JP5798886B2 - 有機el装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、有機EL素子は、一方又は双方が透光性を有する2つの電極を対向させ、この電極の間に有機化合物からなる発光層を積層したものである。有機EL装置は、電気的に励起された電子と正孔との再結合のエネルギーによって発光する。
有機EL装置は、自発光デバイスであるため、ディスプレイ材料として使用すると高コントラストの画像を得ることができる。また、発光層の材料を適宜選択することにより、種々の波長の光を発光することができる。また、白熱灯や蛍光灯に比べて厚さが極めて薄く、且つ面状に発光するので、設置場所の制約が少ない。
すなわち、本発明は、有機EL装置の製造方法であって、基材上に第1電極層と有機発光層と第2電極層を含む積層体を形成する工程と、前記工程で形成された積層体の一部又は全部を封止する封止工程を備え、前記封止工程は結晶成長を応用して堆積層を成膜する堆積層成膜工程を含み、当該堆積層成膜工程においては、異なる性状の堆積層あるいは同一性状の堆積層を、休止時間を空けて積層する。
本発明に関連する発明は、堆積層成膜工程は、異なる組成の堆積層を、休止時間を空けて積層する。
請求項3に記載の発明は、前記堆積層成膜工程は、プラズマCVD法を用いて前記堆積層を形成するものであって、プラズマの発生を中断する中断時間を挟んで複数回の成膜工程が実施されるものであり、前記中断時間の前後の成膜工程で同一性状の堆積層を形成することを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置の製造方法である。
請求項4に記載の発明は、前記中断時間において、中断時間前の成膜工程で使用する原料ガスを流し続けることを特徴とする請求項3に記載の有機EL装置の製造方法である。
請求項5に記載の発明は、前記堆積層成膜工程は、3回以上の成膜工程を実施することを特徴とする請求項3又は4の有機EL装置の製造方法である。
そして、さらにその上に堆積層7と、コーティング層8を積層することによって封止されている。即ち、説明の都合上、図面では、第2電極層6と堆積層7の間に異物12が混入しているもの想定して示している。なお、本実施形態では、有機EL装置1の内、第1電極層3と機能層5と第2電極層6の3層を総称して有機EL素子10と称し、堆積層7とコーティング層8の2層を総称して封止層11と称する。
即ち、図2の様に、第1電極層分離溝15によって区画された複数の第1電極層3の内の一つと、この区画された第1電極層3に積層された機能層5の区画と、第2電極層6の区画とによって単位EL素子20が構成されている。
即ち、第1電極層分離溝15と機能層分離溝16とが異なる位置にあるために一つの単位EL素子20aに属する機能層5aと、第2電極層6が第1電極層3aからはみ出し、隣接する単位EL素子20bに跨がっている。そして、第2電極層6aの機能層分離溝16内に進入した進入部13aが、隣接する単位EL素子20bの第1電極層3bに接している。
また、第1電極層3は、スパッタ法やCVD法や真空蒸着法によって基板2上に形成される。
堆積層7の膜厚は1.0〜5.0μmであることが好ましい。
堆積層7は、異なる組成のものが複数層積層していてもよい。
ここでいうポリシラザン誘導体は、珪素−窒素結合を持つポリマーであり、Si−N、Si−H、N−H等からなるSiO2、Si2N4、および両者の中間固溶体SiOx Ny 等のセラミック前駆体ポリマーである。また、このポリシラザン誘導体は、下記一般式(1)で示される。即ち、R1〜R3は基本的にHであり、その一部がメチル基等のアルキル基を含んでいてもよい。nは1〜99の整数を表す。
また、本発明で用いるポリシラザン誘導体は、有機溶媒に溶解した溶液状態で用いる。
有機溶媒としては、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類が使用できる。
有機EL装置1は、図示しない真空蒸着装置と、図示しないレーザースクライブ装置を使用して製造される。
具体的には、まず、基板2上に第1電極層3を成膜する。
このとき用いる基板2の表面は、基板全体の平滑度が均一であり、第1電極層3を成膜した後でも、全体の平滑度は均一となっている。
以上が、有機EL素子形成工程である。
堆積層成膜工程では、有機EL素子形成工程において有機EL素子10を積層した基板上に異物12が残ってしまったものとして説明する。
その上から結晶成長を応用して堆積層7を積層する。
具体的には、プラズマCVD法を用いて、第2電極層6上に付着した異物12の上方から堆積層7を積層する。
