JP5809114B2 - 塗布処理装置及び塗布処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、ノズルを洗浄するノズル洗浄装置を備えた塗布処理装置及び前記塗布処理装置を用いた塗布処理方法に関する。
例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、ガラス基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理が行われている。
上述のレジスト塗布処理は、基板搬送ライン上に設けられたレジスト塗布処理装置において行われる。そして、当該レジスト塗布処理装置にガラス基板が順次搬送され、各ガラス基板にレジスト塗布処理が行われる。
またレジスト塗布処理装置では、例えば浮上搬送方式でレジスト塗布処理が行われる。かかる浮上搬送方式では、ガラス基板を支持するためのステージを浮上式に構成し、ステージ上でガラス基板を空中に浮かせたまま水平な一方向（ステージ長手方向）に搬送する。そして、搬送途中の所定位置でステージ上方に設置した長尺型のノズルの吐出口から直下を通過するガラス基板に向けてレジスト液を帯状に吐出することにより、ガラス基板上の一端から他端までレジスト液を塗布する。
所定数のガラス基板に対してレジスト塗布処理を行うと、ノズルの吐出口付近にレジスト液が付着或いは残留する場合があるため、当該ノズルを洗浄する必要がある。かかるノズル洗浄は、従来、例えば洗浄ノズル及び乾燥ノズルをノズル長手方向に走査移動させながら、ノズルの吐出口周辺部の各部に向けて、最初に洗浄ノズルが洗浄液を噴き付け、次いで乾燥ノズルが乾燥ガスを噴き付けて行われている。
しかしながら、上述したノズル洗浄方法では、１回の洗浄走査（洗浄ノズル及び乾燥ノズルの移動）によってノズルの吐出口周辺部を十全に洗浄するのが難しく、このため洗浄走査を複数回繰り返していた。このため、ノズル洗浄処理のタクト時間が長いことや、洗浄液消費量が多いこと等が問題となっていた。
そこで、例えばノズルの吐出口周辺部に沿ってノズルの長手方向と平行に水平な洗浄走査方向で移動するキャリッジと、キャリッジに搭載され、洗浄走査方向で移動しながらノズルの吐出口周辺部に洗浄液を噴き付ける複数の洗浄ユニットと、洗浄走査方向において洗浄ユニットの後に位置してキャリッジに搭載され、洗浄走査方向で移動しながらノズルの吐出口周辺部に付着している液を拭い取る複数のワイパーユニットと、を有するノズル洗浄装置が提案されている（特許文献１）。そして、かかるノズル洗浄装置では、洗浄走査方向においてノズルの各位置の吐出口周辺部に対して、洗浄ユニットが洗浄液を噴き付けることによって当該吐出口周辺部を洗浄すると共に、ワイパーユニットが吐出口周辺部に接触することによって当該吐出口周辺部を洗浄する。
特開２０１１−１６７６０７号公報
しかしながら、特許文献１に記載されたノズル洗浄装置では、ワイパーユニットの形状はノズルの吐出口周辺部の形状に適合する必要があるが、ワイパーユニットの制作上、その形状精度には限界がある。また、ワイパーユニットをキャリッジに搭載する際の位置精度にも限界がある。特に複数のワイパーユニットをすべて適切な位置に調整することは、極めて困難である。そうすると、ノズル洗浄装置でノズルを洗浄する際、ワイパーユニットがノズルに適切に接触せず、当該ノズルを適切に洗浄できない場合があった。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の幅方向に延伸し、当該基板に対して塗布液を吐出する吐出口が下面に形成されたノズルを適切に洗浄することを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、基板の幅方向に延伸し、当該基板に対して塗布液を吐出する吐出口が下面に形成されたノズルを洗浄するノズル洗浄装置と、前記ノズルとを有し、基板に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、前記ノズル洗浄装置は、少なくとも前記ノズルの下面を洗浄する洗浄部と、前記洗浄部を前記ノズルの長手方向に沿って移動させる洗浄部移動機構と、を備え、前記洗浄部は、少なくとも前記ノズルの下面に接触自在の複数の接触部材と、前記各接触部材を水平方向に移動させる水平移動機構と、前記各接触部材を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構とを有し、前記塗布処理装置は、前記ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させる際に前記接触部材が前記ノズルの端部に位置した場合に、当該ノズルを上昇させるように前記ノズル昇降機構を制御する制御部と、を有し、前記ノズルの下面には切り欠きが形成され、前記制御部は、前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させる際に前記接触部材が前記ノズルの切り欠きに位置した場合に、当該ノズルを上昇させるように前記ノズル昇降機構を制御することを特徴としている。
本発明によれば、水平移動機構と鉛直移動機構により各接触部材の水平方向の位置と鉛直方向の位置を調整して、複数の接触部材をノズルの下面に接触させる。この状態で洗浄部移動機構により洗浄部をノズルの長手方向に沿って移動させてノズルを洗浄する。このようにすべての接触部材をノズルに適切に接触させることができるので、当該接触部材によってノズルを適切に洗浄することができる。
前記制御部は、前記ノズルを上昇させる場合の前記洗浄部の移動速度が、前記ノズルを上昇させない場合の前記洗浄部の移動速度に比して低速になるように前記洗浄部移動機構を制御してもよい。
また別な観点による本発明は、ノズル洗浄装置と、基板の幅方向に延伸し、当該基板に対して塗布液を吐出する吐出口が下面に形成されたノズルとを有する塗布処理装置を用いて、基板に塗布液を塗布する塗布処理方法であって、前記ノズル洗浄装置は、少なくとも前記ノズルの下面を洗浄する洗浄部と、前記洗浄部を前記ノズルの長手方向に沿って移動させる洗浄部移動機構と、を備え、前記洗浄部は、少なくとも前記ノズルの下面に接触自在の複数の接触部材と、前記各接触部材を水平方向に移動させる水平移動機構と、前記各接触部材を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構と、を有し、前記水平移動機構と前記鉛直移動機構により前記各接触部材の位置を調整して、前記複数の接触部材を前記ノズルの下面に接触させながら、前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させて前記ノズルを洗浄し、前記塗布処理装置は前記ノズルを昇降させるノズル昇降機構を有し、前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させる際に、前記接触部材が前記ノズルの端部に位置した場合に、前記ノズル昇降機構によって当該ノズルを上昇させ、前記ノズルの下面には切り欠きが形成され、前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させる際に、前記接触部材が前記ノズルの切り欠きに位置した場合に、前記ノズル昇降機構によって当該ノズルを上昇させることを特徴としている。
