JP5800716B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Description
図1〜図3は、本発明の実施の形態1にかかる電力用半導体装置の構成を説明するためのもので、図1は電力用半導体装置の主要部材の外観を示したものであって、図1(a)は電力用半導体装置を樹脂封止する前の組立体の斜視図、図1(b)はインターポーザ基板にバンプを形成した、組立体を構成する直前の裏面斜視図、および図1(c)はリードフレームに電力用半導体素子を搭載した、組立体を構成する直前の斜視図である。また、図2は組立体の断面の状態を説明するためのもので、図2(a)は図1(a)のAA−AA線による切断面であって、組立体の長手方向断面図、図2(b)は図1(a)のBB−BB線による切断面であって、組立体の短手方向断面図である。図3は組立体の回路構成を説明するためのもので、図3(a)はパワー回路の部材の配線構成を説明するための模式配線図、図3(b)は制御回路の部材の配線構成を説明するための模式配線図である。なお、図1(b)および図1(c)に示す一点鎖線は、それぞれインターポーザ基板の裏面およびリードフレームにおけるAA−AA線、BB−BB線に対応する切断位置を示すものである。
電力用半導体装置1は、電力回路および制御回路を備えるとともに、封止樹脂によりパッケージ化したものであり、封止前は、図1(a)に示す組立体1Pのような構成をとっている。はじめに、組立体1Pの説明に先立ち、組立体1Pを構成する2つの主要部材であるリードフレーム10およびインターポーザ基板40について説明する。
電力用端子11、制御用端子14を外部回路に接続して電力用半導体装置1を起動させると、制御素子23からIGBT22のゲート電極22gに制御信号(ゲート信号)が出力され、IGBT22がONになる。すると、ダイオード21、IGBT22をはじめとする電力用半導体素子に電流が流れ、電力用端子11を介して、制御された主電力が出力される。その際、インターポーザ基板40やリードフレーム10の内部リードに相当する部分にはそれぞれ主電力の電流や制御用の電流が流れ、流れに応じた磁場が生じる。
上記実施の形態1では、ダイパッド13とインターポーザ基板40との間隔を維持する部材として核体61c、62cを内包するはんだバンプ61B、62Bを使用する例について記載したが、これに限ることはない。本実施の形態2では、間隔を維持する部材として、ダイパッドの一部にインターポーザ基板を支える支柱となる支柱部を設けるようにした。他の構成については、基本的に上記実施の形態1と同様であるので、同様部分についての説明は省略する。
また、上記実施の形態2においては、支柱部18のインターポーザ基板40に接する部分、つまり先端に板材の面がくるように支柱部18を形成したが、これに限ることはない。例えば図6に示すように、支柱部の先端18xを他の部分より細くし、インターポーザ基板40に設けた開口部40hに差し込む、あるいはかみ合うようにしてもよい。あるいは、ダイパッド13にドーム上のふくらみを形成し、ふくらみ部分がインターポーザ基板40に接するようにしても同様の効果が得られる。
上記実施の形態1および2では、制御素子をインターポーザ基板の表面側に搭載する例について説明した。本実施の形態3においては、制御素子をインターポーザ基板の裏面側に搭載し、制御素子部分を封止するポッティング樹脂をリードフレームとインターポーザ基板の間隔を維持する部材として用いるようにしたものである。制御素子の配置に伴ってインターポーザ基板の配線パターンの構成は異なることになるが、他の構成については、基本的に上記実施の形態1あるいは2と同様であるので、同様部分についての説明は省略する。
また、上記実施の形態3においては、配線パターン43aの張り出し部分とダイパッド13bとの電気接続のために、ポッティング樹脂51の代わりにはんだバンプ62Bを配置したが、これに限ることはない。例えば図9に示すように、実施の形態2で説明したのと同様に、ダイパッド13bに支柱部18cを設けるようにしてもよい。
10:リードフレーム、
11,12,14,15:リードパターン、 13:ダイパッド、 16:タイバー、
17:枠体、 18:支柱部、
21:ダイオード(電力用半導体素子)、 22:IGBT(電力用半導体素子)、
23:制御素子、
40:インターポーザ基板、
41:絶縁基板、 42,43:配線パターン、 44:導通部、
50:(制御素子封止用)ポッティング樹脂、 51:ポッティング樹脂、
61,62 はんだ接合部、 61B,62B:はんだバンプ、
61c,62c:核体、 61s,62s:はんだ材、 74:ボンディングワイヤ、
80:はんだ接合部、 90:封止体。
Claims (7)
- 主電力を制御する電力用半導体素子と、前記電力用半導体素子を制御する制御素子とを矩形板状の封止体に内包するとともに、前記封止体の対向する側面のうち、一方から前記電力用半導体素子と接続するための電力用端子が、他方から前記制御素子と接続するための制御用端子が突出する電力用半導体装置であって、
それぞれの面が略平行になるように形成されたリードフレーム内のパターンのうちの、前記電力用端子に延在する電力リードパターンと、前記制御用端子に延在する制御リードパターンと、少なくとも前記制御リードパターンの面に対して垂直な方向に段差付けされるとともに前記制御リードパターンに近い方の面に前記電力用半導体素子の裏面電極が接合されたダイパッドと、
絶縁基板に配線パターンを積層して構成され、前記制御素子が搭載されるとともに、少なくとも一方の面に、前記電力用半導体素子の表面電極と接続するための電力配線パターンと、前記制御素子の電極と電気接続される制御配線パターンとが形成されたインターポーザ基板と、を備え、
前記リードフレームに対して前記インターポーザ基板が平行に位置するように、前記電力用半導体素子の表面電極に対して前記電力配線パターンを、前記制御リードパターンに対して前記制御配線パターンを対向させて接合するとともに、前記ダイパッドの少なくとも周縁部には、前記ダイパッドと前記インターポーザ基板との間隔を維持する第一の間隔維持部材が配置され、さらに前記インターポーザ基板と前記リードフレームとの間隔を維持する第二の間隔維持部材が配置されていることを特徴とする電力用半導体装置。 - 前記電力用半導体素子の表面電極と前記電力配線パターンとの接合、および前記ダイパッドと前記インターポーザ基板との接合のうちの少なくとも一方は、
はんだ材と、前記はんだ材よりも融点が高く、所定の代表径を有して前記はんだ材に内包され、前記第一の間隔維持部材として機能する核体と、で構成されたはんだバンプが用いられていることを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置。 - 前記ダイパッドには、
前記ダイパッドから延在するとともに前記インターポーザ基板を支え、前記第一の間隔維持部材として機能する支柱部が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電力用半導体装置。 - 前記インターポーザ基板と前記ダイパッドとの間に、所定厚みを有し、前記第一の間隔維持部材として機能するポッティング樹脂が設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 前記制御素子は、前記インターポーザ基板の前記一方の面側に搭載されており、
所定厚みを有して前記制御素子を封止するとともに、前記ダイパッドに対向して前記第一の間隔維持部材として機能する封止樹脂を設けたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。 - 前記電力用半導体素子がワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、およびダイヤモンド、のうちのいずれかであることを特徴とする請求項6に記載の電力用半導体装置。
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