KR20170024604A - Method of forming an batch pattern by photoresist - Google Patents

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KR20170024604A
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photoresist
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photosensitive
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신동혁
정해평
이덕영
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이엘케이 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a method for forming a batch pattern by photoresist. A view transparent electrode and a bezel part photosensitive trace electrode to have been individually patterned are simultaneously patterned through a photoresist process, thereby reducing processes, improving productivity, and reducing material costs or the like to minimize alignment tolerance between patterns and perform fine patterning through the photosensitive trace electrode of the bezel unit.

Description

포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법{Method of forming an batch pattern by photoresist}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of forming a batch pattern by a photoresist method,

본 발명은 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 터치패널 제조공정 단축, 생산성 향상 및 패턴간 얼라인(align) 공차 개선 효과가 우수한 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming a batch pattern by a photoresist method. More particularly, the present invention relates to a method for forming a batch pattern by a photoresist method, which is advantageous in shortening the manufacturing process of the touch panel, improving the productivity, and improving the alignment tolerance between the patterns.

터치패널은 전자수첩, 액정표시장치(LCD), PDP, El 등의 평판 디스플레이 장치 및 CRT와 같은 화상표시장치의 표시면에 설치되어 사용자가 화상표시장치를 보면서 원하는 정보를 선택하도록 하는데 이용되는 도구이다.The touch panel is installed on the display surface of a flat display device such as an electronic organizer, a liquid crystal display (LCD), a PDP, an El, etc., and an image display device such as a CRT so as to allow a user to select desired information while viewing the image display device to be.

터치패널의 종류는 저항막방식(Resistive Type), 정전용량방식(Capacitive Type), 전기자기장방식(Electro-Magnetic Type), 소오방식(SAW Type) 및 인프라레드방식(Infrared Type) 등으로 구분된다.Types of touch panels are divided into Resistive Type, Capacitive Type, Electro-Magnetic Type, SAW Type, and Infrared Type.

이러한 다양한 터치패널은 신호증폭 문제, 해상도 차이, 설계 및 가공기술 난이도, 광학·전기·기계·내환경·입력 특성, 내구성 및 경제성을 고려하여 전자제품에 채용되며, 그 중에서도 저항막 및 정전용량 방식이 널리 사용되고 있다.These various touch panels are used in electronic products in consideration of signal amplification problem, resolution difference, difficulty in designing and processing technology, optical, electric, mechanical, internal environment, input characteristics, durability and economical efficiency. Among them, Is widely used.

한편, 터치패널의 패턴은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성되는데 이는 전도성 박막 상부에 포토레지스트를 도포하고 원하는 패턴이 형성된 마스크를 통해 자외선 주사하여 UV 노광 및 현상을 통해 포토레지스트 패턴을 형성한다.The pattern of the touch panel is formed by using a photolithography process. The photoresist is coated on the conductive thin film, and ultraviolet rays are irradiated through a mask having a desired pattern to form a photoresist pattern through UV exposure and development.

이때, 기존의 터치패널 제조 공정은 ITO 필름이나 Ag 나노와이어 등 투명전도성층의 전극 패터닝 공정 수행 후, 베젤(Bezel)부 트레이스(Trace) 전극의 패터닝 공정을 순차 진행하였다.In the conventional touch panel manufacturing process, the electrode patterning process of the transparent conductive layer such as the ITO film or Ag nanowire is performed, and the patterning process of the bezel trace electrode is sequentially performed.

그러나, 이러한 기존의 단계별 공정 방식에 의할 경우, 터치패널 센서의 제조공정이 길어져 재료비 상승 및 생산성이 저하되고 상호 패턴간 변형이 불가피하며 또한 얼라인(Align) 공차가 발생하는 등 문제가 있다.However, according to the conventional stepwise process method, the manufacturing process of the touch panel sensor becomes long, the material cost rises, the productivity decreases, the mutual patterns are inevitably deformed, and the alignment tolerance occurs.

따라서, 최근 터치패널에 대한 수요 급증에 발맞추어 공정의 단축을 통해 생산성을 향상시키고 얼라인 공차를 최소화하며 베젤부의 미세 패터닝을 구현하는 등 전술한 문제점을 개선하는 기술 개발이 절실한 상태인 바, KR2006-0021713, JP2004-070339, KR 2006-0091665 등이 그러한 일례이나, 아직까지 이를 해결하는 개시를 찾아볼 수 없다.Therefore, in order to meet the rapid increase in demand for the touch panel in recent years, there has been an urgent need to develop a technique for improving the productivity by improving the productivity, minimizing the alignment tolerance and implementing the fine patterning of the bezel portion, -0021713, JP2004-070339, KR 2006-0091665, and the like, but there is no finding yet to solve the problem.

이에 본 발명자는 이러한 문제점을 개선하기 위해 예의 노력을 계속하던 중, 기존에 개별로 패터닝하던 뷰(View) Area 투명 전극 및 베젤(Bezel)부 감광성 트레이스 전극을 포토레지스트 공정을 통해 동시에 패터닝(Patterning)함으로써, 공정 단축, 생산성 향상, 재료비 절감 및, 패턴간 얼라인(align) 공차 극소화와 베젤부의 감광성 트레이스 전극을 통한 미세 패터닝 구현 효과를 지닌, 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법에 관한 본 발명을 완성하기에 이르렀다.Accordingly, the inventor of the present invention has been making efforts to improve the above problems. In the past, the present inventors have tried to pattern simultaneously the view area transparent electrode and the bezel photosensitive trace electrode, which have been individually patterned, The present invention relates to a method for forming a batch pattern by a photoresist method, which has the effect of shortening the process time, improving the productivity, reducing the material cost, minimizing the alignment tolerance between the patterns, and achieving the fine patterning through the photosensitive trace electrode of the bezel I have come to completion.

본 발명의 목적은 공정의 단축을 통한 생산성 향상 및 재료비 절감 효과가 있는, 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a method of forming a batch pattern by a photoresist method, which has an effect of improving productivity and reducing material cost by shortening the process.

본 발명의 다른 목적은 패턴간 얼라인(Align) 공차를 극소화하는 효과가 있는, 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of forming a batch pattern by a photoresist method, which has an effect of minimizing an alignment tolerance between patterns.