前記ノズルを上昇させる場合の前記洗浄部の移動速度は、前記ノズルを上昇させない場合の前記洗浄部の移動速度に比して低速であってもよい。
本発明によれば、基板の幅方向に延伸し、当該基板に対して塗布液を吐出する吐出口が下面に形成されたノズルを適切に洗浄することができる。
本実施の形態にかかるレジスト塗布処理装置とノズル洗浄装置を備えた塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。 レジスト塗布処理装置とノズル洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 レジスト塗布処理装置とノズル洗浄装置の構成の概略を示す平面図である。 スリットノズルの構成の概略を示す説明図である。 洗浄部の構成の概略を示す平面図である。 洗浄部の構成の概略を示す側面図である。 洗浄部の構成の概略を示す斜視図である。 接触部材の構成の概略を示す斜視図である。 接触部材の構成の概略を示す平面図である。 接触部材の構成の概略を示す側面図である。 支持部材と鉛直方向移動機構の構成の概略を示す斜視図である。 他の実施の形態にかかる複数の接触部材の構成の概略を示す斜視図である。 他の実施の形態にかかるスリットノズルの構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかるスリットノズルの下面形状、スリットノズルの高さ、及び洗浄部の移動速度の関係を示すタイムチャートである。 洗浄部の先端部がスリットノズルの端部に位置した様子を示す説明図である。 洗浄部の先端部がスリットノズルの切り欠きに位置した様子を示す説明図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるレジスト塗布処理装置とノズル洗浄装置を備えた塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図である。
塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば複数のガラス基板Ｇをカセット単位で外部に対して搬入出するためのカセットステーション２と、フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置が配置された処理ステーション３と、処理ステーションに３に隣接して設けられ、処理ステーション３と露光装置４との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
カセットステーション２には、カセット載置台１０が設けられ、当該カセット載置台１０は、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセットステーション２には、搬送路１１上をＸ方向に向かって移動可能な基板搬送体１２が設けられている。基板搬送体１２は、カセットＣに収容されたガラス基板Ｇの配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のガラス基板Ｇに対して選択的にアクセスできる。
基板搬送体１２は、Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり、後述する処理ステーション３側のエキシマＵＶ照射装置２０や第６の熱処理装置群３４の各装置に対してもアクセスできる。
処理ステーション３は、例えばＹ方向（図１の左右方向）に延びる２列の搬送ラインＡ、Ｂを備えている。この搬送ラインＡ、Ｂにおいては、コロ搬送やアームによる搬送などにより、ガラス基板Ｇを搬送できる。処理ステーション３の正面側（Ｘ方向負方向側（図１の下側））の搬送ラインＡには、カセットステーション２側からインターフェイスステーション５側に向けて順に、例えばガラス基板Ｇ上の有機物を除去するエキシマＵＶ照射装置２０、ガラス基板Ｇを洗浄するスクラバ洗浄装置２１、第１の熱処理装置群２２、第２の熱処理装置群２３、ガラス基板Ｇに塗布液としてのレジスト液を塗布する塗布処理装置としてのレジスト塗布処理装置２４、ガラス基板Ｇを減圧乾燥する減圧乾燥装置２５及び第３の熱処理装置群２６が直線的に一列に配置されている。
第１及び第２の熱処理装置群２２、２３には、ガラス基板Ｇを加熱又は冷却する複数の熱処理装置が多段に積層されている。第１の熱処理装置群２２と第２の熱処理装置群２３との間には、この装置群２２、２３間のガラス基板Ｇの搬送を行う搬送体２７が設けられている。第３の熱処理装置群２６にも同様に、熱処理装置が多段に積層されている。
処理ステーション３の背面側（Ｘ方向正方向側（図１の上方側））の搬送ラインＢには、インターフェイスステーション５側からカセットステーション２側に向けて順に、例えば第４の熱処理装置群３０、ガラス基板Ｇを現像処理する現像処理装置３１、ガラス基板Ｇの脱色処理を行うｉ線ＵＶ照射装置３２、第５の熱処理装置群３３及び第６の熱処理装置群３４が直線状に一列に配置されている。
第４〜第６の熱処理装置群３０、３３、３４には、それぞれ熱処理装置が多段に積層されている。また、第５の熱処理装置群３３と第６の熱処理装置群３４との間には、この装置群３３、３４間のガラス基板Ｇの搬送を行う搬送体４０が設けられている。
搬送ラインＡの第３の熱処理装置群２６と搬送ラインＢの第４の熱処理装置群３０との間には、この装置群２６、３０間のガラス基板Ｇの搬送を行う搬送体４１が設けられている。この搬送体４１は、後述するインターフェイスステーション５のエクステンション・クーリング装置６０に対してもガラス基板Ｇを搬送できる。
搬送ラインＡと搬送ラインＢとの間には、Ｙ方向に沿った直線的な空間５０が形成されている。空間５０には、ガラス基板Ｇを載置して搬送可能なシャトル５１が設けられている。シャトル５１は、処理ステーション３のカセットステーション２側の端部からインターフェイスステーション５側の端部まで移動自在であり、処理ステーション３内の各搬送体２７、４０、４１に対してガラス基板Ｇを受け渡すことができる。
インターフェイスステーション５には、例えば冷却機能を有しガラス基板Ｇの受け渡しを行うエクステンション・クーリング装置６０と、ガラス基板Ｇを一時的に収容するバッファカセット６１と、外部装置ブロック６２が設けられている。外部装置ブロック６２には、基板Ｇに生産管理用のコードを露光するタイトラーと、ガラス基板Ｇの周辺部を露光する周辺露光装置が設けられている。インターフェイスステーション５には、上記エクステンション・クーリング装置６０、バッファカセット６１、外部装置ブロック６２及び露光装置４に対して、ガラス基板Ｇを搬送可能な基板搬送体６３が設けられている。
次に、上述したレジスト塗布処理装置２４の構成について説明する。
