JP2006253515A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 処理液の塗布時間の短縮により、処理精度（線幅）のバラツキを抑制して、処理精度（線幅）の均一性の向上を図ると共に、スループットの向上を図れるようにし、かつ、装置の小型化を図れるようにすること。
【解決手段】 方形状の被処理基板Ｇと、この被処理基板の一辺全体を覆うように被処理基板と対向配置される処理液供給手段とを平行に相対移動させて、被処理基板の表面に処理液としての現像液を塗布する基板処理方法において、処理液供給手段を構成する一対の処理液供給ノズル５２ａ，５２ｂを、被処理基板の中央部に配置させた後、両処理液供給ノズルからそれぞれ現像液を供給させながら各処理液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動させる現像液を塗布（液盛り）する。
【選択図】 図４

Description

この発明は、例えば液晶表示デバイス等に使用されるＬＣＤガラス基板を処理する基板処理方法及び基板処理装置に関するものである。

一般に、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等の製造においては、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、更に現像液をガラス基板に塗布して現像処理している。

一般に、現像液の塗布処理においては、方形状のガラス基板（以下に基板という）と、この基板の一辺全体を覆うように基板と対向配置された処理液供給手段である現像液供給ノズルとを相対移動させて、基板の表面に現像液を塗布する基板処理方法（装置）が知られている。

従来のこの種の基板処理方法（装置）として、現像液供給ノズルを基板の一端部付近に配置させ、現像液を供給させながら現像液供給ノズルと基板とを相対的に移動させて基板表面に現像液を塗布するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開平７−２４９５６６号公報（特許請求の範囲、図１２）

しかしながら、従来のこの種の基板処理方法（装置）においては、基板の一端縁から他端縁に向かって現像液供給ノズルを移動させて基板表面に現像液を液盛りした状態に塗布するため、塗布処理に多くの時間を要すると共に、現像液の塗布開始時と塗布終了時の時間差によって線幅のバラツキが生じ、線幅均一性が低下するという問題があった。この問題は、特に、大型化の傾向にある基板の現像処理においては重要な課題である。

上記問題を解決する手段として、現像液供給ノズルと基板の双方を相対移動させて現像液の塗布時間を短縮させる方法が考えられるが、この方法においては基板の保持手段に移動機構を設ける必要があるため、構造が複雑になる上、装置の大型化を招く虞がある。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、処理液の塗布時間の短縮により、処理精度（線幅）のバラツキを抑制して、処理精度（線幅）の均一性の向上を図ると共に、スループットの向上を図れるようにし、かつ、装置の小型化を図れるようにした基板処理方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、この発明の基板処理方法は、方形状の被処理基板と、この被処理基板の一辺全体を覆うように被処理基板と対向配置される処理液供給手段とを平行に相対移動させて、上記被処理基板の表面に処理液を塗布する基板処理方法を前提とし、請求項１記載の基板処理方法は、 上記処理液供給手段を構成する一対の処理液供給ノズルを、上記被処理基板の中央部に配置させる工程と、 上記両処理液供給ノズルからそれぞれ処理液を供給させながら各処理液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動させる塗布膜形成工程と、を有することを特徴とする。

また、請求項２記載の基板処理方法は、請求項１記載の発明に加えて、更に、上記被処理基板の一辺全体を覆う一対のリンス液供給ノズルを、被処理基板の中央部に配置させる工程と、 上記両リンス液供給ノズルからそれぞれリンス液を供給させながら各リンス液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動させるリンス工程と、を有することを特徴とする。

また、請求項３記載の基板処理方法は、請求項２記載の発明に加えて、更に、上記被処理基板の一辺全体を覆う一対の気体供給ノズルを、被処理基板の中央部に配置させる工程と、 上記両気体供給ノズルからそれぞれ気体を供給させながら各気体供給ノズルをそれぞれ被処理基板の端縁へ移動させる余剰処理液除去工程と、を有することを特徴とする。

また、請求項４記載の基板処理方法は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理方法において、 上記塗布膜形成工程における処理液供給ノズルの移動に先行して被処理基板に液を供給するプリウエット工程を更に有することを特徴とする。

また、請求項５記載の基板処理方法は、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理方法において、 上記処理液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動させる際、移動開始時には所定量より少量の処理液を供給しつつ低速に移動し、その後、処理液を所定量供給すると共に、高速に移動し、その後、低速に移動する、ことを特徴とする。

また、請求項６記載の基板処理方法は、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理方法において、 上記処理液供給ノズルのノズル孔を被処理基板の中心側に向けて傾斜させる、ことを特徴とする。

また、請求項７記載の基板処理方法は、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理方法において、 上記処理液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動する際、移動開始前には処理液供給ノズルを被処理基板の表面に近接させて配置して処理液を供給し、移動時には処理液供給ノズルを被処理基板の表面より離して処理液を供給する、ことを特徴とする。

また、請求項８記載の基板処理方法は、請求項２又は３記載の基板処理方法において、 上記リンス液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動させる際、移動開始時にはリンス液供給ノズルを被処理基板に対して略鉛直に配置し、移動時には浄液供給ノズルのノズル孔を被処理基板の端縁側に向けて傾斜させる、ことを特徴とする。

また、この発明の基板処理装置は、方形状の被処理基板と、この被処理基板の一辺全体を覆うように被処理基板と対向配置される処理液供給手段とを平行に相対移動させて、上記被処理基板の表面に処理液を塗布する基板処理装置を前提とし、請求項９記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理方法を具現化するもので、 上記処理液供給手段を構成する一対の処理液供給ノズルと、 上記処理液供給ノズルを上記被処理基板の中央部へ移動すると共に、両処理液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動する処理液供給ノズル移動手段と、を具備することを特徴とする。