본 발명의 또 다른 목적은 베젤부의 감광성 트레이스 전극을 통해 미세 패터닝을 구현하는 효과가 있는, 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a method for forming a batch pattern by a photoresist method, which has the effect of realizing fine patterning through a photosensitive trace electrode of a bezel portion.

본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.The above and other objects of the present invention can be achieved by the present invention described below.

본 발명의 하나의 관점은, 기재 표면의 제1 전극층 상부에 감광성 실버를 도포하여 감광성 트레이스 전극패턴 영역을 인쇄하고; 상기 감광성 트레이스 전극패턴 영역이 인쇄된 상기 제1 전극층 상에 포토레지스트를 도포하고; 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하여 상기 포토레지스트와 상기 감광성 트레이스 전극의 예비 패턴을 동시에 형성하고; 상기 예비 패턴 하부의 제1 전극층을 에칭하여 표시영역의 제1 전극과 베젤 영역의 감광성 트레이스 전극을 동시에 패터닝하는; 단계를 포함하는, 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법에 관한 것이다.According to one aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device, comprising the steps of: applying photosensitive silver onto an upper portion of a first electrode layer on a surface of a substrate to print a photosensitive trace electrode pattern region; Applying a photoresist on the first electrode layer printed with the photosensitive trace electrode pattern region; Exposing and developing the photoresist to simultaneously form a preliminary pattern of the photoresist and the photosensitive trace electrode; Etching the first electrode layer under the preliminary pattern to pattern the first electrode of the display region and the photosensitive trace electrode of the bezel region simultaneously; The present invention also relates to a method for forming a batch pattern by a photoresist method.

구체예에서, 상기 기재는 유리 또는 가요성 필름을 포함할 수 있다.In embodiments, the substrate may comprise glass or a flexible film.

구체예에서, 상기 제1 전극층은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 아연주석산화물(ZTO, zinc tin oxide), 은 페이스트(Ag paste), 은 나노와이어(Ag nano wire), 은 화합물(Ag compound), 은 컴플렉스(Ag complex), 구리 화합물(Cu compound), 구리 컴플렉스(Cu complex), 전도성고분자, 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube) 등을 1종 이상을 포함할 수 있다.In an embodiment, the first electrode layer may be formed of at least one of indium tin oxide (ITO), zinc tin oxide (ZTO), silver paste, silver nano wire, An Ag compound, an Ag complex, a Cu compound, a Cu complex, a conductive polymer, a carbon nanotube (CNT), and the like.

구체예에서, 상기 감광성 트레이스 전극 패턴은 전도성 입자 및 광경화성 수지를 포함하는 전극 페이스트로부터 형성될 수 있다. In an embodiment, the photosensitive trace electrode pattern may be formed from an electrode paste comprising conductive particles and a photocurable resin.

구체예에서, 상기 전도성 입자는 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 아연주석산화물(ZTO, zinc tin oxide), 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube), 은 페이스트(Ag paste), 은 나노와이어(Ag nano wire), 은 화합물(Ag compound), 은 컴플렉스(Ag complex), 구리 화합물(Cu compound), 구리 컴플렉스(Cu complex), 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 그래핀 및 전도성고분자 등을 1종 이상을 포함할 수 있다.In embodiments, the conductive particles may be selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), zinc tin oxide (ZTO), carbon nanotubes (CNT), silver paste, Ag nano wire, Ag compound, Ag complex, Cu compound, Cu complex, gold, silver, copper, aluminum, nickel, graphene and conductive polymer May be included.

구체예에서, 상기 포토레지스트는 방향족 비스아지드(Bis-azide), 메타크릴산 에스테르(Methacrylic acid ester), 계피산 에스테르(Cinnamic acid ester), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)), 나프토퀴논 디아지드(Naphthoquinonediazide), 폴리부텐-1 술폰(Polybutene-1 sulfone), 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone)-노볼락 수지(DNQ/NR), 화학 증폭성 포토레지스트, KrF 엑시머 레이저 레지스트, ArF 엑시머 레이저 레지스트, 락톤환이 도입된 ArF 레지스트 또는 ArF 침액 레지스트 등을 1종 이상 포함할 수 있다. In an embodiment, the photoresist is selected from the group consisting of aromatic bisazides, methacrylic acid esters, cinnamic acid esters, poly (methyl methacrylate) Naphthoquinonediazide, polybutene-1 sulfone, diazonaphthoquinone-novolak resin (DNQ / NR), chemically amplified photoresist, KrF excimer laser resist, ArF excimer A laser resist, an ArF resist into which a lactone ring is introduced, or an ArF dip resist.

구체예에서, 상기 동시 패터닝 단계 이후에 포토레지스트를 박리하는 단계를 더 포함할 수 있다. In an embodiment, the method may further include peeling the photoresist after the simultaneous patterning step.

본 발명의 다른 하나의 관점은, 상기 방법에 의하여 형성된 터치패널에 관한 것이다.Another aspect of the present invention relates to a touch panel formed by the above method.

본 발명에 의한 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법은 공정을 단축시켜 생산성을 향상시키고 재료비 등을 절감하며 패턴간 얼라인(align) 공차를 극소화하고 베젤부의 감광성 트레이스 전극을 통해 미세 패터닝을 구현하는 효과가 있다.The method of forming a pattern by a photoresist method according to the present invention shortens the process to improve productivity, reduce material cost, minimize the alignment tolerance between patterns, and realize fine patterning through the photosensitive trace electrode of the bezel It is effective.