レジスト塗布処理装置２４には、例えば図２及び図３に示すように搬送ラインＡに沿ったＹ方向に延伸するステージ７０が設けられている。ステージ７０は、搬入ステージ７０ａ、塗布ステージ７０ｂ及び搬出ステージ７０ｃを搬送ラインＡの上流側（Ｙ方向負方向側）から下流側（Ｙ方向正方向側）に向けて順に備えている。搬入ステージ７０ａと搬出ステージ７０ｃの上面には、図３に示すように多数のガス噴出口７１が形成されている。塗布ステージ７０ｂの上面には、ガス噴出口７１と吸引口７２が形成されている。ガス噴出口７１からガスを噴出することにより、ステージ７０全面においてガラス基板Ｇを浮上させることができる。また、塗布ステージ７０ｂにおいては、ガス噴出口７１によるガスの噴出と吸引口７２による吸引を調整することにより、ガラス基板Ｇをより塗布ステージ７０ｂに近づけ安定した高さに浮上させることができる。そして、ステージ７０は、ガラス基板Ｇを搬送ラインＡに沿った水平方向に搬送できる。
ステージ７０の幅方向（Ｘ方向）の両側には、Ｙ方向に延伸する一対の第１のガイドレール７３が形成されている。各第１のガイドレール７３には、ガラス基板Ｇの幅方向の端部を保持して移動する保持アーム７４が設けられている。ステージ７０上で浮上したガラス基板Ｇの両端部を保持アーム７４により保持して、そのガラス基板Ｇを第１のガイドレール７３に沿ってＹ方向に移動させることができる。
レジスト塗布処理装置２４のステージ７０上には、ガラス基板Ｇにレジスト液を吐出するスリットノズル８０が設けられている。スリットノズル８０は、図３及び図４に示すようにＸ方向に延伸する略直方体形状に形成されている。スリットノズル８０は、例えばガラス基板ＧのＸ方向の幅よりも長く形成されている。また図４に示すように、スリットノズル８０を長手方向（Ｘ方向）に見た側面視において、スリットノズル８０の下部は鉛直方向下方に向けてテーパ状に縮小している。すなわち、スリットノズル８０の下部はＶ字形状を有している。さらにスリットノズル８０の下面８０ａには、スリット状の吐出口８０ｂが形成されている。スリットノズル８０の上部には、レジスト液供給源８１に通じるレジスト液供給管８２が接続されている。なお以下の説明において、上述したＶ字形状を有するスリットノズル８０の下部をテーパ部８０ｃという場合がある。
図３に示すようにスリットノズル８０の両側には、Ｙ方向に延伸する一対の第２のガイドレール８３、８３が形成されている。スリットノズル８０は、塗布ステージ７０ｂのＸ方向の両側に亘って架け渡された門型のガントリアーム８４によって支持されている。また、ガントリアーム８４は、第２のガイドレール８３に取り付けられている。スリットノズル８０は、このガントリアーム８４の駆動機構（図示せず）により、第２のガイドレール８３に沿ってＹ方向に移動できる。さらにガントリアーム８４は、上記駆動機構によりノズル昇降機構として機能する。そしてスリットノズル８０は、このガントリアーム８４により、所定の高さに昇降できる。かかる構成により、スリットノズル８０は、ガラス基板Ｇにレジスト液を吐出する塗布位置Ｅと、それよりＹ方向負方向側にある、後述するプライミングローラ９０、待機バス９２及びノズル洗浄装置１００との間を移動できる。
図２及び図３に示すようにスリットノズル８０の塗布位置Ｅよりも上流側、すなわちスリットノズル８０の塗布位置ＥのＹ方向負方向側には、スリットノズル８０の先端部に付着したレジスト液を均一化するプライミング処理を行うプライミングローラ９０が設けられている。プライミングローラ９０は、回転可能に構成されている。またプライミングローラ９０は、回転軸をＸ方向に向けて、例えばスリットノズル８０よりも長く形成されている。プライミングローラ９０は、例えばこのプライミングローラ９０を洗浄するための洗浄タンク９１内に収容されている。かかるプライミングローラ９０の最上部にスリットノズル８０の吐出口８０ｂを近接させて、プライミングローラ９０を回転させながら、吐出口８０ｂからプライミングローラ９０にレジスト液を吐出する。そして、プライミングローラ９０を回転させて前記レジスト液を巻き取ることで、スリットノズル８０の吐出口８０ｂにおけるレジスト液の付着状態が整えられ、吐出口８０ｂにおけるレジスト液の吐出状態を安定させることができる。
プライミングローラ９０のさらに上流側には、スリットノズル８０の待機バス９２が設けられている。この待機バス９２には、例えばスリットノズル８０の乾燥を防止する機能が設けられている。具体的には、例えば待機バス９２には、内部にレジスト液の溶剤（気体状）を貯留する溶剤供給源（図示せず）が連通している。そして、待機バス９２にスリットノズル８０を待機させる際、待機バス９２の内部は溶剤雰囲気に維持され、スリットノズル８０の吐出口８０ｂにおけるレジスト液の吐出状態を維持することができる。
待機バス９２のさらに上流側には、スリットノズル８０を洗浄するノズル洗浄装置１００が設けられている。ノズル洗浄装置１００は、上面が開口した容器１０１を有している。容器１０１は、Ｘ方向に延伸し、すなわちスリットノズル８０の長手方向に延伸している。また容器１０１の下面には、スリットノズル８０を洗浄する際に除去されたレジスト液や洗浄液等を排出するための排出口（図示せず）が形成されている。
容器１０１の内部には、少なくともスリットノズル８０の下面８０ａ、すなわちスリットノズル８０の吐出口８０ｂの周辺部を洗浄する洗浄部１１０が設けられている。洗浄部１１０の側方には、当該洗浄部１１０を支持するキャリッジ１１１が設けられている。キャリッジ１１１の下方には、鉛直部材１１２を介して洗浄部移動機構１１３が設けられている。洗浄部移動機構１１３は、容器１０１の底面においてＸ方向に延伸する第３のガイドレール１１４に取り付けられている。また洗浄部移動機構１１３は、例えばモータなどの駆動機構（図示せず）を内蔵している。かかる構成により、洗浄部１１０は、第３のガイドレール１１４に沿って、すなわち後述するようにスリットノズル８０の長手方向と平行な洗浄方向に沿って移動できる。
洗浄部１１０は、スリットノズル８０の吐出口８０ｂの周辺部を洗浄する。この吐出口８０ｂの周辺部には、吐出口８０ｂが形成された下面８０ａに加えて、スリットノズル８０の下部におけるテーパ部８０ｃも含まれる。例えばスリットノズル８０からのレジスト液吐出時には、吐出口８０ｂだけでなく、テーパ部８０ｃの両側面にもレジスト液が付着する。このようにレジスト塗布処理が終了した後の吐出口８０ｂとテーパ部８０ｃにはレジスト液の汚れが残るため、洗浄部１１０は、スリットノズル８０の吐出口８０ｂとテーパ部８０ｃを洗浄する。
図５〜図７に示すように洗浄部１１０は、スリットノズル８０の下面８０ａとテーパ部８０ｃに接触自在の接触部材１２０と、スリットノズル８０の下面８０ａとテーパ部８０ｃに洗浄液を供給する洗浄液供給機構１２１と、スリットノズル８０の下面８０ａとテーパ部８０ｃに乾燥ガスを供給するガス供給機構１２２と、を有している。接触部材１２０は複数、例えば３つ設けられている。また洗浄液供給機構１２１も複数、例えば４つ設けられている。そして、洗浄部１１０には、スリットノズル８０の長手方向と平行な洗浄方向（Ｘ方向負方向であって、スリットノズル８０を洗浄する際に洗浄部１１０を移動させる方向）において、第１の洗浄液供給機構１２１ａ、第１の接触部材１２０ａ、第２の洗浄液供給機構１２１ｂ、第２の接触部材１２０ｂ、第３の洗浄液供給機構１２１ｃ、第３の接触部材１２０ｃ、第４の洗浄液供給機構１２１ｄ、ガス供給機構１２２がこの順で配置されている。なお、各接触部材１２０、洗浄液供給機構１２１、ガス供給機構１２２は、それぞれキャリッジ１１１に対して着脱自在に構成されている。なお、図７においては、キャリッジ１１１の内部構造を示すため、第１の洗浄液供給機構１２１ａと第１の接触部材１２０ａの図示を省略している。
