JP5777705B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献2では、図14(a)に示すように、蛍光体チップ141をLEDチップに透明樹脂で接着させたチップ組立体142として、パッケージにフリップチップ方式で実装したり、また別の例では、ワイヤーボンディング方式(電極面を上にして実装し、基板との結線はワイヤーボンディングで行う方式)で実装したりしている。また、特許文献3では、図14(b)に示すように、実装部(電極部)にバンプ146を有するLEDチップのバンプ先端部以外を、蛍光体粉末を分散させた樹脂で被覆して、構造体147にし、バンプ部に導電性接着剤を用いて、反射壁148をもつキャビティに実装し、透明樹脂で封止している。この2つの例も特許文献1と同様な改善を目的とした例である。
それは、光の集光機能が全くないことである。
前者は、フリップチップ方式の実装に変更して、特許文献3のような図15(b)で示すチップサイズパッケージ147のようにすれば、パッケージ基板は省略可能であるが、後者は、図15(b)の構造では解決できない。つまり、白色発光素子の光を集光させる機能は備わっていないのである。光の有効利用の観点から言うと、一定方向に光を向ける機能は、エコな照明には重要な要素である。しかも、この機能は、発光源の近くに置けば置くほど効果的である。つまり、発光装置から離れてその周囲に反射壁を置くより、発光装置の中に置くほうが効果的なのである。そのため発光装置内のパッケージに集光機能を持たせるのである。
1つは、放熱性についてである。4W級の白色発光素子130のp−nジャンクションで発生した熱は、図16(a)に示すように、LEDチップのアノード電極から、それに熱溶着されたパッケージ基板133の電極160に流れ、アルミナセラミック基板133、電極161、半田162、外部基板163へと多くの層を経由して流れていく。それに対して、図15(b)で示すチップサイズパッケージ147の場合、図16(b)に示すように、p−nジャンクションで発生した熱は、バンプ164、半田162、外部基板163へとダイレクトに流れ、基本的に放熱性は改善される構造と成る。具体的な計算を行うと、図16の(a)と(b)の差であるアルミナセラミック基板133の熱抵抗Rは、サイズ:3.56mm□,厚み:0.7mm,熱伝導率:16W/m・Kを用いると、R=3.68℃/Wとなり、4WのLEDとすると、温度はこの基板のために14.7℃上昇する。
他の1つは、光を一定方向に向ける集光用の樹脂レンズ134に関してであるが、図13(c)に示すように、樹脂レンズ134がパッケージ基板133に接する面の一定幅(約50μmの厚み)の部分137は、レンズ形状ではなく薄板状になっている。光がこの部分に入光すると横方向に光が漏れ、有効に利用できなくなる。この部分137ができる原因は、製造方法にあり、シリコン樹脂レンズを成型するコンプレス成型では、どうしても生じてしまう。また、この問題点に関しては、図15(b)で示すチップサイズパッケージ147では、集光の機能は全く備わっていないので解決できない。
青色光、紫色光、または紫外光を発光し、対向する2つの主面を持ち、一方の主面を光取り出し面とし、他方の主面を電極形成面とし、該電極形成面上にバンプを有し、かつ前記光取り出し面が前記電極形成面より小さい台形状に側面が傾斜している半導体発光素子の上に、前記光取り出し面より大きな対向する2つの主面を持ち、一方の主面を入光面とし、他方の主面を出光面とする蛍光体含有フィルム片が、前記光取り出し面と前記入光面を対向するように重ねて配置され、
前記半導体発光素子の光取り出し面からはみ出した蛍光体含有フィルム片から、該半導体発光素子の側面の傾斜部にかけての間には、透明層が形成され、
前記透明層を内包して、前記半導体発光素子の前記電極形成面と前記蛍光体含有フィルム片の前記出光面以外の露出面、もしくは、前記半導体発光素子のバンプにおいて外部基板に接合される接合面と前記蛍光体含有フィルム片の前記出光面以外の露出面が、反射壁で覆われていることを特徴とする発光装置
