JP5759995B2 - 添加物を含み、カプセル化された半導体ナノ粒子ベース材料 - Google Patents
添加物を含み、カプセル化された半導体ナノ粒子ベース材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5759995B2 JP5759995B2 JP2012530327A JP2012530327A JP5759995B2 JP 5759995 B2 JP5759995 B2 JP 5759995B2 JP 2012530327 A JP2012530327 A JP 2012530327A JP 2012530327 A JP2012530327 A JP 2012530327A JP 5759995 B2 JP5759995 B2 JP 5759995B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- primary
- primary particles
- beads
- quantum dots
- matrix material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims description 120
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 115
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims description 79
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 65
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 152
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 72
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 72
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 71
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 70
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 49
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 41
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 36
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 31
- -1 polydiene Polymers 0.000 claims description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 18
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 15
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 15
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 12
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 10
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims description 10
- 239000011325 microbead Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 7
- XWJBRBSPAODJER-UHFFFAOYSA-N 1,7-octadiene Chemical compound C=CCCCCC=C XWJBRBSPAODJER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229940123457 Free radical scavenger Drugs 0.000 claims description 6
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 claims description 6
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 4
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 claims description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 4
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920000779 poly(divinylbenzene) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 claims description 3
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 3
- CZBZUDVBLSSABA-UHFFFAOYSA-N butylated hydroxyanisole Chemical compound COC1=CC=C(O)C(C(C)(C)C)=C1.COC1=CC=C(O)C=C1C(C)(C)C CZBZUDVBLSSABA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- UTGFOWQYZKTZTN-UHFFFAOYSA-N hepta-1,6-dien-4-ol Chemical compound C=CCC(O)CC=C UTGFOWQYZKTZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- FBCQUCJYYPMKRO-UHFFFAOYSA-N prop-2-enyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC=C FBCQUCJYYPMKRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QAQJMLQRFWZOBN-LAUBAEHRSA-N L-ascorbyl-6-palmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O QAQJMLQRFWZOBN-LAUBAEHRSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011786 L-ascorbyl-6-palmitate Substances 0.000 claims description 2
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000010385 ascorbyl palmitate Nutrition 0.000 claims description 2
- WBZKQQHYRPRKNJ-UHFFFAOYSA-L disulfite Chemical compound [O-]S(=O)S([O-])(=O)=O WBZKQQHYRPRKNJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052949 galena Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- FILUFGAZMJGNEN-UHFFFAOYSA-N pent-1-en-3-yne Chemical group CC#CC=C FILUFGAZMJGNEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 222
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 211
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 37
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 27
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 21
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 18
