JP5797024B2 - 回路基板実装部品の検査装置および回路基板実装部品の検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板に実装された検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査装置および検査方法に関するものである。

この種の回路基板についての検査装置として、本願出願人は、下記特許文献に開示された回路基板検査装置を既に提案している。この回路基板検査装置は、２つのプローブと、これらのプローブが接続される計測部とを備えている。この回路基板検査装置では、回路基板に実装されている電子部品（一例としてバイパスコンデンサ）の各電極に各プローブを接触させ、この状態における各プローブ間の静電容量を計測部で計測する。この場合、バイパスコンデンサが正常に実装されているときには、計測部は、このバイパスコンデンサの静電容量を測定し、正常に実装されていないとき（例えば、ハンダ付け不良などにより、少なくとも一方の電極がパターン（導体パターン）から浮いているとき）には、浮遊容量を測定する。このため、この回路基板検査装置によれば、測定された静電容量に基づいて、バイパスコンデンサのハンダ付けの良否を検査することが可能となっている。

特開２００４−２７１２９４号公報（第６−７頁、第３図）

ところが、この従来の回路基板検査装置には、以下の改善すべき課題が存在している。すなわち、この回路基板検査装置では、静電容量値や抵抗値などの電気的特性値を計測すべき電子部品（検査対象部品）が例えば他の電子部品に近接して配置されていることが原因となって、一方の電極およびこの電極に接続されている導体パターンのいずれかと、他方の電極およびこの電極に接続されている導体パターンのいずれかとにプローブを同時に接触させることができないときには、この検査対象部品の電気的特性値を計測できない。このため、回路基板検査装置には、このような検査対象部品について検査を実行するのが困難であるという課題が存在している。

また、検査対象部品がその一方の電極およびこの電極に接続されている導体パターンのいずれかと、その他方の電極およびこの電極に接続されている導体パターンのいずれかとにプローブを同時に接触させることができるものであっても、同種の他の電子部品と並列接続されているときには、これが原因となって、このような検査対象部品についての電気的特性値を計測できない。このため、この回路基板検査装置には、このような電子部品についての検査が困難であるという解決すべき課題も存在している。

本発明は、かかる課題を改善すべくなされたものであり、プローブを各電極に同時に接触させることが困難な検査対象部品や、同種の他の電子部品と並列接続されている検査対象部品についての検査を可能とする回路基板実装部品の検査装置、および回路基板実装部品の検査方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の回路基板実装部品の検査装置は、電子部品が実装された回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定する測定部と、前記測定された電気的特性値に基づいて前記２点間に実装された前記電子部品を検査対象部品として検査する処理部とを備えている回路基板実装部品の検査装置であって、常態においてオン状態となっているスイッチ素子を介して同種の他の前記電子部品と並列接続された状態で回路基板に実装されている前記検査対象部品の検査に際し、前記処理部は、前記スイッチ素子をオフ状態に移行させた状態において前記検査対象部品の前記電気的特性値を測定し、当該測定された電気的特性値に基づいて当該検査対象部品を検査する。

また、上記目的を達成すべく請求項２記載の回路基板実装部品の検査方法は、常態においてオン状態となっているスイッチ素子を介して同種の他の電子部品と並列接続された状態で回路基板に実装されている検査対象部品の電気的特性値に基づいて当該検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査方法であって、前記スイッチ素子をオフ状態に移行させて、前記検査対象部品の前記電気的特性値を測定する。

請求項１記載の回路基板実装部品の検査装置および請求項２記載の回路基板実装部品の検査方法では、自らの一方の電極および他方の電極に対してプローブを直接接続することが可能となっているものの、常態においては、オン状態のスイッチ素子によって互いに並列接続された状態となっている２つの検査対象部品については、スイッチ素子をオフ状態に制御して並列状態を解除することにより、各検査対象部品の電気的特性値を個別に測定し、この測定したそれぞれの電気的特性値に基づいて検査する。したがって、この回路基板実装部品の検査装置および回路基板実装部品の検査方法によれば、このような検査対象部品に対する検査についても可能とすることができるため、検査率をより一層高めることができる。

回路基板実装部品の検査装置１および回路基板２の構成図である。

以下、添付図面を参照して、回路基板実装部品の検査装置および検査方法の実施の形態について説明する。

最初に、検査装置１の構成について、図１を参照して説明する。

検査装置１は、一例として、回路基板２に予め規定された接触ポイント３に接触させられる複数（本例では一例として２本）のプローブ４、プローブ４を移動させる移動機構（不図示）、測定部５、処理部６および出力部７を備え、回路基板２に実装されている電子部品（実装部品）のうちの検査対象部品に対する検査を実行する。

