がりや詰まりがなく、良好であった。
次に、得られた銅微粒子分散体を、エタノール洗浄した無アルカリガラス基板(日本電気硝子株式会社製、OA−10GF CFグレード)上に、吐出速度:6m/s、吐出周波数:1.5kHz、ステージ温度:60℃、ドットピッチ:50μmの条件でインクジェット記録方式により6回まで重ね描画して、膜厚の異なるパターンを形成した。その後、該パターンを230℃にて20分大気焼成を行い分散体中の銅微粒子以外の成分を除去した。次いで、水素ガスを導入圧力20Paで導入しながら、マイクロ波表面波プラズマ処理装置(「MSP−1500(型番)」,ミクロ電子株式会社製)を用いて、マイクロ波出力800Wで5分間焼成し、該基板表面に焼結膜からなるパターン膜を形成した。該基板の表面の温度を熱電対で測定したところ、表面波プラズマによる焼成前は25℃に保持されており、焼結後(プラズマ照射終了後)は220℃に到達していた。
インクジェット記録方式で描画されたパターンの膜厚が1.0μmを超えると描画後の段階で微細な膜割れが発生し、該膜厚は約2.2μmで顕著な膜割れが発生した。また、焼結膜もその状態を維持していた。
Comparative Example 1
In a mayonnaise bottle with a capacity of 140 mL, 34.2 g (57.0% by mass) of diethylene glycol dibutyl ether as a dispersion medium and 1.8 g (3 of Lubrizol) of “Solsperse 71000” as a polymer dispersant as a dispersant 0.0% by mass) and weighed and stirred. After the dispersant was dissolved, 24.0 g (40.0% by mass) of the copper fine particles obtained in the synthesis example was added and stirred. A copper fine particle dispersion was obtained by adding 150 g of zirconia beads having a diameter of 0.3 mm, capping the bottle, and treating with a paint shaker for 4 hours.
The dispersion has a viscosity at 25 ° C. of 6.9 mPa · s, and a surface tension at 25 ° C. of 31.9 mN / m. The above-described prescribed inkjet printability of the dispersion is due to the discharge bending and clogging of the cartridge head. There was no good.
Next, the obtained copper fine particle dispersion was subjected to ethanol washing on an alkali-free glass substrate (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., OA-10GF CF grade), discharge speed: 6 m / s, discharge frequency: 1.5 kHz, Overprinting was performed up to 6 times by the ink jet recording method under the conditions of stage temperature: 60 ° C. and dot pitch: 50 μm, patterns with different film thicknesses were formed. Thereafter, the pattern was air baked at 230 ° C. for 20 minutes to remove components other than the copper fine particles in the dispersion. Next, while introducing hydrogen gas at an introduction pressure of 20 Pa, using a microwave surface wave plasma processing apparatus (“MSP-1500 (model number)”, manufactured by Micro Electronics Co., Ltd.), firing was performed at a microwave output of 800 W for 5 minutes. A pattern film made of a sintered film was formed on the substrate surface. When the temperature of the surface of the substrate was measured with a thermocouple, it was maintained at 25 ° C. before firing with surface wave plasma, and reached 220 ° C. after sintering (after completion of plasma irradiation).
When the film thickness of the pattern drawn by the ink jet recording method exceeded 1.0 μm, fine film cracking occurred at the stage after the drawing, and remarkable film cracking occurred at the film thickness of about 2.2 μm. Also, the sintered film maintained that state.