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 17
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 11
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 9
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 8
- BYCZEMFWXYCUSJ-UHFFFAOYSA-N 13-hydroxydocosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)CCCCCCCCCCCC(O)=O BYCZEMFWXYCUSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 6
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 5
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L magnesium stearate Chemical compound [Mg+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O HQKMJHAJHXVSDF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 4
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 4
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 2-cyanobenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1C#N TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,1,1-trifluorobutane Chemical compound FC(F)(F)CCCBr DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 3
- 235000021360 Myristic acid Nutrition 0.000 description 3
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N Myristic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 150000002924 oxiranes Chemical class 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000003361 porogen Substances 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 2
- GVJHHUAWPYXKBD-UHFFFAOYSA-N (±)-α-Tocopherol Chemical compound OC1=C(C)C(C)=C2OC(CCCC(C)CCCC(C)CCCC(C)C)(C)CCC2=C1C GVJHHUAWPYXKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003402 CdSe-ZnS Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002633 Kraton (polymer) Polymers 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001866 hydroxypropyl methyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920003088 hydroxypropyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000010979 hydroxypropyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N hydroxypropyl methyl cellulose Chemical compound OC1C(O)C(OC)OC(CO)C1OC1C(O)C(O)C(OC2C(C(O)C(OC3C(C(O)C(O)C(CO)O3)O)C(CO)O2)O)C(CO)O1 UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003132 hydroxypropyl methylcellulose phthalate Polymers 0.000 description 2
- 229940031704 hydroxypropyl methylcellulose phthalate Drugs 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 2
- 235000019359 magnesium stearate Nutrition 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical class CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007539 photo-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 239000002345 surface coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- BVQJQTMSTANITJ-UHFFFAOYSA-N tetradecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O BVQJQTMSTANITJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMFMTNROJASFBW-UHFFFAOYSA-N 2-(furan-2-ylmethylsulfinyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CS(=O)CC1=CC=CO1 BMFMTNROJASFBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBAHZZVIEFRTEY-UHFFFAOYSA-N 2-heptylcyclohex-2-en-1-one Chemical compound CCCCCCCC1=CCCCC1=O HBAHZZVIEFRTEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-4-[(4-methyl-2-nitrophenyl)diazenyl]-N-(3-nitrophenyl)naphthalene-2-carboxamide Chemical compound Cc1ccc(N=Nc2c(O)c(cc3ccccc23)C(=O)Nc2cccc(c2)[N+]([O-])=O)c(c1)[N+]([O-])=O MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIQIXEFWDLTDED-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-1-piperidin-4-ylpyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CC(O)CN1C1CCNCC1 HIQIXEFWDLTDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 229920000936 Agarose Polymers 0.000 description 1