また、請求項１０記載の基板処理装置は、請求項２記載の基板処理方法を具現化するもので、請求項９記載の発明に加えて、更に、上記被処理基板の一辺全体を覆う一対のリンス液供給ノズルと、 上記両リンス液供給ノズルを上記被処理基板の中央部へ移動すると共に、両リンス液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動するリンス液供給ノズル移動手段と、を具備することを特徴とする。

また、請求項１１記載の基板処理装置は、請求項３記載の基板処理方法を具現化するもので、請求項１０記載の発明に加えて、更に、上記被処理基板の一辺全体を覆う一対の気体供給ノズルと、 上記気体供給ノズルを上記被処理基板の中央部へ移動すると共に、両気体供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動する気体供給ノズル移動手段と、を具備することを特徴とする。

また、請求項１２記載の基板処理装置は、請求項４記載の基板処理方法を具現化するもので、上記被処理基板の一辺全体を覆う一対のプリウエット用ノズルと、両プリウエット用ノズルを被処理基板の中央部へ配置すると共に、両プリウエット用ノズルをそれぞれ処理液供給ノズルに先行して被処理基板の対向する端縁へ移動するプリウエット用ノズル移動手段を更に具備してなる、ことを特徴とする。

また、請求項１３記載の基板処理装置は、請求項５記載の基板処理方法を具現化するもので、上記処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する供給管路に介設される流量コントローラと、 上記流量コントローラを制御すると共に、処理液供給ノズル移動手段を制御する制御手段を更に具備し、 上記制御手段により上記処理液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動させる際、移動開始時には所定量より少量の処理液を供給しつつ低速に移動し、その後、処理液を所定量供給すると共に、高速に移動し、その後、低速に移動するように制御可能に形成してなる、ことを特徴とする。

また、請求項１４記載の基板処理装置は、請求項６記載の基板処理方法を具現化するもので、上記処理液供給ノズルのノズル孔を被処理基板の中心側に向けて傾斜してなる、ことを特徴とする。

また、請求項１５記載の基板処理装置は、請求項７記載の基板処理方法を具現化するもので、上記処理液供給ノズルを昇降する昇降機構を更に具備し、この昇降機構の駆動により上記処理液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動する際、移動開始前には処理液供給ノズルを被処理基板の表面に近接させて配置し、移動時には処理液供給ノズルを被処理基板の表面より離すように形成してなる、ことを特徴とする。

また、請求項１６記載の基板処理装置は、請求項８記載の基板処理方法を具現化するもので、上記リンス液供給ノズルを、被処理基板に対して略鉛直状態と、被処理基板の端縁側に向けて傾斜する状態に切り換える切換機構を更に具備し、この切換機構の駆動により上記リンス液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動させる際、移動開始時にはリンス液供給ノズルを被処理基板に対して略鉛直に配置し、移動時には浄液供給ノズルのノズル孔を被処理基板の端縁側に向けて傾斜させるように形成してなる、ことを特徴とする。

この発明の基板処理方法及び基板処理装置は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。

（１）請求項１，９記載の発明によれば、処理液供給手段を構成する一対の処理液供給ノズルを被処理基板の中央部に配置し、両処理液供給ノズルからそれぞれ処理液を供給させながら各処理液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動させて処理液を塗布することができるので、塗布時間の短縮が図れると共に、塗布開始時と塗布終了時との時間差の短縮による処理精度のバラツキを抑制して、処理精度の均一性の向上を図ることができる。また、被処理基板に対して処理液供給ノズルのみを移動して処理を行うので、装置の小型化が図れる。

（２）請求項２，１０記載の発明によれば、上記塗布膜形成工程の後に、被処理基板の一辺全体を覆う一対のリンス液供給ノズルを、被処理基板の中央部に配置し、両リンス液供給ノズルからそれぞれリンス液を供給させながら各リンス液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動させて、リンス処理を行うことができる。したがって、上記（１）に加えて、更に、リンス処理を短時間に行うことができると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。

（３）請求項３，１１記載の発明によれば、上記塗布膜形成工程の後に、被処理基板の一辺全体を覆う一対の気体供給ノズルを、被処理基板の中央部に配置し、両気体供給ノズルからそれぞれ気体を供給させながら各気体供給ノズルをそれぞれ被処理基板の端縁へ移動させる余剰処理液除去し、その後、被処理基板の一辺全体を覆う一対のリンス液供給ノズルを、被処理基板の中央部に配置し、両リンス液供給ノズルからそれぞれリンス液を供給させながら各リンス液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動させて、リンス処理を行うことができる。したがって、上記（２）に加えて、更に、リンス処理の安定化を図ることができと共に、更に処理精度の向上を図ることができる。

（４）請求項４，１２記載の発明によれば、塗布膜形成工程における処理液供給ノズルの移動に先行して被処理基板に液を供給するプリウエット工程を更に有することにより、処理液のミストが被処理基板に付着するのを防止することができるので、上記（１）〜（３）に加えて、更に、処理精度の向上を図ることができると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。

（５）請求項５，１３記載の発明によれば、処理液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動させる際、移動開始時には所定量より少量の処理液を供給しつつ低速に移動し、その後、処理液を所定量供給すると共に、高速に移動し、その後、低速に移動することにより、塗布開始時における処理液の過剰供給（液盛り）を抑制することができると共に、塗布時間の短縮を維持し、かつ、処理液供給ノズルの移動制御を確実にすることができる。

（６）請求項６，１４記載の発明によれば、処理液供給ノズルのノズル孔を被処理基板の中心側に向けて傾斜させるので、被処理基板の中央部への処理液の供給を確実にすることができ、塗布膜の均一性の維持が図れる。

（７）請求項７，１５記載の発明によれば、処理液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動する際、移動開始前には処理液供給ノズルを被処理基板の表面に近接させて配置して処理液を供給し、移動時には処理液供給ノズルを被処理基板の表面より離して処理液を供給するので、被処理基板の中央部への処理液の供給を確実にすることができ、塗布膜の均一性の維持が図れる。