であって、半導体発光素子のp−nジャンクションで発光した光は、その大部分が光取り出し面から出て、その面と重ねて配置されている蛍光体含有フィルム片の入光面から、蛍光体含有フィルム片内に入り、蛍光体を発光させ、そのトータルの光が出光面から出て行き、照明用の白色光として利用される。
半導体発光素子の光取り出し面上には、蛍光体含有フィルム片が重ねて配置された白色発光素子であり、蛍光体の節約や色度の歩留改善、及び白色の点発光体であるため指向角による色度のバラツキ改善も可能なこと。
半導体発光素子の電極形成面(好ましくは、バンプ実装面)と蛍光体含有フィルム片の出光面以外の面は、反射壁で覆われており、出光面方向以外に行く光(半導体発光素子の電極形成面側に行く光、半導体発光素子の側面に行く光、蛍光体含有フィルム片の側面に行く光、等)は、反射壁で(電極形成面側に行く光は電極でも)効率よく反射され、この発光装置から出て行きにくい。つまり、光はこの反射壁により一定方向に集光されること。また、横方向の漏れ光が防げる構造であること。さらに、この反射壁は、発光源に密着して(つまり最も近い距離で)形成されているので、最も効率よく反射集光されること。
半導体発光素子がバンプ実装面で外部基板に実装されるチップサイズパッケージであるため、高価なパッケージ基板は使用していないこと。また、そのため放熱も半導体発光素子からバンプ、半田、外部基板へとダイレクトに流れること。である。
前記半導体発光素子と前記蛍光体含有フィルム片は、シリコン樹脂、または色度や色温度を補正するための色素または蛍光体を含有したシリコン樹脂で接着されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置
である。
前記蛍光体含有フィルム片の素材は、シリコン樹脂に数種の蛍光体粉末を分散させたものであり、前記反射壁の素材は、シリコン樹脂に酸化チタン微粉末を分散させたものであることを特徴とする請求項1または2の何れか1項に記載の発光装置である。
また、シリコン樹脂と酸化チタンの配合比は、顔料体積濃度で5〜30%程度が好ましい。
青色光、紫色光、または紫外光を発光し、対向する2つの主面を持ち、一方の主面を光取り出し面とし、他方の主面を電極形成面とし、該電極形成面上にバンプを有する半導体発光素子の上に、前記光取り出し面と同等な対向する2つの主面を持ち、または前記光取り出し面より大きな対向する2つの主面を持ち、一方の主面を入光面とし、他方の主面を出光面とする蛍光体含有フィルム片が、前記光取り出し面と前記入光面を対向するように重ねて配置され、前記半導体発光素子の前記電極形成面と前記蛍光体含有フィルム片の前記出光面以外の露出面、もしくは、前記半導体発光素子のバンプにおいて外部基板に接合される接合面と前記蛍光体含有フィルム片の前記出光面以外の露出面が、反射壁で覆われている発光装置を製造する方法であって、
蛍光体含有フィルムをダイシングシートに貼り付け、該蛍光体含有フィルムをダイシングブレードを用いて、行列状に配列された複数の前記蛍光体含有フィルム片に分割するA1工程と、
行列状に配列された複数の前記蛍光体含有フィルム片をワークシートに転写するA2工程と、
複数の前記蛍光体含有フィルム片上に、シリコン樹脂をポッティングし、前記半導体発光素子を前記光取り出し面を下にしてダイスボンドし、前記蛍光体含有フィルム片と前記半導体発光素子の2重構造体を形成するA3工程と、
行列状に配列された複数の前記2重構造体が存在する領域を、1つの通路を残して囲むようにワークシート上に貼り付けられる帯状の反射壁用スペーサと、該反射壁用スペーサの上面と前記半導体発光素子のバンプの接合面とに密着させて蓋をする天面シートとによって、前記1つの通路以外が密封された密閉空間を形成するA4工程と、
前記A4工程で形成された密封空間に前記反射壁を形成する反射壁用樹脂を前記1つの通路から充填し、硬化させることで、前記2重構造体の前記出光面と前記バンプの接合面以外を前記反射壁で覆うA5工程と、