実施例1
比較例1において、銅微粒子分散体の組成を、銅微粒子を24.0g(40.0質量%)、分散剤として「ソルスパース8200」(ルーブリゾール社製)を1.8g(3.0質量%)、フッ素含有添加剤「メガファックF−554」(DIC株式会社製)を0.12g(0.2質量%)、及び分散媒ジエチレングリコールジブチルエーテルを34.08g(56.8質量%)に変えた以外は、比較例1と同様にして銅微粒子分散体を調製した。
この分散体の25℃における粘度は6.7mPa・s、25℃における表面張力は30.4mN/mであり、また、該分散体の上記規定のインクジェット印刷適性は、カートリッジヘッドの吐出曲がりや詰まりがなく、良好であった。
次に、得られた銅微粒子分散体を、エタノール洗浄した無アルカリガラス基板上(日本電気硝子株式会社製、OA−10GF CFグレード)に、比較例1と同じ条件で、インクジェット記録方式により1〜8回まで重ね描画して、膜厚の異なるパターンを形成した。次いで、比較例1と同様にして、該パターンを大気焼成したのち、マイクロ波表面波プラズマ処理を行い、該基板表面に焼結膜からなるパターン膜を形成した。
第1表に、実施例1における重ね描画回数と、焼成前後のパターン膜の厚さ及び膜割れの有無との関係を示す。
Example 1
In Comparative Example 1, the copper fine particle dispersion was composed of 24.0 g (40.0% by mass) of copper fine particles and 1.8 g (3.0% by mass) of “Solsperse 8200” (manufactured by Lubrizol) as a dispersant. ), 0.12 g (0.2% by mass) of the fluorine-containing additive “Megafac F-554” (manufactured by DIC Corporation), and 34.08 g (56.8% by mass) of the dispersion medium diethylene glycol dibutyl ether. A copper fine particle dispersion was prepared in the same manner as in Comparative Example 1 except that.
The dispersion has a viscosity at 25 ° C. of 6.7 mPa · s, a surface tension at 25 ° C. of 30.4 mN / m, and the prescribed ink jet printing suitability of the dispersion is due to ejection bending and clogging of the cartridge head. There was no good.
Next, the obtained copper fine particle dispersion was placed on an alkali-free glass substrate washed with ethanol (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., OA-10GF CF grade) under the same conditions as in Comparative Example 1 by an inkjet recording method. Overlapping drawing was performed up to 8 times to form patterns with different film thicknesses. Next, in the same manner as in Comparative Example 1, the pattern was fired in the atmosphere, and then subjected to microwave surface wave plasma treatment to form a pattern film made of a sintered film on the substrate surface.
Table 1 shows the relationship between the number of times of overdrawing in Example 1, the thickness of the pattern film before and after firing, and the presence or absence of film cracking.

Figure 0005821485
Figure 0005821485

第1表から分かるように、焼成前のパターン膜の厚さが2.0μm、焼成後のパターン膜の厚さが1.7μmまでは、膜割れは認められなかった。
また、上記方法により、膜厚1.7μm、表面抵抗値が0.19Ω/□の銅パターン膜が得られた。
As can be seen from Table 1, no film cracking was observed until the thickness of the pattern film before firing was 2.0 μm and the thickness of the pattern film after firing was 1.7 μm.
Also, a copper pattern film having a film thickness of 1.7 μm and a surface resistance value of 0.19Ω / □ was obtained by the above method.

実施例2
比較例1において、銅微粒子分散体の組成を、銅微粒子を24.0g(40.0質量%)、分散剤「DISPER BYK−9076」(ビックケミー社製、重量平均分子量;10,000)を1.8g(3.0質量%)、フッ素含有添加剤「メガファックF−554」(DIC株式会社製)を0.6g(1.0質量%)及び分散媒としてジエチレングリコールジブチルエーテルを33.6g(56.0質量%)に変えた以外は、比較例1と同様にして銅微粒子分散体を調製した。
この分散体の25℃における粘度は6.2mPa・s、25℃における表面張力は27.9mN/mであり、また、該分散体の上記規定のインクジェット印刷適性は、カートリッジヘッドの吐出曲がりや詰まりがなく、良好であった。
次に、得られた銅微粒子分散体を、エタノール洗浄した無アルカリガラス基板上(日本電気硝子株式会社製、OA−10GF CFグレード)に、比較例1と同じ条件で、インクジェット記録方式により5回まで重ね描画して膜厚の異なるパターンを形成した。
次いで、比較例1と同様にして、該パターンを大気焼成したのち、マイクロ波表面波プラズマ処理を行い、該基板表面に焼結膜からなるパターン膜を形成した。
その結果、レベリング性向上効果を有する「メガファックF−554」の含有量を多くすることにより、パターン膜の焼成前の膜厚が2.5μmまで、焼成後のパターン膜の厚さが1.8μmまでは、膜割れは認められなかった。
また、上記方法により、膜厚1.8μm、表面抵抗値が0.06Ω/□の銅パターン膜が得られた。
Example 2
In Comparative Example 1, the composition of the copper fine particle dispersion was such that 24.0 g (40.0 mass%) of the copper fine particles and a dispersant “DISPER BYK-9076” (by Big Chemie, weight average molecular weight; 10,000) were 1 0.8 g (3.0% by mass), 0.6 g (1.0% by mass) of fluorine-containing additive “Megafac F-554” (manufactured by DIC Corporation), and 33.6 g of diethylene glycol dibutyl ether as a dispersion medium ( A copper fine particle dispersion was prepared in the same manner as in Comparative Example 1 except that the content was changed to 56.0% by mass).
The dispersion has a viscosity at 25 ° C. of 6.2 mPa · s and a surface tension at 25 ° C. of 27.9 mN / m. The above-mentioned prescribed ink jet printing suitability is due to the discharge bending and clogging of the cartridge head. There was no good.
Next, the obtained copper fine particle dispersion was applied to an ethanol-free alkali-free glass substrate (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., OA-10GF CF grade) under the same conditions as in Comparative Example 1 by an inkjet recording method 5 times. Overlapping drawing was performed to form patterns with different film thicknesses.
Next, in the same manner as in Comparative Example 1, the pattern was fired in the atmosphere, and then subjected to microwave surface wave plasma treatment to form a pattern film made of a sintered film on the substrate surface.
As a result, by increasing the content of “Megafac F-554” having an effect of improving the leveling property, the thickness of the pattern film before baking is reduced to 2.5 μm, and the thickness of the patterned film after baking is set to 1. No film cracking was observed up to 8 μm.
In addition, a copper pattern film having a film thickness of 1.8 μm and a surface resistance value of 0.06Ω / □ was obtained by the above method.