도 1은 본 발명의 일 구체예가 적용되는, GFF 방식의 터치패널의 전극 구조를 개략적으로 나타낸 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일 구체예가 적용되는, G1F 방식의 터치패널의 전극 구조를 개략적으로 나타낸 개념도이다.
도 3은 본 발명의 일 구체예에 따른 포토레지스트 방식(GF1)에 의한 일괄패턴 형성방법을 통해 형성된 터치패널의 전극구조((A) PR 박리, (B) PR 잔류)를 개략적으로 나타낸 개념도이다.
도 4는 본 발명의 일 구체예에 따른 포토레지스트 방식(GF1)에 의한 일괄패턴 형성방법(PR 박리)을 나타낸 공정 순서도이다.
도 5는 본 발명의 다른 구체예에 따른 포토레지스트 방식(GF1)에 의한 일괄패턴 형성방법(PR 잔류)을 나타낸 공정 순서도이다.FIG. 1 is a conceptual diagram schematically showing an electrode structure of a GFF-type touch panel to which one embodiment of the present invention is applied.
2 is a conceptual diagram schematically showing an electrode structure of a touch panel of a G1F type to which one embodiment of the present invention is applied.
3 is a conceptual diagram schematically showing an electrode structure (A) PR stripping (B) PR residue of a touch panel formed through a batch pattern forming method using a photoresist method (GF1) according to an embodiment of the present invention .
4 is a process flow chart showing a batch pattern formation method (PR stripping) by photoresist system GF1 according to one embodiment of the present invention.
5 is a process flow chart showing a batch pattern formation method (PR residual) by photoresist system GF1 according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 출원의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.Embodiments of the present application will now be described in more detail with reference to the accompanying drawings. However, the techniques disclosed in the present application are not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms.

단지, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해 질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 또한, 설명의 편의를 위하여 구성요소의 일부만을 도시하기도 하였으나, 당업자라면 구성요소의 나머지 부분에 대하여도 용이하게 파악할 수 있을 것이다.It should be understood, however, that the embodiments disclosed herein are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the width, thickness, and the like of the components are enlarged in order to clearly illustrate the components of each device. In addition, although only a part of the components is shown for convenience of explanation, those skilled in the art can easily grasp the rest of the components.

전체적으로 도면 설명시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 위 또는 아래에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 위 또는 아래에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. 또한, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원의 사상을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그리고, 복수의 도면들 상에서 동일 부호는 실질적으로 서로 동일한 요소를 지칭한다. It is to be understood that when an element is described above as being located above or below another element, it is to be understood that the element may be directly on or under another element, It means that it can be done. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention. In the drawings, the same reference numerals denote substantially the same elements.

한편, 본 출원에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. '제 1' 또는 '제 2' 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.Meanwhile, the meaning of the terms described in the present application should be understood as follows. The terms " first " or " second " and the like are used to distinguish one element from another, and the scope of the right should not be limited by these terms.

예를 들어, 제1 패턴전극은 제2 패턴전극으로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 패턴전극도 제1 패턴전극으로 명명될 수도 있다.For example, the first pattern electrode may be referred to as a second pattern electrode, and similarly, the second pattern electrode may also be referred to as a first pattern electrode.

또한, 본 발명의 명세서 전반에 사용되는 상기 ‘제1 방향’내지 ‘제2 방향’은 다차원 구조에서 설정될 수 있는 임의의 방향을 설정한 것으로, 하나의 구체예에서는 상기 제1 패턴전극과 제2 패턴전극이 상호 수직으로 교차할 수 있는 2차원 구조에서의 X측 방향 또는 Y측 방향을 의미한다.The 'first direction' to the 'second direction' used in the specification of the present invention set arbitrary directions that can be set in the multi-dimensional structure. In one embodiment, Means the X-direction or the Y-direction in the two-dimensional structure in which the two-pattern electrodes can vertically cross each other.

한편, 본 출원에서 서술되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 기술되는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood, however, that the singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise, and the terms "comprise" That does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, parts, or combinations thereof, .

또한, 방법 또는 제조 방법을 수행함에 있어서, 상기 방법을 이루는 각 과정들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않은 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 과정들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.Further, in carrying out the method or the manufacturing method, the respective steps of the method may take place differently from the stated order unless clearly specified in the context. That is, each process may occur in the same order as described, may be performed substantially concurrently, or may be performed in the opposite order.

이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

포토레지스트Photoresist 방식에 의한  By method 일괄패턴Batch pattern 형성방법 How to form

도 1은 본 발명의 일 구체예가 적용되는, GFF 방식의 터치패널의 전극 구조를 개략적으로 나타낸 개념도이다.FIG. 1 is a conceptual diagram schematically showing an electrode structure of a GFF-type touch panel to which one embodiment of the present invention is applied.

GFF 방식은 1개의 기재와 2매의 ITO 필름을 이용하여 제작하는 방식으로, 1개의 기재에 OCA 접착제를 이용하여 2매의 ITO 필름을 순차적으로 접착하는 방식으로 진행될 수 있다. 상기 도 1에는 GFF 방식으로 제작된 터치패널의 구조가 개략적으로 도시되고 있고, 본 발명에 따른 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법은 상기 GFF의 구조 제조공정에 이용될 수 있다.The GFF method can be carried out in such a manner that two ITO films are successively bonded to one substrate using an OCA adhesive in such a manner that one substrate and two ITO films are used. FIG. 1 schematically shows the structure of a touch panel manufactured by the GFF method, and the method of forming a pattern by a photoresist method according to the present invention can be used in the fabrication process of the GFF.

도 1을 참조하면, 상기 GFF 방식은 기재(10)의 일면에 2매의 ITO 필름(40)을 OCA(20)와 같은 투명접착제를 이용하여 순차적으로 적층 접착하는 방식으로 구성되며, 2매의 ITO 필름(40)에는 ITO 필름 간의 상호 전기적 소통 및 외부 기기와의 전기적 소통을 위해 연성인쇄회로기판(FPCB)(50)이 접착될 수 있다. 연성인쇄회로기판(FPCB)(50)은 바디부와 바디부 일단에 형성되는 단자부로 구성되는데, 단자부를 통해 전기적 소통이 이루어지며, 단자부에는 전기적 소통을 위해 실버 페이스트(silver paste)와 이방성 도전필름층(ACF: Anisotropic Conductive Film)이 형성될 수 있다. 또한 연성인쇄회로기판(FPCB)(50)는 양면테이프(20)가 바디부에 부착되어 글래스(10) 표면에 접착될 수 있다. 1, in the GFF method, two ITO films 40 are sequentially laminated on one side of a substrate 10 using a transparent adhesive such as OCA 20, A flexible printed circuit board (FPCB) 50 may be adhered to the ITO film 40 for mutual electrical communication between ITO films and electrical communication with an external device. The flexible printed circuit board (FPCB) 50 is composed of a body portion and a terminal portion formed at one end of the body portion. The flexible printed circuit board (FPCB) 50 electrically communicates through the terminal portion. The terminal portion includes a silver paste and an anisotropic conductive film Layer (ACF: Anisotropic Conductive Film) may be formed. Also, the flexible printed circuit board (FPCB) 50 can be attached to the surface of the glass 10 by attaching the double-sided tape 20 to the body portion.