前記ワークシートと天面シートを剥がし、反射壁で結合され板状になった2重構造体をダイシングシートに貼り付け、ダイシングブレードで、隣接する2重構造体の中央をダイシングすることにより、個別の前記発光装置に分割するA6工程と、から成ることを特徴とする発光装置の製造方法である。
この製造方法は、特許文献4と類似の工程もあるが、反射壁の厚みがダイシングによって規定されるのは、蛍光体含有フィルム片の側面で、半導体発光素子の側面ではない点が異なっている。
前記蛍光体含有フィルムは、
第1の剥離シート上に、該蛍光体含有フィルムを形成するフィルム形成空間を囲むように、閉じた帯状の蛍光体用スペーサを貼り付けるC1工程と、
蛍光体粉末を分散させた蛍光体含有シリコン樹脂を供給機構で、前記フィルム形成空間にポッティングするC2工程と、
前記蛍光体含有シリコン樹脂を、前記蛍光体用スペーサの厚みで、前記フィルム形成空間を満たすC3工程と、
前記フィルム形成空間に第2の剥離シートで蓋をして、平滑で剛性の高い板で、前記第1および第2の剥離シートを介して、前記フィルム形成空間を挟み込み、一定の圧力を加えながら硬化させるC4工程と、
から成る工程で製造されることを特徴としている。
前記ワークシート、前記反射壁用スペーサ、前記天面シート、及び前記蛍光体用スペーサは、耐熱性樹脂から成る基材シートの一方の面上に紫外線硬化性の粘着糊(以後、UV糊と記する)をコートしたものであることを特徴とする発光装置の製造方法である。
前記反射壁用樹脂は、
前記ワークシート上に前記1つの通路を持ち、前記A4工程で形成された密封空間を形成している構造体に紫外光を照射して、前記構造体のUV糊を硬化させるD1工程と、前記構造体を真空引きが可能なチャンバー内に置き、該チャンバー内を真空引きするD2工程と、該チャンバー内に置かれた前記構造体の前記1つの通路を塞ぐように前記反射壁用樹脂をポッティングするD3工程と、前記チャンバー内の気圧を徐々に大気圧に近づけ、前記反射壁用樹脂が前記1つの通路を通って、前記A4工程で形成された密封空間に充填されるD4工程と、から成る工程で充填されることを特徴とする発光装置の製造方法である。
前記A2工程とA3工程の間に、前記蛍光体含有フィルム片の下方から前記半導体発光素子と同じ波長の光を発する発光体で、該蛍光体含有フィルム片を照射し、上方のディテクターで、該蛍光体含有フィルム片で変換された光の色度または色温度等を測定するE1工程を加えることを特徴とする発光装置の製造方法である。
前記A3工程で用いる前記シリコン樹脂は、前記E1工程の測定データを基にして、色度または色温度を補正するための色素または蛍光体粉末が分散されたシリコン樹脂であることを特徴とする発光装置の製造方法である。
前記ワークシートまたは前記天面シートの前記耐熱性樹脂から成る基材シートにおいて、UV糊がコートされる面は、該糊との接着強度を増すために、すりガラス状に荒らされていることを特徴とする発光装置の製造方法である。
対向する2つの主面を持ち、一方の主面を光取り出し面とし、他方の主面を電極形成面とし、該電極形成面上にバンプを有する半導体発光素子の上に、前記光取り出し面と同等な対向する2つの主面を持ち、または前記光取り出し面より大きな対向する2つの主面を持ち、一方の主面を入光面とし、他方の主面を出光面とする透明フィルム片が、前記光取り出し面と前記入光面を対向するように重ねて配置され、前記半導体発光素子の前記電極形成面と前記透明フィルム片の前記出光面以外の露出面、もしくは、前記半導体発光素子のバンプにおいて外部基板に接合される接合面と前記透明フィルム片の前記出光面以外の露出面が、反射壁で覆われている発光装置を製造する方法であって、
透明フィルムをダイシングシートに貼り付け、該透明フィルムをダイシングブレードを用いて、行列状に配列された複数の前記透明フィルム片に分割するA1工程と、
行列状に配列された複数の前記透明フィルム片をワークシートに転写するA2工程と、