実施例3
比較例1において、銅微粒子分散体の組成を、銅微粒子を24.0g(40.0質量%)、分散剤「ソルスパース41000」(ルーブリゾール社製、重量平均分子量;3,000)を3.6g(6.0質量%)、フッ素含有添加剤「メガファックF−554」(DIC株式会社製)を0.12g(0.2質量%)及び分散媒としてジエチレングリコールジブチルエーテルを32.28g(53.8質量%)に変えた以外は、比較例1と同様にして銅微粒子分散体を調製した。
この分散体の25℃における粘度は8.7mPa・s、25℃における表面張力は30.1mN/mであり、また、該分散体の上記規定のインクジェット印刷適性は、カートリッジヘッドの吐出曲がりや詰まりがなく、良好であった。
次に、得られた銅微粒子分散体を、エタノール洗浄した無アルカリガラス基板上(日本電気硝子株式会社製、OA−10GF CFグレード)に、比較例1と同じ条件で、インクジェット記録方式により8回まで重ね描画して膜厚の異なるパターンを形成した。
次いで、比較例1と同様にして、該パターンを大気焼成したのち、マイクロ波表面波プラズマ処理を行い、該基板表面に焼結膜からなるパターン膜を形成した。
その結果、分散剤の含有量を多くすることにより、パターン膜の焼成前の膜厚が4.0μmまで、焼成後の膜厚が3.5μmまでは、膜割れは認められなかった。
また、上記方法により、膜厚3.5μm、表面抵抗値が0.05Ω/□の銅パターン膜が得られた。
Example 3
In Comparative Example 1, the composition of the copper fine particle dispersion was as follows: 24.0 g (40.0% by mass) of copper fine particles and a dispersant “Solsperse 41000” (manufactured by Lubrizol, weight average molecular weight; 3,000). 6 g (6.0% by mass), 0.12 g (0.2% by mass) of fluorine-containing additive “Megafac F-554” (manufactured by DIC Corporation) and 32.28 g (53 of diethylene glycol dibutyl ether as a dispersion medium) A copper fine particle dispersion was prepared in the same manner as in Comparative Example 1 except that the content was changed to 0.8 mass%.
The dispersion has a viscosity at 25 ° C. of 8.7 mPa · s and a surface tension at 25 ° C. of 30.1 mN / m, and the above-described prescribed ink jet printing suitability is due to the discharge bending or clogging of the cartridge head. There was no good.
Next, the obtained copper fine particle dispersion was applied to an alkali-free glass substrate washed with ethanol (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., OA-10GF CF grade) under the same conditions as in Comparative Example 1 by the ink jet recording method 8 times. Overlapping drawing was performed to form patterns with different film thicknesses.
Next, in the same manner as in Comparative Example 1, the pattern was fired in the atmosphere, and then subjected to microwave surface wave plasma treatment to form a pattern film made of a sintered film on the substrate surface.
As a result, by increasing the content of the dispersing agent, no film cracking was observed until the film thickness before baking of the pattern film was 4.0 μm and the film thickness after baking was 3.5 μm.
In addition, a copper pattern film having a film thickness of 3.5 μm and a surface resistance value of 0.05Ω / □ was obtained by the above method.