도 2는 본 발명의 일 구체예가 적용되는, G1F 방식의 터치패널의 전극 구조를 개략적으로 나타낸 개념도이다. 2 is a conceptual diagram schematically showing an electrode structure of a touch panel of a G1F type to which one embodiment of the present invention is applied.

G1F 방식은 1개의 기재와 1매의 ITO 필름을 이용하여 제작하는 방식으로, 1개의 기재 표면에 ITO층을 증착 형성하고 이러한 기재의 ITO층에 OCA 접착제를 이용하여 1매의 ITO층을 접착하는 방식으로 진행될 수 있다. 상기 도 2에는 G1F 방식으로 제작된 터치패널의 구조가 개략적으로 도시되어 있고, 본 발명에 따른 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법은 상기 G1F의 구조 제조공정에 이용될 수 있다. In the G1F method, an ITO layer is deposited on one substrate surface by a method using one substrate and one ITO film, and one ITO layer is bonded to the ITO layer of the substrate using an OCA adhesive . ≪ / RTI > FIG. 2 schematically shows a structure of a touch panel manufactured by the G1F method, and a method of forming a pattern by a photoresist method according to the present invention can be used in the manufacturing process of the structure of the G1F.

도 2를 참조하면, 상기 G1F 방식은 기재(10)의 일면에 ITO층(40)이 증착 형성되고, ITO층(40)에는 전기적 패턴을 위한 은(Ag) 인쇄층(30)과 절연막이 형성될 수 있다. 이와 같이 구성된 기재(10)의 ITO층(40)에 OCA(20)와 같은 투명접착제를 이용하여 ITO 필름이 접착될 수 있다. 기재(10)의 ITO층(40)과 ITO 필름의 상호 전기적 소통 및 외부 기기와의 전기적 소통을 위해 ITO층(40) 및 ITO 필름 사이에 연성인쇄회로기판(FPCB)(50)이 삽입 접착될 수 있다. 이때 연성인쇄회로기판(FPCB)(50)는 전술한 바와 같이, 바디부와 단자부로 구성되며 단자부를 통해 전기적 소통이 이루어지고, 바디부에는 양면테이프(20)가 부착되어 기재(10) 및 ITO 필름에 부착될 수 있다.2, an ITO layer 40 is deposited on one surface of a substrate 10 and a silver (Ag) print layer 30 for an electrical pattern is formed on the ITO layer 40 . An ITO film can be bonded to the ITO layer 40 of the substrate 10 having the above-described structure using a transparent adhesive such as OCA 20. [ A flexible printed circuit board (FPCB) 50 is inserted and bonded between the ITO layer 40 and the ITO film for electrical communication between the ITO layer 40 of the substrate 10 and the ITO film and for electrical communication with an external device . As described above, the flexible printed circuit board (FPCB) 50 is composed of a body portion and a terminal portion. The flexible printed circuit board (FPCB) 50 is electrically connected to the body portion through a terminal portion. Can be attached to the film.

도 3은 본 발명의 일 구체예에 따른 포토레지스트 방식(GF1)에 의한 일괄패턴 형성방법을 통해 형성된 터치패널의 전극구조((A) PR 박리, (B) PR 잔류)를 개략적으로 나타낸 개념도이다. 3 is a conceptual diagram schematically showing an electrode structure (A) PR stripping (B) PR residue of a touch panel formed through a batch pattern forming method using a photoresist method (GF1) according to an embodiment of the present invention .

상기 도 3에는 GF1 방식으로 제작된 터치패널의 구조가 각각 개략적으로 도시되고 있고, 본 발명에 따른 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법은 상기 GF1의 구조 제조공정에 이용될 수 있으며, 이에 의할 경우 포토레지스트가 박리(3(A))되거나 혹은 잔류(3(B))하는 형태를 나타낼 수 있다.FIG. 3 schematically shows the structure of the touch panel manufactured by the GF1 method, and the method of forming a pattern by the photoresist method according to the present invention can be used in the manufacturing process of the structure of the GF1. , The photoresist may exhibit peeling (3 (A)) or residual (3 (B)).

도 3을 참조하면, 상기 터치패널은 포토레지스트가 박리된 형태일 경우(3(A)), 기재(101); 상기 기재의 표면에 제1 전극층(103); 상기 제1 전극층(103)의 표면에 감광성 트레이스 전극패턴 영역(105)이 순차 형성될 수 있고, 한편, 포토레지스트가 잔류할 경우(3(B)), 기재(101); 상기 기재의 표면에 제1 전극층(103); 상기 제1 전극층(103)의 표면에 감광성 트레이스 전극패턴 영역(105); 상기 감광성 트레이스 전극패턴 영역(105) 상에 포토레지스트(107)가 잔류하여 형성될 수 있다. 터치패널상에 포토레지스트가 박리 또는 잔류하는 형태에 대하여 이하에서 상술한다.Referring to FIG. 3, the touch panel includes a base 101 (FIG. 3 (A)) when the photoresist is peeled off; A first electrode layer 103 on the surface of the substrate; A photosensitive trace electrode pattern region 105 may be sequentially formed on the surface of the first electrode layer 103 while a photoresist remains (3 (B)); A first electrode layer 103 on the surface of the substrate; A photosensitive trace electrode pattern region 105 on the surface of the first electrode layer 103; The photoresist 107 may remain on the photosensitive trace electrode pattern region 105. [ The manner in which the photoresist is peeled or remained on the touch panel will be described in detail below.

도 4는 본 발명의 일 구체예에 따른 포토레지스트 방식(GF1)에 의한 일괄패턴 형성방법(PR 박리)을 나타낸 공정 순서도이고, 도 5는 본 발명의 다른 구체예에 따른 포토레지스트 방식(GF1)에 의한 일괄패턴 형성방법(PR 잔류)을 나타낸 공정 순서도이다. FIG. 4 is a process flow chart showing a batch pattern forming method (PR stripping) by photoresist method (GF1) according to one embodiment of the present invention. (PR residual) by a method of forming a batch pattern by a photolithography process.