複数の前記透明フィルム片上に、シリコン樹脂をポッティングし、前記半導体発光素子を前記光取り出し面を下にしてダイスボンドし、前記透明フィルム片と前記半導体発光素子の2重構造体を形成するA3工程と、
行列状に配列された複数の前記2重構造体が存在する領域を、1つの通路を残して囲むようにワークシート上に貼り付けられる帯状の反射壁用スペーサと、該反射壁用スペーサの上面と前記半導体発光素子のバンプの接合面とに密着させて蓋をする天面シートとによって、前記1つの通路以外が密封された密閉空間を形成するA4工程と、
前記A4工程で形成された密封空間に前記反射壁を形成する反射壁用樹脂を前記1つの通路から充填し、硬化させることで、前記2重構造体の前記出光面と前記バンプの接合面以外を前記反射壁で覆うA5工程と、
前記ワークシートと天面シートを剥がし、反射壁で結合され板状になった2重構造体をダイシングシートに貼り付け、ダイシングブレードで、隣接する2重構造体の中央をダイシングすることにより、個別の前記発光装置に分割するA6工程と、から成ることを特徴とする発光装置の製造方法である。
高価なパッケージ基板を使用しないので、低コスト化ができる。
半導体発光素子の光取り出し面上には、蛍光体含有フィルム片が重ねて配置された白色発光素子であり、蛍光体の節約、及び白色の点発光体であるため指向角による色度のバラツキ改善ができる。
半導体発光素子のバンプ実装面と蛍光体含有フィルム片の出光面以外の面は、反射壁で覆われており、出光面方向以外に行く光(特に、半導体発光素子の側面に行く光、蛍光体含有フィルム片の側面に行く光、等)は、反射壁で分散反射され、一定方向に集光される。
さらに、この反射壁は、発光源に密着して(つまり最も近い距離で)形成されているので、分散反射では、最も効率よく反射集光でき、高輝度にすることができる。
さらに、半導体発光素子がバンプ実装面で外部基板に実装されるため、放熱も半導体発光素子からバンプ、半田、外部基板へとダイレクトに流される。
また、製造方法においても、蛍光体含有フィルム片の選別が可能で、目的の色度または色温度の発光装置を歩留良く、効率良く製造することができる。
まず、A1工程(図5(a))では、蛍光体含有フィルム50をダイシングシート51に貼り付けた後、幅150〜200μmのダイシングブレード52aを用いてダイサーで、矩形状にフルカットする。そのサイズは、青色LED素子のサイズより、縦横がそれぞれ50〜100μm程度大きくなるようにする。
この場合の発光装置10は、図2に示すように、ほとんど第1実施形態と同じであるが、製造方法を簡略化するために、構造上に少し制約を受けている点が異なっている。それは、蛍光体含有フィルム片の側面の一部に反射壁がない部分13が生じることである。そのために、わずかな横漏れ光が発生する可能性はあるが、前記した課題は、第1実施形態の発光装置1と同じように、ほぼ解決できている。
この図6(a)では、蛍光体含有フィルム50をワークシート53に直接貼り付けた後、幅150〜200μmのダイシングブレード52aを用いてダイサーで、矩形状にフルカットではなく、蛍光体含有フィルム50の連結部62を残して切り溝を入れ、蛍光体含有フィルム片状突起物60とする。そのサイズは、青色LED素子のサイズより、縦横がそれぞれ50〜100μm程度大きくなるようにする。その目的は、図5(b)の転写工程であるA2工程が省略できるためである。ダイサーで蛍光体含有フィルム50をフルカットするA1工程では、シートまで切り込むのでシートを取り替える必要が生じ、転写工程が必要になる。また、この連結部62は、できるだけ薄くすることが好ましい。また、ダイサーではなく、コンプレス成型機で突起状に作ることもできる。
以下、図6(b)は、蛍光体含有フィルム片2を蛍光体含有フィルム片状突起物60に置き換え、2重構造体56を2重構造体突起物61に置き換えれば、A3工程と同じ工程である。
同様に、図6(c)は、A4工程と、図6(d)は、A5工程と、図6(e)は、A6工程と同じである。なお、図6(c)の密封空間Qは、A4工程(図5(d))の密封空間Pに対応している。