２本のプローブ４は、処理部６によって制御された移動機構により、回路基板２に規定された複数の接触ポイント３のうちから選択された任意の２つの接触ポイント３に接触させられる。

測定部５は、一例としてデジタルマルチメータ（図示せず）を用いて構成されて、２本のプローブ４を介して接続された２点（つまり、２つの接触ポイント３）間の電気的特性値Ｄｍを測定する。また、測定部５は、測定した電気的特性値Ｄｍを処理部６に出力する。本例では、後述するように、コンデンサが検査対象部品であるため、測定部５は、コンデンサの静電容量値を電気的特性値Ｄｍとして測定して出力する。

処理部６は、一例として、ＣＰＵおよびメモリ（いずれも図示せず）を備え、移動機構に対する制御処理、回路基板２に実装されたスイッチ素子に対する制御処理（オン状態またはオフ状態に移行させる制御処理）、検査対象部品に対する検査処理、および検査処理の結果を出力部７に出力させる出力処理を実行する。メモリには、検査対象部品毎の接触ポイント３についての位置情報と、検査対象部品毎の基準電気的特性値が予め記憶されている。

出力部７は、一例として、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）などの表示装置で構成されている。また、出力部７は、処理部６が実行した検査処理での結果を処理部６から入力して、画面に表示する。

次に、検査装置１の動作と併せて回路基板実装部品の検査方法について、図面を参照して説明する。

最初に、回路基板２の構成について説明する。本例では、一例として、図１に示すように、回路基板２には、電子部品として、複数のコンデンサ（本例では７つのコンデンサ１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７）、スイッチ素子としてのアナログスイッチ１８、および他のスイッチ素子としてのリレー１９，２０が実装されている。なお、各コンデンサ１１〜１７は検査対象部品であるため、処理部６のメモリには、検査対象部品毎の基準電気的特性値として、コンデンサ１１〜１７のそれぞれに対する基準容量値が予め記憶されている。本例では、各コンデンサ１１〜１７の基準電気的特性値の一例として、各コンデンサ１１〜１７として正規の静電容量のコンデンサが正常な状態で実装されているときに、測定部５によって測定される静電容量値の範囲を示す上限容量値および下限容量値が記憶されている。

コンデンサ１１は、一方の電極が接触ポイント３として規定されると共に導体パターン３１に接続され、他方の電極が導体パターン３２（本例では一例として回路基板２内の基準電位導体パターン（いわゆるグランドパターン））に接続されている。この導体パターン３２の一部は、接触ポイント３として規定されている。コンデンサ１２は、一方の電極が接触ポイント３として規定されて導体パターン３３に接続され、かつ他方の電極が導体パターン３２に接続されている。

コンデンサ１３（第１部品）は、一方の電極１３ａが導体パターン３４を介してアナログスイッチ１８の一方の入出力電極１８ａに接続され、他方の電極１３ｂが導体パターン３２に接続されている。本例では、コンデンサ１３およびアナログスイッチ１８のそれぞれの構造上、および導体パターン３４の引き回しの構造上、コンデンサ１３の電極１３ａ、アナログスイッチ１８の各入出力電極１８ａ，１８ｂ、および導体パターン３４のいずれに対してもプローブ４を直接接触させることが不能となっている。このため、電極１３ａ、各入出力電極１８ａ，１８ｂ、および導体パターン３４のいずれにも接触ポイント３は規定されていない状態となっている。

コンデンサ１４（他の第１部品）は、一方の電極１４ａが導体パターン３５を介してリレー１９の一方の入出力電極１９ａに接続され、他方の電極１４ｂが導体パターン３２に接続されている。コンデンサ１５（第２部品）は、コンデンサ１４と同種の他の電子部品であって、一方の電極が接触ポイント３として規定されると共に導体パターン３６に接続され、他方の電極が導体パターン３２に接続されている。また、コンデンサ１５は、一方の電極が導体パターン３６を介してリレー１９の他方の入出力電極１９ｂに接続されている。

本例では、コンデンサ１４およびリレー１９のそれぞれの構造上、および導体パターン３５の引き回しの構造上、コンデンサ１４の電極１４ａ、リレー１９の各入出力電極１９ａ，１９ｂ、および導体パターン３５のいずれに対してもプローブ４を直接接触させることが不能となっている。このため、電極１４ａ、各入出力電極１９ａ，１９ｂ、および導体パターン３５のいずれにも接触ポイント３は規定されていない状態となっている。

