JP5815473B2 - Manufacturing method of conductive pattern forming substrate - Google Patents
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本発明は、導電パターン形成基板の製造方法に関する。 The present invention relates to the production how conductive pattern forming substrate.
従来、金属ナノワイヤーによる導体パターンを形成する方法として、フォトリソグラフィを用いたウェットエッチングが知られている。
例えば特許文献1には、マトリクス内に内蔵され得るナノワイヤーのネットワークを備えた透明導電体が開示されている。特許文献1に記載の透明導電体は、マトリクスがウェットエッチングによって除去されることにより、ナノワイヤーがパターン形成される。特許文献1に記載の透明導電体は、光学的に透明、かつパターン化可能であって、タッチスクリーン、液晶表示装置、プラズマ表示パネル等の視覚表示デバイス内の透明電極として使用することができる。
また、ウェットエッチングの効率を上げる目的で、エッチング前に、酸素プラズマやUVオゾンによる表面処理をすることにより、エッチング液に対する濡れ性が改善することも特許文献1に開示されている。
Conventionally, wet etching using photolithography is known as a method for forming a conductor pattern using metal nanowires.
For example,
Further,
しかしながら、特許文献1に開示された技術では、マトリクスの厚さが不均一であると適切にナノワイヤーを露出させられない場合がある。マトリクスの厚さを厳密に均一とすることは困難であり、特許文献1に開示の技術では、ナノワイヤーの導通や絶縁の不良が生じるおそれがある。
However, in the technique disclosed in
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、ナノワイヤーの導通や絶縁の不良が生じにくい導電パターン形成基板の製造方法および当該製造方法により製造される導電パターン形成基板を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and the object thereof is a method for manufacturing a conductive pattern forming substrate that is less likely to cause nanowire conduction and insulation failure, and conductive pattern formation manufactured by the manufacturing method. It is to provide a substrate.
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、導電粒子と光透過性樹脂とを含む透明導電膜を絶縁基板上に形成する成膜工程と、前記透明導電膜の一部を露出させる開口を有するマスクを前記透明導電膜上に形成するマスキング工程と、前記マスクの開口内に露出する前記光透過性樹脂の少なくとも一部をドライエッチングにより除去する第一除去工程と、前記第一除去工程の後、前記マスクの開口内に露出する前記導電粒子の少なくとも一部を除去する第二除去工程と、を含むことを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法である。
In order to solve the above problems, the present invention proposes the following means.
The method for producing a conductive pattern forming substrate of the present invention has a film forming step for forming a transparent conductive film containing conductive particles and a light transmissive resin on an insulating substrate, and an opening for exposing a part of the transparent conductive film. After a masking step of forming a mask on the transparent conductive film, a first removal step of removing at least a part of the light-transmitting resin exposed in the opening of the mask by dry etching, and the first removal step And a second removal step of removing at least a part of the conductive particles exposed in the openings of the mask.
また、前記導電粒子は金属ナノワイヤーであってもよい。 The conductive particles may be metal nanowires.
また、前記第一除去工程では、前記絶縁基板の厚さ方向から見たときにおける前記マスクの開口内において、前記透明導電膜の外面に前記導電粒子が露出し且つ前記絶縁基板上に前記光透過性樹脂の一部が残存した状態となるように前記光透過性樹脂を部分的にドライエッチングにより除去し、前記第二除去工程では、前記絶縁基板の厚さ方向から見たときに前記マスクの開口内に存する前記導電粒子の少なくとも一部を、前記透明導電膜の外面に露出した部分を始点としてウェットエッチングにより漸次除去してもよい。 Further, in the first removal step, the conductive particles are exposed on the outer surface of the transparent conductive film in the opening of the mask when viewed from the thickness direction of the insulating substrate, and the light transmission is performed on the insulating substrate. The light-transmitting resin is partially removed by dry etching so that a part of the conductive resin remains, and in the second removal step, when the mask is viewed from the thickness direction of the insulating substrate, At least a part of the conductive particles existing in the opening may be gradually removed by wet etching starting from a portion exposed on the outer surface of the transparent conductive film.