- 101710141544 Allatotropin-related peptide Proteins 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018509 Al—N Inorganic materials 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910020203 CeO Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001367 Merrifield resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930003427 Vitamin E Natural products 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001361 allenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229940057499 anhydrous zinc acetate Drugs 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000010560 atom transfer radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N azide group Chemical group [N-]=[N+]=[N-] IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000090 biomarker Substances 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007265 chloromethylation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012612 commercial material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001212 derivatisation Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- BEFDCLMNVWHSGT-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclopentane Chemical compound C=CC1CCCC1 BEFDCLMNVWHSGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical class OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIGCFUFOHFEKBI-UHFFFAOYSA-N gamma-tocopherol Natural products CC(C)CCCC(C)CCCC(C)CCCC1CCC2C(C)C(O)C(C)C(C)C2O1 WIGCFUFOHFEKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000004668 long chain fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004530 micro-emulsion Substances 0.000 description 1
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011234 nano-particulate material Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004172 nitrogen cycle Methods 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001184 polypeptide Polymers 0.000 description 1
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 235000020777 polyunsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 1
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 1
- 229920013730 reactive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000012508 resin bead Substances 0.000 description 1
- 238000006798 ring closing metathesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007152 ring opening metathesis polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007614 solvation Methods 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 239000004334 sorbic acid Substances 0.000 description 1
- 235000010199 sorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940075582 sorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N tert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P ZGNPLWZYVAFUNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 description 1
- FYUZFGQCEXHZQV-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hydroxy)silane Chemical compound CCO[Si](O)(OCC)OCC FYUZFGQCEXHZQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphane oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000019165 vitamin E Nutrition 0.000 description 1
- 229940046009 vitamin E Drugs 0.000 description 1
- 239000011709 vitamin E Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L zinc acetate Chemical compound [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
- C09K11/562—Chalcogenides
- C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
1次マトリックス材料は、光学的に透過な媒体、即ち、光が通過して、そして必ずでないが、光学的にほぼ透明な媒体であることが好ましい。1次マトリックス材料は、ビーズ又はマイクロビーズの形態であることが好ましく、樹脂、ポリマー、モノリス、ガラス、ゾルゲル、エポキシ、シリコーン、(メタ)アクリレート等であってよく、或いは、シリカを含んでいてよい。
半導体ナノ粒子を含む1次粒子へ、単一又は任意の望ましい組合せで加えられ得る添加物は、以下に示すような意図した機能によって、グループ化できる。
a.機械的シーリング(Mechanical sealing):ヒュームドシリカ(例えば、Cab−O−SilTM)、ZnO、TiO2、ZrO、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸亜鉛。全てが、機械的シーリングを与える、及び/又は多孔率を減ずるフィルターとして使用される。
b.キャッピング剤:テトラデシルホスホン酸(TDPA)、オレイン酸、ステアリン酸、ポリ不飽和脂肪酸、ソルビン酸、メタアクリル酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸亜鉛、イソプロピルミリステート。これらの幾つかは、複数の官能性を有しており、キャッピング剤、遊離基捕捉剤、及び/又は還元剤として機能する。
c.還元剤:アスコルビン酸パルミテート、α−トコフェノール(ビタミンE)、オクタンチオール、ブチルヒドロキシアニソール(BHA)、ブチルヒドロキシトルエン(BHT)、ガレートエステル(プロピル、ラウリル、オクチルなど)、及びメタ重亜硫酸(例えば、ナトリウム又はカリウム塩)。
d.遊離基捕捉剤:ベンゾフェノン、及び
e.水素化物反応剤(Hydride reactive agents):1,4−ブタンジオール、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸アリル、1,6ヘプタジエン−4−オル、1,7オクタジエン、及び1,4ブタジエン。