洗浄液供給機構１２１は、スリットノズル８０の下面８０ａとテーパ部８０ｃに洗浄液、例えばレジスト液の溶剤を供給する複数の洗浄液ノズル１３０と、当該複数の洗浄液ノズル１３０を支持する支持体１３１とを有している。洗浄液ノズル１３０には、支持体１３１の側面に取り付けられた配管コネクタ１３２を介して、洗浄液供給管（図示せず）が接続されている。さらに洗浄液供給管は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源（図示せず）に連通している。
支持体１３１には、その上面中央部に溝部１３３が形成されている。上記複数の洗浄液ノズル１３０は、この溝部１３３の両側の内側面から突出して設けられている。溝部１３３は、スリットノズル８０が通過する大きさに形成されている。そして、溝部１３３内を通過するスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに対して、洗浄液ノズル１３０から洗浄液が供給されるようになっている。
支持体１３１の下面には、当該支持体１３１を支持する支持板１３４が設けられている。支持板１３４は、支持体１３１から水平方向、鉛直上方、水平方向にこの順で延伸し、キャリッジ１１１の上面に支持されている。
ガス供給機構１２２は、スリットノズル８０の下面８０ａとテーパ部８０ｃに乾燥ガス、例えば窒素ガス等の不活性ガスを供給する複数のガスノズル１４０と、当該複数のガスノズル１４０を支持する支持体１４１とを有している。ガスノズル１４０には、支持体１４１の側面に取り付けられた配管コネクタ１４２を介して、ガス供給管（図示せず）が接続されている。さらにガス供給管は、内部に乾燥ガスを貯留するガス供給源（図示せず）に連通している。
支持体１４１には、その上面中央部に溝部１４３が形成されている。上記複数のガスノズル１４０は、この溝部１４３の両側の内側面から突出して設けられている。溝部１４３は、スリットノズル８０が通過する大きさに形成されている。そして、溝部１４３内を通過するスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに対して、ガスノズル１４０から乾燥ガスが供給されるようになっている。
支持体１４１の下面には、当該支持体１４１を支持する支持板１４４が設けられている。支持板１４４は、支持体１４１から水平方向、鉛直上方、水平方向にこの順で延伸し、キャリッジ１１１の上面に支持されている。
接触部材１２０には、スリットノズル８０の洗浄時に当該スリットノズル８０と接触して摺動する材料、例えばフッ素含有エラストマ等のゴムが用いられる。接触部材１２０の上部形状は、スリットノズル８０の下部形状、すなわちスリットノズル８０のテーパ部８０ｃの形状に適合している。具体的には、図８〜図１０に示すように接触部材１２０の上部には、テーパ部８０ｃの形状に適合するＶ字型の溝部１５０が形成されている。溝部１５０のＸ方向負方向側には、当該溝部１５０から鉛直方向下方、且つ接触部材１２０の中心部に向けて傾斜する一対の第１の斜面１５１、１５１が形成されている。また溝部１５０のＸ方向正方向側には、当該溝部１５０から鉛直方向下方に向けて傾斜する一対の第２の斜面１５２、１５２が形成されている。さらに接触部材１２０の下部１５３は、略直方体形状を有している。
接触部材１２０のかかる構成により、スリットノズル８０を洗浄する際には、接触部材１２０の溝部１５０とスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃとが適切に接触する。そして、接触部材１２０とスリットノズル８０とは、ほぼ均一な圧力で接触する。
図１１に示すように接触部材１２０の下方には、当該接触部材１２０を支持する支持部材１６０が設けられている。支持部材１６０の内部には、後述する鉛直移動機構１６２の磁石体１６５と反対の極性を有する磁石１６１が設けられている。また支持部材１６０は、下面が開口した中空形状を有し、鉛直移動機構１６２を覆うように設けられている。
さらに支持部材１６０の下方には、接触部材１２０を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構１６２が設けられている。鉛直移動機構１６２は、略直方体形状の本体１６３と、他の付勢部材としてのバネ１６４と、磁石１６１と反対の極性を有する磁石体１６５とを有している。バネ１６４は、本体１６３と磁石体１６５との間に例えば２本設けられている。そしてスリットノズル８０を洗浄する際には、バネ１６４は、磁石体１６５、磁石１６１及び支持部材１６０を介して、接触部材１２０をスリットノズル８０側に鉛直方向に付勢し、接触部材１２０とスリットノズル８０を接触させる。また、磁石１６１と磁石体１６５によって、支持部材１６０が鉛直移動機構１６２に対して容易に着脱自在になっている。
鉛直移動機構１６２は、支持板１６６に支持されている。支持板１６６は、鉛直移動機構１６２から水平方向、鉛直上方、水平方向にこの順で延伸し、図７に示すようにキャリッジ１１１の上面に支持されている。
図７に示すように支持板１６６の下方であって、キャリッジ１１１の内部には、接触部材１２０を水平方向に移動させる水平移動機構１６７が設けられている。すなわち、水平移動機構１６７は接触部材１２０の側方に配置されている。水平移動機構１６７は、平板状の本体１６８と、当該本体１６８に取り付けられた付勢部材としてのバネ１６９を有している。そしてスリットノズル８０を洗浄する際には、バネ１６９は、本体１６８、支持板１６６、鉛直移動機構１６２、支持部材１６０を介して、接触部材１２０をスリットノズル８０側に水平方向に付勢し、接触部材１２０とスリットノズル８０を接触させる。
以上の塗布現像処理システム１には、図１に示すように制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、塗布現像処理システム１におけるガラス基板Ｇの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、塗布現像処理システム１における後述の基板処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部２００にインストールされたものであってもよい。
次に、以上のように構成されたレジスト塗布処理装置２４における塗布処理プロセスとノズル洗浄装置１００におけるノズル洗浄プロセスを、塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
