JP5813556B2 - 露光描画装置、プログラム及び露光描画方法 - Google Patents
露光描画装置、プログラム及び露光描画方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5813556B2 JP5813556B2 JP2012082562A JP2012082562A JP5813556B2 JP 5813556 B2 JP5813556 B2 JP 5813556B2 JP 2012082562 A JP2012082562 A JP 2012082562A JP 2012082562 A JP2012082562 A JP 2012082562A JP 5813556 B2 JP5813556 B2 JP 5813556B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- mark
- exposed
- substrate
- drawn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
以下、本実施形態に係る露光描画システムについて添付図面を用いて詳細に説明する。なお、本実施形態では、露光描画システム1として、プリント配線基板及びフラットパネルディスプレイ用ガラス基板等の平板基板を被露光基板(後述する被露光基板C)として、被露光基板Cの主面である第1面(以下、「表面」ともいう。)C1、及び第1面C1と対向する主面である第2面(以下、「裏面」ともいう。)C2の双方に対して露光描画を行うシステムを例として説明する。
以下、第2実施形態に係る露光描画システム1について添付図面を用いて詳細に説明する。第2実施形態に係る露光描画システム1は、第1実施形態に係る露光描画システム1と同様に図1、図4乃至図9に示す構成を有している。なお、第1実施形態と同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
Claims (13)
- 第1面及び該第1面に対向する第2面を有する被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段と、
前記被露光基板の前記第2面の予め定められた位置に露光位置の基準とする第1マークを形成すると共に、前記第1マークに対する相対位置を前記被露光基板毎に異ならせることにより該相対位置によって前記被露光基板を識別する識別情報を表す第2マークを形成するマーク形成手段と、
前記被露光基板に回路パターンが描画されるように前記露光手段を制御する制御手段と、
前記相対位置によって表される識別情報に対応させて前記露光に関する情報を記憶する記憶手段と、
を備えた露光描画装置。 - 前記マーク形成手段によって形成された前記第1マーク及び前記第2マークの位置を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記位置に基づいて前記第1マークに対する前記第2マークの相対位置を導出する導出手段とを備え、
前記制御手段は、前記第1面に回路パターンが描画されるように前記露光手段を制御すると共に、前記記憶手段から前記導出手段により導出された相対位置で表される識別情報に対応する前記第1面の露光に関する情報を取得し、当該情報が前記第1面の露光が正常に行われたことを示している場合に、前記検出手段により検出された前記第1マークの位置に基づいて定まる前記第2面の露光位置に基づいて前記第2面に回路パターンが描画されるように前記露光手段を制御する
請求項1記載の露光描画装置。 - 前記マーク形成手段によって形成された前記第1マーク及び前記第2マークの位置を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記位置に基づいて前記第1マークに対する前記第2マークの相対位置を導出する導出手段とを備え、
前記制御手段は、前記第1面に回路パターンが描画されるように前記露光手段を制御すると共に、前記記憶手段から前記導出手段により導出された相対位置で表される識別情報に対応する前記第1面の露光に関する情報を取得し、当該情報が前記第1面の露光が正常に行われなかったことを示している場合に、前記第2面に回路パターンが描画されないように前記露光手段を制御する
請求項1記載の露光描画装置。 - 前記露光に関する情報は、前記第1面の露光が正常に行われたか否かを示す情報、前記第1面の露光に関する情報に前記倍率の情報、前記第1面に描画された回路パターンを示す情報、及び前記被露光基板の露光順を示す情報の少なくとも一つを含んでいる
請求項1乃至3の何れか1項記載の露光描画装置。 - 前記第1マーク及び前記第2マークを同一の形状とした
請求項1乃至4のいずれか1項記載の露光描画装置。 - 前記検出手段は、前記第1マーク及び前記第2マークを撮影して得られた画像に基づいて前記第1マーク及び前記第2マークの位置を検出する
請求項1乃至5の何れか1項記載の露光描画装置。 - 前記マーク形成手段は、前記被露光基板に紫外線ビームを照射することにより前記第1マーク及び前記第2マークを形成する
請求項1乃至6の何れか1項記載の露光描画装置。 - 前記マーク形成手段は、前記第2マークを異なる位置に複数形成する
請求項1乃至7の何れか1項記載の露光描画装置。 - 第1面及び該第1面に対向する第2面の少なくとも一方の面に、露光位置の基準とする第1マークが予め定められた位置に形成され、前記第1マークに対する相対位置を前記被露光基板毎に異ならせることにより該相対位置によって前記被露光基板を識別する識別情報を表す第2マークが形成された被露光基板を露光することによりに回路パターンを描画する露光手段と、
前記マーク形成手段によって形成された前記第1マーク及び第2マークの位置を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記位置に基づいて前記第1マークに対する前記第2マークの相対位置を導出する導出手段と、
前記検出手段によって検出された前記第1マークの位置に基づいて定まる前記第1面の露光位置に基づいて前記第1面に回路パターンが描画されるように前記露光手段を制御して、前記導出手段により導出された相対位置で表される識別情報に対応させて前記第1面の露光に関する情報を記憶手段に記憶させると共に、前記記憶手段から前記導出手段により導出された相対位置で表される識別情報に対応する前記第1面の露光に関する情報を取得し、当該情報に基づいて露光条件を決定して、前記検出手段によって検出された前記第1マークの位置に基づいて定まる前記第2面の露光位置に基づいて前記第2面に回路パターンが描画されるように前記露光手段を制御する制御手段と、
を備えた露光描画装置。 - 第1面及び該第1面に対向する第2面を有する被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を備えた露光描画装置において実行されるプログラムであって、
コンピュータを、