実施例4
比較例1において、銅微粒子分散体の組成を、銅微粒子を36.0g(60.0質量%)、分散剤「ソルスパース71000」(ルーブリゾール社製)を1.8g(3.0質量%)、フッ素含有添加剤「メガファックF−554」(DIC株式会社製)を0.12g(0.2質量%)及び分散媒としてジエチレングリコールジブチルエーテルを22.08g(36.8質量%)に変えた以外は、比較例1と同様にして銅微粒子分散体を調製した。
この分散体の25℃における粘度は17.3mPa・s、25℃における表面張力は34.1mN/mであり、また、該分散体の上記規定のインクジェット印刷適性は、カートリッジヘッドの吐出曲がりや詰まりがなく、良好であった。
次に、得られた銅微粒子分散体を、エタノール洗浄した無アルカリガラス基板上(日本電気硝子株式会社製、OA−10GF CFグレード)に、比較例1と同じ条件で、インクジェット記録方式により6回まで重ね描画して膜厚の異なるパターンを形成した。
次いで、比較例1と同様にして、該パターンを大気焼成したのち、マイクロ波表面波プラズマ処理を行い、該基板表面に焼結膜からなるパターン膜を形成した。
その結果、銅微粒子の含有量を多くすることにより、パターン膜の焼成前の膜厚が3.9μmまで、焼成後の膜厚が2.5μmまでは、膜割れは認められなかった。
また、上記方法により、膜厚2.5μm、表面抵抗値が0.03Ω/□の銅パターン膜が得られた。
Example 4
In Comparative Example 1, the composition of the copper fine particle dispersion was 36.0 g (60.0% by mass) of copper fine particles, and 1.8 g (3.0% by mass) of the dispersant “Solsperse 71000” (manufactured by Lubrizol). In addition, 0.12 g (0.2% by mass) of the fluorine-containing additive “Megafac F-554” (manufactured by DIC Corporation) and 22.08 g (36.8% by mass) of diethylene glycol dibutyl ether as a dispersion medium were changed. Except for the above, a copper fine particle dispersion was prepared in the same manner as in Comparative Example 1.
This dispersion has a viscosity of 17.3 mPa · s at 25 ° C. and a surface tension of 34.1 mN / m at 25 ° C. The above-mentioned prescribed inkjet printability of the dispersion is due to the discharge bending and clogging of the cartridge head. There was no good.
Next, the obtained copper fine particle dispersion was applied to an alkali-free glass substrate washed with ethanol (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., OA-10GF CF grade) under the same conditions as in Comparative Example 1 six times by the inkjet recording method. Overlapping drawing was performed to form patterns with different film thicknesses.
Next, in the same manner as in Comparative Example 1, the pattern was fired in the atmosphere, and then subjected to microwave surface wave plasma treatment to form a pattern film made of a sintered film on the substrate surface.
As a result, by increasing the content of the copper fine particles, no film cracking was observed until the film thickness before firing of the pattern film was 3.9 μm and the film thickness after firing was 2.5 μm.
Also, a copper pattern film having a film thickness of 2.5 μm and a surface resistance value of 0.03Ω / □ was obtained by the above method.