1次粒子に与えられてよいコーティングが意図する機能の1つは、各1次粒子に保護バリアを与えて、酸素、水分又はフリーラジカル等の有害であり得る種が、外部環境から1次マトリックス材料を通って半導体ナノ粒子にまで及ぶような通過又は拡散を防止することである。結果として、半導体ナノ粒子は、周囲環境と、LEDベースの発光デバイスの製造等の用途においてナノ粒子を利用するのに通常要求される種々の処理条件とに対して反応し難くなる。
望ましい任意の種類の半導体ナノ粒子が本発明において利用されてよい。好ましい実施形態において、ナノ粒子はイオンを含み、限定するものでないが、周期表の11族、12族、13族、14族、15族又は16族等の望ましい任意の群から選ばれてよい。ナノ粒子は、遷移金属イオン又はd−ブロック金属イオンを組み込んでよい。ナノ粒子は、第1イオン及び第2イオンを含むことが好ましく、第1イオンは、周期表の11族、12族、13族又は14族から選ばれることが好ましく、第2イオンは、14族、15族又は16族から選ばれることが好ましい。ナノ粒子は、CdO、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、InP、InAs、InSb、AlP、AlS、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、PbS、PbSe、Si、Ge、MgS、MgSe、MgTe及びそれらの組合せからなる群から選ばれる1又は複数の半導体材料を含んでよい。更に、ナノ粒子は、バイナリーコア型、ターシャリーコア型又はクォータナリーコア型、コア−シェル型又はコア−マルチシェル型、ドープ又は傾斜(graded)ナノ粒子であってよい。
量子ドットをビーズに組み込む初期工程を考えると、第1オプションは、量子ドットをビーズに直接組み込むことである。第2オプションは、物理的な取り込み(entrapment)によって量子ドットをビーズに固定化する(immobilise)ことである。これらの方法を用いて、単一タイプの量子ドットをビーズに組み込むことによって、単一タイプの量子ドット(例えば、単色)のみを含むビーズの集団を製造することが可能である。代わりに、2以上のタイプの量子ドット(例えば、材料及び/又はサイズ)の混合物をビーズに組み込むことによって、2以上のタイプの量子ドット(例えば、2以上の色)を含むビーズを構成することが可能である。このような混合されたビーズは、その後、適切な任意の比率で組み合わされて、1次光源(例えばLED)によって放射された1次光による励起の後に任意の所望の色の2次光を放射できる。これは、QD−ビーズ発光デバイスを概略的に示す図4乃至図6において以下に例示されている。図4は、a)各ビーズが白色の2次光を放射し、各ビーズがマルチカラーマルチ量子ドットタイプである、図5は、b)各ビーズが、単色を放射する単一量子ドットタイプであり、ビーズの混合物は白色の2次光を生み出すように組み合わされている、異なる種類のビーズがカラーマルチ量子ドットタイプである、図6は、c)ビーズの混合物が例えば赤等の単色の2次光を放射するような、全てのビーズが単色の単一量子ドットタイプである、QD−ビーズ発光デバイスを示している。
ビーズ形成中に量子ドットを直接1次粒子(即ち、ビーズ)に組み込む第1オプションに関して、例えば、適切なコア型、コア/シェル型又はコア/マルチシェル型ナノ粒子(例えば、InP/ZnSコア/シェル型量子ドット)が、1又は複数のビーズ前駆体(例えば、アクリレートモノマー、ケイ酸材料、又は双方の組合せ)に接触させられて、その後適切な条件(例えば、重合開始剤の導入)にさらされて、ビーズ材料が形成されてよい。1又は複数の安定性を高める添加物は、ナノ粒子がビーズ前駆体と接触する反応混合物に導入されてよい。さらに、この段階において、表面コーティングをビーズに施すことができる。
1次粒子に量子ドットを組み込む第2のオプションにおいて、量子ドットは、物理的な取り込みによって1次マトリックス材料に固定化されてよい。例えば、適切な溶媒(例えば、有機溶媒)中の量子ドットの溶液が、1次粒子のサンプルとインキュベートされてよい。任意の適切な方法を用いて溶媒を除去することで、量子ドットは、1次粒子の1次マトリックス材料に固定される。量子ドットが溶けやすい溶媒(例えば、有機溶媒)にサンプルが再懸濁されない限り、量子ドットは、粒子に固定されたままである。1又は複数の安定性を高める添加物は、例えば、1次粒子と共にインキュベートされる量子ドット溶液に含まれてよい。或いは、まず、量子ドットが1次粒子に加えられ、その後、1又は複数の添加物が1次粒子に加えられてよい。更に、この段階で、もし望むのであれば、表面コーティングが1次粒子に与えられる。
前述したように、好ましい1次マトリックス材料は、ゾル−ゲル又はガラス等の光学的に透明な媒体である。このような1次マトリックス材料は、前述したような粒子形成処理中に1次粒子に量子ドットを組み込むために用いられる方法と類似したやり方で形成されてよい。例えば、単一タイプの量子ドット(例えば、1色)は、ゾル−ゲル又はガラスを生成するのに用いられる反応混合物に加えられてよい。代わりに、2以上のタイプの量子ドット(例えば、2以上の色)が、ゾル−ゲル又はガラスを生成するのに用いられる反応混合物に加えられてよい。これらの手順によって生成されたゾル−ゲル及びガラスは、任意の形状、形態、又は3次元構造を有してよい。例えば、結果として生じる1次粒子は、球状、円盤状、棒状、卵形、立方体、長方形、又は他の多くの有り得る任意の形状であってよい。上述した安定性を高める添加物の何れも、量子ドット含有ガラスビーズに加えることができる。幾つかのシリカベースのビーズは、例えば、ポリマー樹脂ビーズ(例えば、アクリレートベースのビーズ)と比較して、相対的に低い多孔率を示す。それ故、シリカベース材料からビーズが作製される場合、ビーズ形成後に添加物を加えるよりも、初期のビーズ形成の中に、各添加物を加える方が有利であり、より多孔性のビーズ材料を使う場合には更に有利であろう。
金属酸化物又は金属窒化物等の量子ドット含有1次粒子に、無機材料を含む表面コーティングを与えることが所望される好ましい実施形態では、コーティングを堆積するのに特に好ましい処理は、原子層堆積法(ALD)であるが、他の適切な技術が用いられてよいことは理解できるであろう。
1)量子ドット含有1次粒子の表面を金属前駆体へ曝す工程と、
2)1次粒子を含む反応チャンバをパージして、非反応金属前駆体、及びあらゆる気体反応副産物を除去する工程と、
3)1次粒子の表面を酸化物前駆体へ曝す工程と、
4)反応チャンバをパージする工程と、
を有する。
前述のように、量子ドットを含有するビーズへの1又は2以上の添加物の添加は、多くの利点を有するが、本発明の1つの重要な利点は、前述したように生成された、添加物含有量子ドットビーズ(QD-ビーズ)は、単に、所望量のQD-ビーズ材料を計量して、これを所望量の市販のLEDカプセル材材料に加えるだけで、LEDカプセル材材料に組み込まれることである。
任意の既存の市販のLEDカプセル材が、本発明に従って生成された、添加物含有QD-ビーズと共に使用されてよい。好ましいLEDカプセル材は、シリコーン、エポキシ、(メタ)アクリレート及び他のポリマーを含むが、シリカガラス、シリカゲル、シロキサン、ゾルゲル、ヒドロゲル、アガロース、セルロース、エポキシ、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリビニル、ポリ−ジアセチレン、ポリフェニレン−ビニレン、ポリスチレン、ポリピロール、ポリイミド、ポリイミダゾール、ポリスルホン、ポリチオフェン、ポリリン酸、ポリ(メタ)アクリレート、ポリアクリルアミド、ポリペプチド、多糖類、及びこれらの組合せ等の非限定の更なるオプションが利用可能であることは当業者によって理解できるであろう。
添加物含有QD-ビーズ−LEDから出力された光(「2次光」)の色は、分光計を用いて測定できる。その後、発光デバイスの特定の色が、例えば2°CIE 1931色度図(図2参照)等の色度図上で色座標(colour coordinate)として表現されるように、スペクトル出力(mW/nm)が数学的に処理されてよい。
が、以下のように計算できる:
演色は、基準光源によって光が照射された場合の対象物の見え方と比較して、正しい色で見えるように対象物に光を照射できる光源の能力を表している。通常、基準光源は、100の演色指数(CRI)が割り当てられるタングステンフィラメント電球である。一般の照明として受け入れられるためには、白色発光デバイス源は、CRI>80であることが要求される。粗末な演色の例は、非常に粗末な演色能力を有するナトリウム街路灯である。即ち、ナトリウムランプにより光が照射された黄色の車から赤い車を区別することは、暗闇のナトリウムランプの下では双方ともがグレーに見えて、困難である。