前記被露光基板の前記第2面の予め定められた位置に露光位置の基準とする第1マークを形成すると共に、前記第1マークに対する相対位置を前記被露光基板毎に異ならせることにより該相対位置によって前記被露光基板を識別する識別情報を表す第2マークを形成するマーク形成手段と、
前記被露光基板に回路パターンが描画されるように前記露光手段を制御する制御手段と、
前記相対位置によって表される識別情報に対応させて前記露光に関する情報を記憶する記憶手段と、
として機能させるプログラム。 - コンピュータを、
前記マーク形成手段によって形成された前記第1マーク及び前記第2マークの位置を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記位置に基づいて前記第1マークに対する前記第2マークの相対位置を導出する導出手段ととしてさらに機能させ、
前記制御手段は、前記第1面に回路パターンが描画されるように前記露光手段を制御すると共に、前記記憶手段から前記導出手段により導出された相対位置で表される識別情報に対応する前記第1面の露光に関する情報を取得し、当該情報に基づいて露光条件を決定して、前記検出手段により検出された前記第1マークの位置に基づいて定まる前記第2面の露光位置に基づいて前記第2面に回路パターンが描画されるように前記露光手段を制御する
請求項10記載のプログラム。 - 第1面及び該第1面に対向する第2面を有する被露光基板を露光することにより回路パターンを描画する露光手段を備えた露光描画装置における露光描画方法であって、
前記被露光基板の前記第2面の予め定められた位置に露光位置の基準とする第1マークを形成すると共に、前記第1マークに対する相対位置を前記被露光基板毎に異ならせることにより該相対位置によって前記被露光基板を識別する識別情報を表す第2マークを形成するマーク形成ステップと、
前記被露光基板の前記第1面に回路パターンが描画されるように前記露光手段を制御する第1制御ステップと、
前記相対位置によって表される識別情報に対応させて前記第1面の露光に関する情報を記憶手段に記憶する記憶ステップと、
を行う露光描画方法。 - 前記マーク形成ステップによって形成された前記第1マーク及び前記第2マークの位置を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出された前記位置に基づいて前記第1マークに対する前記第2マークの相対位置を導出する導出ステップと、
前記記憶手段から前記導出手段により導出された相対位置で表される識別情報に対応する前記第1面の露光に関する情報を取得し、当該情報に基づいて露光条件を決定して、前記検出ステップにより検出された前記第1マークの位置に基づいて定まる前記第2面の露光位置に基づいて前記第2面に回路パターンが描画されるように前記露光手段を制御する第2制御ステップと、
をさらに行う請求項12記載の露光描画方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012082562A JP5813556B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 露光描画装置、プログラム及び露光描画方法 |
CN201380016165.1A CN104204953B (zh) | 2012-03-30 | 2013-02-22 | 曝光描绘装置以及曝光描绘方法 |
KR1020147025963A KR102039372B1 (ko) | 2012-03-30 | 2013-02-22 | 노광 묘화 장치, 프로그램을 기록한 기록 매체, 및 노광 묘화 방법 |
PCT/JP2013/054580 WO2013145987A1 (ja) | 2012-03-30 | 2013-02-22 | 露光描画装置、プログラムを記録した記録媒体、及び露光描画方法 |
TW102109071A TWI581070B (zh) | 2012-03-30 | 2013-03-14 | 曝光微影裝置、記錄程式的記錄媒體以及曝光微影方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012082562A JP5813556B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 露光描画装置、プログラム及び露光描画方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013213853A JP2013213853A (ja) | 2013-10-17 |
JP5813556B2 true JP5813556B2 (ja) | 2015-11-17 |
Family
ID=49259267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012082562A Active JP5813556B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 露光描画装置、プログラム及び露光描画方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5813556B2 (ja) |
KR (1) | KR102039372B1 (ja) |
CN (1) | CN104204953B (ja) |
TW (1) | TWI581070B (ja) |
WO (1) | WO2013145987A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014071157A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Fujifilm Corp | 露光描画装置、露光描画システム、プログラム及び露光描画方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6465591B2 (ja) * | 2014-08-27 | 2019-02-06 | 株式会社オーク製作所 | 描画装置 |
JP6675580B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2020-04-01 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
CN106371298B (zh) * | 2016-11-25 | 2018-09-14 | 天津津芯微电子科技有限公司 | Ldi内层对位方法及*** |
CN106527056B (zh) * | 2016-12-20 | 2019-03-12 | 湖北凯昌光电科技有限公司 | 一种单台面直写式曝光机 |
CN108161236A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-15 | 广东正业科技股份有限公司 | 一种激光标刻设备 |
JP7203959B2 (ja) * | 2018-12-19 | 2023-01-13 | 江蘇影速集成電路装備股▲ふん▼有限公司 | 両面露光のアライメント装置、方法、及び設備 |