実施例5
比較例1において、銅微粒子分散体の組成を、銅微粒子を30.0g(50.0質量%)、分散剤「ソルスパース71000」(ルーブリゾール社製)を2.7g(4.5質量%)、フッ素含有添加剤「メガファックF−554」(DIC株式会社製)を0.12g(0.2質量%)及び分散媒としてジエチレングリコールジブチルエーテルを27.18g(45.3質量%)に変えた以外は、比較例1と同様にして銅微粒子分散体を調製した。
この分散体の25℃における粘度は14.0mPa・s、25℃における表面張力は33.0mN/m、また、該分散体の上記規定のインクジェット印刷適性は、カートリッジヘッドの吐出曲がりや詰まりがなく、良好であった。
次に、得られた銅微粒子分散体を、エタノール洗浄した無アルカリガラス基板上(日本電気硝子株式会社製、OA−10GF CFグレード)に、比較例1と同じ条件で、インクジェット記録方式により8回まで重ね描画して膜厚の異なるパターンを形成した。
次いで、比較例1と同様にして、該パターンを大気焼成したのち、マイクロ波表面波プラズマ処理を行い、該基板表面に焼結膜からなるパターン膜を形成した。
その結果、銅微粒子の含有量及び分散剤の含有量を多くすることにより、パターン膜の焼成前の厚さが6.0μmまで、焼成後の膜厚が4.0μmまでは、膜割れは認められなかった。
また、上記方法により、膜厚4.0μm、表面抵抗値が0.05Ω/□の銅パターン膜が得られた。
Example 5
In Comparative Example 1, the composition of the copper fine particle dispersion was 30.0 g (50.0 mass%) of copper fine particles, and 2.7 g (4.5 mass%) of a dispersant “Solsperse 71000” (manufactured by Lubrizol). , 0.12 g (0.2% by mass) of the fluorine-containing additive “Megafac F-554” (manufactured by DIC Corporation) and 27.18 g (45.3% by mass) of diethylene glycol dibutyl ether as a dispersion medium were changed. Except for the above, a copper fine particle dispersion was prepared in the same manner as in Comparative Example 1.
This dispersion has a viscosity at 25 ° C. of 14.0 mPa · s, a surface tension at 25 ° C. of 33.0 mN / m, and the above-mentioned ink jet printing suitability of the dispersion does not cause any ejection bending or clogging of the cartridge head. ,It was good.
Next, the obtained copper fine particle dispersion was applied to an alkali-free glass substrate washed with ethanol (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., OA-10GF CF grade) under the same conditions as in Comparative Example 1 by the ink jet recording method 8 times. Overlapping drawing was performed to form patterns with different film thicknesses.
Next, in the same manner as in Comparative Example 1, the pattern was fired in the atmosphere, and then subjected to microwave surface wave plasma treatment to form a pattern film made of a sintered film on the substrate surface.
As a result, by increasing the content of the copper fine particles and the content of the dispersing agent, film cracking was recognized when the thickness of the pattern film before baking was up to 6.0 μm and the film thickness after baking was up to 4.0 μm. I couldn't.
Further, a copper pattern film having a film thickness of 4.0 μm and a surface resistance value of 0.05Ω / □ was obtained by the above method.

実施例6
比較例1において、銅微粒子分散体の組成を、銅微粒子を24.0g(40.0質量%)、分散剤「ソルスパース8200」(ルーブリゾール社製)を1.8g(3.0質量%)、シリコーン系添加剤「BYK−302」(ビックケミー社製)を0.12g(0.2質量%)及び分散媒としてジエチレングリコールジブチルエーテルを34.08g(56.8質量%)に変えた以外は、比較例1と同様にして銅微粒子分散体を調製した。
この分散体の25℃における粘度は7.3mPa・s、25℃における表面張力は32.6mN/m、また、該分散体の上記規定のインクジェット印刷適性は、カートリッジヘッドの吐出曲がりや詰まりがなく、良好であった。
次に、得られた銅微粒子分散体を、エタノール洗浄した無アルカリガラス基板(日本電気硝子製、OA−10GF CFグレード)に、比較例1と同じ条件で、インクジェット記録方式により6回まで重ね描画して膜厚の異なるパターンを形成した。
次いで、比較例1と同様にして、該パターンを大気焼成したのち、マイクロ波表面波プラズマ処理を行い、該基板表面に焼結膜からなるパターン膜を形成した。
その結果、パターン膜の焼成前の厚さが2.5μmまで、焼成後の膜厚が1.7μmまでは、膜割れは認められなかった。
また、上記方法により、膜厚1.7μm、表面抵抗値が0.08Ω/□の銅パターン膜が得られた。
Example 6
In Comparative Example 1, the composition of the copper fine particle dispersion was such that the copper fine particles were 24.0 g (40.0 mass%), and the dispersant “Solsperse 8200” (manufactured by Lubrizol) was 1.8 g (3.0 mass%). , Except that 0.12 g (0.2% by mass) of silicone-based additive “BYK-302” (by Big Chemie) and 34.08 g (56.8% by mass) of diethylene glycol dibutyl ether as a dispersion medium were changed. A copper fine particle dispersion was prepared in the same manner as in Comparative Example 1.
This dispersion has a viscosity at 25 ° C. of 7.3 mPa · s, a surface tension at 25 ° C. of 32.6 mN / m, and the above-described prescribed ink jet printing suitability does not cause ejection distortion or clogging of the cartridge head. ,It was good.
Next, the obtained copper fine particle dispersion was drawn on an alkali-free glass substrate washed with ethanol (manufactured by Nippon Electric Glass, OA-10GF CF grade) up to 6 times by the inkjet recording method under the same conditions as in Comparative Example 1. Thus, patterns having different film thicknesses were formed.
Next, in the same manner as in Comparative Example 1, the pattern was fired in the atmosphere, and then subjected to microwave surface wave plasma treatment to form a pattern film made of a sintered film on the substrate surface.
As a result, no film cracking was observed until the thickness of the pattern film before baking was up to 2.5 μm and the film thickness after baking was up to 1.7 μm.
Also, a copper pattern film having a film thickness of 1.7 μm and a surface resistance value of 0.08Ω / □ was obtained by the above method.