また、前記第二除去工程後、前記絶縁基板の厚さ方向から見たときに前記マスクの開口内に全体が存する前記導電粒子は前記マスクの開口の外側領域に少なくとも一部が存する前記導電粒子から離間して電気的に絶縁状態である。 In addition, after the second removal step, the conductive particles that are entirely present in the opening of the mask when viewed from the thickness direction of the insulating substrate are at least partially in the outer region of the opening of the mask. It is in an electrically insulated state away from.
また、前記第一除去工程では、前記絶縁基板の厚さ方向から見たときにおける前記マスクの開口内において前記光透過性樹脂の全部をドライエッチングにより除去し、前記第二除去工程では、前記開口内に存する前記導電粒子をウェットエッチングにより除去してもよい。 Further, in the first removal step, all of the light transmissive resin is removed by dry etching in the opening of the mask when viewed from the thickness direction of the insulating substrate, and in the second removal step, the opening The conductive particles existing inside may be removed by wet etching.
また、前記第一除去工程では、前記絶縁基板の厚さ方向から見たときにおける前記マスクの開口内において前記光透過性樹脂の全部をドライエッチングにより除去し、前記第二除去工程では、前記開口内に存する前記導電粒子を洗浄用流体により洗い流してもよい。 Further, in the first removal step, all of the light transmissive resin is removed by dry etching in the opening of the mask when viewed from the thickness direction of the insulating substrate, and in the second removal step, the opening The conductive particles existing inside may be washed away with a cleaning fluid.
本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、ナノワイヤーの導通や絶縁の不良が生じにくい。
Conductive pattern forming manufacturing how the substrate of the present invention is less likely to occur defective conduction or insulation nanowires.
本発明の一実施形態の導電パターン形成基板の製造方法及び導電パターン形成基板について説明する。
まず、本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法によって製造される導電パターン形成基板の構成について説明する。図1は、本実施形態の導電パターン形成基板を示す模式的な平面図である。図2は図1のA−A線における断面図である。
The manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate of one Embodiment of this invention and a conductive pattern formation board | substrate are demonstrated.
First, the structure of the conductive pattern formation board manufactured by the manufacturing method of the conductive pattern formation board of this embodiment is explained. FIG. 1 is a schematic plan view showing a conductive pattern forming substrate of this embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
図1及び図2に示すように、導電パターン形成基板1は、絶縁基板2と、透明導電層3と、保護層9とを備える。また、本実施形態では、透明導電層3の外面の一部には配線8が設けられている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the conductive
絶縁基板2は、板状、シート状、フィルム状、若しくは膜状の絶縁性部材であり、また、光透過性を有する。絶縁基板2の材料としては、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などの樹脂を好適に採用することができる。絶縁基板2の具体的な材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル、環状ポリオレフィン、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリアクリル樹脂、シクロオレフィンポリマー、及び、光透過性を有する他の樹脂材料並びにガラスを採用することができる。
The
絶縁基板2の光線透過率は85%以上であることが好ましい。また、絶縁基板2は無色透明であることが好ましい。なお、絶縁基板2は、光透過性を有し且つ着色されていてもよい。