先ず、カセットステーション２のカセットＣ内の複数のガラス基板Ｇが、基板搬送体１２によって、順次処理ステーション３のエキシマＵＶ照射装置２０に搬送される。ガラス基板Ｇは、搬送ラインＡに沿って、エキシマＵＶ照射装置２０、スクラバ洗浄装置２１、第１の熱処理装置群２２の熱処理装置、第２の熱処理装置群２３の熱処理装置、レジスト塗布処理装置２４、減圧乾燥装置２５及び第３の熱処理装置群２６の熱処理装置に順に搬送され、各処理装置において所定の処理が施される。第３の熱処理装置群２６で熱処理の終了したガラス基板Ｇは、搬送体４１によって、インターフェイスステーション５に搬送され、基板搬送体６３によって露光装置４に搬送される。
露光装置４において露光処理の終了したガラス基板Ｇは、基板搬送体６３によってインターフェイスステーション５に戻され、搬送体４１によって処理ステーション３の第４の熱処理装置群３０に搬送される。ガラス基板Ｇは、搬送ラインＢに沿って、第４の熱処理装置群３０の熱処理装置、現像処理装置３１、ｉ線ＵＶ照射装置３２、第５の熱処理装置群３３の熱処理装置及び第６の熱処理装置群３４の熱処理装置に順に搬送され、各処理装置において所定の処理が施される。第６の熱処理装置群３４で熱処理の終了したガラス基板Ｇは、基板搬送体１２によってカセットステーション２のカセットＣに戻されて、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
次に、レジスト塗布処理装置２４における塗布処理プロセスとノズル洗浄装置１００におけるノズル洗浄プロセスについて説明する。
先ず、待機バス９２に待機させていたスリットノズル８０に対してスリットノズル８０のプライミング処理が行われる。なお、スリットノズル８０を待機させている間、待機バス９２の内部は溶剤の雰囲気に維持されている。図２及び図３に示すようにガントリアーム８４をＹ方向正方向側に移動させて、スリットノズル８０を待機バス９２からプライミングローラ９０の上方に移動させる。その後、スリットノズル８０を下降させて、スリットノズル８０の吐出口８０ｂがプライミングローラ９０の上部表面に近接される。そしてプライミングローラ９０が回転し、スリットノズル８０からプライミングローラ９０にレジスト液が吐出されて、スリットノズル８０の吐出状態が安定する。
スリットノズル８０のプライミング処理が終了すると、ガントリアーム８４をＹ方向正方向側に移動させて、スリットノズル８０を塗布位置Ｅに移動させる。その後、スリットノズル８０を下降させて、所定の高さの吐出位置に移動させる。これまでの間に、ガラス基板Ｇは搬入ステージ７０ａに搬入されており、さらに搬入ステージ７０ａのガラス基板Ｇが一定の速度でＹ方向正方向側に搬送される。そして、ガラス基板Ｇが塗布ステージ７０ｂ上を移動し、スリットノズル８０の下方を通過する際に、スリットノズル８０からレジスト液が吐出され、ガラス基板Ｇの上面の全面にレジスト液が塗布される。
このようなスリットノズル８０のプライミング処理とスリットノズル８０による塗布処理が、所定枚数、例えば１ロットのガラス基板Ｇに対して連続して繰り返し行われる。その後、ノズル洗浄装置１００においてスリットノズル８０が洗浄される。なお、この所定枚数は任意に設定することができる。また、ノズル洗浄装置１００で洗浄されたスリットノズル８０は待機バス９２内で待機し、次にガラス基板Ｇに塗布処理が行われる直前に、プライミングローラ９０によってスリットノズル８０のプライミング処理が行われる。
ノズル洗浄装置１００においてスリットノズル８０を洗浄する際には、先ず、ガントリアーム８４をＹ方向負方向側に移動させて、スリットノズル８０をノズル洗浄装置１００の上方に移動させる。その後、スリットノズル８０が接触部材１２０ａ〜１２０ｃに接触する所定の位置まで、スリットノズル８０を下降させる。このとき、各接触部材１２０ａ〜１２０ｃは、それぞれ鉛直移動機構１６２のバネ１６４によって鉛直方向にスリットノズル８０側に付勢されると共に、水平移動機構１６７のバネ１６９によって水平方向にスリットノズル８０側に付勢される。そうすると、各接触部材１２０ａ〜１２０ｃの溝部１５０がスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに倣うように変位する。その結果、各接触部材１２０ａ〜１２０ｃは、それぞれスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに均一な圧力で適切に接触する。このようにすべての接触部材１２０ａ〜１２０ｃとスリットノズル８０との位置合わせが個別に自動的に行われる。
続いて、各洗浄液供給機構１２１ａ〜１２１ｄの洗浄液ノズル１３０から洗浄液をスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに対して供給すると共に、ガス供給機構１２２のガスノズル１４０から乾燥ガスをスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに対して供給する。洗浄液の供給と乾燥ガスの供給を開始するのとほぼ同時に、洗浄部移動機構１１３によりスリットノズル８０の長手方向に沿って洗浄部１１０を所定の速度で移動させる。
そして、第１の洗浄液供給機構１２１ａから供給される洗浄液によって、スリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに付着したレジスト液が溶解する。その直後、第１の接触部材１２０ａがスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに接触することにより、レジスト液と洗浄液が下にかき落とされる。これら第１の洗浄液供給機構１２１ａと第１の接触部材１２０ａによって、スリットノズル８０が十分に洗浄され、当該スリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃにレジスト液と洗浄液が残存していても、少量である。
さらに、第１の洗浄液供給機構１２１ａと第１の接触部材１２０ａの洗浄方向下流側に設けられた、洗浄液供給機構１２１ｂ〜１２１ｄと接触部材１２０ｂ、１２０ｃによって、スリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに付着した少量のレジスト液が完全に除去される。
最後に、洗浄液供給機構１２１ａ〜１２１ｄと接触部材１２０ａ〜１２０ｃの洗浄方向下流側に設けられたガス供給機構１２２から供給される乾燥ガスによって、スリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに付着した洗浄液を乾燥させて除去する。
こうしてスリットノズル８０の一端から他端まで全長に亘って洗浄部１１０を１回移動させることにより、スリットノズル８０が十分に洗浄される。
以上の例によれば、鉛直移動機構１６２と水平移動機構１６７により各接触部材１２０ａ〜１２０ｃの位置を調整できるので、これら接触部材１２０ａ〜１２０ｃの形状にバラツキがあり、或いは接触部材１２０ａ〜１２０ｃの設置精度が高くなくても、これらすべての接触部材１２０ａ〜１２０ｃをスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに適切に接触させることができる。したがって、接触部材１２０ａ〜１２０ｃによって、スリットノズル８０を適切に洗浄することができる。