以下の実施例1及び2は、添加物含有量子ドットビーズの調製を記載し、実施例3は、それらビーズがどのようにしてコートされるかを記載する、これら実施例は、例えば、新しい改良された量子ドットベースの発光デバイスの製造に用いることができる。合成方法の節では、量子ドットを生成するための2つの方法(1.1及び1.2)、及び量子ドットを1次粒子又は「ビーズ」に組み込むための3つの方法(2.1、2.2及び2.3)を提供する。
1.1 CdSe/ZnSコア/シェル量子ドットの調製
<CdSe/コアの調製>
HDA(500g)を3つ口丸底フラスコに入れ、動的真空下で1時間以上120°Cに加熱することで、乾燥及び脱気した。その後、溶液を60°Cに冷却した。これに0.718gの[HNEt3]4[Cd10Se4(SPh)16](0.20mmol)を加えた。総計で、42mmol、22.0mlのTOPSe、及び42mmol(19.5ml、2.15M)のMe2Cd・TOPを用いた。最初に、4mmolのTOPSe、及び4mmolのMe2Cd・TOPを室温で反応液に加え、温度を110°Cに上げ、2時間撹拌した。反応液は濃い黄色であり、等モル量のTOPSe及びMe2Cd・TOPを滴下して加えながら、温度を〜1°C/5minの速度で徐々に上げた。PL放射最大値が〜600nmに達すると、60°Cに冷却した後に300mlの乾燥エタノール又はアセトンを加えて、反応を止めた。これによって、深い赤色の粒子の沈殿が生成され、これを濾過によって更に分離した。生じたCdSe粒子を、トルエンに再溶解させた後に、セライトを通して濾過し、続いて暖かいエタノールから再沈殿させることで再結晶させて、存在するあらゆる余分なHDA、セレン又はカドミウムを除去した。これにより、HDAでキャッピングされた10.10gのCdSeナノ粒子が生成された。元素分析では、C=20.88、H=3.58、N=1.29、Cd=46.43%であった。最大PL=585nm、FWHM=35nmであった。量子ドットを形成する際に、38.98mmol、93%のMe2Cdが消費された。
HDA(800g)を3つ口丸底フラスコに入れ、動的真空下で1時間以上120°Cに加熱することで、乾燥及び脱気した。その後、溶液を60°Cに冷却し、これに、PL最大放射値が585nmのCdSeナノ粒子を9.23g加えた。その後、HDAを220°Cに加熱した。これに、総計20mlの0.5M Me 2 Zn・TOP、及びオクチルアミンに溶解した0.5M、20mlの硫黄を、交互に滴下付加して加えた。夫々3.5、5.5及び11.0mlの3つの交互付加を行い、これによって、最初に3.5mlの硫黄を、PLの最大強度がゼロに近づくまで滴下して加えた。その後、3.5mlのMe 2 Zn・TOPを、PLの最大強度が最大値に達するまで滴下して加えた。このサイクルを、PLの最大値が各サイクルでより高い強度に達する度に繰り返した。最後のサイクルで、PLの最大強度に達したら、最大強度を5乃至10%下回るまで更に前駆体を加え、反応液を1時間150°Cでアニールした。その後、反応混合物を60°Cに冷却し、直ぐに300mlの「暖かい」乾燥エタノールを加え、粒子の沈殿を生じさせた。生じたCdSe−ZnS粒子を乾燥させた後に、トルエンに再溶解させ、セライトを通して濾過した後に、温かいエタノールから再沈殿させて、あらゆる余分なHDAを除去した。これにより、HDAでキャッピングされた12.08gのCdSe−ZnSコア−シェルナノ粒子が生成された。元素分析では、C=20.27、H=3.37、N=1.25、Cd=40.11、Zn=4.43%であった。最大PLは590nm、FWHMは36nmであった。
<InPコア(500乃至700nmの放射)の調製>
ジブチルエステル(100ml)及びミリスチン酸(10.0627g)を3つ口フラスコに入れ、真空下で1時間、70°Cで脱気した。この期間の後、窒素を導入し、温度を90°Cに上げた。ZnS分子クラスター[ET3NH4][Zn10S4(SPh)16](4.7076g)を加え、混合物を45分間撹拌した。それから、温度を100°Cに上げた後に、In(MA)3(1M、15ml)に続いて(TMS)3P(1M、15ml)を滴下して加えた。反応混合物を撹拌しながら温度を140°Cに上げた。140°Cにて、In(MA)3(1M、35ml)(5分間攪拌したまま)及び(TMS)3P(1M、35ml)を更に滴下して加えた。その後、温度をゆっくりと180°Cに上げ、In(MA)3(1M、55ml)に続いて(TMS)3P(1M、40ml)を更に滴下して加えた。上記のようにして前駆体を加えることによって、InPのナノ粒子が成長しながら、放射最大値が520nmから最大700nmにまで徐々に上がった。これによって、所望の放射最大値が得られたときに、反応を止めることができ、この温度で半時間攪拌したままにできる。この期間後、温度を160°Cに下げ、反応混合物を(反応液の温度よりも20乃至40°C低い温度で)最大4日間アニールしたままにした。アニールを補助するために、この段階でUV灯も使用した。
上記のように調製したInP量子ドットの量子収率は、希HF酸で洗浄することで増加した。ドットを、脱気した無水クロロホルム(〜270ml)に溶解させた。部分的に50mlを取り除き、プラスチック製のフラスコに入れ、窒素でフラッシュ(flush)した。プラスチックシリンジを用いて、3mlの60重量/重量%HFを水に加え、脱気したTHF(17ml)に加えて、HF溶液を作った。HFをInPドットに5時間かけて滴下して加えた。付加完了後、溶液を一晩撹拌したままにした。塩化カルシウム水溶液を通して抽出し、エッチングされたInPドットを乾燥することで、過剰なHFを除去した。乾燥したドットを、将来の使用のために50mlのクロロホルム中に再分散させた。最大PLが567nm、FWHMが60nmであった。この段階のコア材料の量子効率は25乃至90%に及ぶ。
HFエッチングされたInPコア粒子の部分的な20mlを3つ口フラスコにおいてドライダウン(dry down)させた。1.3gのミリスチン酸、及び20mlのジ-n-ブチルセバケートエステルを加え、30分間脱気した。溶液を200°Cに加熱し、その後1.2gの無水酢酸亜鉛を加え、2mlの1M(TMS)2Sを滴下して加え(7.93ml/hrの速度)、付加完了後、溶液を撹拌したままにした。この溶液を1時間200°Cに保ち、その後室温にまで冷却した。40mlの脱気した無水メタノールを加えて粒子を分離し、遠心分離した。上澄み液を廃棄し、残りの固形物に30mlの脱気した無水ヘキサンを加えた。溶液を5時間静置し、その後再び遠心分離した。上澄み液を回収し、残りの固形物を捨てた。PL放射ピーク最大値=535nm、FWHM=65nmであった。この段階のナノ粒子コア/シェル材料の量子効率は、35乃至90%に及んだ。
1重量/体積%のポリ酢酸ビニル(PVA)(aq)溶液を、12時間撹拌した後、最低1時間、溶液に窒素をバブリングして広範囲に脱気することによって調製した。モノマー、メチルメタクリレート、及びエチレングリコールジメタクリレートも、窒素バブリングにより脱気し、更に精製することなく用いた。開始剤AIBN(0.012g)を反応容器に入れ、真空/窒素の3サイクル下に置いて、酸素が存在しないことを確実にした。
1%のジビニルベンゼン(DVB)と1%のチオールコモノマーを有するポリスチレン微小球を、振とう及び超音波処理によってトルエン(1mL)中に再懸濁させた。微小球を遠心分離し(6000rpm、約1分)、上澄みをデカントした。トルエンによる一瞬の洗浄を繰り返し、その後ペレットをトルエン(1mL)中に再懸濁させた。
ミリスチン酸でキャッピングしたInP/ZnSコアシェル量子ドットの0.4mL(約70mgが無機である)を真空下で乾燥させた。0.1mLの3-(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート(TMOPMA)を、続いて0.5mLのオルトケイ酸トリエチル(TEOS)を注入して乾燥量子ドットを溶解し、澄明な溶液を形成し、N2下一晩のインキュベーションのために保持した。その後、混合物を、50mLフラスコ中10mLの逆マイクロエマルション(シクロヘキサン/CO−520、18ml/1.35g)に、600rpmの攪拌下で注入した。混合物を15分間撹拌し、その後0.1mLの4%NH4OHを注入し、ビーズ形成反応を開始させた。次の日に遠心分離して反応を停止させ、固相を収集した。得られた粒子を、20mLのシクロヘキサンで2度洗浄し、その後真空下で乾燥させた。
<QD含有ビーズへの添加物の添加>
上述した安定性を高める添加物は何れも、ビーズを溶液で処理する(例えば、適当なモノマー、架橋剤、及び随意選択的な他の構成要素)前に添加でき、又は、例えば適切な時間の間浸漬させて、添加物の溶液内でインキュベートすることによって、予め形成されたビーズに後で加えることもできる。予め形成されたビーズに添加物を添加する浸漬手順では、30mgの乾燥したビーズ含有量子ドットを、エタノールの1または複数の添加物溶液(添加物濃度=1mM)に加えた。次に、30分間この混合液内でビーズをインキュベートし、その後、真空乾燥した。