この場合の発光装置30は、蛍光体含有フィルム片2の代わりに、透明フィルム片31を用いる。そのため、半導体発光素子32の発光色がそのまま発光装置30の発光色となる。
その製造方法は、第1実施形態と同じで、蛍光体含有フィルムを透明フィルムに置き換えればよい。
この場合の発光装置40は、第3実施形態の透明フィルム片41の形状か異なり、側面の一部に反射壁がない。したがって、ここから横漏れ光が発生するが、これを利用して配光の異なる発光装置を作ることができる。
その製造方法は、第2実施形態と同じで、蛍光体含有フィルムを透明フィルムとすれば良い。透明フィルム片41の側面形状は、自由に変えることができるので、反射壁12の形状も調整でき、配光も調整できる。
まず、C1工程(a)では、厚さ0.1mmの剥離シート70上に、フィルム形成空間77を囲むように閉じた帯状の蛍光体用スペーサ71を貼り付け、蛍光体フィルム用ワーク78とする。このスペーサ71の厚みは、100μm程度である。
また、この不具合に関して、図12で示すように、ワークシート53または天面シート58に使用するPET樹脂から成る基材シート121のUV糊122がコートされる面は、すりガラス状に荒し、UV糊122との接着強度を増したUVシートを使用することにより、完全に解消することができる。
このE1工程は、第1実施形態において、A2工程とA3工程の間に実施される工程で、蛍光体含有フィルム片2の下方から、半導体発光素子6とほぼ同じ波長の光を発する発光体111で、この蛍光体含有フィルム片2を照射し、上方のディテクター110で、この蛍光体含有フィルム片2で変換された光の色度または色温度等を測定する。
このE1工程を追加することによって、そのデータを基に、蛍光体含有フィルム片2の選別(良否判定)を行ったり、A3工程で、接着用のシリコン樹脂55に蛍光体粉末を分散させ、色度または色温度を補正することができる。その結果、色度歩留が改善される。
このE1工程は、第2実施形態においても、B1工程とB2工程の間に実施されれば、同じ効果をもたらす。
この発光装置170に使用する半導体発光素子175は、光取り出し面が電極形成面より小さい台形状で、側面が傾斜しており、この面からの光取り出しも考慮されている。また、電極形成面のn電極174(大部分を占めている)とp電極173は、熱溶着接合のためにAu−Snを3μmの厚みで形成されている。蛍光体含有フィルム片171と半導体発光素子175を接着する接着用シリコン樹脂176は、半導体発光素子175の側面の傾斜部に表面張力で透明層176を形成するように少し多めにポッティングし、側面からの光の取り出しを助けることが重要である。その外側に反射壁172が形成される。
また、電極上のAu−Snメッキが、3μmと薄いので、電極形成面の隙間には反射壁は完全には形成されない(全く形成されない場合と、端に部分的に形成される場合もある)が、反射率を考慮された電極が大部分を占めているので、十分に課題は解決している。ただ、実装後に電極形成面の露出した部分は、アンダーフィルなどで保護しておくほうが良い。
2,11,171 蛍光体含有フィルム片
3,12,172 反射壁
4,5 バンプ
6,32,175 半導体発光素子
7( バンプの)接合面
8,33 出光面
13 反射壁のない部分
31,41 透明フィルム片
51 ダイシングシート
52a,b ダイシングブレード
53 ワークシート
54 ダイボンダー
55,176 接着用シリコン樹脂
56 2重構造体
Claims (11)
- 青色光、紫色光、または紫外光を発光し、対向する2つの主面を持ち、一方の主面を光取り出し面とし、他方の主面を電極形成面とし、該電極形成面上にバンプを有し、かつ前記光取り出し面が前記電極形成面より小さい台形状に側面が傾斜している半導体発光素子の上に、前記光取り出し面より大きな対向する2つの主面を持ち、一方の主面を入光面とし、他方の主面を出光面とする蛍光体含有フィルム片が、前記光取り出し面と前記入光面を対向するように重ねて配置され、
前記半導体発光素子の光取り出し面からはみ出した蛍光体含有フィルム片から、該半導体発光素子の側面の傾斜部にかけての間には、透明層が形成され、