（８）請求項８，１６記載の発明によれば、リンス液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動させる際、移動開始時にはリンス液供給ノズルを被処理基板に対して略鉛直に配置し、移動時には浄液供給ノズルのノズル孔を被処理基板の端縁側に向けて傾斜させることにより、被処理基板の表面上に塗布された処理液の余剰分を速やかに除去することができるので、リンス処理の安定化を図ることができる。

以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板処理装置をＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムにおける現像液塗布処理装置に適用した場合について説明する。

図１は、この発明に係る基板処理装置を適用したＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図、図２は、その概略正面図、図３は、その概略背面図である。

上記レジスト塗布・現像処理システムは、図１ないし図３に示すように、複数の被処理基板であるＬＣＤガラス基板Ｇ（以下に基板Ｇという）を収容するカセットＣを載置する搬入出部１と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを具備しており、処理部２の両端にそれぞれ搬入出部１及びインターフェイス部３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システムの長手方向をＸ方向、平面視においてＸ方向と直交する方向をＹ方向、平面視に対して鉛直方向をＺ方向とする。

上記搬入出部１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送機構５を備えており、この搬入出部１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構５は搬送アーム５ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路６上を移動可能であり、搬送アーム５ａによりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出が行われるように構成されている。

上記処理部２は、基本的にＸ方向に伸びる基板搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿って搬入出部１側からインターフェイス部３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１、第１の熱的処理ユニットセクション１６、レジスト処理ユニット１３及び第２の熱的処理ユニットセクション１７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイス部３側から搬入出部１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション１７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５及び第３の熱的処理ユニット１８が配列されている。なお、搬送ラインＡ，Ｂは、それぞれ複数の搬送ローラを列設したローラコンベアにて形成されている。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２が設けられている。この場合、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５は現像の脱色処理を行うために設けられる。

なお、第１の熱的処理ユニットセクション１６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック３１，３２を有している。この場合、熱的処理ユニットブロック３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１側に設けられ、基板Ｇにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット（ＢＡＫＥ）が２段、ＨＭＤＳガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。一方、熱的処理ユニットブロック３２はレジスト処理ユニット１３側に設けられ、基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。これら２つの熱的処理ユニットブロック３１，３２の間に第１の搬送機構３３が設けられている。

また、第２の熱的処理ユニットセクション１７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック３４，３５を有している。この場合、熱的処理ユニットブロック３４はレジスト処理ユニット１３側に設けられ、基板Ｇにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が３段積層されている。一方、熱的処理ユニットブロック３５は現像処理ユニット１４側に設けられており、クーリングユニット（ＣＯＬ）、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。これら２つの熱的処理ユニットブロック３４，３５の間に第２の搬送機構３６が設けられている。

また、第３の熱的処理ユニットセクション１８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック３７，３８を有している。この場合、熱的処理ユニットブロック３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４側に設けられ、クーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇの現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。一方、熱的処理ユニットブロック３８はカセットステーション１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック３７と同様に、クーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇの現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８の間に第３の搬送機構３９が設けられている。

なお、インターフェイス部３には、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１と、周辺露光装置（ＥＥ）とタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）を積層して設けた外部装置ブロック４２と、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３及び第４の搬送機構４４が配設されている。

このように構成されるインターフェイス部３において、第２の搬送機構３６によって搬送される基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１へ搬送され、第４の搬送機構４４によって外部装置ブロック４２の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで、第４の搬送機構４４により露光装置４に搬送されて、基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によっては、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３に基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。そして、露光終了後、基板Ｇは第４の搬送機構４４により外部装置ブロック４２のタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて、基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１に載置され、再び処理部２に搬送されるように構成されている。

上記レジスト処理ユニット１３は、図１及び図２に示すように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２０と、このレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２０によって基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器（図示せず）内で減圧乾燥する減圧乾燥処理装置（ＶＤ）２１と、基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）２２とを具備している。レジスト処理ユニット１３において、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２０でレジストが塗布された基板Ｇは、一対の搬送アーム２３により減圧乾燥処理装置（ＶＤ）２１に搬入され、その後エッジリムーバ（ＥＲ）２２に搬入されて基板Ｇの周縁部のレジストが除去されるようになっている。また、エッジリムーバ（ＥＲ）２２と熱的処理ユニットブロック３４との間、及び熱的処理ユニットブロック３２とレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２０との間には、それぞれ搬送アーム２３と同様な一対の搬送アーム（図示せず）が配設されている。

上記現像処理ユニット１４には、この発明に係る基板処理装置を適用した現像処理装置が配置されている。以下に、現像処理装置について説明する。

◎第１実施形態
図４は、この発明に係る基板処理装置を適用した現像処理装置の第１実施形態の概略平面図である。

上記現像処理装置は、図４に示すように、基板Ｇに処理液である現像液を塗布する現像部５０Ａと、基板Ｇ表面に塗布（液盛り）された現像液にリンス液を供給して現像を停止するリンス処理部５０Ｂとが連設されている。

現像部５０Ａには、熱的処理ユニットブロック３５から搬送された基板Ｇを載置して保持する第１の保持手段例えば載置台５１と、この載置台５１上に載置された基板Ｇの一辺全体を覆うように基板Ｇと対向配置される処理液供給手段を構成する一対の現像液供給ノズル５２ａ，５２ｂ（以下に現像ノズル５２ａ，５２ｂという）と、両現像ノズル５２ａ，５２ｂを基板Ｇの中央部に配置すると共に、両現像ノズル５２ａ，５２ｂをそれぞれ基板Ｇの対向する端縁へ移動する現像ノズル移動手段６１（以下に第１の移動手段６１という）が設けられている。

この場合、現像ノズル５２ａ，５２ｂは、図５に示すように、現像液貯留部５３を長手通し状に設けた棒状のノズル本体５４と、このノズル本体５４の下部に現像液貯留部５３に連通する多数の連通孔５５を介して連通する断面略円形状の空洞部５６と、この空洞部５６内に隙間をおいて配設される例えば石英製の丸棒からなるガイド棒５７と、空洞部５６の下端に開設されると共に、基板Ｇの中央部側に向かって傾斜するスリット状のノズル孔５８とを具備している。このように構成される現像ノズル５２ａ，５２ｂによれば、現像液貯留部５３内に貯留された現像液Ｄが連通孔５５を介して空洞部５６内に流れ、空洞部５６の内壁面及びガイド棒５７の外周面を伝ってノズル孔５８から吐出（供給）されるので、吐出（供給）し始めの衝撃を緩和して基板Ｇ上に現像液を吐出（供給）することができる。また、ノズル孔５８が基板Ｇの中央部に向かって傾斜しているので、基板Ｇの中央部に現像液Ｄを吐出（供給）することができる。

なお、現像ノズル５２ａ，５２ｂは必ずしも上記のような構造に限定されるものではなく、現像液貯留部５３の底部に連通する多数のノズル孔を適宜間隔をおいて穿設した構造にしてもよい。

また、現像ノズル５２ａ，５２ｂの現像液貯留部５３は供給管７０を介して現像液供給源である現像液貯留タンク７１に接続されており、この供給管７０には、現像液貯留タンク７１側から順に、流量コントローラ７２及び開閉弁７３が介設されている。また、これら流量コントローラ７２と開閉弁７３は制御手段である中央演算処理装置８０（以下にＣＰＵ８０という）に電気的に接続されており、ＣＰＵ８０からの制御信号に基づいて基板Ｇへの現像液の供給及び流量が制御されるように形成されている。

また、現像ノズル５２ａ，５２ｂは、図４及び図６に示すように、互いに平行に配置されたガイドレール６５上に摺動可能に架設され、第１の移動手段６１の駆動によって基板Ｇの中央部に配置されると共に、基板Ｇの端縁へ移動可能な門形の保持体６６に昇降機構６７を介して昇降可能に保持されている。この場合、第１の移動手段６１は、例えばリニアモータにて形成されている。この第１の移動手段６１と昇降機構６７は、ＣＰＵ８０に電気的に接続されており、ＣＰＵ８０からの制御信号に基づいて現像ノズル５２ａ，５２ｂが、基板Ｇの中央部に配置されると共に、基板Ｇ表面に近接して配置され、基板Ｇ表面から離れた状態で基板Ｇの端縁へ移動可能に形成されている。

一方、リンス処理部５０Ｂには、現像部５０Ａから搬送された基板Ｇを載置して保持する第２の保持手段例えば載置台５１Ａと、この載置台５１Ａ上に載置された基板Ｇの一辺全体を覆うように基板Ｇと対向配置されるリンス液供給手段を構成する一対のリンス液供給ノズル７４ａ，７４ｂ（以下にリンスノズル７４ａ，７４ｂという）と、両リンスノズル７４ａ，７４ｂを基板Ｇの中央部に配置すると共に、両リンスノズル７４ａ，７４ｂをそれぞれ基板Ｇの対向する端縁へ移動するリンスノズル移動手段６２（以下に第２の移動手段６２という）が設けられている。

リンスノズル７４ａ，７４ｂも現像ノズル５２ａ，５２ｂと同様に、互いに平行に配置されたガイドレール６５Ａ上に摺動可能に架設され、例えばリニアモータにて形成される第２の移動手段６２の駆動によって基板Ｇの中央部に配置されると共に、基板Ｇの端縁へ移動可能な門形の保持体６６Ａに昇降機構６７Ａを介して昇降可能に保持されている。この第２の移動手段６２と昇降機構６７Ａは、ＣＰＵ８０に電気的に接続されており、ＣＰＵ８０からの制御信号に基づいてリンスノズル７４ａ，７４ｂが、基板Ｇの中央部に配置されると共に、基板Ｇの端縁へ移動可能に形成されている。

また、リンスノズル７４ａ，７４ｂ（以下に、代表してリンスノズル７４ａについて説明する）は、図７に示すように、切換機構７５によって基板Ｇの表面に対して略鉛直状態の姿勢と、リンスノズル７４ａのノズル孔（図示せず）を基板Ｇの端縁側に向けて傾斜させる傾斜姿勢とに切換可能に形成されている。この場合、切換機構７５は、図９に示すように、リンスノズル７４ａに突設された枢軸７６を介して鉛直方向に揺動可能に保持する保持ブロック７７に装着される正逆可能なモータ７５ａと、このモータ７５ａの駆動軸７５ｂに装着される駆動スプロケット７５ｃと、枢軸７６に装着される従動スプロケット７５ｄと、駆動スプロケット７５ｃと従動スプロケット７５ｄに掛け渡されるタイミングベルト７５ｅとで構成されている。また、切換機構７５のモータ７５ａはＣＰＵ８０と電気的に接続されており、ＣＰＵ８０からの制御信号に基づいて基板Ｇの表面に対して略鉛直状態の姿勢と、リンスノズル７４ａのノズル孔（図示せず）を基板Ｇの端縁側に向けて傾斜させる傾斜姿勢とに切換可能に形成されている。

次に、上記のように構成される第１実施形態の現像処理装置の動作手順について、図８及び図９を参照して説明する。

まず、第１の移動手段６１の駆動によって、あるいは、予め第１の移動手段６１によって移動された両現像ノズル５２ａ，５２ｂが載置台５１上に載置された基板Ｇの中央部に配置される。この際、昇降機構６７が駆動して現像ノズル５２ａ，５２ｂが基板Ｇ表面に例えば０．５ｍｍの間隔をおいて近接される。この状態で、流量コントローラ７２により両現像ノズル５２ａ，５２ｂから同時に所定量より少量の現像液Ｄが吐出（供給）されて、基板Ｇの中央部に現像液Ｄが液盛り（塗布）される（図８（ａ）参照）。次に、昇降機構６７の駆動によって現像ノズル５２ａ，５２ｂが基板Ｇ表面から所定の間隔例えば１ｍｍになるように離されると同時に、流量コントローラ７２により所定量の現像液Ｄが吐出（供給）され、この状態で両現像ノズル５２ａ，５２ｂは基板Ｇの対向する端縁へ移動されて、基板Ｇ表面に現像液Ｄが塗布（液盛り）される（塗布膜形成工程、図８（ｂ）参照）。この際、ＣＰＵ８０からの制御信号に基づいて、現像ノズル５２ａ，５２ｂの移動開始時には所定量より少量の現像液Ｄを供給しつつ低速に移動し、その後、現像液Ｄを所定量吐出（供給）すると共に、高速に移動し、その後、低速に移動して停止する。このように、移動開始時には所定量より少量の現像液Ｄを供給しつつ低速に移動することにより、吐出（供給）し始めの現像液Ｄの衝撃による泡噛み等の発生を抑制することができると共に、現像液の無駄を省くことができる。また、その後、現像ノズル５２ａ，５２ｂを高速に移動することにより、塗布時間の短縮を図ることができ、その後、端縁部側で低速に移動して停止することにより、現像ノズル５２ａ，５２ｂの停止を容易かつ確実にすることができる。

上記のようにして塗布膜形成工程を行った後、基板Ｇは現像部５０Ａからリンス処理部５０Ｂへ搬送され、リンス処理部５０Ｂの載置台５１Ａ上に載置される。この状態において、第２の移動手段６２の駆動によって、あるいは、予め第２の移動手段６２によって移動された両リンスノズル７４ａ，７４ｂが載置台５１Ａ上に載置された基板Ｇの中央部に配置される。この際、切換機構７５が駆動してリンスノズル７４ａ，７４ｂが基板Ｇ表面に対して略鉛直状態の姿勢で配置される。この状態で、リンスノズル７４ａ，７４ｂからリンス液Ｒが吐出（供給）される（図９（ａ）参照）。次に、切換機構７５の駆動によってリンスノズル７４ａ，７４ｂが基板Ｇの端縁側に向かって傾斜状態の姿勢に変換され、この状態で両リンスノズル７４ａ，７４ｂは基板Ｇの対向する端縁へ移動されて、基板Ｇ表面にリンス液Ｒが吐出（供給）されて現像が停止される（リンス工程、図９（ｂ）参照）。

上記のように、一対の現像ノズル５２ａ，５２ｂを基板Ｇの中央部に配置して、両現像ノズル５２ａ，５２ｂから現像液Ｄを吐出（供給）させながら両現像ノズル５２ａ，５２ｂを基板Ｇの対向する端縁へ移動することにより、現像液Ｄの塗布開始から塗布終了の時間を、短縮することができるので、時間差による線幅のバラツキを抑制して線幅均一性の向上を図ることができる。

上記のようにして、現像処理が行われた基板Ｇは、次工程のｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５に搬送されて、現像の脱色処理が行なわれる。

◎第２実施形態
図１０は、この発明に係る基板処理装置を適用した現像処理装置の第２実施形態を示す概略平面図である。

第２実施形態は、現像液Ｄのミストが基板Ｇに付着するのを防止することにより、処理精度の向上及び製品歩留まりの向上を図れるようにした場合である。

すなわち、第２実施形態における現像処理装置は、図１０に示すように、現像部５０Ａに、現像ノズル５２ａ，５２ｂに加えて、現像ノズル５２ａ，５２ｂの移動に先行して基板Ｇ表面に予めプリウエット用液（例えば純水あるいは現像液）を供給する一対のプリウエット用ノズル９０ａ，９０ｂを具備した場合である。この場合、プリウエット用ノズル９０ａ，９０ｂは、図示しないプリウエット用液供給源（例えば純水供給源あるいは現像液供給源）に接続されている。

また、プリウエット用ノズル９０ａ，９０ｂは、図１０に示すように、現像ノズル５２ａ，５２ｂ及びリンスノズル７４ａ，７４ｂと同様に、互いに平行に配置されたガイドレール６５Ｂ上に摺動可能に架設され、例えばリニアモータにて形成される第３の移動手段６３の駆動によって基板Ｇの中央部に配置されると共に、基板Ｇの端縁へ移動可能な門形の保持体６６Ｂに昇降機構６７Ｂを介して昇降可能に保持されている。図示しないが、この第３の移動手段６３と昇降機構６７Ｂは、ＣＰＵ８０に電気的に接続されており、ＣＰＵ８０からの制御信号に基づいてプリウエット用ノズル９０ａ，９０ｂが、基板Ｇの中央部に配置されると共に、基板Ｇの端縁へ移動可能に形成されている。

なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。

次に、第２実施形態の動作手順について、図１１及び図１２を参照して説明する。まず、第３の移動手段６３によって、あるいは、予め第３の移動手段６３によって移動された両プリウエット用ノズル９０ａ，９０ｂが載置台５１上に載置された基板Ｇの中央部に配置される。このとき、同時に、第１の移動手段６１の駆動によって、あるいは、予め第１の移動手段６１によって移動された両現像ノズル５２ａ，５２ｂを載置台５１上に載置された基板Ｇの中央部に配置してもよい。この際、昇降機構６７が駆動して現像ノズル５２ａ，５２ｂが基板Ｇ表面に例えば０．５ｍｍの間隔をおいて近接される。この状態で、まず、プリウエット用ノズル９０ａ，９０ｂからプリウエット用液Ｐ（例えば純水あるいは現像液）が吐出（供給）されると共に、第３の移動手段６３によって両プリウエット用ノズル９０ａ，９０ｂが基板Ｇの対向する端縁へ移動される（プリウエット工程）。次いで、上述したように、流量コントローラ７２により両現像ノズル５２ａ，５２ｂから同時に所定量より少量の現像液Ｄが吐出（供給）されて、基板Ｇの中央部に現像液が液盛り（塗布）される（図１１，図１２（ａ）参照）。次に、昇降機構６７の駆動によって現像ノズル５２ａ，５２ｂが基板Ｇ表面から所定の間隔例えば１ｍｍになるように離されると同時に、流量コントローラ７２により所定量の現像液Ｄが吐出（供給）され、この状態で両現像ノズル５２ａ，５２ｂは基板Ｇの対向する端縁へ移動されて、プリウエット用液Ｐが塗布された基板Ｇ表面に現像液Ｄが塗布（液盛り）される（塗布膜形成工程、図１２（ｂ）参照）。この際、第１実施形態と同様に、ＣＰＵ８０からの制御信号に基づいて、現像ノズル５２ａ，５２ｂの移動開始時には所定量より少量の現像液Ｄを供給しつつ低速に移動し、その後、現像液Ｄを所定量吐出（供給）すると共に、高速に移動し、その後、低速に移動して停止する。

上記のように、塗布膜形成工程における現像ノズル５２ａ，５２ｂの移動に先行して基板Ｇにプリウエット用液Ｐを供給するプリウエット工程を更に有することにより、現像液のミストが基板Ｇに付着するのを防止することができ、また、プリウエット工程により基板Ｇと現像液Ｄとの親和性が向上する。したがって、更に、処理精度の向上を図ることができると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。

上記のようにして塗布膜形成工程を行った後、第１実施形態と同様に、基板Ｇは現像部５０Ａからリンス処理部５０Ｂへ搬送されて、リンス処理される。

◎第３実施形態
図１３は、この発明に係る基板処理装置を適用した現像処理装置の第３実施形態を示す概略平面図である。

第３実施形態は、リンス処理を更に安定化させるようにした場合である。

すなわち、第３実施形態における現像処理装置は、図１３に示すように、リンス処理部５０Ｂに、リンスノズル７４ａ，７４ｂに加えて、リンスノズル７４ａ，７４ｂの移動に先行して基板Ｇ表面に塗布（液盛り）された現像液Ｄの余剰分を除去するために気体例えば空気あるいは窒素（Ｎ2）ガス等を供給する一対の気体供給ノズルであるエアーナイフ１００ａ，１００ｂを具備した場合である。この場合、エアーナイフ１００ａ，１００ｂは、図示しない気体供給源（例えば空気供給源あるいはＮ2ガス供給源）に接続されている。

また、エアーナイフ１００ａ，１００ｂは、図１３に示すように、現像ノズル５２ａ，５２ｂ及びリンスノズル７４ａ，７４ｂと同様に、互いに平行に配置されたガイドレール６５Ｃ上に摺動可能に架設され、例えばリニアモータにて形成される第４の移動手段６４の駆動によって基板Ｇの中央部に配置されると共に、基板Ｇの端縁へ移動可能な門形の保持体６６Ｃに昇降機構６７Ｃを介して昇降可能に保持されている。図示しないが、この第４の移動手段６４と昇降機構６７Ｃは、ＣＰＵ８０に電気的に接続されており、ＣＰＵ８０からの制御信号に基づいてプエアーナイフ１００ａ，１００ｂが、基板Ｇの中央部に配置されると共に、基板Ｇの端縁へ移動可能に形成されている。

なお、第３実施形態において、その他の部分は第１及び第２実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。

次に、第３実施形態の動作手順について、図１４を参照して説明する。ここでは、プリウエット工程を経て現像液Ｄの塗布膜形成工程を行った後のリンス処理について説明する。第２実施形態と同様の手順で現像液Ｄが塗布された基板Ｇがリンス処理部５０Ｂ内に搬送され、リンス処理部５０Ｂの載置台５１Ａ上に載置される。まず、第４の移動手段６４によって、あるいは、予め第４の移動手段６４によって移動された両エアーナイフ１００ａ，１００ｂが載置台５１Ａ上に載置された基板Ｇの中央部に配置される（図１４（ａ）参照）。このとき、同時に、第２の移動手段６２の駆動によって、あるいは、予め第２の移動手段６２によって移動された両リンスノズル７４ａ，７４ｂを載置台５１Ａ上に載置された基板Ｇの中央部に配置してもよい。この状態で、まず、エアーナイフ１００ａ，１００ｂから気体Ｆ（例えば空気あるいはＮ2ガス）が吐出（供給）されると共に、第４の移動手段６４によって両エアーナイフ１００ａ，１００ｂが基板Ｇの対向する端縁へ移動されて、余剰現像液が除去される（余剰現像液除去工程、図１４（ｂ）参照）。次に、基板Ｇ表面に対して略鉛直状態の姿勢のリンスノズル７４ａ，７４ｂからリンス液Ｒが吐出（供給）される（図１４（ｃ）参照）。次に、切換機構７５の駆動によってリンスノズル７４ａ，７４ｂが基板Ｇの端縁側に向かって傾斜状態の姿勢に変換され、この状態で両リンスノズル７４ａ，７４ｂは基板Ｇの対向する端縁へ移動されて、基板Ｇ表面にリンス液Ｒが吐出（供給）されて現像が停止される（リンス工程、図１４（ｄ）参照）。

上記のように、リンス工程の前にエアーナイフ１００ａ，１００ｂから気体Ｆによって基板Ｇ表面に塗布（液盛り）された現像液Ｄの余剰分を除去することにより、現像の停止を早めることができるので、リンス処理の安定化を図ることができと共に、更に処理精度の向上を図ることができる。

◎その他の実施形態
上記実施形態では、第１〜第４の移動手段６１〜６４がリニアモータにて形成される場合について説明したが、リニアモータ以外の機構例えば、ボールねじ機構あるいはタイミングベツトとスプロケットを用いたベルト駆動機構等によって第１〜第４の移動手段６１〜６４を形成してもよい。

また、上記実施形態では、基板Ｇを載置して保持する保持手段として載置台５１，５１Ａを用いる場合について説明したが、載置台５１，５１Ａを設ける代わりに、保持手段として例えば搬送ローラを、現像部５０Ａからリンス処理部５０Ｂにかけてローラコンベア状に配置し、搬送ローラ上で基板Ｇに所定の処理を行うようにしてもよい。なお、この場合、現像ノズル５２ａ，５２ｂから現像液を吐出する際は、基板Ｇを停止させた状態で行い、吐出終了後に基板Ｇを移動させる必要がある。その理由は、ノズル５２ａ，５２ｂと基板Ｇの双方を移動（走査）させると、基板面上の上流側と下流側で相対速度差が生じて塗布が不均一になるからである。

また、上記実施形態では、基板Ｇが載置台５１，５１Ａ上に載置固定された状態で現像液Ｄの塗布、リンス液の供給を行う場合について説明したが、基板Ｇを水平方向に回転させた状態で、現像ノズル５２ａ，５２ｂ、リンスノズル７４ａ，７４ｂ等を基板Ｇの対向する端縁に移動させるようにした場合についても適用できる。

また、上記実施形態では、この発明に係る基板処理装置を現像処理装置に適用した場合について説明したが、現像処理装置以外の基板処理装置例えばレジスト塗布装置にも適用できる。

また、上記実施形態では、被処理基板がＬＣＤガラス基板である場合について説明したが、方形状をなすその他の基板の処理装置にも適用できる。

この発明に係る基板処理装置を具備するレジスト塗布現像処理システムの一例を示す概略平面図である。 上記レジスト塗布現像処理システムの概略正面図である。 上記レジスト塗布現像処理システムの概略背面図である。 この発明に係る基板処理装置の第１実施形態を示す概略平面図である。 この発明における現像ノズルの一例を示す概略断面図である。 上記現像ノズルの移動手段及び昇降機構を示す要部斜視図である。 この発明におけるリンスノズルの略鉛直状態（ａ）及び傾斜状態（ｂ）を示す概略断面図である。 この発明における塗布膜形成工程を示す概略断面図である。 この発明におけるリンス工程を示す概略断面図である。 この発明に係る基板処理装置の第２実施形態を示す概略平面図である。 第２実施形態におけるプリウエット用ノズルと現像ノズルを示す概略断面図である。 第２実施形態におけるプリウエット工程と塗布膜形成工程の手順を示す概略断面図である。 この発明に係る基板処理装置の第３実施形態を示す概略平面図である。 第３実施形態における余剰現像液の除去工程とリンス工程の手順を示す概略断面図である。

符号の説明

５０Ａ 現像部
５０Ｂ リンス処理部
５２ａ，５２ｂ 現像ノズル（処理液供給ノズル）
５８ ノズル孔
６１ 第１の移動手段（処理液供給ノズル移動手段）
６２ 第２の移動手段（リンス液供給ノズル移動手段）
６３ 第３の移動手段（プリウエット用ノズル移動手段）
６４ 第４の移動手段（気体供給ノズル移動手段）
６７，６７Ａ〜６７Ｃ 昇降機構
７２ 流量コントローラ
７３ 開閉弁
７４ａ，７４ｂ リンスノズル
７５ 切換機構
９０ａ，９０ｂ プリウエット用ノズル
１００ａ，１００ｂ エアーナイフ（気体供給ノズル）
Ｇ ＬＣＤ用ガラス基板（被処理基板）
Ｄ 現像液
Ｒ リンス液
Ｐ プリウエット用液
Ｆ 気体

Claims (16)