<大きなビーズに含まれるQD含有ビーズの添加物の添加>
量子ドットを含む内側ビーズを、1又は複数の添加物と混合さして、次に大きなビーズ内に取り込んだ。最終的な「ビーズインビーズ」材料は、次に実施例1で記載した浸漬工程によって処理された。
<ポリメチルメタクリレートによる量子ドット含有シリカビーズのコーティング>
25mgの粉末状の量子ドット含有シリカビーズを、脱気したメチルメタクリレート(MMA)に可能な限り分散させた。光開始剤フェニルビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシドを、架橋剤トリメチロールプロパントリメタクリレート(TMPTM)に加え、溶液を脱気しながら溶解させた。その後、TMPTM架橋剤をMMA及びシリカに加え、モノマーと架橋剤の均一な混合を確実にするように混合物をワールミキサーで攪拌した。生じたスラリーを、広い口径の針を有するシリンジに移し、その後、脱気した5mLの2% PVA中に注入しながら、1200rpmで継続的に攪拌した。その後、懸濁液を30分間365nmのUV光に曝した。混合物を一晩撹拌し、次の朝、洗浄及び遠心分離によって集成した(worked-up)。洗浄は20mLのH2Oで2回、20mLのEtOHで2回行い、遠心分離は、洗浄の間に2分間2000rpmで行った。最後にサンプルを真空下で乾燥させ、N2でパージした。
<ポリメチルメタクリレートによる量子ドット含有シリカビーズのコーティング>
25mgの粉末状の量子ドット含有シリカビーズを、脱気したメチルメタクリレート(MMA)に可能な限り分散させた。光開始剤フェニルビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ホスフィンオキシドを、架橋剤トリメチロールプロパントリメタクリレート(TMPTM)に加え、溶液を脱気しながら溶解させた。その後、TMPTM架橋剤をMMA及びシリカに加え、モノマーと架橋剤の均一な混合を確実にするように混合物をワールミキサーで攪拌した。生じたスラリーを、広い口径の針を有するシリンジに移し、その後、脱気した5mLの2% PVA中に注入しながら、1200rpmで継続的に攪拌した。その後、懸濁液を30分間365nmのUV光に曝した。混合物を一晩撹拌し、次の朝、洗浄及び遠心分離によって集成した(worked-up)。洗浄は20mLのH2Oで2回、20mLのEtOHで2回行い、遠心分離は、洗浄の間に2分間2000rpmで行った。最後にサンプルを真空下で乾燥させ、N2でパージした。
<GelestHardsil ARコーティングポリマービーズの手順>
GelestHardsil AR(2000μl)及びZn-2-エチルヘキサノエート(10μl)のストック溶液を作製した。Ν2(g)雰囲気下、GelestHardsil AR/Zn-2-エチルヘキサン酸ストック溶液のアリコート(150μL)を、ガラスバイアル(〜7mL)中のCFQD-ビーズ(30mg)に加え、インキュベートし(一晩)、高真空下に置き(一晩)、バイアルにスクリューキャップ蓋を取り付けた。サンプルをグローブボックスから取り出し、ホットプレートに搭載した、予熱(220°C)したヒーティングブロックに置いた(20分)。
<ポリ(ビニルアルコール)コーティング量子ドットビーズの手順>
エチレングリコール(5ml)に溶解(100°C)したポリ(ビニルアルコール)(87乃至89%の加水分解物、MW=85000乃至124000)(0.05g)のストック溶液を作製した。Ν2(g)雰囲気下、ポリ(ビニルアルコール)/エチレングリコールストック溶液のアリコート(150μL)を、量子ドットビーズに加え、混合し、一晩高真空下に置き、乾燥粉末を生じさせた(QY=35%、PL=527nm、FWHM=70nm)。
<BF3及びUV光によるグリシジルメタクリレートでの量子ドットビーズのポリマーコーティング>
Ν2(g)雰囲気下、グリシジルメタクリレート(阻害剤を除去)(1406μl)、BF3OEt2(12.3μl)及びイルガキュア819(9mg)のストック溶液を作製した。ストック溶液のアリコート(100μL)を、量子ドットビーズ(20mg)に加え、混合し、UV−LEDで照射した(Hamamatu UV−LED、3分)。サンプルをグローブボックスに戻し、エポキシド重合を進行させた。
<Optocastコーティング量子ドットビーズの手順>
ジエチルエーテル(1470μl)に溶解したエポキシ樹脂(Optocast 3553、30μl)のストック溶液を作製した。Ν2(g)雰囲気下、Optocast/ジエチルエーテルストック溶液のアリコート(150μl)を量子ドットビーズ(30mg)に加え、混合し、インキュベートし(1.5時間)、一晩高真空下に置き、照射し(Hgランプ、400W、5分)、粒子を生じさせた(QY=30%、PL=515nm、FWHM=70nm)。
Claims (31)
- 半導体ナノ粒子の集団を含んでいる1次マトリックス材料を含む1次粒子であって、
各1次粒子は、半導体ナノ粒子の物理的、化学的及び/又は光安定性を高める添加物を更に含んでおり、それら1次粒子は、マイクロビーズの形態で提供され、
添加物は、還元剤、遊離基捕捉剤、及び水素化物反応剤からなる群から選択され、
水素化物反応剤は、1,4−ブタンジオール、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸アリル、1,6ヘプタジエン−4−オル、1,7オクタジエン、及び1,4ブタジエンからなる群から選択される、
1次粒子。 - マイクロビーズは、20nm乃至0.5mmの平均直径を有する、請求項1に記載の1次粒子。
- 1次マトリックス材料は、ポリマー、樹脂、モノリス、ガラス、ゾルゲル、エポキシ、シリコン及び(メタ)アクリレートからなる群から選ばれる材料を含む、請求項1又は請求項2に記載の1次粒子。
- 1次マトリックス材料は、アクリレートポリマー、エポキシド、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリチオエーテル、ポリアクリロニトリル、ポリジエン、ポリスチレンポリブタジエンコポリマー、パイリレン、シリカ−アクリレートハイブリッド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフッ化ビニリデン、ポリジビニルベンゼン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイソブチレン、ポリイソプレン、セルロース誘導体、及びこれらの組合せからなる群から選ばれる材料を含む、請求項1又は請求項2に記載の1次粒子。
- 添加物は、アスコルビン酸パルミテート、α−トコフェノール、オクタンチオール、ブチルヒドロキシアニソール、ブチルヒドロキシトルエン、ガレートエステル、及びメタ重亜硫酸からなる群から選択される、請求項1乃至請求項4の何れかに記載の1次粒子。
- 添加物は、ベンゾフェノンである、請求項1乃至請求項4の何れかに記載の1次粒子。
- 1次粒子には、表面コーティング材料の層が与えられている、請求項1乃至請求項6の何れかに記載の1次粒子。
- 表面コーティング材料は、1次マトリックス材料を通る酸素又は酸化剤の通過を妨害又は防止するバリアとして機能する、請求項7に記載の1次粒子。
- 表面コーティング材料は、1次マトリックス材料を通るフリーラジカル種の通過を妨害又は防止するバリアとして機能する、請求項7に記載の1次粒子。
- 表面コーティング材料は、水分が1次マトリックス材料を通過することを妨害又は防止するバリアとして機能する、請求項7に記載の1次粒子。
- 表面コーティング材料は、最大で500nmの厚さを有する、請求項7乃至請求項10の何れかに記載の1次粒子。
- 表面コーティング材料は、5乃至100nmの厚さを有する、請求項7乃至請求項10の何れかに記載の1次粒子。
- 表面コーティング材料は、無機材料を含む、請求項7乃至請求項12の何れかに記載の1次粒子。
- 無機材料は、誘電体、金属酸化物、金属窒化物、又はシリカベースの材料からなる群から選択される、請求項13に記載の1次粒子。
- 表面コーティング材料は、ポリマー材料を含む、請求項7乃至請求項12の何れかに記載の1次粒子。
- ポリマー材料は、飽和炭化水素ポリマー又は不飽和炭化水素ポリマーであり、或いは、1又は複数のヘテロ原子若しくはヘテロ原子含有官能基を組み込んでいるポリマーである、請求項15に記載の1次粒子。
- 半導体ナノ粒子は、周期表の11族、12族、13族、14族、15族及び/又は16族から選ばれるイオン、或いは、1又は複数タイプの遷移金属イオン若しくはdブロック金属イオンを含む、請求項1乃至請求項16の何れかに記載の1次粒子。