絶縁基板2の厚さは、0.05mm以上0.2mm以下であることが好ましい。また、絶縁基板2の厚さは、0.1mm以上0.15mm以下であるとより好ましい。絶縁基板2の厚さが0.05mm以上であれば、導電パターン4等の構造を絶縁基板2上に形成するのが容易である。また、絶縁基板2の厚さが0.2mm以下であると、絶縁基板2の厚さ方向への光透過性に優れ、また導電パターン形成基板1を薄型とすることができる。
また、絶縁基板2の材料としてガラスが採用されている場合、絶縁基板2の厚さは、0.05mm以上0.5mm以下であることが好ましく、0.1mm以上0.4mm以下であるとより好ましい。
さらに、絶縁基板2は、可撓性を有していてもよい。
The light transmittance of the
The thickness of the
Moreover, when glass is adopted as the material of the
Furthermore, the
透明導電層3は、導電パターン4及び絶縁パターン5と、オーバーコート層6とを有している。
The transparent
導電パターン4は、導電粒子を含み絶縁基板2に対して位置関係が固定された状態でパターン形状を有して設けられている。導電パターン4を構成する導電粒子としては、金、銀、銅、ニッケル等を含む粒子を採用することができる。また、導電パターン4を構成する導電粒子の形状は、球状、粒状、ワイヤ状、およびロッド状とすることができる。本実施形態では、導電パターン4は、光透過性樹脂を含むオーバーコート層6により銀ナノワイヤーNWが絶縁基板2に固定されることによって構成されている。導電パターン4に含まれる導電粒子は、互いに接することにより導通し、電極等として機能する。さらに導電パターン4は、導電粒子間に隙間が空いていることにより、光透過性を有する。
なお、導電パターン4は、必ずしも電気が流れるパターンである必要はなく、例えば電気的に浮いた状態として構成されたシールド等のパターンも導電パターン4に含まれてよい。
The
The
絶縁パターン5は、透明導電層3のうち、導電パターン4以外の部分である。絶縁パターン5は、導電粒子が除去されたパターンであり、導電粒子及び光透過性樹脂に代えて、保護層9を固定するための接着剤が入り込んでいる。
The insulating
オーバーコート層6は、導電粒子と基材との密着を強化する目的で設けられた光透過性を有する層である。オーバーコート層6の厚さは、絶縁基板2上の導電粒子(本実施形態では銀ナノワイヤーNW)の一部がオーバーコート層6内に埋没する厚さであることが好ましい。また、導電粒子の一部がオーバーコート層6の外面に露出されている。導電粒子は、配線8と接触しており、導電粒子と配線8とが接触していることにより透明導電層3と配線8とは導通している。
The
オーバーコート層6の材料としては、光透過性を有する樹脂であって、所定の硬化処理によって硬化する流動体を適宜選択して採用することができる。所定の硬化処理とは、例えば、熱硬化、紫外線硬化、電子線硬化、その他の処理であって、材料に対応して適宜選択される。
すなわち、オーバーコート層6の材料としては、熱可塑性樹脂、紫外線硬化樹脂、あるいは接着剤などを採用することができる。例えば、オーバーコート層6の材料として好適に使用可能な熱可塑性樹脂としては、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル‐酢酸ビニル共重合体、ポリカーボネート、ポリアクリル樹脂、及びポリメチルメタクリレート等を挙げることができる。また、例えば、紫外線、熱、電子線、あるいは放射線が照射されることによって硬化する硬化性樹脂の例として、エーテル系ポリウレタン、エステル系ポリウレタン、ポリウレタンアクリレート、エポキシ樹脂、及びポリイミド樹脂を挙げることができる。
As a material for the
That is, as the material of the
導電粒子として銀ナノワイヤーなどの金属ナノワイヤーが採用されている場合には、オーバーコート層6の厚さは、50nm以上300nm以下であることが好ましい。本実施形態におけるオーバーコート層6の厚さは、絶縁基板2の外面を基点として計測した場合の厚さである。オーバーコート層6は、導電パターン4を構成する導電粒子の隙間の少なくとも一部を満たすように導電粒子間にも配されている。
When metal nanowires, such as silver nanowire, are employ | adopted as electroconductive particle, it is preferable that the thickness of the
配線8は、金属を含有するペーストが固定して形成されたり、蒸着等によって金属層が成膜されたりすることによってオーバーコート層6上に形成されている。本実施形態では、配線8は、銀粒子を含有するペーストによってパターン状に形成された後、当該ペーストが固定されることにより銀粒子同士が結合して導通状態となる。
The
保護層9は、光透過性を有する樹脂やガラス等によって形成されており、粘着剤や接着剤等の固定手段10によって透明導電層3に固定されている。
The
次に、本実施形態の導電パターン形成基板1の製造方法について、上述の導電パターン形成基板1を製造する場合を例に説明する。図3は、本実施形態の導電パターン形成基板の製造方法を示すフローチャートである。図4ないし図10は、導電パターン形成基板の製造工程を示す図である。
Next, the manufacturing method of the conductive
まず、導電粒子と光透過性樹脂とを含む導電性樹脂層3aを絶縁基板2上に形成する(成膜工程、図3に示すステップS1、図4参照)。
ステップS1では、まず、導電粒子(銀ナノワイヤーNW)と水溶性ポリマーとが水系溶媒に含有された溶液を絶縁基板2の外面に一様に塗布し、この溶液を乾燥させることにより水系溶媒を除去する。すると、導電粒子の外面に水溶性ポリマーが付着した状態で、水溶性ポリマーによって導電粒子が絶縁基板2の外面に付着する。水溶性ポリマーによって導電粒子が絶縁基板2に付着した状態では、導電粒子は絶縁基板2に対して仮固定された状態である。
First, a