しかも、鉛直移動機構１６２はバネ１６４を有し、水平移動機構１６７はバネ１６９を有するので、簡易な構造で各接触部材１２０ａ〜１２０ｃをスリットノズル８０側に付勢することができる。また、これらバネ１６４、１６９により接触部材１２０ａ〜１２０ｃが付勢されるのに加えて、各接触部材１２０ａ〜１２０ｃの上部形状は、スリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃの形状に適合しているので、各接触部材１２０ａ〜１２０ｃをスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに均一な圧力で接触させることができる。したがって、接触部材１２０ａ〜１２０ｃによって、スリットノズル８０をより適切に洗浄することができる。
また洗浄部１１０は、洗浄液供給機構１２１ａ〜１２１ｄを有しているので、各洗浄液供給機構１２１ａ〜１２１ｄからスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに対して洗浄液を供給しつつ、接触部材１２０ａ〜１２０ｃをスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに接触させることができる。さらに洗浄部１１０は、ガス供給機構１２２を有しているので、スリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに付着した洗浄液を乾燥させて除去することができる。したがって、スリットノズル８０をさらに適切に洗浄することができる。
またこのようにスリットノズル８０の一端から他端まで全長に亘って洗浄部１１０を１回移動させるだけで、スリットノズル８０を適切に洗浄することができるので、洗浄処理のタクト時間を短縮することができる。換言すれば、本実施の形態の洗浄部１１０によれば、スリットノズル８０の洗浄効率を向上させることができる。これにより、基板処理のスループットを向上させることができる。
また、洗浄部１１０は複数の接触部材１２０ａ〜１２０ｃを有するので、例えば１つの接触部材１２０が損傷を被っても、他の接触部材１２０によってスリットノズル８０を洗浄することができる。
また、各接触部材１２０ａ〜１２０ｃを支持する支持部材１６０は鉛直移動機構１６２を覆うように設けられているので、接触部材１２０ａ〜１２０ｃによって掻き取られたレジスト液と洗浄液によって鉛直移動機構１６２が汚れることはない。
また、支持部材１６０と鉛直移動機構１６２には、それぞれ極性の異なる磁石１６１と磁石体１６５が設けられているので、鉛直移動機構１６２に対して支持部材１６０が容易に着脱自在になっている。そして、例えば接触部材１２０を交換する際には、支持部材１６０を共に交換する。かかる場合、支持部材１６０と鉛直移動機構１６２は磁石１６１と磁石体１６５によって固定されているだけなので、接触部材１２０と支持部材１６０を鉛直移動機構１６２から容易に取り外すことができる。同様に、新しい接触部材１２０と支持部材１６０を鉛直移動機構１６２に容易に取り付けることができる。しかも、この新しい接触部材１２０と支持部材１６０の取り付けの際、磁石１６１と磁石体１６５によって接触部材１２０と鉛直移動機構１６２の相対的な位置が自動的に調整される。したがって、接触部材１２０を容易且つ適切に交換することができる。
以上の例では、接触部材１２０ａ〜１２０ｃはそれぞれ同じ形状を有していたが、例えば図１２に示すように異なる形状を有していてもよい。例えば各接触部材１２０ａ〜１２０ｃの溝部１５０の形状をそれぞれ異なる形状としてもよい。かかる場合、異なる形状の接触部材１２０ａ〜１２０ｃがスリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃに接触するので、当該スリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃをより確実に洗浄することができる。なお、これら１２０ａ〜１２０ｃの各々の形状は、レジスト液の種類や接触部材１２０ａ〜１２０ｃの材質等に応じて任意に設定することができる。また、図１２の例においては、上記洗浄液供給機構１２１とガス供給機構１２２の図示を省略しているが、もちろんこれら洗浄液供給機構１２１とガス供給機構１２２を設けてもよい。
また以上の例では、洗浄部１１０は３つの接触部材１２０を有していたが、接触部材１２０の数は、これに限定されず任意に設定することができる。同様に、洗浄部１１０は４つの洗浄液供給機構１２１を設けていたが、洗浄液供給機構１２１の数は、これに限定されず任意に設定することができる。
以上に述べた洗浄部１１０は、接触部材１２０、洗浄液供給機構１２１及びガス供給機構１２２を有していたが、洗浄部１１０から洗浄液供給機構１２１及びガス供給機構１２２を省略し、接触部材１２０のみを設けてもよい。接触部材１２０のみでも十分な洗浄効果があるため、例えばスリットノズル８０から吐出されるレジスト液の種類によっては、接触部材１２０のみでスリットノズル８０を適切に洗浄することができる。かかる場合、洗浄部１１０の構成を簡略化し、その製造コストを低廉化することができる。また、スリットノズル８０の洗浄に必要な洗浄液や乾燥ガスを省略できるので、そのラインニングコストも低廉化することができる。
以上に述べた鉛直移動機構１６２と水平移動機構１６７は、それぞれ付勢部材としてバネ１６４、１６９を有していたが、付勢部材はこれに限定されない。例えば付勢部材として、バネ以外の弾性体を用いてもよいし、エアクッションを用いてもよいし、シリンダを用いてもよい。或いは、例えば磁石でチャッキングするようにしてもよい。
ところで、スリットノズル８０からガラス基板Ｇにレジスト液を塗布する際、ガラス基板Ｇに吐出されたレジスト液は、スリットノズル８０の長手方向の側方に位置するガラス基板Ｇ上にも流動拡散する場合がある。すなわち、ガラス基板Ｇ上のレジスト液は、当該レジスト液が塗布されるべき所定の範囲である、スリットノズル８０の吐出口８０ｂの幅をはみ出す場合がある。かかる場合、ガラス基板Ｇ上に形成されるレジスト膜の膜厚が所定の膜厚よりも小さくなるおそれがあり、製品の歩留まり低下を招く可能性がある。
そこで、図１３に示すようにスリットノズル８０の下面８０ａに、当該下面８０ａが鉛直上方に窪んだ切り欠き３００を複数箇所、例えば２箇所に形成する場合がある。この切り欠き３００内に所定量のレジスト液を流動させることによって、スリットノズル８０からガラス基板Ｇに吐出されたレジスト液が所定の範囲の外側に流動するのを抑制することができる。そして、ガラス基板Ｇ上にレジスト液を所定の膜厚で均一に塗布することができる。
かかる場合、スリットノズル８０を洗浄するために洗浄部１１０をスリットノズル８０の長手方向に一定の速度で移動させると、接触部材１２０が切り欠き３００によって損傷を被る場合がある。