実施例7
実施例1で作製した銅微粒子分散体を使用して、エタノール洗浄した無アルカリガラス基板(日本電気硝子製、OA−10GF CFグレード)に、上記とは異なる手法により膜厚の異なるパターンを形成した。
具体的には、最初に吐出速度:6m/s、吐出周波数:1.5kHz、ステージ温度:60℃、ドットピッチ:100μmの条件で、個々のドットが80μmのドットパターンを描画した後に、描画開始位置を50μmずらして再度描画する工程を繰り返した(間引き描画法)。これにより、各ドットが十分に乾燥してから、次のドットが隣接して描画されるので、膜割れをより抑制することが可能となった。
次いで、比較例1と同様にして、該パターンを大気焼成したのち、マイクロ波表面波プラズマ処理を行い、該基板表面に焼結膜からなるパターン膜を形成した。
その結果、パターン膜の焼成前の厚さが2.8μmまで、焼成後の膜厚が1.5μmまでは、膜割れは認められなかった。
また、上記方法により、膜厚1.5μm、表面抵抗値が0.06Ω/□の銅パターン膜が得られた。
Example 7
Using the copper fine particle dispersion produced in Example 1, patterns having different film thicknesses were formed on an alkali-free glass substrate (manufactured by Nippon Electric Glass, OA-10GF CF grade) washed with ethanol by a method different from the above. .
Specifically, drawing is started after drawing a dot pattern with individual dots of 80 μm under conditions of discharge speed: 6 m / s, discharge frequency: 1.5 kHz, stage temperature: 60 ° C., and dot pitch: 100 μm. The process of drawing again by shifting the position by 50 μm was repeated (decimation drawing method). Thereby, after each dot is sufficiently dried, the next dot is drawn adjacently, so that it is possible to further suppress film cracking.
Next, in the same manner as in Comparative Example 1, the pattern was fired in the atmosphere, and then subjected to microwave surface wave plasma treatment to form a pattern film made of a sintered film on the substrate surface.
As a result, no film cracking was observed until the thickness of the pattern film before firing was 2.8 μm and the film thickness after firing was 1.5 μm.
Also, a copper pattern film having a film thickness of 1.5 μm and a surface resistance value of 0.06Ω / □ was obtained by the above method.

実施例、比較例で用いた銅微粒子分散体の配合及び性状、及び評価結果を第2表に示す。   Table 2 shows the composition and properties of the copper fine particle dispersions used in Examples and Comparative Examples, and the evaluation results.

Figure 0005821485
Figure 0005821485

本発明の銅微粒子分散体は、被記録媒体上に、厚膜でも膜割れの発生が抑制されたパターン状の銅微粒子焼結膜からなる銅パターン膜を形成することができ、かつ分散性が高く、インクジェット印刷適性が良好である上、焼成温度及び/又は焼成時間の低減が可能である等の性状を有している。   The copper fine particle dispersion of the present invention can form a copper pattern film made of a sintered copper fine film with a pattern on which the occurrence of film cracking is suppressed even on a thick film, and has high dispersibility. In addition, the ink jet printing suitability is good, and the firing temperature and / or firing time can be reduced.