In step S1, first, a solution containing conductive particles (silver nanowires NW) and a water-soluble polymer in an aqueous solvent is uniformly applied to the outer surface of the insulating
続いて、導電粒子が基材に付着した状態で、オーバーコート層6の材料となる流動体状の光透過性樹脂を絶縁基板2の外面に塗布する。流動体状の光透過性樹脂は、導電粒子の隙間に入り込み、導電粒子及び基材の外面に接した状態となる。この状態で、流動体状に光透過性樹脂に対して硬化処理を行なう。これにより、導電粒子と絶縁基板2とを固定するオーバーコート層6が形成される。この段階では、導電粒子、微量の水溶性ポリマー、及びオーバーコート層6によって、金属のベタパターンと電気的に同様の導電性を有する導電性樹脂層3aが形成されている。
これでステップS1は終了し、ステップS2へ進む。
Subsequently, with the conductive particles attached to the base material, a fluid-like light-transmitting resin that is a material of the
Step S1 is complete | finished now and it progresses to step S2.
ステップS2は、導電性樹脂層3aの一部を露出させる開口を有するマスク100を導電性樹脂層3a上に形成するマスキング工程である。
ステップS2において形成するマスク100は、導電パターン4及び絶縁パターン5の形状を規定するためのパターン状のマスクである。本実施形態では、マスク100は、フォトリソグラフィに使用されるフォトレジストからなる。フォトレジストは、図5に示すように導電性樹脂層3a上に塗布された後、絶縁パターン5の形状を規定する開口が露光及び現像によって形成される(図5、図6参照)。
これでステップS2は終了し、ステップS3へ進む。
Step S2 is a masking step for forming a
The
Step S2 is complete | finished now and it progresses to step S3.
ステップS3は、マスク100の開口内に露出する光透過性樹脂の少なくとも一部をドライエッチングにより除去する第一除去工程である。
ステップS3では、図7に示すように、導電性樹脂層3aに対して、マスク100が形成された側から、アルゴンプラズマや酸素プラズマによるドライエッチングを行なう。ステップS3におけるドライエッチングにより、導電性樹脂層3aのうちオーバーコート層6を構成する光透過性樹脂が、導電粒子を残した状態で削り取られる。本実施形態では、ステップS3における導電性樹脂層3aに対するドライエッチングは、導電性樹脂層3aの外面の粗面化や表面改質とは異なり、導電性樹脂層3aの層厚を減じることを目的としている。ステップS3におけるドライエッチングにより、導電性樹脂層3aの層厚はオーバーコート層6の形成直後と比較して薄くなり、また基材とオーバーコート層6との接触面から測ったオーバーコート層6の層厚は、マスク100の開口内に露出する領域内で略均一となる。
これでステップS3は終了し、ステップS4へ進む。
Step S3 is a first removal step of removing at least a part of the light transmissive resin exposed in the opening of the
In step S3, as shown in FIG. 7, dry etching using argon plasma or oxygen plasma is performed on the
Step S3 is complete | finished now and it progresses to step S4.
ステップS4は、マスク100の開口内に露出する導電粒子の少なくとも一部を除去する第二除去工程である。
ステップS4では、過酸化水素水を主成分とするエッチング液をマスク100の開口内に露出する領域に付着させ、第一のウェットエッチングによりオーバーコート層6を剥離する(図8参照)。これにより、ステップS3におけるプラズマエッチング後に基材上に残ったオーバーコート層6が、マスク100に覆われた部分を残して除去される。
さらに、過マンガン酸カリウム等を主成分とする酸性エッチング液をマスク100の開口内に露出する領域に付着させ、第二のウェットエッチングにより導電粒子を除去する。
第一のウェットエッチングと第二のウェットエッチングとにより、導電粒子が除去された部分が絶縁パターン5となり、導電粒子が残された部分が導電パターン4となる。これにより、導電性樹脂層3aから、導電パターン4及び絶縁パターン5を有する透明導電層3が形成される。
これでステップS4は終了し、ステップS5へ進む。
Step S <b> 4 is a second removal step of removing at least a part of the conductive particles exposed in the opening of the
In step S4, an etchant containing hydrogen peroxide as a main component is attached to a region exposed in the opening of the
Further, an acidic etching solution mainly composed of potassium permanganate or the like is attached to a region exposed in the opening of the
The portion where the conductive particles are removed by the first wet etching and the second wet etching becomes the
Step S4 is complete | finished now and it progresses to step S5.
ステップS5は、マスク100を除去するマスク100除去工程である。
ステップS5では、図9に示すように、透明導電層3からマスク100を除去する。マスク100が除去された状態の透明導電層3において、導電パターン4部分では、オーバーコート層6の外面から導電粒子の一部が露出している。このため、ステップS5において、必要に応じて、導電パターン4に導通する配線8等をオーバーコート層6上に形成することもできる。本実施形態では、導電パターン4の一部に、銀、金、銅やカーボン等を有する配線8が形成される。
これでステップS5は終了し、ステップS6へ進む。
Step S <b> 5 is a
In step S5, the
Step S5 is complete | finished now and it progresses to step S6.
ステップS6は、透明導電層3上に保護層9を形成する保護層9形成工程である。
ステップS6では、図10に示すように、光透過性樹脂やガラス等を接着剤や粘着剤によって透明導電層3に貼り付ける。これにより、透明導電層3が外力から保護される。
これでステップS6は終了する。
以上が本実施形態の導電パターン形成基板1の製造方法である。
Step S <b> 6 is a
In step S6, as shown in FIG. 10, a light transmissive resin, glass, or the like is attached to the transparent
This ends step S6.
The above is the manufacturing method of the conductive
本実施形態の導電パターン形成基板1の製造方法において、上記ステップS3におけるドライエッチングにより、オーバーコート層6が削り取られて略均一な厚さとなる。これにより、上記ステップS4におけるウェットエッチングの際に、オーバーコート層6の層厚の誤差によるエッチング量の差が少なくなる。その結果、エッチングが過剰であったり不足したりすることによる透明導電層3の導通不良や絶縁不良が生じにくい。
In the manufacturing method of the conductive
(変形例1)
次に、上述の実施形態の変形例について説明する。図11ないし図14は、本変形例における導電パターン形成基板の製造工程を示す図である。なお、図12は図11に符号Xで示す部分の拡大図である。
本変形例では、上述のステップS3において、光透過性樹脂を除去する第一のウェットエッチングをせず、光透過性樹脂が残存した状態で上述の第二のウェットエッチングにより導電粒子を除去する点が異なっている。
本変形例のステップS4では、図11及び図12に示すように、絶縁基板2の厚さ方向から見たときにマスク100の開口内に存する導電粒子の少なくとも一部を、透明導電層3の外面に露出した部分を始点としてウェットエッチングにより漸次除去する。ステップS4において導電粒子を除去するためのエッチング液は、上述の実施形態と同様に酸性エッチング液であり、光透過性樹脂を好適に除去できるエッチング液でなくてもかまわない。
(Modification 1)
Next, a modification of the above embodiment will be described. FIG. 11 to FIG. 14 are diagrams showing the manufacturing process of the conductive pattern forming substrate in this modification. FIG. 12 is an enlarged view of a portion indicated by a symbol X in FIG.
In this modification, in step S3 described above, the first wet etching for removing the light transmissive resin is not performed, and the conductive particles are removed by the second wet etching in the state where the light transmissive resin remains. Is different.