도 4 내지 5을 참조하면, 본 발명의 일 구체예에 의한 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법은 기재(101) 표면의 제1 전극층(103) 상부에 감광성 실버를 도포하여 감광성 트레이스 전극패턴 영역(105)을 인쇄하고(S10), 상기 감광성 트레이스 전극패턴 영역(105)이 인쇄된 상기 제1 전극층(103) 상에 포토레지스트(107)를 도포하고(S20), 상기 포토레지스트(107)를 UV 노광(109) 및 현상하여 상기 포토레지스트와 상기 감광성 트레이스 전극의 예비 패턴을 동시에 형성하고(S30, S40), 상기 예비 패턴 하부의 제1 전극층을 에칭하여 표시영역(B)의 제1전극과 베젤부(A)의 감광성 트레이스 전극을 동시에 패터닝(S50)할 수 있다.4 to 5, in the method of forming a batch pattern by a photoresist method according to an embodiment of the present invention, photosensitive silver is coated on the first electrode layer 103 on the surface of the substrate 101 to form a photosensitive trace electrode pattern region The photoresist 107 is coated on the first electrode layer 103 on which the photosensitive trace electrode pattern region 105 is printed S20 The preliminary pattern of the photoresist and the photosensitive trace electrode is simultaneously formed (S30, S40), and the first electrode layer under the preliminary pattern is etched to form the first electrode of the display region (B) The photosensitive trace electrodes of the bezel portion A can be simultaneously patterned (S50).

구체예에서, 상기 기재(101)는 유리 또는 가요성 필름을 포함할 수 있다.In an embodiment, the substrate 101 may comprise glass or a flexible film.

상기 기재(101)는 동일 재질의 단일층을 형성하거나 이종 재질의 복수층을 형성할 수 있으며, 제1 패턴전극 및 제2 패턴전극이 형성될 공간을 제공하고 모바일기기의 외곽을 구성하기 위한 것으로 곡면 혹은 평면 구조를 가질 수 있다.The substrate 101 may be formed of a single layer of the same material or may be formed of a plurality of layers of different materials and may be formed to provide a space in which the first pattern electrode and the second pattern electrode are to be formed, It may have a curved surface or a planar structure.

상기 유리는 액정 표시 소자나 유기 EL 표시 소자용 기판, 컬러 필터 기판, 태양 전지 기판 등의 유리일 수 있다.The glass may be a glass for a liquid crystal display element, a substrate for an organic EL display element, a color filter substrate, a solar cell substrate, or the like.

상기 가요성 필름은 폴리머를 사용할 수 있다. 상기 폴리머의 구체적인 예로는 폴리카보네이트(PC) 수지, (메타)아크릴계 ((Meth)acrylic 수지, 폴리에스테르 (Polyester) 수지, 폴리에테르술폰(PES) 수지, 셀룰로오스 에스테르(Cellulose ester) 수지, 벤조사이클로부텐(BCB) 수지 및 폴리염화비닐(PVC) 수지 등의 플라스틱 필름을 예시할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The flexible film may use a polymer. Specific examples of the polymer include a polycarbonate (PC) resin, a (meth) acrylic resin, a polyester resin, a polyether sulfone (PES) resin, a cellulose ester resin, (BCB) resin, and a polyvinyl chloride (PVC) resin, but the present invention is not limited thereto.

구체예에서, 상기 제1 전극층(103)은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 아연주석산화물(ZTO, zinc tin oxide), 은 페이스트(Ag paste), 은 나노와이어(Ag nano wire), 은 화합물(Ag compound), 은 컴플렉스(Ag complex), 구리 화합물(Cu compound), 구리 컴플렉스(Cu complex), 전도성고분자, 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 조합하여 적용될 수 있다.In an embodiment, the first electrode layer 103 may be formed of indium tin oxide (ITO), zinc tin oxide (ZTO), silver paste, silver nano wire, May include an Ag compound, an Ag complex, a Cu compound, a Cu complex, a conductive polymer, a carbon nanotube (CNT), and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 제1 전극층(103)은 0.03㎛ 내지 20㎛의 두께, 바람직하게는 0.03㎛ 내지 5㎛의 두께를 가지도록 형성할 수 있다. 이는 종래의 전극층보다 감소된 두께를 가지도록 구성하는 것으로 상기 두께 범위에서 터치패널(100)의 시인성 향상에 유리하게 작용할 수 있고, 또한 상부 표면에 형성되는 포토레지스트(107)의 도포 및 예비 패턴 하부에의 에칭이 보다 용이하여 구조적 신뢰성에 유리한 장점이 있다. The first electrode layer 103 may have a thickness of 0.03 μm to 20 μm, preferably 0.03 μm to 5 μm. This is advantageous in improving the visibility of the touch panel 100 in the thickness range, and it is also possible to improve the visibility of the touch panel 100 by applying the photoresist 107 formed on the upper surface, Which is advantageous in terms of structural reliability.

또한, 상기 제1 전극층(103)의 패터닝은 현상이 완료된 포토레지스트(107) 및 베젤부(A)의 감광성 트레이스 전극 패턴(105)에 손상이 없는 방식을 통해 제1 전극층(103)을 패터닝할 수 있다. 예를 들어, 용액을 사용하는 습식 식각 방식을 적용하거나 용액을 사용하지 않는 건식 식각 방식을 통해 상기 제1 전극층(103)의 패터닝 구현이 가능하다.The patterning of the first electrode layer 103 may be performed by patterning the first electrode layer 103 in such a manner that the developed photoresist 107 and the photosensitive trace electrode pattern 105 of the bezel A are not damaged . For example, the patterning of the first electrode layer 103 is possible by applying a wet etching method using a solution or by using a dry etching method not using a solution.

구체예에서, 상기 감광성 트레이스 전극 패턴(105)은 전도성 입자 및 광경화성 수지를 포함하는 전극 페이스트로부터 형성될 수 있다. In an embodiment, the photosensitive trace electrode pattern 105 may be formed from an electrode paste comprising conductive particles and a photocurable resin.