コンデンサ１６は、一方の電極が接触ポイント３として規定されると共に導体パターン３７に接続され、他方の電極が導体パターン３２に接続されている。また、コンデンサ１６は、一方の電極が導体パターン３７を介してリレー２０の一方の入出力電極２０ａに接続されている。コンデンサ１７は、コンデンサ１６と同種の他の電子部品であって、一方の電極が接触ポイント３として規定されると共に導体パターン３８に接続され、他方の電極が導体パターン３２に接続されている。また、コンデンサ１７は、一方の電極が導体パターン３８を介してリレー２０の他方の入出力電極２０ｂに接続されている。

アナログスイッチ１８は、処理部６から出力される制御信号Ｓ１に基づいて、そのオン・オフ状態が制御される。また、アナログスイッチ１８は、上記したように、その一方の入出力電極１８ａが導体パターン３４を介してコンデンサ１３の一方の電極１３ａに接続されている。また、アナログスイッチ１８の他方の入出力電極１８ｂは、一部の部位が接触ポイント３として規定された導体パターン３９に接続されている。

リレー１９は、処理部６から出力される制御信号Ｓ２に基づいて、そのオン・オフ状態が制御される。具体的には、リレー１９は、常態においてはオフ状態に維持され、制御信号Ｓ２を入力している間だけ、オン状態に移行させられる。リレー２０は、処理部６から出力される制御信号Ｓ３に基づいて、そのオン・オフ状態が制御される。具体的には、リレー２０は、常態においてはオン状態に維持され、制御信号Ｓ３を入力している間だけ、オフ状態に移行させられる。

また、各導体パターン３１〜３９は互いに接続されておらず、また、各導体パターン３１〜３９には図示したコンデンサ以外のコンデンサは接続されていないものとする。

以上のようにして回路基板２に実装されている各コンデンサ１１〜１７に対して検査を実行する際には、検査装置１では、処理部６が、メモリに記憶されているコンデンサ１１〜１７（以下、単に、「検査対象部品」ともいう）毎の２つの接触ポイント３についての位置情報を順次読み出して、移動機構に対する制御処理を実行することにより、２つのプローブ４を検査を実施する検査対象部品に対応する２つの接触ポイント３（読み出した位置情報で規定される２つの接触ポイント３）に接触させる。

次いで、処理部６は、測定部５から処理部６に対して出力される２つの接触ポイント３間の電気的特性値（静電容量値）Ｄｍに基づいて、各接触ポイント３に対応する検査対象部品に対する検査処理を実行する。

まず、常態において、他のコンデンサと並列接続されておらず、かつ自らの一方の電極に規定された接触ポイント３と、それぞれの他方の電極が接続された導体パターン３２に規定されている共通の接触ポイント３とが、それぞれの２つの接触ポイント３として規定されているコンデンサ１１，１２，１５に対する検査処理について説明する。

このコンデンサ１１，１２，１５の検査処理では、処理部６は、上記した２つの接触ポイント３を使用することにより、各コンデンサ１１，１２，１５の両電極にプローブ４を直接（電極それ自体に直接、または電極に直接接続された導体パターンを介して直接）接触させた状態において、測定部５によって測定される電気的特性値（静電容量値）Ｄｍを測定部５から取得（入力）し、この取得した電気的特性値Ｄｍをメモリから読み出した基準電気的特性値（基準容量値）と比較することにより、コンデンサ１１，１２，１５についての検査を実行する。

上記したように、各コンデンサ１１〜１７の電気的特性値Ｄｍに対する基準電気的特性値として、各コンデンサ１１〜１７として正規の静電容量のコンデンサが正常な状態で実装されているときの上限容量値および下限容量値が記憶されているため、処理部６は、取得した電気的特性値Ｄｍをメモリから読み出した基準電気的特性値と比較して、取得した電気的特性値Ｄｍが基準電気的特性値の範囲内（下限容量値以上であって上限容量値以下の範囲内）に含まれているときには、検査を実施しているコンデンサは正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、検査を実施しているコンデンサに異常が生じている判別する。また、処理部６は、この判別結果をコンデンサの識別情報と共にメモリに記憶する。

次に、他方の電極については、導体パターン３２に規定されている共通の接触ポイント３にプローブ４を直接接触させることができるものの、一方の電極については、この電極およびこの電極に接続された導体パターンのいずれにもプローブ４を接触させるための接触ポイント３が規定されていないコンデンサ１３，１４に対する検査処理について説明する。

まず、コンデンサ１３については、導体パターン３９に規定された接触ポイント３、および導体パターン３２に規定された接触ポイント３がプローブ４を接触させる２つの接触ポイント３として規定されている。このため、処理部６は、メモリに記憶されている検査対象部品としてのコンデンサ１３に対する２つの接触ポイント３についての位置情報を読み出して、２つのプローブ４をこの２つの接触ポイント３に接触させる。

次いで、処理部６は、制御信号Ｓ１を出力することによってアナログスイッチ１８に対する制御処理を実行して、アナログスイッチ１８をオン状態に移行させたときに測定部５によって測定される電気的特性値Ｄｍである第１電気的特性値Ｄｍ１と、アナログスイッチ１８をオフ状態に移行させたときに測定部５によって測定される電気的特性値である第２電気的特性値Ｄｍ２とを取得する。

次いで、処理部６は、取得した第１電気的特性値Ｄｍ１および第２電気的特性値Ｄｍ２に基づいて、コンデンサ１３の電気的特性値（静電容量値）を算出する。この場合、アナログスイッチ１８のオン抵抗（オン状態のときの抵抗値）は、一般的に数Ωと小さい値である。したがって、アナログスイッチ１８がオン状態のときには、アナログスイッチ１８の一方の入出力電極１８ａに導体パターン３４を介して接続されているコンデンサ１３と、アナログスイッチ１８の他方の入出力電極１８ｂに接続されている導体パターン３９とグランド電位に規定された導体パターン３２との間に形成される静電容量（例えば、浮遊容量）Ｃｆとは並列接続の状態となる。

このため、処理部６は、コンデンサ１３と静電容量Ｃｆとの並列合成容量の容量値を示す第１電気的特性値Ｄｍ１と、静電容量Ｃｆの容量値を示す第２電気的特性値Ｄｍ２とに基づいて、コンデンサ１３の電気的特性値Ｄｍを算出する。具体的には、並列合成容量の容量値から静電容量Ｃｆを減算して、コンデンサ１３の電気的特性値Ｄｍを算出する。続いて、処理部６は、メモリからコンデンサ１３についての基準電気的特性値（基準容量値）を読み出すと共に、算出した電気的特性値Ｄｍをこの基準電気的特性値と比較して、取得した電気的特性値Ｄｍが基準電気的特性値の範囲内に含まれているときには、検査を実施しているコンデンサ１３は正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、コンデンサ１３に異常が生じていると判別して、判別結果をコンデンサ１３の識別情報と共にメモリに記憶する。

なお、一般的に、静電容量Ｃｆの容量値は、コンデンサ１３の静電容量値と比較して十分に小さい。このため、コンデンサ１３と静電容量Ｃｆとの並列合成容量の容量値を示す第１電気的特性値Ｄｍ１が、コンデンサ１３の静電容量値とほぼ等しい場合がある。この場合には、アナログスイッチ１８をオン状態に移行させたときに測定部５によって測定される電気的特性値Ｄｍである第１電気的特性値Ｄｍ１をコンデンサ１３の静電容量値として測定する構成を採用することもできる。

また、コンデンサ１４については、導体パターン３６に接続されているコンデンサ１５の電極に規定された接触ポイント３、および導体パターン３２に規定された接触ポイント３がプローブ４を接触させる２つの接触ポイント３として規定されている。このため、処理部６は、メモリに記憶されている検査対象部品としてのコンデンサ１４に対する２つの接触ポイント３についての位置情報を読み出して、２つのプローブ４をこの２つの接触ポイント３に接触させる。

次いで、処理部６は、制御信号Ｓ２を出力することによってリレー１９に対する制御処理を実行して、リレー１９をオン状態に移行させたときに測定部５によって測定される電気的特性値Ｄｍである第１電気的特性値Ｄｍ１と、リレー１９をオフ状態に移行させたときに測定部５によって測定される電気的特性値である第２電気的特性値Ｄｍ２（コンデンサ１５の静電容量値）とを取得する。