In step S4 of this modification, as shown in FIGS. 11 and 12, at least a part of the conductive particles existing in the opening of the
本変形例では、ステップS4の後、絶縁基板2の厚さ方向から見たときにマスク100の開口内に全体が存する導電粒子は、マスク100の開口の外側領域に少なくとも一部が存する導電粒子から離間して、電気的に絶縁状態である。すなわち、絶縁パターン5内に導電粒子の一部が残っていたとしても、導電パターン4内の導電粒子と導通していない。
また、本変形例においても、マスク100の除去後に、配線8を形成し(図13参照)、保護層9を形成する(図14参照)。
これにより、上述の実施形態の導電パターン形成基板1と電気的に同等の導電パターン形成基板を製造することができる。
本変形例では、光透過性樹脂が残存した状態で導電粒子が除去されるので、導電パターン4と絶縁パターン5との段差が少ない。このため、絶縁パターン5の形成後にオーバーコート層6を形成したときにオーバーコート層6の外面を容易に平坦とすることができる。
また、導電パターン4と絶縁パターン5とが共通の光透過性樹脂を有した状態であるので、導電パターン4と絶縁パターン5との屈折率の差が小さい。このため、パターン見えを軽減できる。
In this modified example, after step S <b> 4, the conductive particles entirely existing in the opening of the
Also in this modification, after removing the
Thereby, the conductive pattern formation board | substrate electrically equivalent to the conductive pattern formation board |
In the present modification, the conductive particles are removed with the light-transmitting resin remaining, so that there are few steps between the
Further, since the
(変形例2)
次に、上述の実施形態の他の変形例について説明する。
本変形例では、ステップS3において、絶縁基板2の厚さ方向から見たときにおけるマスク100の開口内において光透過性樹脂の全部をドライエッチングにより除去する。さらに、ステップS3の後、ステップS4において、光透過性樹脂を除去するウェットエッチングをせずに、マスク100の開口内に存する導電粒子をウェットエッチングにより除去する。
本変形例では、光透過性樹脂をウェットエッチングにより除去する必要がなくなるので、工程を簡略化することができる。
(Modification 2)
Next, another modification of the above-described embodiment will be described.
In this modification, in step S3, the entire light transmissive resin is removed by dry etching in the opening of the
In this modification, it is not necessary to remove the light-transmitting resin by wet etching, so that the process can be simplified.
(変形例3)
次に、上述の実施形態のさらに他の変形例について説明する。
本変形例では、ステップS4におけるウェットエッチングに代えて、マスク100の開口内に存する導電粒子を洗浄用流体(例えば水)により洗い流す点で上述の変形例2と工程が異なっている。
本変形例において、マスク100の開口内において導電粒子を強固に保持していた光透過性樹脂はドライエッチングによって除去されているので、マスク100の開口内に存する導電粒子は弱い力で容易に除去できる。このため、エッチング液を用いて導電粒子を除去する必要がなく、例えば水で洗い流すだけで十分に導電粒子を除去できる。
(Modification 3)
Next, still another modification of the above-described embodiment will be described.
In this modification, instead of the wet etching in Step S4, the process differs from
In this modification, the light-transmitting resin that firmly holds the conductive particles in the opening of the
本変形例では、導電粒子を除去するためのエッチング液を使用する必要がないので、工程を簡略化することができる。
また、本変形例では、マスク100の開口内から除去された導電粒子を、フィルター等によって分離することによって回収できる。回収された導電粒子は別の導電パターン形成基板1を製造するための材料として再利用することができる。これにより、材料を無駄に廃棄することなく製造効率を高めることができる。
In this modification, it is not necessary to use an etching solution for removing the conductive particles, and therefore the process can be simplified.
Moreover, in this modification, it can collect | recover by isolate | separating the electrically-conductive particle removed from the opening of the
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
例えば、マスク100は、所定の硬化処理により硬化し、硬化後に導電性樹脂層から剥離可能な易剥離性レジストによって形成されてもよい。易剥離性レジストの一例としては、硬化前は流動体状態であり、上述のステップS2において、絶縁基板2の厚さ方向から見たときに導電パターン4の形状をなし、さらに絶縁パターン5の形状に開口されたパターンとしてスクリーン印刷によって導電性樹脂層上に塗布される。その後、上記所定の硬化処理によって易剥離性レジストは硬化し、透明導電層3のうち絶縁パターン5に対応する部分を露出させる開口を有するマスク100となる。このような構成であっても上述の実施形態と同様の効果を奏する。
As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail with reference to drawings, the concrete structure is not restricted to this embodiment, The design change etc. of the range which does not deviate from the summary of this invention are included.
For example, the
また、上述の実施形態及び各変形例において示した構成要素は適宜に組み合わせて構成することが可能である。
なお、上記具体的な構成に対する設計変更等は上記事項には限定されない。
In addition, the constituent elements shown in the above-described embodiment and each modification can be combined as appropriate.