상기 감광성 트레이스 전극패턴 영역(105)의 구현을 위해 감광성 필름(DFR, Dry Film Photoresist)을 사용할 수 있다. 이는 상기 터치패널의 층 형성시 UV 광원에 반응하고 라미네이팅(laminating) 가능한 감광성 타입의 필름 재질로, 본 발명의 일 구체예에서는 상기 제1 전극층(103) 상부에 감광성 실버를 도포함으로써 이러한 감광성 트레이스 전극패턴 영역(105)을 구현할 수 있다. 또는, 예를들어, 상기 감광성 트레이스 전극패턴 영역(105)의 구현을 위해 빛 분해 혹은 가교반응 기가 있는 수지, 광가교제를 혼합한 감광재료 수지 등을 사용할 수 있다.A photosensitive film (DFR, Dry Film Photoresist) may be used to implement the photosensitive trace electrode pattern region 105. This is a photosensitive type film material capable of reacting with and laminating with a UV light source when the layer of the touch panel is formed. In one embodiment of the present invention, by applying photosensitive silver on the first electrode layer 103, The pattern region 105 can be implemented. Alternatively, for the implementation of the photosensitive trace electrode pattern region 105, for example, a resin having a light decomposition or crosslinking reactor, a photosensitive material resin mixed with a photo-crosslinking agent, or the like may be used.

구체예에서, 상기 전도성 입자는 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 아연주석산화물(ZTO, zinc tin oxide), 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube), 은 페이스트(Ag paste), 은 나노와이어(Ag nano wire), 은 화합물(Ag compound), 은 컴플렉스(Ag complex), 구리 화합물(Cu compound), 구리 컴플렉스(Cu complex), 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 그래핀 및 전도성고분자 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 조합하여 적용될 수 있다. 이 중 은(Ag), 인?쳅玲?산화물(ITO, indium tin oxide)이 바람직하게 적용될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide)의 경우 시인성 개선의 장점이 있다. 상기 전도성 입자의 평균 입경은 1nm 내지 5㎛, 예를 들면 10nm 내지 5㎛일 수 있다. 상기 범위 내에서 구현하고자 하는 미세선폭(fine pitch) 및 요구되는 전도성에 따라 달리할 수 있으며. 시인성 및 전도성 개선에 유리한 장점이 있다.In embodiments, the conductive particles may be selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), zinc tin oxide (ZTO), carbon nanotubes (CNT), silver paste, Ag nano wire, Ag compound, Ag complex, Cu compound, Cu complex, gold, silver, copper, aluminum, nickel, graphene and conductive polymer . ≪ / RTI > These may be used alone or in combination of two or more. Among them, silver (Ag), indium tin oxide (ITO) can be preferably used, but the present invention is not limited thereto. Indium tin oxide (ITO) has the advantage of improving visibility. The average particle diameter of the conductive particles may be 1 nm to 5 占 퐉, for example, 10 nm to 5 占 퐉. And may vary according to the fine pitch and desired conductivity to be implemented within the above range. Advantageous for improving visibility and conductivity.

상기 광경화성 수지는 알킬계, 아민계, 아크릴계, 우레탄계, 실리콘계, 에틸렌계 수지 등을 1종 이상 포함하는 바인더 형태일 수 있다. 예를 들어, 상기 광경화성 수지는 유기용매에 용해된 형태일 수 있으며, 상기 전극 페이스트는 광경화성 수지가 용해된 유기용매에 상기 전도성 입자가 분산되어 있는 졸, 겔, 또는 액상의 잉크 형태일 수 있다.The photocurable resin may be in the form of a binder containing at least one of alkyl, amine, acrylic, urethane, silicone, and ethylene resins. For example, the photo-curable resin may be dissolved in an organic solvent, and the electrode paste may be in the form of a sol, gel, or liquid ink in which the conductive particles are dispersed in an organic solvent in which the photo- have.

상기 감광성 트레이스 전극패턴 영역에서, 상기 전도성 입자의 함량은 60 내지 80 중량%일 수 있고, 상기 광경화성 수지의 함량은 10 내지 20 중량%일 수 있으며 용매의 함유량은 10 내지 20 중량%일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.In the photosensitive trace electrode pattern region, the content of the conductive particles may be 60 to 80 wt%, the content of the photocurable resin may be 10 to 20 wt%, and the content of the solvent may be 10 to 20 wt% , But is not limited thereto.

구체예에서, 상기 포토레지스트는 방향족 비스아지드(Bis-azide), 메타크릴산 에스테르(Methacrylic acid ester), 계피산 에스테르(Cinnamic acid ester), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)), 나프토퀴논 디아지드(Naphthoquinonediazide), 폴리부텐-1 술폰(Polybutene-1 sulfone), 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone)-노볼락 수지(DNQ/NR), 화학 증폭성 포토레지스트, KrF 엑시머 레이저 레지스트, ArF 엑시머 레이저 레지스트, 락톤환이 도입된 ArF 레지스트 또는 ArF 침액 레지스트 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 조합하여 적용될 수 있다. In an embodiment, the photoresist is selected from the group consisting of aromatic bisazides, methacrylic acid esters, cinnamic acid esters, poly (methyl methacrylate) Naphthoquinonediazide, polybutene-1 sulfone, diazonaphthoquinone-novolak resin (DNQ / NR), chemically amplified photoresist, KrF excimer laser resist, ArF excimer A laser resist, an ArF resist into which a lactone ring is introduced, or an ArF dip resist. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 포토레지스트(107)는, 도 4 내지 5와 같이, 감광성 수지층으로 UV 노광을 받은 부분만 제거되는 포지 타입(Posi Type) 또는 UV 노광을 받은 부분만 남아있는 네가 타입(Nega Type) 포토레지스트일 수 있다. 이러한 포지 타입 또는 네가 타입 포토레지스트는 형성하고자 하는 미세 패턴의 모습이나 형태에 따라 상기 예시와 같이 다양하게 구현될 수 있다. 그러나 본 발명이 구현하고자 하는 목적에 부합하는 것이라면 그 형식이 이에 제한되지 않는다.As shown in FIGS. 4 to 5, the photoresist 107 may be a negative type photoresist in which only a portion that has undergone UV exposure with a photosensitive resin layer is removed, or a negative type photoresist Lt; / RTI > Such a positive type or negative type photoresist can be variously implemented as described above according to the shape and the shape of a fine pattern to be formed. However, the form of the present invention is not limited thereto as long as the present invention meets the object to be implemented.