成膜工程では、CVD法にて成膜を行う。成膜条件として、基板成膜面とCVD装置内の電極間の距離が1〜30mmであり、好ましくは、5〜15mmである。プラズマ出力が0.1〜1.0W/cm2であり、好ましくは、0.3〜0.7W/cm2である。また、圧力が50〜150Pa、CVD装置内の温度が40〜100℃、基板温度が60〜120℃である。この成膜に利用する原料ガスは、特に限定されないが、モノシラン(SiH4)やジシラン(Si2H6)等のシリコン含有ガスや、これらのシリコン含有ガスを水素で希釈したものが採用できる。特に窒化珪素(SiNx)の場合、モノシラン(SiH4)とアンモニア(NH3)の混合ガスが好適である。そして、モノシラン(SiH4)とアンモニア(NH3)を用いて、窒化珪素(SiNx)を成膜した場合、モノシラン(SiH4)の流量を1とした場合、アンモニア(NH3)の流量は0〜1/3であることが好ましい。即ち、窒素を含まない非晶質珪素であってもよい。
特に、プラズマCVD成膜することによる有機EL素子10が剥がれ落ちを防止するという観点から、原料ガスの混合比や基板温度を制御することによって膜の密度を制御し、堆積層7の圧縮応力が0〜±80MPa以内とすることが好ましい。
また、成膜工程の回数は、複数回であれば特に限定されないが、3回以上であることが好ましい。
具体的には、堆積層7の全成膜終了時の膜厚の3%〜60%が積層した段階を切り替え基準値として、ステップ4に移ることが好ましい。堆積層7の全成膜終了時の膜厚の5%〜50%を切り替え基準値とすることがより好ましい。堆積層7の全成膜終了時の膜厚の10%〜30%を切り替え基準値とすることが特に好ましい。
成膜工程が一回目の場合には、異物サイズと同程度の厚みまで成膜することが好ましい。
具体的には、中断時間としては、5秒〜30分であることが好ましく、5秒〜10分であることが特に好ましい。また、このとき、プラズマの電源を停止した状態で、原料ガスを流し続けることが好ましい。
一方、成膜工程を1回以上行っている場合には、ステップ10に進む。
コーティング工程では、堆積層7上に液状のポリシラザン誘導体を塗布する。その後、触媒存在下で水蒸気酸化、及び/又は空気雰囲気下で加熱酸化を行うことで、緻密性を有したコーティング層8が形成され、有機EL装置1が完成する。
なお、このとき用いる触媒としては、金、銀、パラジウム、白金、ニッケルなどの金属触媒及びそれらのカルボン酸錯体が採用される。また、触媒をポリシラザン誘導体に添加しておくのではなく、触媒溶液、具体的にはアミン水溶液等に直接被覆成型物を接触させる、またはその蒸気に一定時間曝す、などの方法を採用することも好ましい。
有機EL装置を形成するための基板としては、片面に第1電極層としてITO(インジウム・錫酸化物、膜厚150nm)が積層されている無アルカリガラス(厚さ0.7mm)を用いた。この基板にレーザースクライブ装置を用いて、0.5mm間隔のパターニング形成を行い、第1電極層分離溝15を形成した。
この基板を界面活性剤によりブラシを用いて洗浄し、純水にて超音波洗浄した後、基板をオーブン中で乾燥した。この基板を真空蒸着装置に移動させ、真空中で以下のように材料を成膜した。
最後に陰極としてAlを真空蒸着法にて150nm(蒸着速度0.3nm/sec〜0.5nm/sec)の膜厚で成膜し、単位形状30mm×30mm、発光面積18mm×18mmの有機EL素子を作製した。
その後、この有機EL素子を真空雰囲気から窒素雰囲気で満たされたグローブボックスに移動させて、有機EL素子上に実施例として比較しやすいように樹脂粒子を散布し、その後、プラズマCVD装置に移動させて、堆積層たるSi−N(−O)を積層した。ここで、説明の都合上、n回目の成膜工程によって形成される堆積層を第n成膜(nは自然数)と表す。
説明に戻ると、まず第1成膜から順次成膜していく。供給ガスであるSiH4とNH3の流量比を600:95になるようにガスを調整し、窒化珪素を成膜した(第1成膜)。そして、第1成膜の膜厚が1.1μmに達すると、プラズマの発生を中断し、0.5分間停止した。0.5分経過すると、同様の条件でプラズマ放電を開始し、再び窒化珪素を成膜した(第2成膜)。そして、第2成膜の膜厚が1.1μmに達すると、プラズマの発生を中断時間として0.5分間停止した。0.5分経過すると、同様の条件でプラズマ放電を開始し、再び窒化珪素を成膜した(第3成膜)。第3成膜の膜厚が1.0μmに達すると、プラズマの発生を停止し、成膜された基板を大気中に取り出した。その後、窒化珪素膜上に液状のポリシラザン誘導体を塗布し、加熱した。こうして形成された有機EL装置を実施例1とした。
実施例2の有機EL装置は、実施例1に準じて有機EL装置を作成したが、第1〜3成膜の膜厚の切り替える基準値となる膜厚を実施例1の1/2にしたことが実施例1と異なる。即ち、第1〜3成膜の切り替え基準値として、第1成膜の膜厚が0.55μm、第2成膜の膜厚が0.55μm、第3成膜の膜厚が0.5μmに達すると切り替え、全膜厚を1.6μmとした。
実施例3の有機EL装置は、実施例1に準じて有機EL装置を作成したが、第2成膜の成膜において、供給ガスをSiH4のみにして、NH3ガスを供給せずに成膜したことが実施例1と異なる。即ち、第2成膜の成膜において、供給ガスであるSiH4の供給量を600sccmに調整し、供給ガスであるSiH4とNH3の流量比が600:0になるように成膜した。そして、第3成膜の成膜において、供給ガスであるSiH4とNH3の流量比を600:95になるようにガスを調整し、成膜した。こうして形成された有機EL装置を実施例3とした。