前記透明層を内包して、前記半導体発光素子の前記電極形成面と前記蛍光体含有フィルム片の前記出光面以外の露出面、もしくは、前記半導体発光素子のバンプにおいて外部基板に接合される接合面と前記蛍光体含有フィルム片の前記出光面以外の露出面が、反射壁で覆われていることを特徴とする発光装置。 - 前記半導体発光素子と前記蛍光体含有フィルム片は、シリコン樹脂、または色度や色温度を補正するための色素または蛍光体を含有したシリコン樹脂で接着されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記蛍光体含有フィルム片の素材は、シリコン樹脂に数種の蛍光体粉末を分散させたものであり、前記反射壁の素材は、シリコン樹脂に酸化チタン微粉末を分散させたものであることを特徴とする請求項1または2記載の発光装置。
- 青色光、紫色光、または紫外光を発光し、対向する2つの主面を持ち、一方の主面を光取り出し面とし、他方の主面を電極形成面とし、該電極形成面上にバンプを有する半導体発光素子の上に、前記光取り出し面と同等な対向する2つの主面を持ち、または前記光取り出し面より大きな対向する2つの主面を持ち、一方の主面を入光面とし、他方の主面を出光面とする蛍光体含有フィルム片が、前記光取り出し面と前記入光面を対向するように重ねて配置され、前記半導体発光素子の前記電極形成面と前記蛍光体含有フィルム片の前記出光面以外の露出面、もしくは、前記半導体発光素子のバンプにおいて外部基板に接合される接合面と前記蛍光体含有フィルム片の前記出光面以外の露出面が、反射壁で覆われている発光装置を製造する方法であって、
蛍光体含有フィルムをダイシングシートに貼り付け、該蛍光体含有フィルムをダイシングブレードを用いて、行列状に配列された複数の前記蛍光体含有フィルム片に分割するA1工程と、
行列状に配列された複数の前記蛍光体含有フィルム片をワークシートに転写するA2工程と、
複数の前記蛍光体含有フィルム片上に、シリコン樹脂をポッティングし、前記半導体発光素子を前記光取り出し面を下にしてダイスボンドし、前記蛍光体含有フィルム片と前記半導体発光素子の2重構造体を形成するA3工程と、
行列状に配列された複数の前記2重構造体が存在する領域を、1つの通路を残して囲むようにワークシート上に貼り付けられる帯状の反射壁用スペーサと、該反射壁用スペーサの上面と前記半導体発光素子のバンプの接合面とに密着させて蓋をする天面シートとによって、前記1つの通路以外が密封された密閉空間を形成するA4工程と、
前記A4工程で形成された密封空間に前記反射壁を形成する反射壁用樹脂を前記1つの通路から充填し、硬化させることで、前記2重構造体の前記出光面と前記バンプの接合面以外を前記反射壁で覆うA5工程と、
前記ワークシートと天面シートを剥がし、反射壁で結合され板状になった2重構造体をダイシングシートに貼り付け、ダイシングブレードで、隣接する2重構造体の中央をダイシングすることにより、個別の前記発光装置に分割するA6工程と、から成ることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記蛍光体含有フィルムは、
第1の剥離シート上に、該蛍光体含有フィルムを形成するフィルム形成空間を囲むように、閉じた帯状の蛍光体用スペーサを貼り付けるC1工程と、
蛍光体粉末を分散させた蛍光体含有シリコン樹脂を供給機構で、前記フィルム形成空間にポッティングするC2工程と、
前記蛍光体含有シリコン樹脂を、前記蛍光体用スペーサの厚みで、前記フィルム形成空間を満たすC3工程と、
前記フィルム形成空間に第2の剥離シートで蓋をして、平滑で剛性の高い板で、前記第1および第2の剥離シートを介して、前記フィルム形成空間を挟み込み、一定の圧力を加えながら硬化させるC4工程と、から成る工程で製造されることを特徴とする請求項4記載の発光装置の製造方法。 - 前記ワークシート、前記反射壁用スペーサ、前記天面シート、及び前記蛍光体用スペーサは、耐熱性樹脂から成る基材シートの一方の面上に紫外線硬化性の粘着糊をコートしたものであることを特徴とする請求項5記載の発光装置の製造方法。