JP7458950B2 (ja) * | 2020-09-23 | 2024-04-01 | 株式会社Screenホールディングス | 描画システム |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0482650A (ja) * | 1990-07-23 | 1992-03-16 | Airetsukusu:Kk | プリント基板の識別方法 |
JP2002075817A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Tdk Corp | ウエハ識別情報記入方法ならびにウエハ識別情報記入用露光方法および装置 |
JP2002131933A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Orc Mfg Co Ltd | 整合機構およびその方法ならびに裏面露光装置 |
TWI246382B (en) * | 2000-11-08 | 2005-12-21 | Orbotech Ltd | Multi-layer printed circuit board fabrication system and method |
JP4348474B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2009-10-21 | 株式会社オーク製作所 | 基板方向検出方法および描画システム |
JP2008053624A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アライメント装置 |
JP2008258394A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Micro-Tec Co Ltd | 位置アライメント装置及び位置アライメント方法 |
JP4922071B2 (ja) * | 2007-05-28 | 2012-04-25 | 株式会社オーク製作所 | 露光描画装置 |
WO2009096454A1 (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Toray Engineering Co., Ltd. | チップ搭載方法およびチップ搭載装置 |
JP2011027918A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Hitachi Via Mechanics Ltd | 描画装置 |
JP5335840B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2013-11-06 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012082562A patent/JP5813556B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-22 CN CN201380016165.1A patent/CN104204953B/zh active Active
- 2013-02-22 WO PCT/JP2013/054580 patent/WO2013145987A1/ja active Application Filing
- 2013-02-22 KR KR1020147025963A patent/KR102039372B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-14 TW TW102109071A patent/TWI581070B/zh active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014071157A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Fujifilm Corp | 露光描画装置、露光描画システム、プログラム及び露光描画方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013145987A1 (ja) | 2013-10-03 |
CN104204953B (zh) | 2016-09-28 |
TW201344375A (zh) | 2013-11-01 |
JP2013213853A (ja) | 2013-10-17 |
KR102039372B1 (ko) | 2019-11-01 |
TWI581070B (zh) | 2017-05-01 |
CN104204953A (zh) | 2014-12-10 |
KR20150003164A (ko) | 2015-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5813556B2 (ja) | 露光描画装置、プログラム及び露光描画方法 | |
JP5813555B2 (ja) | 露光描画装置及び露光描画方法 | |
KR101136444B1 (ko) | 노광 방법 및 노광 장치 | |
JP4777682B2 (ja) | スキャン露光装置 | |
JP5961429B2 (ja) | 露光描画装置及び露光描画方法 | |
JP4922071B2 (ja) | 露光描画装置 | |
JP2008233638A (ja) | 描画装置および描画方法 | |
JP5770041B2 (ja) | フォトマスク及び露光装置 | |
TWI693478B (zh) | 無罩曝光裝置及曝光方法 | |
JP2000155430A (ja) | 両面露光装置における自動アライメント方法 | |
KR102119429B1 (ko) | 노광 묘화 장치, 노광 묘화 시스템, 프로그램, 및 노광 묘화 방법 | |
JP4960266B2 (ja) | 透明基板のエッジ位置検出方法及びエッジ位置検出装置 | |
JP5940328B2 (ja) | 露光描画装置、プログラム及び露光描画方法 | |
KR102652832B1 (ko) | 마스크 쌍, 양면 노광 장치 및 마스크 교환 방법 | |
JP2022058788A (ja) | マスク対及び両面露光装置 | |
JP2017161953A (ja) | 露光描画装置、露光描画システム、プログラム及び露光描画方法 | |
JP2017003631A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20140129 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20140421 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150908 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5813556 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |