JP5809095B2 - ガスセンサ回路装置 - Google Patents

Description

本発明は、特定ガスのガス濃度を検出するガス検出素子に接続するガスセンサ回路装置に関する。

従来より、車両に搭載して内燃機関の排気管に装着して、排気ガス中の特定ガスのガス濃度を検出し、空燃比の制御などに用いるガスセンサ、例えば、酸素濃度を検出する酸素センサや窒素酸化物（ＮＯｘ）の濃度を検出するＮＯｘセンサなどが知られている。また、これらのガスセンサに接続され、ガス検出素子のセンサ出力信号を検出して、車両の電子制御装置（ＥＣＵ）などの外部装置に向けて出力するガスセンサ回路装置も知られている（特許文献１）。

特開平１０−７３５６６号公報

このガスセンサ回路装置の中には、センサ出力信号に基づいて、特定ガスのガス濃度に対応するアナログのガス検出信号を生成し、このアナログのガス検出信号を外部装置に出力するアナログ出力タイプの装置がある。しかしながら、このようなアナログ出力タイプのガスセンサ回路装置において、アナログのガス検出信号に加えて、ガス検出素子の固有情報などのデータを外部に出力したい場合がある。ところが、このために外部装置との接続ハーネスの本数を増やすのは、コストアップになる上、ガスセンサ回路装置と外部装置の双方で、コネクタ形状の変更や回路の変更などの設計変更が必要となるため、好ましくない。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、アナログのガス検出信号に加えて、ガス検出素子の固有情報などのデータを出力可能なガスセンサ回路装置を提供するものである。

その一態様は、ガス検出素子に接続されて、上記ガス検出素子のセンサ出力信号に基づき、特定ガスのガス濃度に応じたアナログのガス検出信号を信号出力ポートから外部に向けて出力するガスセンサ回路装置であって、アナログの上記ガス検出信号を生成する検出信号生成回路と、ローレベルとハイレベルのいずれかで示される状態が経時的に複数連なって現れるデータ信号を生成するデータ信号生成回路と、上記ガス検出信号及び上記データ信号を上記信号出力ポートから出力する兼用出力回路と、を備えるガスセンサ回路装置である。

このガスセンサ回路装置では、１つの信号出力ポートから、ガス検出信号と上述のデータ信号の両方を外部装置（例えば、ＥＣＵ）に向けて出力することができる。これにより、信号線を増やすことなく、ガス検出信号に加えて、データを外部装置に出力することができる。

なお、データ信号は、電圧レベルがローレベルとハイレベルの２つのレベルで示される信号であり、その出力形式としては、符号化した情報を逐次的に出力するシリアル出力や、所定周期のパルスのデューティ比を変えることによって情報を出力するＰＷＭ出力などが挙げられる。また、データ信号として出力する情報としては、この回路装置に接続しているガス検出素子のゲイン特性あるいはそのランクなど、ガス検出素子に関する固有情報や、この回路装置の回路のゲイン・オフセット情報や回路の温度特性など、ガスセンサ回路装置自身に関する固有情報、あるいは、ガス検出素子やこの回路装置の回路の異常を検出した場合のアラーム情報などが挙げられる。そして、データ信号生成回路は、データ信号の出力形式に合わせて、出力すべき情報をデータ信号として生成する。

また、兼用出力回路は、ガス検出信号とデータ信号とを信号出力ポートから兼用して出力する回路である。具体的には、例えば、検出信号生成回路のアナログの出力に電流制限用の抵抗を直列に接続した上で、この抵抗を通した出力を、２つのスイッチを介して電源及びＧＮＤにそれぞれ接続したものが挙げられる。この回路では、これら２つのスイッチのいずれかをオンすることにより、ガス検出信号の出力の大きさに拘わらず、強制的にハイレベルまたはローレベルに変更することが可能である。また、２つのスイッチを共にオフすれば、アナログのガス検出信号をそのまま出力できる。なお、電流制限抵抗を直列に接続した分、ガス検出信号の出力インピーダンスが高くなるので、この影響を無くすべく、オペアンプなどによるバッファ回路を出力の最終段に設けても良い。

その他、兼用出力回路としては、オペアンプの加算回路等を用いることにより、アナログのガス検出信号にデータ信号を重畳して出力する回路も挙げられる。この回路では、ガス検出信号とデータ信号を同時に出力することが可能である。

このガスセンサ回路装置では、モード切替手段で、切り替え回路を用いて、兼用出力回路の検出信号出力モードとデータ出力モードの２つのモードの切り替えを行う。これにより、ガス検出信号とデータ信号とを時間的に分離して、別々に出力することができる。

さらに、このガスセンサ回路装置では、活性判断手段により、ガス検出素子が非活性状態であると判断されたときには、兼用出力回路をデータ出力モードとする。固体電解質体からなるガス検出素子は、低温の非活性状態であるときには、酸素イオン伝導性を呈さないため、この状態の間に得られるセンサ出力信号及びガス検出信号は、ガス濃度を適切に示したものではなく、出力を要しない。そこで、ガス検出素子が非活性状態であると判断したときには、データ信号を出力するようにすれば、ガス検出信号の出力を要する活性状態のときに影響することなく、データ信号を外部に出力することができる。なお、ガス検出素子が活性状態であるか非活性状態であるかについては、例えば、ガス検出素子の素子抵抗の値を測定することによって判断することができる。
また、ガス検出信号の出力を要しないと判断されたときに、兼用出力回路をデータ出力モードとすることもできる。これにより、センサ外部でのガス検出信号の利用に影響することなく、データ信号を出力することができる。なお、ガス検出信号の出力を要しない場合としては、上述のガス検出素子が活性状態となる前の非活性状態である場合のほか、フューエルカット状態である場合やアイドリングストップ状態である場合などが挙げられる。但し、フューエルカット状態やアイドリングストップ状態について、判断手段で判断するにあたって、センサ外部（例えば、ＥＣＵや燃料噴射装置、他のセンサ（クランク角センサなど））からこれらに関する情報を受け取って判断するのが好ましい。

さらに、上述のガスセンサ回路装置であって、前記ガス検出素子または当該ガスセンサ回路装置自身に関する固有情報を記録した記録部を備え、前記データ信号生成回路は、上記固有情報を前記データ信号として出力する固有情報出力手段を含むガスセンサ回路装置とすると良い。

このガスセンサ回路装置は、固有情報出力手段を含み、記録された固有情報をデータ信号として出力する。
ガスセンサのガス検出素子は、製造上のばらつきに起因して、特定ガスのガス濃度とセンサ出力の関係を表すゲイン特性が、素子毎に異なる。そこで、このガス検出素子のゲイン特性の相違を補正する目的で、ガス検出素子に接続したケーブルのコネクタの端子に、ゲイン特性のランクに応じた抵抗値を有するラベル抵抗を接続することが行われている（例えば、特開平１１−２８１６１７号公報を参照）。このガスセンサ回路装置では、例えば、このラベル抵抗の抵抗値のように、記録されたガス検出素子の固有情報を外部装置に出力することができる。かくして、このような固有情報をガスセンサ回路装置から出力することで、外部装置において、ゲイン特性の補正処理を行う等、固有情報の利用が可能となる。
なお、固有情報としては、この他に、回路のゲイン・オフセット情報など、ガスセンサ回路装置自身の固有情報も挙げられる。また、これらの固有情報の記録手法としては、前述のラベル抵抗によるほか、固有情報を不揮発性メモリなどに記録しておくことができる。

実施形態に係るガスセンサ回路装置の概略構成を示す説明図である。 実施形態に係るガスセンサ回路装置における兼用出力回路の動作のタイミングを示すタイミングチャートである。 実施形態に係るガスセンサ回路装置のうち、マイクロプロセッサの処理動作を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態に係るガスセンサ回路装置１の概略構成を示す図である。ガスセンサ回路装置１は、マイクロプロセッサ７０、センサ素子部制御回路４０、ヒータ部制御回路５０、ラベル抵抗読取回路６０及び兼用出力回路３０を備える。また、このガスセンサ回路装置１は、ガスセンサ２及びＥＣＵ１００（外部装置）に接続されている。
なお、ガスセンサ２は、図示しない車両の内燃機関の排気管に装着され、排気ガス中の酸素濃度（空燃比）をリニアに検出して、内燃機関における空燃比フィードバック制御に用いる空燃比センサ（全領域酸素センサ）である。このガスセンサ２は、酸素濃度を検出するセンサ素子部３、及びセンサ素子部３を加熱するヒータ部４を有する。

ガスセンサ２のセンサ素子部３は、ポンプセル１４と起電力セル２４とを、排気ガスを導入可能な中空の測定室（図示しない）を構成するスペーサを介して積層した構成を有し、起電力セル２４のうち測定室に面する側とは逆側に位置する電極を遮蔽層（図示しない）により閉塞した公知の構成を有するものである。ポンプセル１４及び起電力セル２４は、それぞれ、板状でジルコニアを主体とした酸素イオン伝導性を有する固体電解質体を基体とし、その両面には多孔質の白金により電極１２，１６及び電極２２，２８が形成されている。ポンプセル１４の一端の電極１６と、起電力セル２４の一端の電極２２とは、互いに導通すると共に、センサ素子部３の端子ＣＯＭに接続している。また、ポンプセル１４の他端の電極１２は、センサ素子部３の端子Ｉｐ＋に接続し、起電力セル２４の他端の電極２８は、センサ素子部３の端子Ｖｓ＋に接続している。

また、センサ素子部３は、端子Ｖｓ＋，Ｉｐ＋，ＣＯＭにそれぞれ接続された３本のリード線４１，４２，４３を介して、ガスセンサ回路装置１のセンサ素子部制御回路４０に接続されている。センサ素子部制御回路４０は、ＡＳＩＣを中心に構成され、センサ素子部３の起電力セル２４に微小電流Ｉｃｐを流しつつ、起電力セル２４の両端に発生する起電力セル電圧Ｖｓが４５０ｍＶになるように、ポンプセル１４に流すポンプセル電流Ｉｐを制御して、測定室に導入された排気ガス中の酸素の汲み入れ汲み出しを行う。なお、ポンプセル１４に流れるポンプセル電流Ｉｐの電流値及び電流の方向は、排気ガス中の酸素濃度（空燃比）に応じて変化することから、このポンプセル電流Ｉｐに基づいて排気ガス中の酸素濃度を算出することが可能である。

このセンサ素子部制御回路４０では、ポンプセル電流Ｉｐの大きさは、アナログの電圧信号に変換されたガス検出信号Ｖｉｐとして検出され、ガス検出信号出力端子４４から出力される。また、このガス検出信号出力端子４４は、後述する兼用出力回路３０を介して、信号出力ポートＶｏｕｔに接続されており、ガス検出信号Ｖｉｐが、ガスセンサ回路装置１の外部に向けて出力される。さらに、信号出力ポートＶｏｕｔには、ハーネス１０２が接続されており、ガス検出信号Ｖｉｐは、ハーネス１０２を介してＥＣＵ１００のＡ／Ｄ入力ポート１０１に入力される。これにより、ＥＣＵ１００は、排気ガス中の酸素濃度を検出して、空燃比の制御を行う。

また、センサ素子部制御回路４０は、ガス検出信号Ｖｉｐの検出の他に、センサ素子部３の起電力セル２４の素子抵抗Ｒｐｖｓに応じて変化する電圧変化量ΔＶｓを検出する機能を有する。マイクロプロセッサ７０のシリアル送信ポート７２は、センサ素子部制御回路４０のコマンド受信ポート４６と接続されており、センサ素子部制御回路４０は、マイクロプロセッサ７０からの指示により、起電力セル２４に一時的に定電流を流して、電圧変化量ΔＶｓを検出する。なお、電圧変化量ΔＶｓは、定電流を流した際に起電力セル２４の素子抵抗Ｒｐｖｓに生じる電圧降下に対応した電圧を、サンプルホールドしたものである。

この電圧変化量ΔＶｓは、センサ素子部制御回路４０の電圧変化量出力端子４５から出力され、マイクロプロセッサ７０のＡ／Ｄ入力ポート７１に入力される。マイクロプロセッサ７０は、電圧変化量ΔＶｓから、起電力セル２４の素子抵抗Ｒｐｖｓを算出すると共に、算出した素子抵抗Ｒｐｖｓに基づいて、次述するヒータ部制御回路５０により、ガスセンサ２のヒータ部４の通電制御を行う。また、ガスセンサ２のセンサ素子部３が活性状態となる前の非活性状態においては、素子抵抗Ｒｐｖｓは絶縁状態に近く、大きな値を示す。このため、素子抵抗Ｒｐｖｓの値から、センサ素子部３が活性状態であるか非活性状態であるかを判断することもできる。なお、ガス検出信号Ｖｉｐ及び電圧変化量ΔＶｓを検出するためのセンサ素子部制御回路４０内部の回路構成は、公知のものであるため、詳細については説明を省略する。

ヒータ部制御回路５０は、２本のリード線５１，５２を介して、ガスセンサ２のヒータ部４に接続されると共に、マイクロプロセッサ７０のＰＷＭ出力ポート７３に接続され、ヒータ部４への通電のオンオフをＰＷＭ制御する。ヒータ部４は、ガスセンサ２のセンサ素子部３に一体化されており、ヒータ部４による加熱で、センサ素子部３のポンプセル１４及び起電力セル２４を活性化させることで、酸素濃度の検出が可能となる。

また、ガスセンサ２に繋がるケーブルのコネクタの端子には、ラベル抵抗５が接続されている。このラベル抵抗５は、センサ素子部３が検出する酸素濃度と、センサ出力となるポンプセル電流Ｉｐの関係を表すゲイン特性のランクに応じた抵抗値を有する。ラベル抵抗５の両端は、ガスセンサ回路装置１のラベル抵抗読取回路６０に接続されており、ラベル抵抗読取回路６０内の分圧回路（不図示）により、ラベル抵抗５の抵抗値に相当する電圧が、マイクロプロセッサ７０のＡ／Ｄ入力ポート７４に入力される。これにより、マイクロプロセッサ７０は、ラベル抵抗５の抵抗値、従ってセンサ素子部３のゲイン特性のランクを取得することができる。

次いで、兼用出力回路３０について説明する。この兼用出力回路３０は、スイッチング素子であるＦＥＴ３２及びＦＥＴ３３からなる切り替え回路３１、オペアンプ３４、抵抗器３５、及びコンデンサ３６を有する。切り替え回路３１のＦＥＴ３２は、ＰチャネルのＭＯＳＦＥＴであり、ゲート３２Ｇは、マイクロプロセッサ７０のＩ／Ｏ出力ポート７５に接続され、ソース３２Ｓは、マイクロプロセッサ７０の電源と共通の電源電圧Ｖｃｃに接続されている。また、ＦＥＴ３３は、ＮチャネルのＭＯＳＦＥＴであり、ゲート３３Ｇは、マイクロプロセッサ７０のＩ／Ｏ出力ポート７６に接続され、ソース３３Ｓは、ＧＮＤに接続されている。そして、ＦＥＴ３２のドレイン３２ＤとＦＥＴ３３のドレイン３３Ｄとが、Ｑ点で接続されている。

抵抗器３５は、センサ素子部制御回路４０のガス検出信号出力端子４４に直列に接続されると共に、ガス検出信号出力端子４４とは反対側の一端がＱ点及びコンデンサ３６の一端に接続されている。また、コンデンサ３６の他端はＧＮＤに接続されており、抵抗器３５とコンデンサ３６とで、ノイズ除去用のフィルタ回路を構成している。なお、抵抗器３５は、切り替え回路３１のＦＥＴ３２あるいはＦＥＴ３３がオンしたときのための電流制限抵抗を兼ねている。また、Ｑ点は、バッファアンプを構成するオペアンプ３４の非反転入力端子＋に入力され、オペアンプ３４の出力端子は、反転入力端子−に負帰還接続されると共に、信号出力ポートＶｏｕｔに接続されている。

ここで、図１に加えて、図２のタイミングチャートを参照しつつ、兼用出力回路３０の動作について、さらに詳しく説明する。マイクロプロセッサ７０のＩ／Ｏ出力ポート７５をハイレベル、Ｉ／Ｏ出力ポート７６をローレベルとすると（図２の期間Ｅ）、切り替え回路３１のＦＥＴ３２及びＦＥＴ３３が共にオフとなり、ガス検出信号出力端子４４から出力されるガス検出信号Ｖｉｐは、抵抗器３５及びオペアンプ３４を介して、そのままの電圧で信号出力ポートＶｏｕｔから出力される。なお、オペアンプ３４により構成されるバッファアンプは、抵抗器３５により、ガス検出信号Ｖｉｐの出力インピーダンスが高くなるので、この影響を無くすべく、信号出力ポートＶｏｕｔの出力の最終段に設けられている。

一方、Ｉ／Ｏ出力ポート７５及びＩ／Ｏ出力ポート７６を、共にローレベルとすると（図２の期間Ｂ及び期間Ｄ）、ＦＥＴ３２がオン、ＦＥＴ３３がオフとなる。すると、Ｑ点は、ガス検出信号Ｖｉｐの電圧に関係なく、電源電圧Ｖｃｃと同電位となる。これにより、信号出力ポートＶｏｕｔからは、データ信号ＳＤとしてハイレベルが出力される。なお、オペアンプ３４は、単電源用のオペアンプであって、その電源電圧はＶｃｃよりも高電位とされている。
また、Ｉ／Ｏ出力ポート７５及びＩ／Ｏ出力ポート７６を、共にハイレベルとすると（図２の期間Ａ及び期間Ｃ）、ＦＥＴ３２がオフ、ＦＥＴ３３がオンとなる。すると、Ｑ点は、ガス検出信号Ｖｉｐの電圧に関係なく、ＧＮＤ電位となる。これにより、信号出力ポートＶｏｕｔからは、データ信号ＳＤとしてローレベルが出力される。

このように、切り替え回路３１をなすＦＥＴ３２及びＦＥＴ３３を共にオフした場合（即ち、Ｉ／Ｏ出力ポート７５をハイレベル、Ｉ／Ｏ出力ポート７６をローレベルにした場合）には、兼用出力回路３０は検出信号出力モードとなって、信号出力ポートＶｏｕｔからガス検出信号Ｖｉｐが出力される。一方、ＦＥＴ３２及びＦＥＴ３３のいずれかをオンした場合（即ち、Ｉ／Ｏ出力ポート７５及びＩ／Ｏ出力ポート７６を、共にローレベルにした場合、あるいは、共にハイレベルにした場合）には、兼用出力回路３０はデータ出力モードとなって、信号出力ポートＶｏｕｔからデータ信号ＳＤのハイレベルまたはローレベルが出力される。そして、このハイレベルとローレベルを経時的に複数連なって出力することで、シリアル出力やＰＷＭ出力によるデータ信号ＳＤの出力が可能となる。ところで、このデータ出力モードにおいて、データ信号ＳＤの出力のレベルは、図２からも判るように、Ｉ／Ｏ出力ポート７５及びＩ／Ｏ出力ポート７６のレベルの反転となっている。なお、Ｉ／Ｏ出力ポート７５がローレベル、Ｉ／Ｏ出力ポート７６がハイレベルとなるパターンは、ＦＥＴ３２及びＦＥＴ３３が共にオンとなって、電源電圧ＶｃｃとＧＮＤがショートするため、使用禁止である。また、データ出力モードにおいては、ＦＥＴ３２及びＦＥＴ３３のオンオフの切り替えの際に、それぞれのオンオフの遅延時間により、ＦＥＴ３２のオンとＦＥＴ３３のオンとが重なる危険性があるため、これらの遅延時間を考慮して、両者を共にオフにする期間を設けてある。
かくして、兼用出力回路３０によって、信号出力ポートＶｏｕｔからガス検出信号Ｖｉｐに加えて、データ信号ＳＤが出力できる。

なお、前述したように、マイクロプロセッサ７０は、電圧変化量ΔＶｓから、センサ素子部３の起電力セル２４の素子抵抗Ｒｐｖｓを算出可能であり、さらに、この素子抵抗Ｒｐｖｓの値から、センサ素子部３が活性状態であるか非活性状態であるかも判断できる。本実施形態では、ガスセンサ回路装置１が起動されると、まず、マイクロプロセッサ７０が、センサ素子部３及びガスセンサ回路装置１に関する固有情報ＩＤを取得する。具体的には、ラベル抵抗読取回路６０を用いて、ラベル抵抗５の抵抗値、従ってセンサ素子部３のゲイン特性のランクを取得する。また、別途、マイクロプロセッサ７０が内蔵する不揮発性メモリ７７に記録されたガスセンサ回路装置１自身のゲイン・オフセット情報を取得する。次に、ヒータ部制御回路５０を用いて、ガスセンサ２のヒータ部４の通電を開始すると共に、センサ素子部３が非活性状態のときは、兼用出力回路３０をデータ出力モードとして、信号出力ポートＶｏｕｔから、固有情報ＩＤ（センサ素子部３のゲイン特性のランク、及びガスセンサ回路装置１自身のゲイン・オフセット情報）をデータ信号ＳＤとして出力する。その後、センサ素子部３が活性状態になると、兼用出力回路３０を検出信号出力モードとして（ＦＥＴ３２及びＦＥＴ３３を共にオフ）、信号出力ポートＶｏｕｔからガス検出信号Ｖｉｐを出力する（図２参照）。

次いで、本実施形態に係るガスセンサ回路装置１のうち、マイクロプロセッサ７０の処理動作を、図３のフローチャートを参照して説明する。なお、図３のフローチャートは、マイクロプロセッサ７０が実行するプログラムのうち、データ信号の出力プログラムについてのフローを示したものであり、マイクロプロセッサ７０が別途実行する電圧変化量ΔＶｓの検出プログラム、素子抵抗Ｒｐｖｓの算出プログラム、及びヒータ部４の通電制御プログラム等の詳細については、説明を省略する。

まず、ガスセンサ回路装置１のマイクロプロセッサ７０が起動されると、ステップＳ１で必要な初期設定がなされる。また、データ信号の送信済みフラグが０に設定される。

次に、ステップＳ２に進み、ラベル抵抗読取回路６０を用いて、ラベル抵抗５の抵抗値を読み取り、センサ素子部３のゲイン特性のランクを取得する。また、この他に、不揮発性メモリ７７に記録されたガスセンサ回路装置１自身のゲイン・オフセット情報も取得する。

続くステップＳ３では、センサ素子部制御回路４０及びヒータ部制御回路５０の動作を開始し、併せて、電圧変化量ΔＶｓの検出プログラム、素子抵抗Ｒｐｖｓの算出プログラム、及びヒータ部４の通電制御プログラム等の実行を別途開始させる。

次に、ステップＳ４に進み、別途算出された素子抵抗Ｒｐｖｓを用いて、センサ素子部３が非活性状態であるか否かを判断する。非活性状態であると判断された場合（Ｙｅｓ）には、さらにステップＳ５に進み、送信済みフラグが０であるか否かを判断する。ステップＳ５で送信済みフラグが０である場合（Ｙｅｓ）、即ち、まだデータ信号ＳＤが送信されていない場合には、さらにステップＳ６に進む。そして、ステップＳ６では、切り替え回路３１のＦＥＴ３２あるいはＦＥＴ３３のいずれかをオンにすることにより、兼用出力回路３０をデータ出力モードとし、ステップＳ２で取得したセンサ素子部３のゲイン特性、及びガスセンサ回路装置１のゲイン・オフセット情報をデータ信号ＳＤとして、信号出力ポートＶｏｕｔからシリアル出力する。

ステップＳ６でのデータ信号ＳＤの出力が終了すると、続くステップＳ７で、送信済みフラグを１に設定する。そして、続くステップＳ８では、所定時間（例えば、１００ｍｓｅｃ）の経過を待ち、所定時間が経過すると（Ｙｅｓ）、ステップＳ４に戻る。その後は、送信済みフラグが１であるため、ステップＳ５でＮｏとなり、ステップＳ４、ステップＳ５及びステップＳ８を繰り返しながら、ステップＳ４で、センサ素子部３が活性状態（Ｎｏ）となるのを待つ。

そして、センサ素子部３が活性状態になると、ステップＳ４でＮｏと判定され、ステップＳ９に進む。ステップＳ９では、切り替え回路３１のＦＥＴ３２及びＦＥＴ３３を共にオフにして、兼用出力回路３０を検出信号出力モードに設定し、その後、本データ信号の出力プログラムの実行を終了する。
なお、本実施形態では、センサ素子部３が活性状態になり、ステップＳ４でＮｏと判定された後に、ステップＳ９を実行して、兼用出力回路３０を検出信号出力モードに設定した。しかし、ステップＳ７の時点で、切り替え回路３１のＦＥＴ３２及びＦＥＴ３３を共にオフにして、兼用出力回路３０を検出信号出力モードとしておいても良い。

かくして、センサ素子部３が非活性状態であるときに、信号出力ポートＶｏｕｔからデータ信号ＳＤがシリアル出力され、その後、センサ素子部３が活性状態になると、信号出力ポートＶｏｕｔからガス検出信号Ｖｉｐが出力される。

なお、本実施形態において、ガスセンサ２のセンサ素子部３が本発明におけるガス検出素子に相当し、センサ素子部３のポンプセル１４に流れるポンプセル電流Ｉｐが本発明におけるセンサ出力信号に相当する。また、センサ素子部制御回路４０が本発明における検出信号生成回路に相当し、センサ素子部制御回路４０で検出されるガス検出信号Ｖｉｐが本発明におけるガス検出信号に相当する。また、マイクロプロセッサ７０がデータ信号ＳＤを生成するデータ信号生成回路に相当する。
さらに、ステップＳ４を実行しているマイクロプロセッサ７０が、本発明における活性判断手段に相当する。また、ステップＳ６（データ出力モード）及びステップＳ９（検出信号出力モード）を実行しているマイクロプロセッサ７０が、本発明におけるモード切替手段に相当する。また、センサ素子部３のゲイン特性のランク、及びガスセンサ回路装置１のゲイン・オフセット情報が本発明における固有情報ＩＤに相当し、ゲイン特性のランクに応じた抵抗値を有するラベル抵抗５、及びゲイン・オフセット情報を記録した不揮発性メモリ７７が本発明における記録部に相当する。また、ステップＳ６を実行しているマイクロプロセッサ７０が、本発明における固有情報出力手段に相当する。従って、ステップＳ６は、モード切替手段（データ出力モード）と固有情報出力手段を兼ねている。

以上で説明したように、本実施形態のガスセンサ回路装置１では、ガス検出信号Ｖｉｐに加えて、データ信号ＳＤとしてデータを信号出力ポートＶｏｕｔからＥＣＵ１００に向けて出力することができる。

さらに、本実施形態のガスセンサ回路装置１では、モード切替手段（ステップＳ６及びステップＳ９）が、切り替え回路３１を用いて、兼用出力回路３０の検出信号出力モードとデータ出力モードとの切り替えを行う。これにより、ガス検出信号Ｖｉｐとデータ信号ＳＤとを時間的に分離して、別々に出力することができる。

さらに、本実施形態のガスセンサ回路装置１では、ガス検出信号Ｖｉｐの出力を要しないと判断したとき、具体的には、センサ素子部３が非活性状態であると判断したときには、モード切替手段（ステップＳ６）で、兼用出力回路３０をデータ出力モードとしてデータ信号ＳＤを出力する。これにより、ガス検出信号Ｖｉｐの出力を要する活性状態における、ＥＣＵ１００でのガス検出信号Ｖｉｐの取得に影響することなく、データ信号ＳＤを出力することができる。

さらに、本実施形態のガスセンサ回路装置１では、ラベル抵抗５により記録されたセンサ素子部３のゲイン特性のランク、及び不揮発性メモリ７７に記録されたガスセンサ回路装置１のゲイン・オフセット情報等の固有情報ＩＤを、データ信号ＳＤとしてＥＣＵ１００（外部装置）に出力することができる。これにより、ＥＣＵ１００において、ゲイン特性の補正処理を行う等、固有情報ＩＤの利用が可能となる。