상기 감광성 트레이스 전극패턴 영역(105) 및 포토레지스트(107)는 각각 포지 타입(Posi Type) 또는 네가 타입(Nega Type) 모두 적용 가능하나 상기 두 물질은 상호 동일한 타입의 UV 경화 특성을 가질 수 있다. 예를 들어 상기 감광성 트레이스 전극패턴 영역(105)이 포지 타입이면 포토레지스트(107)도 포지 타입이고, 상기 감광성 트레이스 전극패턴 영역(105)이 네가 타입이면 포토레지스트(107)도 네가 타입일 수 있다. 상기 동일 타입 UV 경화 특성을 통해 터치패널 제조공정 단축 및 패턴간 얼라인(Align) 공차를 zero화 할 수 있다. 또한, 상기 기재(101)에 감광성 트레이스 전극패턴 영역(105)을 인쇄하고 건조시, 베젤부(A) 트레이스(Trace) 영역 외 인쇄와 UV 노광의 얼라인(Align) 공차에 대한 부분을 차이(margin)을 두어 크게 인쇄할 수 있다. The photosensitive trace electrode pattern region 105 and the photoresist 107 are applicable to both Posi Type and Negative Type. However, the two materials may have the same type of UV curing characteristics. For example, if the photosensitive trace electrode pattern region 105 is of the positive type, the photoresist 107 is also of the positive type, and if the photosensitive trace electrode pattern region 105 is of negative type, . The above-mentioned UV curing characteristics of the same type can shorten the manufacturing process of the touch panel and alleviate the alignment tolerance between patterns. When the photosensitive trace electrode pattern area 105 is printed on the substrate 101 and dried, the difference in the alignment tolerance between the outside of the traced area of the bezel (A) and the UV exposure margin) can be printed.

구체예에서, 상기 동시 패터닝 단계 이후에 포토레지스트(107)를 박리하는 단계(S60)를 더 포함할 수 있으며, 잔류를 선택할 수 있다. In an embodiment, the method may further include delamination (S60) of the photoresist 107 after the simultaneous patterning step, and may select residual.

도 4 내지 5를 참조하면, 본 발명의 터치패널 제조방법은 전술한 각 공정단계 이후에, 상기 제1 전극층(103)의 패터닝이 완료되면 필요에 따라 포토레지스트(107) 만을 선택적으로 박리할 수 있고, 또는 포토레지스트(107)를 투명한 포토레지스트를 적용하여 박리를 하지 않고 잔류시킬 수 있다.4 to 5, in the method of manufacturing a touch panel of the present invention, after the patterning of the first electrode layer 103 is completed after each of the above-described process steps, only the photoresist 107 can be selectively removed Or the photoresist 107 can be left without peeling by applying a transparent photoresist.

또한 상기 박리 단계 이후에, 상기 터치패널의 제조는 베젤부(A) 감광성 트레이스(Trace) 패턴의 저항 안정화를 위해 건조 공정을 수행할 수도 있고, 이후 합지 등 조립 공정은 기존의 터치패널 제조공정과 동일하게 진행할 수 있다. Further, after the peeling step, the manufacturing of the touch panel may perform a drying process to stabilize the resistance of the photosensitive trace pattern of the bezel portion (A) The same can be done.

일 구체예에서, GFF, G1F의 경우, 제1 방향을 따라 분리영역을 형성하여 배열되는 제1 패턴전극; 및 상기 제1 패턴전극과 전기적으로 절연되어 있으며 상기 분리영역에 제2 방향을 따라 배열되는 제2 패턴전극;을 포함할 수 있고, 상기 제1 패턴전극과 제2 패턴전극은 각각 별개층에 형성될 수 있다. 다른 구체예에서, GF1의 경우, 제1 및 제2 패턴전극을 포함할 수 있고, 상기 제1 패턴전극과 제2 패턴전극은 단일층에 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2 패턴전극은 마름모 형태를 가질 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면 상기 제1 및 제2 패턴전극은 직사각형, 팔각형, 원형, 타원형 또는 요철부을 내재하는 다각형 등 여러 형상으로 형성할 수 있고, 또한 터치패널의 투명전극인 제1 전극층에 있어서 패턴전극의 특성을 구현할 수 있는 것이라면 그 형상이 반드시 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 제1 및 제2 패턴전극을 이루는 세선의 단면은 사각형, 삼각형, 반원형 및 반타원형 등일 수 있다.In one embodiment, in the case of GFF and G1F, a first patterned electrode is formed by forming an isolation region along a first direction; And a second pattern electrode electrically insulated from the first pattern electrode and arranged along the second direction in the isolation region, wherein the first pattern electrode and the second pattern electrode are formed in separate layers . In another embodiment, in the case of GF1, it may include first and second patterned electrodes, and the first patterned electrode and the second patterned electrode may be formed in a single layer. The first and second pattern electrodes may have a rhombic shape, but are not limited thereto. For example, the first and second pattern electrodes may be formed in various shapes such as a rectangular shape, an octagonal shape, a circular shape, an elliptical shape, or a polygonal shape having an uneven portion. In addition, in the first electrode layer which is a transparent electrode of the touch panel, The shape is not necessarily limited thereto. The cross-section of the thin lines constituting the first and second pattern electrodes may be a square, a triangle, a semicircle, a semi-ellipse, or the like.

터치패널Touch panel

본 발명의 다른 하나의 관점인 터치패널은 상기 전술한 제조방법에 의하여 형성된다.A touch panel, which is another aspect of the present invention, is formed by the above-described manufacturing method.

본 발명에 의한 터치패널은 기존에 개별로 패터닝하던 뷰(View) Area 투명 전극 및 베젤(Bezel)부 감광성 트레이스 전극을 포토레지스트 공정을 통해 동시에 패터닝(Patterning)함으로써, 공정을 단축시켜 생산성을 향상시키고 재료비 등을 절감하며 패턴간 얼라인(align) 공차를 극소화하고 베젤부의 감광성 Trace 전극을 통해 미세 패터닝을 구현하는 효과를 지니고 있다.The touch panel according to the present invention can pattern the viewing area transparent electrode and the bezel photosensitive trace electrode which have been individually patterned simultaneously through the photoresist process to shorten the process and improve the productivity It has the effect of minimizing the alignment tolerance between the patterns and realizing the fine patterning through the photosensitive trace electrode of the bezel part.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 도면 등에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the present invention has been described in connection with certain exemplary embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims.