1. 方形状の被処理基板と、この被処理基板の一辺全体を覆うように被処理基板と対向配置される処理液供給手段とを平行に相対移動させて、上記被処理基板の表面に処理液を塗布する基板処理方法であって、
   上記処理液供給手段を構成する一対の処理液供給ノズルを、上記被処理基板の中央部に配置させる工程と、
   上記両処理液供給ノズルからそれぞれ処理液を供給させながら各処理液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動させる塗布膜形成工程と、
   を有することを特徴とする基板処理方法。
2. 方形状の被処理基板と、この被処理基板の一辺全体を覆うように被処理基板と対向配置される処理液供給手段とを平行に相対移動させて、上記被処理基板の表面に処理液を塗布する基板処理方法であって、
   上記処理液供給手段を構成する一対の処理液供給ノズルを、上記被処理基板の中央部に配置させる工程と、
   上記両処理液供給ノズルからそれぞれ処理液を供給させながら各処理液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動させる塗布膜形成工程と、
   上記被処理基板の一辺全体を覆う一対のリンス液供給ノズルを、被処理基板の中央部に配置させる工程と、
   上記両リンス液供給ノズルからそれぞれリンス液を供給させながら各リンス液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動させるリンス工程と、
   を有することを特徴とする基板処理方法。
3. 方形状の被処理基板と、この被処理基板の一辺全体を覆うように被処理基板と対向配置される処理液供給手段とを平行に相対移動させて、上記被処理基板の表面に処理液を塗布する基板処理方法であって、
   上記処理液供給手段を構成する一対の処理液供給ノズルを、上記被処理基板の中央部に配置させる工程と、
   上記両処理液供給ノズルからそれぞれ処理液を供給させながら各処理液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動させる塗布膜形成工程と、
   上記被処理基板の一辺全体を覆う一対の気体供給ノズルを、被処理基板の中央部に配置させる工程と、
   上記両気体供給ノズルからそれぞれ気体を供給させながら各気体供給ノズルをそれぞれ被処理基板の端縁へ移動させる余剰処理液除去工程と、
   上記被処理基板の一辺全体を覆う一対のリンス液供給ノズルを、上記被処理基板の中央部に配置させる工程と、
   上記両リンス液供給ノズルからそれぞれリンス液を供給させながら各リンス液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動させるリンス工程と、
   を有することを特徴とする基板処理方法。
4. 請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理方法において、
   上記塗布膜形成工程における処理液供給ノズルの移動に先行して被処理基板に液を供給するプリウエット工程を更に有することを特徴とする基板処理方法。
5. 請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理方法において、
   上記処理液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動させる際、移動開始時には所定量より少量の処理液を供給しつつ低速に移動し、その後、処理液を所定量供給すると共に、高速に移動し、その後、低速に移動する、ことを特徴とする基板処理方法。
6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理方法において、
   上記処理液供給ノズルのノズル孔を被処理基板の中心側に向けて傾斜させる、ことを特徴とする基板処理方法。
7. 請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理方法において、
   上記処理液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動する際、移動開始前には処理液供給ノズルを被処理基板の表面に近接させて配置して処理液を供給し、移動時には処理液供給ノズルを被処理基板の表面より離して処理液を供給する、ことを特徴とする基板処理方法。
8. 請求項２又は３記載の基板処理方法において、
   上記リンス液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動させる際、移動開始時にはリンス液供給ノズルを被処理基板に対して略鉛直に配置し、移動時には浄液供給ノズルのノズル孔を被処理基板の端縁側に向けて傾斜させる、ことを特徴とする基板処理方法。
9. 方形状の被処理基板と、この被処理基板の一辺全体を覆うように被処理基板と対向配置される処理液供給手段とを平行に相対移動させて、上記被処理基板の表面に処理液を塗布する基板処理装置であって、
   上記処理液供給手段を構成する一対の処理液供給ノズルと、
   上記処理液供給ノズルを上記被処理基板の中央部へ移動すると共に、両処理液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動する処理液供給ノズル移動手段と、
   を具備することを特徴とする基板処理装置。
10. 方形状の被処理基板と、この被処理基板の一辺全体を覆うように被処理基板と対向配置される処理液供給手段とを平行に相対移動させて、上記被処理基板の表面に処理液を塗布する基板処理装置であって、
    上記処理液供給手段を構成する一対の処理液供給ノズルと、
    上記処理液供給ノズルを上記被処理基板の中央部へ移動すると共に、両処理液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動する処理液供給ノズル移動手段と、
    上記被処理基板の一辺全体を覆う一対のリンス液供給ノズルと、
    上記両リンス液供給ノズルを上記被処理基板の中央部へ移動すると共に、両リンス液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動するリンス液供給ノズル移動手段と、
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
11. 方形状の被処理基板と、この被処理基板の一辺全体を覆うように被処理基板と対向配置される処理液供給手段とを平行に相対移動させて、上記被処理基板の表面に処理液を塗布する基板処理装置であって、
    上記処理液供給手段を構成する一対の処理液供給ノズルと、
    上記処理液供給ノズルを上記被処理基板の中央部へ移動すると共に、両処理液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動する処理液供給ノズル移動手段と、
    上記被処理基板の一辺全体を覆う一対の気体供給ノズルと、
    上記気体供給ノズルを上記被処理基板の中央部へ移動すると共に、両気体供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動する気体供給ノズル移動手段と、
    上記被処理基板の一辺全体を覆う一対のリンス液供給ノズルと、
    上記両リンス液供給ノズルを上記被処理基板の中央部へ移動すると共に、両リンス液供給ノズルをそれぞれ被処理基板の対向する端縁へ移動するリンス液供給ノズル移動手段と、
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
12. 請求項９ないし１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    上記被処理基板の一辺全体を覆う一対のプリウエット用ノズルと、両プリウエット用ノズルを被処理基板の中央部へ配置すると共に、両プリウエット用ノズルをそれぞれ処理液供給ノズルに先行して被処理基板の対向する端縁へ移動するプリウエット用ノズル移動手段を更に具備してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
13. 請求項９ないし１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    上記処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する供給管路に介設される流量コントローラと、
    上記流量コントローラを制御すると共に、処理液供給ノズル移動手段を制御する制御手段を更に具備し、
    上記制御手段により上記処理液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動させる際、移動開始時には所定量より少量の処理液を供給しつつ低速に移動し、その後、処理液を所定量供給すると共に、高速に移動し、その後、低速に移動するように制御可能に形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
14. 請求項９ないし１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    上記処理液供給ノズルのノズル孔を被処理基板の中心側に向けて傾斜してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
15. 請求項９ないし１４のいずれかに記載の基板処理装置において、
    上記処理液供給ノズルを昇降する昇降機構を更に具備し、この昇降機構の駆動により上記処理液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動する際、移動開始前には処理液供給ノズルを被処理基板の表面に近接させて配置し、移動時には処理液供給ノズルを被処理基板の表面より離すように形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
16. 請求項９ないし１５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    上記リンス液供給ノズルを、被処理基板に対して略鉛直状態と、被処理基板の端縁側に向けて傾斜する状態に切り換える切換機構を更に具備し、この切換機構の駆動により上記リンス液供給ノズルを被処理基板の端縁へ移動させる際、移動開始時にはリンス液供給ノズルを被処理基板に対して略鉛直に配置し、移動時には浄液供給ノズルのノズル孔を被処理基板の端縁側に向けて傾斜させるように形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
    

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