次いで、処理部６は、取得した第１電気的特性値Ｄｍ１および第２電気的特性値Ｄｍ２に基づいて、コンデンサ１４，１５の各電気的特性値（静電容量値）を算出する。この場合、リレー１９のオン抵抗（オン状態のときの抵抗値）は、一般的に１Ω未満の小さい値である。したがって、リレー１９がオン状態のときには、リレー１９の一方の入出力電極１９ａに導体パターン３５を介して接続されているコンデンサ１４と、リレー１９の他方の入出力電極１９ｂに接続されている導体パターン３６と導体パターン３２との間に接続されたコンデンサ１５とは並列接続の状態となる。

このため、処理部６は、各コンデンサ１４，１５の並列合成容量の容量値を示す第１電気的特性値Ｄｍ１と、コンデンサ１５の静電容量値を示す第２電気的特性値Ｄｍ２とに基づいて、コンデンサ１４，１５の各電気的特性値Ｄｍを算出する。具体的には、コンデンサ１５の電気的特性値Ｄｍについては、第２電気的特性値Ｄｍ２に基づいて算出する。一方、コンデンサ１４の電気的特性値Ｄｍについては、第１電気的特性値Ｄｍ１から第２電気的特性値Ｄｍ２を減算して算出する。続いて、処理部６は、メモリからコンデンサ１４，１５についての各基準電気的特性値を読み出すと共に、算出した各電気的特性値Ｄｍを対応する基準電気的特性値と比較して、取得した電気的特性値Ｄｍが対応する基準電気的特性値の範囲内に含まれているときには、検査を実施しているコンデンサ１４，１５は正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、コンデンサ１４，１５に異常が生じていると判別して、それぞれの判別結果を対応するコンデンサ１４，１５の識別情報と共にメモリに記憶する。

続いて、自らの一方の電極および他方の電極に対してプローブ４を直接接続することが可能となっているものの、常態においては、オン状態のスイッチ素子（本例では、リレー２０）によって互いに並列に接続された状態となっているコンデンサ１６，１７に対する検査処理について説明する。

まず、コンデンサ１６については、その一方の電極に規定された接触ポイント３、および導体パターン３２に規定された接触ポイント３がプローブ４を接触させる２つの接触ポイント３として規定されている。このため、処理部６は、まず、コンデンサ１６に対する２つの接触ポイント３についての位置情報をメモリから読み出して、２つのプローブ４をこの２つの接触ポイント３に接触させる。

次いで、処理部６は、制御信号Ｓ３を出力することによってリレー２０に対する制御処理を実行して、リレー２０をオン状態からオフ状態に移行させる。これにより、コンデンサ１６とコンデンサ１７の並列接続状態が解除される。処理部６は、この状態において測定部５によって測定される電気的特性値Ｄｍをコンデンサ１６の電気的特性値Ｄｍとして取得する。

続いて、処理部６は、メモリからコンデンサ１６についての基準電気的特性値を読み出すと共に、取得した電気的特性値Ｄｍを対応する基準電気的特性値と比較して、この電気的特性値Ｄｍが対応する基準電気的特性値の範囲内に含まれているときには、コンデンサ１６は正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、コンデンサ１６に異常が生じていると判別して、判別結果をコンデンサ１６の識別情報と共にメモリに記憶する。

一方、コンデンサ１７については、その一方の電極に規定された接触ポイント３、および導体パターン３２に規定された接触ポイント３がプローブ４を接触させる２つの接触ポイント３として規定されている。このため、処理部６は、コンデンサ１７に対する２つの接触ポイント３についての位置情報をメモリから読み出して、２つのプローブ４をこの２つの接触ポイント３に接触させる。

次いで、処理部６は、コンデンサ１６とコンデンサ１７の並列接続状態が解除されている状態において測定部５によって測定される電気的特性値Ｄｍをコンデンサ１７の電気的特性値Ｄｍとして取得する。

続いて、処理部６は、メモリからコンデンサ１７についての基準電気的特性値を読み出すと共に、取得した電気的特性値Ｄｍを対応する基準電気的特性値と比較して、この電気的特性値Ｄｍが対応する基準電気的特性値の範囲内に含まれているときには、コンデンサ１７は正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、コンデンサ１７に異常が生じていると判別して、判別結果をコンデンサ１７の識別情報と共にメモリに記憶する。これにより、検査対象部品として回路基板２に実装されているコンデンサ１１〜１７に対する検査が完了する。

最後に、処理部６は、出力処理を実行して、メモリに記憶している検査対象部品であるコンデンサ１１〜１７についての検査結果を表示装置で構成されている出力部７に表示させる。