그러므로 본 발명의 범위는 상기 설명된 내용에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.The scope of the present invention should, therefore, be determined not only by the foregoing description, but also by the appended claims rather than the following claims.

10: 기재(글라스) 20: OCA
30: 은 배선 40: ITO
50: 연성인쇄회로기판
100: 터치패널 101: 기재
103: 제1 전극층 105: 감광성 트레이스 전극패턴 영역
107: 포토레지스트 109: UV 노광
120: ITO층 130: 은 인쇄층
140: 절연막 200: ITO 필름
300: 연성인쇄회로기판(FPCB) 310: 바디부
320: 단자부 330: 양면테이프
400: 투명접착제10: substrate (glass) 20: OCA
30: Silver wire 40: ITO
50: Flexible printed circuit board
100: touch panel 101: substrate
103: first electrode layer 105: photosensitive trace electrode pattern region
107: Photoresist 109: UV exposure
120: ITO layer 130: Silver print layer
140: insulating film 200: ITO film
300: Flexible printed circuit board (FPCB) 310: Body part
320: terminal portion 330: double-sided tape
400: transparent adhesive

Claims (7)

a) 기재 표면의 제1 전극층 상부에 감광성 실버를 도포하여 감광성 트레이스 전극패턴 영역을 인쇄하고;
b) 상기 감광성 트레이스 전극패턴 영역이 인쇄된 상기 제1 전극층 상에 포토레지스트를 도포하고;
c) 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하여 상기 포토레지스트와 상기 감광성 트레이스 전극의 예비 패턴을 동시에 형성하고; 그리고
d) 상기 예비 패턴 하부의 제1 전극층을 에칭하여 표시영역의 제1 전극과 베젤 영역의 감광성 트레이스 전극을 동시에 패터닝하는;
단계를 포함하고,
상기 포토레지스트는 방향족 비스아지드(Bis-azide), 메타크릴산 에스테르(Methacrylic acid ester), 계피산 에스테르(Cinnamic acid ester), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)), 나프토퀴논 디아지드(Naphthoquinonediazide), 폴리부텐-1 술폰(Polybutene-1 sulfone), 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone)-노볼락 수지(DNQ/NR), 화학 증폭성 포토레지스트, KrF 엑시머 레이저 레지스트, ArF 엑시머 레이저 레지스트, 락톤환이 도입된 ArF 레지스트 또는 ArF 침액 레지스트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 ㅌ특징으로 하는 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법.
a) printing a photosensitive trace electrode pattern area by applying photosensitive silver onto the first electrode layer of the substrate surface;
b) applying photoresist on the first electrode layer on which the photosensitive trace electrode pattern region is printed;
c) exposing and developing the photoresist to form a preliminary pattern of the photoresist and the photosensitive trace electrode simultaneously; And
d) etching the first electrode layer under the preliminary pattern to pattern the first electrode of the display region and the photosensitive trace electrode of the bezel region simultaneously;
≪ / RTI >
The photoresist may be selected from the group consisting of aromatic bisazides, methacrylic acid esters, cinnamic acid esters, poly (methyl methacrylate), naphthoquinonediazides Naphthoquinonediazide, polybutene-1 sulfone, diazonaphthoquinone-novolak resin (DNQ / NR), chemically amplified photoresist, KrF excimer laser resists, ArF excimer laser resists, Wherein the resist pattern is at least one selected from the group consisting of an ArF resist or an ArF dip resist into which a ring is introduced.
제1항에 있어서,
상기 기재는 유리 또는 가요성 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는, 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
The method of forming a batch pattern by a photoresist method, wherein the substrate comprises glass or a flexible film.
제1항에 있어서,
상기 전극층은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 아연주석산화물(ZTO, zinc tin oxide), 은 페이스트(Ag paste), 은 나노와이어(Ag nano wire), 은 화합물(Ag compound), 은 컴플렉스(Ag complex), 구리 화합물(Cu compound), 구리 컴플렉(Cu complex), 전도성고분자, 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube) 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
The electrode layer may be formed of indium tin oxide (ITO), zinc tin oxide (ZTO) Silver paste, silver nano wire, silver compound, silver complex, copper compound, copper complex, A conductive polymer, and at least one of carbon nanotubes (CNTs).
제1항에 있어서,
상기 감광성 트레이스 전극패턴 영역은 전도성 입자 및 광경화성 수지를 포함하는 전극 페이스트로부터 형성된 것인, 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the photosensitive trace electrode pattern region is formed from an electrode paste containing conductive particles and a photocurable resin.
제4항에 있어서,
상기 전도성 입자는 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 아연주석산화물(ZTO, zinc tin oxide), 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube), 은 페이스트(Ag paste), 은 나노와이어(Ag nano wire), 은 화합물(Ag compound), 은 컴플렉스(Ag complex), 구리 화합물(Cu compound), 구리 컴플렉스(Cu complex), 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 그래핀 및 전도성 고분자 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법.
5. The method of claim 4,
The conductive particles may be selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), zinc tin oxide (ZTO), carbon nanotube (CNT) Silver paste, silver nano wire, silver compound, silver complex, copper compound, copper complex, gold, silver, copper, A method for forming a batch pattern by a photoresist method, which comprises at least one of aluminum, nickel, graphene, and a conductive polymer.
제1항에 있어서,
상기 d)단계 이후에 포토레지스트를 박리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 포토레지스트 방식에 의한 일괄패턴 형성방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of removing the photoresist after the step d). ≪ RTI ID = 0.0 > 18. < / RTI >
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 형성된 터치패널.
A touch panel formed by the method of any one of claims 1 to 6.
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WO2021168609A1 (en) * 2020-02-24 2021-09-02 南昌欧菲显示科技有限公司 Patterning method for silver nanowire transparent conductive material, and sensor

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