- 半導体ナノ粒子は、CdO、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、InP、InAs、InSb、AlP、AlS、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、PbS、PbSe、Si、Ge、MgS、MgSe、MgTe及びそれらの組合せからなる群から選ばれる、1又は複数の半導体材料を含む、請求項1乃至請求項16の何れかに記載の1次粒子。
- 2次マトリックス材料に分散された、請求項1乃至請求項18の何れかに記載の複数の1次粒子を組み込んでいる複合材料。
- 2次マトリックス材料は、ポリマー、樹脂、モノリス、ガラス、ゾルゲル、エポキシ、シリコン及び(メタ)アクリレートからなる群から選ばれる材料を含む、請求項19に記載の複合材料。
- 2次マトリックス材料は、1又は複数の2次粒子の形態であり、各2次粒子は、半導体ナノ粒子の物理的、化学的及び/又は光安定性を高める1又は複数の添加物を含む、請求項19又は請求項20に記載の複合材料。
- ホスト発光ダイオードカプセル化媒体に埋め込まれており、請求項1乃至請求項18の何れかに記載の複数の1次粒子を含む調製物と光学的に繋がっている1次光源を有する発光デバイス。
- ホスト発光ダイオードカプセル化媒体に埋め込まれており、請求項19乃至請求項21の何れかに記載の複合材料を含む調製物と光学的に繋がっている1次光源を有する発光デバイス。
- 1次マトリックス材料と、半導体ナノ粒子の集団と、半導体粒子の物理的、化学的及び/又は光安定性を高める添加物とを含む1次粒子を調製する方法であって、
半導体ナノ粒子と、1次マトリックス材料と、添加物とを結合させることで、1次粒子を生成することと、
1次粒子をマイクロビーズの形態で提供することと、
を含んでおり、
添加物は、還元剤、遊離基捕捉剤、及び水素化物反応剤からなる群から選択され、
水素化物反応剤は、1,4−ブタンジオール、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタクリル酸アリル、1,6ヘプタジエン−4−オル、1,7オクタジエン、及び1,4ブタジエンからなる群から選択される、
方法。 - 添加物は、1次マトリックス材料の前駆体の反応中に、半導体ナノ粒子と、1次マトリックス材料の前駆体とに結合する、請求項24に記載の方法。
- 半導体ナノ粒子は、1次マトリックス材料の前駆体と結合する前に、マトリックス材料内に含まれている、請求項25に記載の方法。
- 半導体ナノ粒子が第1マトリックス材料に取り込まれた後で、添加物が加えられる、請求項24、請求項25、又は請求項26に記載の方法。
- 表面コーティングが、1次粒子の表面に与えられている、請求項24乃至請求項27の何れかに記載されている方法。
- 表面コーティングは、1乃至500nmの層厚を有するように形成されている、請求項28に記載の方法。
- 表面コーティングは、原子層堆積によって与えられる、請求項28又は請求項29に記載の方法。
- 表面コーティングは、1次粒子の表面上にイン・サイチュで生成される、請求項28又は請求項29に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0916699.2 | 2009-09-23 | ||
GBGB0916699.2A GB0916699D0 (en) | 2009-09-23 | 2009-09-23 | Semiconductor nanoparticle-based materials |
US24628709P | 2009-09-28 | 2009-09-28 | |
US61/246,287 | 2009-09-28 | ||
PCT/GB2010/001782 WO2011036446A1 (en) | 2009-09-23 | 2010-09-21 | Encapsulated semiconductor nanoparticle - based materials comprising an additive |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013505346A JP2013505346A (ja) | 2013-02-14 |
JP2013505346A5 JP2013505346A5 (ja) | 2015-04-09 |
JP5759995B2 true JP5759995B2 (ja) | 2015-08-05 |
Family
ID=41327458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012530327A Active JP5759995B2 (ja) | 2009-09-23 | 2010-09-21 | 添加物を含み、カプセル化された半導体ナノ粒子ベース材料 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8847197B2 (ja) |
EP (1) | EP2481100B1 (ja) |
JP (1) | JP5759995B2 (ja) |
KR (2) | KR20120062902A (ja) |
CN (1) | CN102648536B (ja) |
AU (1) | AU2010299632A1 (ja) |
CA (1) | CA2774838C (ja) |
GB (1) | GB0916699D0 (ja) |
IL (1) | IL218709A (ja) |
TW (1) | TWI462988B (ja) |
WO (1) | WO2011036446A1 (ja) |
Families Citing this family (126)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2297762B1 (en) | 2008-05-06 | 2017-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles |
US9207385B2 (en) | 2008-05-06 | 2015-12-08 | Qd Vision, Inc. | Lighting systems and devices including same |
WO2009137053A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Qd Vision, Inc. | Optical components, systems including an optical component, and devices |
GB0821122D0 (en) * | 2008-11-19 | 2008-12-24 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods |
JP5710597B2 (ja) | 2009-04-28 | 2015-04-30 | キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド | 光学材料、光学部品および方法 |
WO2011031876A1 (en) | 2009-09-09 | 2011-03-17 | Qd Vision, Inc. | Formulations including nanoparticles |
US8513031B2 (en) * | 2009-12-25 | 2013-08-20 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Fluorescent substance-containing silica nanoparticles with coating having high bulk refractive index |
KR101744904B1 (ko) * | 2010-03-22 | 2017-06-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점-블록공중합체 하이브리드 및 이의 제조 방법과 분산 방법, 그리고 양자점 블록공중합체 하이브리드를 포함하는 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
US9234129B2 (en) | 2010-08-14 | 2016-01-12 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Surface-modified quantum dot luminophores |
US9196785B2 (en) * | 2010-08-14 | 2015-11-24 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified quantum dot luminophores |
RU2595711C2 (ru) * | 2010-12-21 | 2016-08-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Осветительное устройство с полимерсодержащими матрицами |