このように、この検査装置１および回路基板実装部品の検査方法では、両電極にプローブ４を同時に直接接触させてその電気的特性値Ｄｍを測定できないコンデンサであっても、スイッチ素子としてのアナログスイッチ１８に接続されている第１部品としてのコンデンサ１３や、スイッチ素子としてのリレー１９に接続されている他の第１部品としてのコンデンサ１４については、これらのスイッチ素子をオン状態に移行させたときに測定される電気的特性値Ｄｍである第１電気的特性値Ｄｍに基づいてコンデンサ１３やコンデンサ１４の電気的特性値Ｄｍを個別に算出し、算出した電気的特性値Ｄｍに基づいて各コンデンサ１３，１４を検査する。

したがって、この検査装置１および回路基板実装部品の検査方法によれば、両電極にプローブ４を同時に直接接触させてその電気的特性値Ｄｍを測定できないコンデンサ１３，１４に対する検査を可能とすることができるため、回路基板２に実装されている検査対象部品（検査すべき電子部品）に占める実際に検査し得る検査対象部品の割合である検査率を高めることができる。

また、この検査装置１および回路基板実装部品の検査方法では、第１部品としてのコンデンサ１４のように、スイッチ素子としてのリレー１９をオン状態に制御したときに第２部品としてのコンデンサ１５（コンデンサ１４と同種の他の電子部品）と並列接続されるコンデンサについては、リレー１９をオン状態に移行させたときに測定される電気的特性値Ｄｍである第１電気的特性値Ｄｍ（コンデンサ１４，１５の合成電気的特性値）と、リレー１９をオフ状態に移行させたときに測定される電気的特性値Ｄｍである第２電気的特性値Ｄｍ（コンデンサ１５の電気的特性値）とに基づいて、コンデンサ１４，１５の各電気的特性値Ｄｍを個別に算出し、算出した各電気的特性値Ｄｍに基づいてコンデンサ１４，１５をそれぞれ検査する。

したがって、この検査装置１および回路基板実装部品の検査方法によれば、このようなコンデンサ１４に対する検査についても可能とすることができるため、検査率を一層高めることができる。

また、この検査装置１および回路基板実装部品の検査方法では、自らの一方の電極および他方の電極に対してプローブ４を直接接続することが可能となっているものの、常態においては、オン状態のスイッチ素子（リレー２０）によって互いに並列接続された状態となっているコンデンサ１６，１７については、スイッチ素子（リレー２０）をオフ状態に制御して並列状態を解除することにより、各コンデンサ１６，１７の電気的特性値Ｄｍを個別に測定し、この測定したそれぞれの電気的特性値Ｄｍに基づいて検査する。

したがって、この検査装置１および回路基板実装部品の検査方法によれば、このようなコンデンサ１６，１７に対する検査についても可能とすることができるため、検査率をより一層高めることができる。

なお、上記の検査装置１および回路基板実装部品の検査方法では、検査対象部品としてコンデンサを例に挙げて説明したが、コンデンサに限定されるものではなく、回路基板２に実装されている抵抗やインダクタに対しても適用できるのは勿論である。また、この場合における電気的特性値は、抵抗のときには抵抗値となり、インダクタのときにはインダクタンスとなる。

１ 検査装置
２ 回路基板
５ 測定部
６ 処理部
１１〜１７ コンデンサ
１８ アナログスイッチ
１９，２０ リレー
Ｄｍ 電気的特性値
Ｄｍ１ 第１電気的特性値
Ｄｍ２ 第２電気的特性値

Claims (2)

1. 電子部品が実装された回路基板における任意の２点間の電気的特性値を測定する測定部と、
   前記測定された電気的特性値に基づいて前記２点間に実装された前記電子部品を検査対象部品として検査する処理部とを備えている回路基板実装部品の検査装置であって、
   常態においてオン状態となっているスイッチ素子を介して同種の他の前記電子部品と並列接続された状態で回路基板に実装されている前記検査対象部品の検査に際し、
   前記処理部は、前記スイッチ素子をオフ状態に移行させた状態において前記検査対象部品の前記電気的特性値を測定し、当該測定された電気的特性値に基づいて当該検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査装置。
2. 常態においてオン状態となっているスイッチ素子を介して同種の他の電子部品と並列接続された状態で回路基板に実装されている検査対象部品の電気的特性値に基づいて当該検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査方法であって、
   前記スイッチ素子をオフ状態に移行させて、前記検査対象部品の前記電気的特性値を測定する回路基板実装部品の検査方法。

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