以上において、本発明のガスセンサ回路装置を、実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、本実施形態では、ガスセンサ２として、排気ガス中の酸素濃度（空燃比）を検出する空燃比センサを用いたが、「ガスセンサ」は、空燃比センサに限られず、酸素濃度の濃淡（リッチ／リーン）を検出する酸素センサ、窒素酸化物（ＮＯｘ）の濃度を検出するＮＯｘセンサなどであっても良い。
また、本実施形態で用いた兼用出力回路３０の回路構成は、検出信号出力モードとデータ出力モードとの切り替えを実現する回路の一例であり、他の回路構成を用いて、同様の機能を実現しても良い。また、このような回路に代えて、アナログのガス検出信号にデータ信号を重畳して出力する回路として、ガス検出信号とデータ信号を同時に出力しても良い。
また、本実施形態では、データ信号ＳＤをシリアル出力したが、データ信号の出力形式としては、シリアル出力に代えて、パルスのデューティ比を変えることによって情報を出力するＰＷＭ出力など、他の出力形式を用いても良い。
また、本実施形態では、センサ素子部３が非活性状態であるときにのみ、兼用出力回路３０をデータ出力モードに切り替えてデータ信号ＳＤを出力したが、活性状態の途中で検出信号出力モードとデータ出力モードとを適時切り替えてアナログのガス検出信号Ｖｉｐのほかデータ信号を出力しても良い。具体的には、フューエルカット時やアイドリングストップ時など、ガス検出信号の出力を要しない場合に、検出信号出力モードとデータ出力モードとを切り替えてデータ信号を出力する構成としても良い。
また、本実施形態では、センサ素子部３あるいはガス回路装置１自身に関する固有情報ＩＤをデータ信号ＳＤとして出力したが、この他に、センサ素子部３（ガスセンサ２）やガス回路装置１の異常を検出した場合のアラーム情報などを出力するようにしても良い。

１ ガスセンサ回路装置
２ ガスセンサ
３ センサ素子部（ガス検出素子）
４ ヒータ部
５ ラベル抵抗（記録部）
Ｉｐ ポンプセル電流（センサ出力信号）
Ｖｉｐ ガス検出信号
Ｖｏｕｔ 信号出力ポート
ＳＤ データ信号
ＩＤ 固有情報
３０ 兼用出力回路
３１ 切り替え回路
４０ センサ素子部制御回路（検出信号生成回路）
５０ ヒータ部制御回路
６０ ラベル抵抗読取回路
７０ マイクロプロセッサ（データ信号生成回路）
７７ 不揮発性メモリ（記録部）
１００ ＥＣＵ（外部装置）
Ｓ４ 活性判断手段（判断手段）
Ｓ６，Ｓ９ モード切替手段
Ｓ６ 固有情報出力手段

Claims (2)

1. ガス検出素子に接続されて、上記ガス検出素子のセンサ出力信号に基づき、特定ガスのガス濃度に応じたアナログのガス検出信号を信号出力ポートから外部に向けて出力する
   ガスセンサ回路装置であって、
   アナログの上記ガス検出信号を生成する検出信号生成回路と、
   ローレベルとハイレベルのいずれかで示される状態が経時的に複数連なって現れるデータ信号を生成するデータ信号生成回路と、
   上記ガス検出信号及び上記データ信号を上記信号出力ポートから出力する兼用出力回路と、
   前記ガス検出信号の出力要否を判断する判断手段と、を備え、
   前記兼用出力回路は、
   前記ガス検出信号を前記信号出力ポートから出力する検出信号出力モードと前記データ信号を上記信号出力ポートから出力するデータ出力モードとを切り替える切り替え回路を含み、
   上記切り替え回路を用いて、上記兼用出力回路の上記２つのモードの切り替えを行うモード切替手段を備え、
   前記判断手段は、
   前記ガス検出素子が活性状態であるか非活性状態であるかを判断する活性判断手段であり、
   前記モード切替手段は、
   上記ガス検出素子が非活性状態であると判断されたときには、前記兼用出力回路を前記データ出力モードとする
   ガスセンサ回路装置。
2. 請求項１に記載のガスセンサ回路装置であって、
   前記ガス検出素子または当該ガスセンサ回路装置自身に関する固有情報を記録した記録部を備え、
   前記データ信号生成回路は、
   上記固有情報を前記データ信号として出力する固有情報出力手段を含む
   ガスセンサ回路装置。

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