また、洗浄部１１０をスリットノズル８０の長手方向に移動させる際、当該スリットノズル８０を長手方向の全長に亘って確実に洗浄するために、洗浄部１１０はスリットノズル８０の外側から移動する。このとき、発明者らが鋭意検討したところ、スリットノズル８０の端部８０ｄにおいても、接触部材１２０が損傷を被る場合があることが分かった。
そこで、このように接触部材１２０が損傷を被る箇所においては、スリットノズル８０を所定の高さまで上昇させてもよい。スリットノズル８０は、上述したようにノズル昇降機構としてのガントリアーム８４によって昇降できるようになっている。また、スリットノズル８０を上昇させる場合の洗浄部１１０の移動速度は、スリットノズル８０を上昇させない場合の洗浄部１１０の移動速度に比して低速であってもよい。図１４は、スリットノズル８０の下面形状、スリットノズル８０の高さ、及び洗浄部１１０の移動速度の関係を示すタイムチャートである。
なお、図１４において、スリットノズル８０を上昇させない状態で、洗浄部１１０による通常の洗浄が行われる場合のスリットノズル８０の高さ位置を洗浄位置といい、スリットノズル８０を上昇させた場合のスリットノズル８０の高さ位置を回避位置という。また、図１４において、スリットノズル８０を上昇させない状態で、洗浄部１１０による通常の洗浄が行われる場合の当該洗浄部１１０の移動速度を高速といい、スリットノズル８０を上昇させた状態で、洗浄部１１０による洗浄が行われる場合の当該洗浄部１１０の移動速度を低速という。
ノズル洗浄装置１００においてスリットノズル８０を洗浄する際には、図１３に示すように洗浄部１１０はスリットノズル１１０の外側から移動する。
図１５に示すように洗浄部１１０の先端部（第１の接触部材１２０ａ）がスリットノズル８０の端部８０ｄに位置した場合に、スリットノズル８０を回避位置まで上昇させる（図１４の時間ｔ０）。この回避位置は、スリットノズル８０の下面８０ａ及びテーパ部８０ｃが接触部材１２０と接触しない位置、或いは接触部材１２０と僅かに接触する位置である。そして、この回避位置までスリットノズル８０を例えば数ミリ上昇させる。このとき、接触部材１２０とスリットノズル８０との接触圧力が小さくなるので、洗浄部１１０の洗浄能力が低くなる。そこで、時間ｔ０においてスリットノズル８０を上昇させると共に、洗浄部１１０の移動速度を低速にする。
その後、洗浄部１１０の後端部（第３の接触部材１２０ｂ）がスリットノズル８０ｃの端部に位置した場合に、スリットノズル８０を洗浄位置まで下降させる（図１４の時間ｔ１）。このとき、接触部材１２０とスリットノズル８０との接触圧力が大きくなるので、洗浄部１１０の洗浄能力が高くなる。そこで、時間ｔ１においてスリットノズル８０を下降させると共に、洗浄部１１０の移動速度を高速にする。
このように時間ｔ０から時間ｔ１において、スリットノズル８０を回避位置まで上昇させるので、スリットノズル８０の端部８０ｄによって接触部材１２０が損傷を被るのを抑制することができる。このとき、洗浄部１１０の移動速度を低速にするので、洗浄部１１０の洗浄能力の低下を抑制し、スリットノズル８０を適切に洗浄することができる。なお、かかる接触部材１２０の損傷と洗浄部１１０の洗浄能力の低下をより確実に抑制するため、本実施の形態では、時間ｔ０は洗浄部１１０の先端部がスリットノズル８０の端部８０ｄに達する僅かに前に設定され、時間ｔ１は洗浄部１１０の後端部がスリットノズル８０の端部８０ｄを通過した僅かに後に設定される。
その後、図１６に示すように洗浄部１１０の先端部（第１の接触部材１２０ａ）がスリットノズル８０の切り欠き３００に位置した場合に、スリットノズル８０を回避位置まで上昇させる（図１４の時間ｔ２）。この時間ｔ２において、洗浄部１１０の洗浄能力の低下を抑制するため、スリットノズル８０を上昇させると共に、洗浄部１１０の移動速度を低速にする。
その後、洗浄部１１０の後端部（第３の接触部材１２０ｂ）がスリットノズル８０ｃの切り欠き３００に位置した場合に、スリットノズル８０を洗浄位置まで下降させる（図１４の時間ｔ３）。このとき、洗浄部１１０の洗浄能力が高くなるので、時間ｔ３においてスリットノズル８０を下降させると共に、洗浄部１１０の移動速度を高速にする。
この時間ｔ２から時間ｔ３では、上述した時間ｔ０から時間ｔ１と同様に接触部材１２０の損傷と洗浄部１１０の洗浄能力の低下を抑制することができる。なお、かかる接触部材１２０の損傷と洗浄部１１０の洗浄能力の低下をより確実に抑制するため、本実施の形態では、時間ｔ２は洗浄部１１０の先端部がスリットノズル８０の切り欠き３００に達する僅かに前に設定され、時間ｔ３は洗浄部１１０の後端部がスリットノズル８０の切り欠き３００を通過した僅かに後に設定される。
その後、図１４の時間ｔ４から時間ｔ５において、洗浄部１１０がスリットノズル８０の他の切り欠き３００を通過するが、かかる時間ｔ４から時間ｔ５のスリットノズル８０の昇降と洗浄部１１０の移動（移動速度）は、上述した時間ｔ２から時間ｔ３と同様であるので詳細な説明を省略する。
さらにその後、図１４の時間ｔ６から時間ｔ７において、洗浄部１１０がスリットノズル８０の端部８０ｄを通過するが、かかる時間ｔ６から時間ｔ７のスリットノズル８０の昇降と洗浄部１１０の移動（移動速度）は、上述した時間ｔ０から時間ｔ１と同様であるので詳細な説明を省略する。
本実施の形態によれば、接触部材１２０がスリットノズル８０の端部８０ｄを通過する際（時間ｔ０から時間ｔ１、時間ｔ６から時間ｔ７）と、接触部材１２０がスリットノズル８０の切り欠き３００を通過する際（時間ｔ２から時間ｔ３、時間ｔ４から時間ｔ５）とにおいて、スリットノズル８０を回避位置まで上昇させるので、スリットノズル８０の端部８０ｄによって接触部材１２０が損傷を被るのを抑制することができる。また洗浄部１１０の移動速度を低速にするので、洗浄部１１０の洗浄能力の低下を抑制し、スリットノズル８０を適切に洗浄することができる。
なお、以上の実施の形態では、スリットノズル８０の下面８０ａに切り欠き３００が形成されている場合について説明したが、スリットノズル８０の下面８０ａに当該切り欠き３００が形成されていない場合にも本発明を適用することができる。すなわち、接触部材１２０がスリットノズル８０の端部８０ｄを通過する際（時間ｔ０から時間ｔ１、時間ｔ６から時間ｔ７）において、スリットノズル８０を回避位置まで上昇させると共に、洗浄部１１０の移動速度を低速にする。そうすると、上記実施の形態と同様の効果を享受することができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば以上の実施の形態では、レジスト液の塗布処理を例に採って説明したが、本発明は、レジスト液以外の他の塗布液、例えば反射防止膜、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜、ＳＯＤ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）膜などを形成する塗布液の塗布処理にも適用できる。また本発明は、ＬＣＤ基板以外の基板例えばフォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
１ 塗布現像処理システム
２４ レジスト塗布処理装置
７０ ステージ