- 前記反射壁用樹脂は、
前記ワークシート上に前記1つの通路を持ち、前記A4工程で形成された密封空間を形成している構造体に紫外光を照射して、該構造体の紫外線硬化性の粘着糊を硬化させるD1工程と、
前記構造体を真空引きが可能なチャンバー内に置き、該チャンバー内を真空引きするD2工程と、
該チャンバー内に置かれた前記構造体の前記1つの通路を塞ぐように前記反射壁用樹脂をポッティングするD3工程と、
前記チャンバー内の気圧を徐々に大気圧に近づけ、前記反射壁用樹脂が前記1つの通路を通って、前記A4工程で形成された密封空間に充填されるD4工程と、から成る工程で充填されることを特徴とする請求項6記載の発光装置の製造方法。 - 前記A2工程とA3工程の間に、前記蛍光体含有フィルム片の下方から前記半導体発光素子と同じ波長の光を発する発光体で、該蛍光体含有フィルム片を照射し、上方のディテクターで、該蛍光体含有フィルム片で変換された光の色度または色温度等を測定するE1工程を加えることを特徴とする請求項4〜7の何れか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記A3工程で用いる前記シリコン樹脂は、前記E1工程の測定データを基にして、色度または色温度を補正するための色素または蛍光体粉末が分散されたシリコン樹脂であることを特徴とする請求項8記載の発光装置の製造方法。
- 前記ワークシートまたは前記天面シートの前記耐熱性樹脂から成る基材シートにおいて、紫外線硬化性の粘着糊がコートされる面は、該糊との接着強度を増すために、すりガラス状に荒らされていることを特徴とする請求項6〜9の何れか1項に記載の発光装置の製造方法。
- 対向する2つの主面を持ち、一方の主面を光取り出し面とし、他方の主面を電極形成面とし、該電極形成面上にバンプを有する半導体発光素子の上に、前記光取り出し面と同等な対向する2つの主面を持ち、または前記光取り出し面より大きな対向する2つの主面を持ち、一方の主面を入光面とし、他方の主面を出光面とする透明フィルム片が、前記光取り出し面と前記入光面を対向するように重ねて配置され、前記半導体発光素子の前記電極形成面と前記透明フィルム片の前記出光面以外の露出面、もしくは、前記半導体発光素子のバンプにおいて外部基板に接合される接合面と前記透明フィルム片の前記出光面以外の露出面が、反射壁で覆われている発光装置を製造する方法であって、
透明フィルムをダイシングシートに貼り付け、該透明フィルムをダイシングブレードを用いて、行列状に配列された複数の前記透明フィルム片に分割するA1工程と、
行列状に配列された複数の前記透明フィルム片をワークシートに転写するA2工程と、
複数の前記透明フィルム片上に、シリコン樹脂をポッティングし、前記半導体発光素子を前記光取り出し面を下にしてダイスボンドし、前記透明フィルム片と前記半導体発光素子の2重構造体を形成するA3工程と、
行列状に配列された複数の前記2重構造体が存在する領域を、1つの通路を残して囲むようにワークシート上に貼り付けられる帯状の反射壁用スペーサと、該反射壁用スペーサの上面と前記半導体発光素子のバンプの接合面とに密着させて蓋をする天面シートとによって、前記1つの通路以外が密封された密閉空間を形成するA4工程と、
前記A4工程で形成された密封空間に前記反射壁を形成する反射壁用樹脂を前記1つの通路から充填し、硬化させることで、前記2重構造体の前記出光面と前記バンプの接合面以外を前記反射壁で覆うA5工程と、
前記ワークシートと天面シートを剥がし、反射壁で結合され板状になった2重構造体をダイシングシートに貼り付け、ダイシングブレードで、隣接する2重構造体の中央をダイシングすることにより、個別の前記発光装置に分割するA6工程と、から成ることを特徴とする発光装置の製造方法。
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