Claims (11)

平均一次粒径が1〜200nmの銅微粒子、ポリエーテル構造を有し、重量平均分子量が500〜50,000の範囲にある分散剤、及び分散媒を含有し、かつ、シリコーン系添加剤及び/又はフッ素含有添加剤を0.1〜1.0質量%含有する銅微粒子分散体。   Copper fine particles having an average primary particle size of 1 to 200 nm, a dispersant having a polyether structure and a weight average molecular weight in the range of 500 to 50,000, a dispersion medium, and a silicone-based additive and / or Alternatively, a copper fine particle dispersion containing 0.1 to 1.0% by mass of a fluorine-containing additive. 前記分散剤の含有量が1質量%以上である、請求項1に記載の銅微粒子分散体。   The copper fine particle dispersion according to claim 1, wherein the content of the dispersant is 1% by mass or more. 前記分散媒の常圧における沸点が170℃以上である、請求項1又は2に記載の銅微粒子分散体。   The copper fine particle dispersion according to claim 1 or 2, wherein a boiling point of the dispersion medium at normal pressure is 170 ° C or higher. 前記分散媒の20℃における粘度が1.0〜4.0mPa・sであり、かつ25℃における表面張力が20〜32mN/mである、請求項1〜3のいずれかに記載の銅微粒子分散体。   The copper fine particle dispersion according to any one of claims 1 to 3, wherein the dispersion medium has a viscosity at 20 ° C of 1.0 to 4.0 mPa · s and a surface tension at 25 ° C of 20 to 32 mN / m. body. 25℃における粘度が6.0〜20.0mPa・sであり、かつ25℃における表面張力が25〜35mN/mである、請求項1〜4のいずれかに記載の銅微粒子分散体。   The copper fine particle dispersion according to any one of claims 1 to 4, wherein the viscosity at 25 ° C is 6.0 to 20.0 mPa · s, and the surface tension at 25 ° C is 25 to 35 mN / m. 被記録媒体上に、請求項1〜5のいずれかに記載の銅微粒子分散体を用いてインクジェット記録方式でパターンを描画する、パターン形成方法。   A pattern forming method of drawing a pattern on a recording medium by an ink jet recording method using the copper fine particle dispersion according to claim 1. 膜厚2μm以上のパターンを形成する、請求項6に記載のパターン形成方法。   The pattern formation method of Claim 6 which forms a pattern with a film thickness of 2 micrometers or more. 前記被記録媒体上に、同一パターンを重ねて描画する、請求項6又は7に記載のパターン形成方法。   The pattern forming method according to claim 6, wherein the same pattern is drawn on the recording medium in an overlapping manner. 前記被記録媒体上に、前記銅微粒子分散体の複数の液滴を重ならないように吐出して複数のドットパターンを描画した後、該ドットパターンの一部に重なるように該銅微粒子分散体の液滴を吐出して描画する工程を繰り返す、請求項6又は7に記載のパターン形成方法。   After the plurality of droplets of the copper fine particle dispersion are ejected onto the recording medium so as not to overlap, a plurality of dot patterns are drawn, and then the copper fine particle dispersion is overlapped with a part of the dot pattern. The pattern forming method according to claim 6, wherein the step of drawing by discharging droplets is repeated. 請求項6〜9のいずれかに記載の方法で形成したパターンを、加熱処理、光処理、薬液処理、反応性ガス処理、及びプラズマ処理からなる群から選ばれる少なくとも1種の方法で処理する、銅パターン膜の製造方法。   The pattern formed by the method according to any one of claims 6 to 9 is treated by at least one method selected from the group consisting of heat treatment, light treatment, chemical treatment, reactive gas treatment, and plasma treatment. A method for producing a copper pattern film. 銅パターン膜の厚さが1.0〜6.0μmであり、かつ表面抵抗値が0.01〜0.5Ω/□である、請求項10に記載の銅パターン膜の製造方法。   The manufacturing method of the copper pattern film | membrane of Claim 10 whose thickness of a copper pattern film | membrane is 1.0-6.0 micrometers, and whose surface resistance value is 0.01-0.5 ohm / square.
JP2011218407A 2011-09-30 2011-09-30 Copper fine particle dispersion, pattern forming method, and copper pattern film manufacturing method Active JP5821485B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011218407A JP5821485B2 (en) 2011-09-30 2011-09-30 Copper fine particle dispersion, pattern forming method, and copper pattern film manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011218407A JP5821485B2 (en) 2011-09-30 2011-09-30 Copper fine particle dispersion, pattern forming method, and copper pattern film manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013079408A JP2013079408A (en) 2013-05-02
JP5821485B2 true JP5821485B2 (en) 2015-11-24