実施例4の有機EL装置は、実施例3に準じて有機EL装置を作成したが、第1〜3成膜の膜厚の切り替える基準値となる膜厚を実施例1の1/2にしたことが実施例3と異なる。即ち、第1〜3成膜の切り替え基準値として、第1成膜の膜厚が0.55μm、第2成膜の膜厚が0.55μm、第3成膜の膜厚が0.5μmに達すると切り替え、全膜厚を1.6μmとした。
比較例1の有機EL装置は、実施例1の作製手順において、成膜工程を1回のみ行った。詳説すると、供給ガスであるSiH4とNH3の流量比を600:95になるようにガスを調整し、成膜した(第1成膜)。そして、第1成膜の膜厚が1.6μmに達すると、プラズマの発生を停止し、成膜された基板を大気中に取り出した。その後、堆積層上に液状のポリシラザン誘導体を塗布し、加熱した。
実施例1及び比較例1の有機EL装置について高温高湿発光試験を行い、発光欠陥を評価した。試験条件は雰囲気60℃/85%RHで印加電圧5Vであり、評価は室温で約10倍の実体顕微鏡で観察し、試験時間1時間後に対する試験時間1000時間経過後の発光欠陥の増加率を評価した。その結果を表1に示す。
また、全膜厚が1.6μmである実施例2と全膜厚が3.2μmである実施例1を比較すると、全膜厚が1.6μmである実施例2では、200時間経過時に発光欠陥が発生したのに対して、全膜厚が3.2μmである実施例1では、300時間経過時においても、発光欠陥が発生しなかった。同様に、全膜厚が1.6μmである実施例4と全膜厚が3.2μmである実施例3を比較すると、全膜厚が1.6μmである実施例4では、300時間経過時に発光欠陥が発生したのに対して、全膜厚が3.2μmである実施例3では、300時間経過時においても、発光欠陥が発生しなかった。この結果より、全膜厚を所定量(実施例では2倍)に増加させることによって、発光欠陥の発生の抑制が可能であり、封止効果が増大することがわかった。
2 基板(基材)
3 第1電極層
5 機能層(有機発光層)
6 第2電極層
7 堆積層
8 コーティング層
10 有機EL素子(積層体)
11 封止層
20 単位EL素子
Claims (7)
- 有機EL装置の製造方法であって、
基材上に第1電極層と有機発光層と第2電極層を含む積層体を形成する工程と、前記工程で形成された積層体の一部又は全部を封止する封止工程を備え、
前記封止工程は結晶成長を応用して堆積層を成膜する堆積層成膜工程を含み、当該堆積層成膜工程においては、異なる性状の堆積層あるいは同一性状の堆積層を、所定の時間を空けて積層するものであり、
前記封止工程は、前記堆積層上にコーティング層を形成するコーティング工程を有し、
前記コーティング工程において、前記堆積層上に液状のポリシラザン誘導体を塗布し、ポリシラザン誘導体を触媒存在下で蒸気に曝して水蒸気酸化することによってシリカ転化させて前記コーティング層を形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 堆積層成膜工程は、異なる組成の堆積層を、前記所定の時間を空けて積層することを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記堆積層成膜工程は、プラズマCVD法を用いて前記堆積層を形成するものであって、プラズマの発生を中断する中断時間を挟んで複数回の成膜工程が実施されるものであり、
前記中断時間の前後の成膜工程で同一性状の堆積層を形成することを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置の製造方法。 - 前記中断時間において、中断時間前の成膜工程で使用する原料ガスを流し続けることを特徴とする請求項3に記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記堆積層成膜工程は、3回以上の成膜工程を実施することを特徴とする請求項3又は4の有機EL装置の製造方法。
- 堆積層成膜工程は、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物の内、少なくともいずれかを成膜するものであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法によって、基材上に第1電極層と、有機発光層と、第2電極層を備えた積層体と、前記積層体の全部または一部を封止する封止層を有し、
前記封止層の少なくとも一層は異物を含む堆積層を有し、前記堆積層内においては、前記異物の近傍に不連続の界面が存在する有機EL装置を製造することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
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