８０ スリットノズル
８０ａ 下面
８０ｂ 吐出口
８０ｃ テーパ部
８０ｄ 端部
８４ ガントリアーム
１００ ノズル洗浄装置
１１０ 洗浄部
１１１ キャリッジ
１１３ 洗浄部移動機構
１１４ 第３のガイドレール
１２０（１２０ａ〜１２０ｃ） 接触部材
１２１（１２１ａ〜１２１ｄ） 洗浄液供給機構
１２２ ガス供給機構
１３０ 洗浄液ノズル
１４０ ガスノズル
１６０ 支持部材
１６１ 磁石
１６２ 鉛直移動機構
１６４ バネ
１６５ 磁石体
１６７ 水平移動機構
１６９ バネ
２００ 制御部
３００ 切り欠き
Ｇ ガラス基板

Claims (4)

  1. 基板の幅方向に延伸し、当該基板に対して塗布液を吐出する吐出口が下面に形成されたノズルを洗浄するノズル洗浄装置と、前記ノズルとを有し、基板に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、
    前記ノズル洗浄装置は、
    少なくとも前記ノズルの下面を洗浄する洗浄部と、
    前記洗浄部を前記ノズルの長手方向に沿って移動させる洗浄部移動機構と、を備え、
    前記洗浄部は、
    少なくとも前記ノズルの下面に接触自在の複数の接触部材と、
    前記各接触部材を水平方向に移動させる水平移動機構と、
    前記各接触部材を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構とを有し、
    前記塗布処理装置は、
    前記ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、
    前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させる際に前記接触部材が前記ノズルの端部に位置した場合に、当該ノズルを上昇させるように前記ノズル昇降機構を制御する制御部と、を有し、
    前記ノズルの下面には切り欠きが形成され、
    前記制御部は、前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させる際に前記接触部材が前記ノズルの切り欠きに位置した場合に、当該ノズルを上昇させるように前記ノズル昇降機構を制御することを特徴とする、塗布処理装置。
  2. 基板の幅方向に延伸し、当該基板に対して塗布液を吐出する吐出口が下面に形成されたノズルを洗浄するノズル洗浄装置と、前記ノズルとを有し、基板に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、
    前記ノズル洗浄装置は、
    少なくとも前記ノズルの下面を洗浄する洗浄部と、
    前記洗浄部を前記ノズルの長手方向に沿って移動させる洗浄部移動機構と、を備え、
    前記洗浄部は、
    少なくとも前記ノズルの下面に接触自在の複数の接触部材と、
    前記各接触部材を水平方向に移動させる水平移動機構と、
    前記各接触部材を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構とを有し、
    前記塗布処理装置は、
    前記ノズルを昇降させるノズル昇降機構と、
    前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させる際に前記接触部材が前記ノズルの端部に位置した場合に、当該ノズルを上昇させるように前記ノズル昇降機構を制御する制御部と、を有し、
    前記制御部は、前記ノズルを上昇させる場合の前記洗浄部の移動速度が、前記ノズルを上昇させない場合の前記洗浄部の移動速度に比して低速になるように前記洗浄部移動機構を制御することを特徴とする、塗布処理装置。
  3. ノズル洗浄装置と、基板の幅方向に延伸し、当該基板に対して塗布液を吐出する吐出口が下面に形成されたノズルとを有する塗布処理装置を用いて、基板に塗布液を塗布する塗布処理方法であって、
    前記ノズル洗浄装置は、
    少なくとも前記ノズルの下面を洗浄する洗浄部と、
    前記洗浄部を前記ノズルの長手方向に沿って移動させる洗浄部移動機構と、を備え、
    前記洗浄部は、
    少なくとも前記ノズルの下面に接触自在の複数の接触部材と、
    前記各接触部材を水平方向に移動させる水平移動機構と、
    前記各接触部材を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構と、を有し、
    前記水平移動機構と前記鉛直移動機構により前記各接触部材の位置を調整して、前記複数の接触部材を前記ノズルの下面に接触させながら、前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させて前記ノズルを洗浄し、
    前記塗布処理装置は前記ノズルを昇降させるノズル昇降機構を有し、
    前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させる際に、前記接触部材が前記ノズルの端部に位置した場合に、前記ノズル昇降機構によって当該ノズルを上昇させ、
    前記ノズルの下面には切り欠きが形成され、
    前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させる際に、前記接触部材が前記ノズルの切り欠きに位置した場合に、前記ノズル昇降機構によって当該ノズルを上昇させることを特徴とする、塗布処理方法。
  4. ノズル洗浄装置と、基板の幅方向に延伸し、当該基板に対して塗布液を吐出する吐出口が下面に形成されたノズルとを有する塗布処理装置を用いて、基板に塗布液を塗布する塗布処理方法であって、
    前記ノズル洗浄装置は、
    少なくとも前記ノズルの下面を洗浄する洗浄部と、
    前記洗浄部を前記ノズルの長手方向に沿って移動させる洗浄部移動機構と、を備え、
    前記洗浄部は、
    少なくとも前記ノズルの下面に接触自在の複数の接触部材と、
    前記各接触部材を水平方向に移動させる水平移動機構と、
    前記各接触部材を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構と、を有し、
    前記水平移動機構と前記鉛直移動機構により前記各接触部材の位置を調整して、前記複数の接触部材を前記ノズルの下面に接触させながら、前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させて前記ノズルを洗浄し、
    前記塗布処理装置は前記ノズルを昇降させるノズル昇降機構を有し、
    前記洗浄部移動機構によって前記洗浄部を移動させる際に、前記接触部材が前記ノズルの端部に位置した場合に、前記ノズル昇降機構によって当該ノズルを上昇させ、
    前記ノズルを上昇させる場合の前記洗浄部の移動速度は、前記ノズルを上昇させない場合の前記洗浄部の移動速度に比して低速であることを特徴とする、塗布処理方法。
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