Family

ID=48526011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011218407A Active JP5821485B2 (en) 2011-09-30 2011-09-30 Copper fine particle dispersion, pattern forming method, and copper pattern film manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5821485B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7305272B2 (en) 2019-09-09 2023-07-10 石原ケミカル株式会社 Conductive film forming method
CN113369486B (en) * 2021-06-17 2023-06-16 中科检测技术服务(重庆)有限公司 Preparation method of nano copper particles for solar cell panel

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4205393B2 (en) * 2002-09-26 2009-01-07 ハリマ化成株式会社 Method for forming fine wiring pattern
JP2004327229A (en) * 2003-04-24 2004-11-18 Konica Minolta Holdings Inc Composition for forming conductive pattern, forming method for conductive pattern, and manufacturing method of composition
JP2004342741A (en) * 2003-05-14 2004-12-02 Seiko Epson Corp Method of forming film, method of forming interconnect line, method of manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2005296854A (en) * 2004-04-13 2005-10-27 Sharp Corp Membrane formation apparatus and membrane formation method
JP2006009120A (en) * 2004-06-29 2006-01-12 Asahi Kasei Corp Metal particulate-dispersed body
US8506849B2 (en) * 2008-03-05 2013-08-13 Applied Nanotech Holdings, Inc. Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks
TWI471168B (en) * 2008-08-29 2015-02-01 Ishihara Sangyo Kaisha Metallic copper dispersion, method for preparing the same, electrodes, wiring patterns, coatings, decorated articles and antibacterial articles having the coatings and methods for preparing the same
JP5723283B2 (en) * 2009-09-30 2015-05-27 大日本印刷株式会社 Metal fine particle dispersion, method for producing conductive substrate, and conductive substrate
JP5685372B2 (en) * 2009-10-27 2015-03-18 石原産業株式会社 Metal ink, metal-containing film using the same, and method for producing the same
JP5772462B2 (en) * 2011-09-30 2015-09-02 大日本印刷株式会社 Pattern forming method and copper pattern film manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013079408A (en) 2013-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5982033B2 (en) Metal fine particle dispersion, copper fine particle dispersion, method for producing copper fine particle dispersion, and method for producing conductive substrate
JP5821244B2 (en) Metal fine particle dispersion, conductive substrate and method for producing the same
JP5994811B2 (en) Copper nanoparticle dispersion and method for producing conductive substrate
JP5843123B2 (en) Conductive pattern, electronic circuit, and laminate manufacturing method
JP5849426B2 (en) Metal oxide fine particle dispersion, conductive substrate and method for producing the same
JP2013064191A (en) Collagen peptide-coated copper nanoparticle, collagen peptide-coated copper nanoparticle dispersion, method for preparing collagen peptide-coated copper nanoparticle, conductive ink, method for preparing conductive film, and conductor wiring
JP6418435B2 (en) Laminate, conductive pattern and electronic circuit
JP6277751B2 (en) Copper particle dispersion paste and method for producing conductive substrate
JP5821485B2 (en) Copper fine particle dispersion, pattern forming method, and copper pattern film manufacturing method
JP5772462B2 (en) Pattern forming method and copper pattern film manufacturing method
JP6446069B2 (en) Conductive fine particles
TWI772428B (en) Manufacturing method of conductive ink and conductive substrate
JP5944668B2 (en) Method for producing sintered metal copper film
JP6331386B2 (en) Coated copper nanoparticles, copper nanoparticle dispersion, and method for producing conductive substrate
JP2010232639A (en) Method of forming metallic pattern, and metallic pattern
WO2013141174A1 (en) Conductive ink, base material including conductor, and production method for base material including conductor
JP6237098B2 (en) Dispersant, metal particle dispersion for conductive substrate, and method for producing conductive substrate
JP5151622B2 (en) Method for manufacturing conductive substrate and conductive substrate
JP2017022125A (en) Copper nanoparticle dispersion and method of manufacturing conductive substrate
JP2016186033A (en) Conductive ink composition, method for producing wiring pattern and method for producing organic transistor
JP2010277974A (en) Conductive thin film substrate, and method of manufacturing the same
JP5338235B2 (en) Manufacturing method of conductive substrate and conductive substrate obtained by the method
JP2005150233A (en) Method of forming circuit board
JP2016160528A (en) Method for manufacturing circuit board, circuit board and plasma device
JP6111587B2 (en) Method for manufacturing conductive substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140729

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150608

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150616

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150908

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150921

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5821485

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150