In addition, the design change etc. with respect to the said specific structure are not limited to the said matter.
1 導電パターン形成基板
2 絶縁基板
3 透明導電層
4 導電パターン
5 絶縁パターン
6 オーバーコート層
8 配線
9 保護層
10 固定手段
100 マスク
NW 銀ナノワイヤー(導電粒子)
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記透明導電膜の一部を露出させる開口を有するマスクを前記透明導電膜上に形成するマスキング工程と、
前記マスクの開口内に露出する前記光透過性樹脂の少なくとも一部をドライエッチングにより除去する第一除去工程と、
前記第一除去工程の後、前記マスクの開口内に露出する前記導電粒子の少なくとも一部を除去する第二除去工程と、
を含むことを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。 A film forming step of forming a transparent conductive film containing conductive particles and a light-transmitting resin on an insulating substrate;
A masking step of forming a mask having an opening exposing a part of the transparent conductive film on the transparent conductive film;
A first removal step of removing at least a part of the light-transmitting resin exposed in the opening of the mask by dry etching;
A second removal step of removing at least a part of the conductive particles exposed in the opening of the mask after the first removal step;
The manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate characterized by including.
前記導電粒子は金属ナノワイヤーであることを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 1,
The method for producing a conductive pattern forming substrate, wherein the conductive particles are metal nanowires.
前記第一除去工程では、前記絶縁基板の厚さ方向から見たときにおける前記マスクの開口内において、前記透明導電膜の外面に前記導電粒子が露出し且つ前記絶縁基板上に前記光透過性樹脂の一部が残存した状態となるように前記光透過性樹脂を部分的にドライエッチングにより除去し、
前記第二除去工程では、前記絶縁基板の厚さ方向から見たときに前記マスクの開口内に存する前記導電粒子の少なくとも一部を、前記透明導電膜の外面に露出した部分を始点としてウェットエッチングにより漸次除去する
ことを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 1,
In the first removal step, the conductive particles are exposed on the outer surface of the transparent conductive film in the opening of the mask when viewed from the thickness direction of the insulating substrate, and the light-transmitting resin is formed on the insulating substrate. The light transmissive resin is partially removed by dry etching so that a part of the resin remains,
In the second removal step, at least a part of the conductive particles existing in the opening of the mask when viewed from the thickness direction of the insulating substrate is wet-etched starting from a portion exposed on the outer surface of the transparent conductive film The method for producing a conductive pattern-formed substrate, wherein the conductive pattern-formed substrate is removed gradually.
前記第二除去工程後、前記絶縁基板の厚さ方向から見たときに前記マスクの開口内に全体が存する前記導電粒子は前記マスクの開口の外側領域に少なくとも一部が存する前記導電粒子から離間して電気的に絶縁状態であることを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 3,
After the second removal step, the conductive particles that are entirely present in the opening of the mask when viewed from the thickness direction of the insulating substrate are separated from the conductive particles that are at least partially in the outer region of the opening of the mask. And a conductive pattern forming substrate manufacturing method, wherein the substrate is electrically insulated.
前記第一除去工程では、前記絶縁基板の厚さ方向から見たときにおける前記マスクの開口内において前記光透過性樹脂の全部をドライエッチングにより除去し、
前記第二除去工程では、前記開口内に存する前記導電粒子をウェットエッチングにより除去する
ことを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 1,
In the first removal step, all of the light transmissive resin is removed by dry etching in the opening of the mask when viewed from the thickness direction of the insulating substrate,
In the second removal step, the conductive particles existing in the openings are removed by wet etching.
前記第一除去工程では、前記絶縁基板の厚さ方向から見たときにおける前記マスクの開口内において前記光透過性樹脂の全部をドライエッチングにより除去し、
前記第二除去工程では、前記開口内に存する前記導電粒子を洗浄用流体により洗い流す
ことを特徴とする導電パターン形成基板の製造方法。 It is a manufacturing method of the conductive pattern formation board according to claim 1,
In the first removal step, all of the light transmissive resin is removed by dry etching in the opening of the mask when viewed from the thickness direction of the insulating substrate,
In the second removal step, the conductive particles present in the openings are washed away with a cleaning fluid.
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