GB201109054D0 (en) * | 2011-05-31 | 2011-07-13 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials for use in light emitting diodes, optoelectronic displays and the like |
EP3929965A1 (en) * | 2011-06-20 | 2021-12-29 | Crystalplex Corporation | Stabilized nanocrystals |
GB201116517D0 (en) * | 2011-09-23 | 2011-11-09 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle based light emitting materials |
KR20130041699A (ko) * | 2011-10-17 | 2013-04-25 | 엘지전자 주식회사 | 투명 발광 시트 및 그 제조 방법 |
US20130112942A1 (en) | 2011-11-09 | 2013-05-09 | Juanita Kurtin | Composite having semiconductor structures embedded in a matrix |
WO2013078252A1 (en) | 2011-11-22 | 2013-05-30 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot-containing compositions including an emission stabilizer, products including same, and method |
US9864121B2 (en) | 2011-11-22 | 2018-01-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Stress-resistant component for use with quantum dots |
TW201329205A (zh) * | 2011-11-30 | 2013-07-16 | Univ Washington Ct Commerciali | 表面鈍化之矽量子點螢光體 |
US8816371B2 (en) * | 2011-11-30 | 2014-08-26 | Micron Technology, Inc. | Coated color-converting particles and associated devices, systems, and methods |
KR101327027B1 (ko) | 2011-12-16 | 2013-11-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 변환 복합체, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR101270968B1 (ko) | 2011-12-26 | 2013-06-11 | 희성전자 주식회사 | 발광다이오드 소자 |
US10066158B2 (en) | 2012-01-19 | 2018-09-04 | Nanoco Technologies, Ltd. | Molded nanoparticle phosphor for light emitting applications |
KR101574842B1 (ko) | 2012-03-16 | 2015-12-08 | 세종대학교산학협력단 | 양자점- 고분자 복합체 입자, 상기 복합체 입자를 포함하는 광학요소, 및 상기 광학요소의 제조방법 |
WO2013150388A2 (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | Nanoco Technologies, Ltd. | Quantum dot led's to enhance growth in photosynthetic organisms |
EP2852654B1 (en) | 2012-05-22 | 2017-07-26 | Nanoco Technologies Ltd | Enhancement of quantum yield using highly reflective agents |
CN104487515B (zh) * | 2012-07-11 | 2016-08-24 | 皇家飞利浦有限公司 | 硅酮产品、包括硅酮产品的照明单元和制造硅酮产品的方法 |
WO2014024068A2 (en) * | 2012-08-06 | 2014-02-13 | Koninklijke Philips N.V. | Highly stable qds-composites for solid state lighting and the method of making them through initiator-free polymerization |
KR101426448B1 (ko) * | 2012-11-09 | 2014-08-05 | 주식회사 엘엠에스 | 나노 복합체, 이를 포함하는 광학 부재 및 백라이트 유닛 |
WO2014073895A1 (ko) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | 주식회사 엘엠에스 | 복합체, 이를 포함하는 조성물 및 장치 |
WO2014087308A1 (en) * | 2012-12-05 | 2014-06-12 | Koninklijke Philips N.V. | Light conversion materials based on luminescent metal atomic nanoclusters |
US9595363B2 (en) * | 2012-12-06 | 2017-03-14 | The Regents Of The University Of California | Surface chemical modification of nanocrystals |
US20140170786A1 (en) | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Juanita N. Kurtin | Ceramic composition having dispersion of nano-particles therein and methods of fabricating same |
SG11201505569UA (en) * | 2013-01-21 | 2015-08-28 | 3M Innovative Properties Co | Quantum dot film |
US20140213427A1 (en) * | 2013-01-31 | 2014-07-31 | Sunpower Technologies Llc | Photocatalyst for the Reduction of Carbon Dioxide |
US9759855B2 (en) | 2013-02-25 | 2017-09-12 | Empire Technology Development Llc | Hybrid nanoparticles and illumination devices using the hybrid nanoparticles |
US10202543B2 (en) | 2013-03-05 | 2019-02-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Quantum dot (QD) delivery method |
US9680072B2 (en) | 2013-03-05 | 2017-06-13 | Pacific Light Technologies Corp. | Quantum dot (QD) delivery method |
CN107099283A (zh) * | 2013-03-14 | 2017-08-29 | 纳米技术有限公司 | 多层包覆的量子点珠 |
US9783733B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-10-10 | Nanoco Technologies Ltd. | Preparation of quantum dot beads having a silyl surface shell |
KR102177074B1 (ko) | 2013-03-20 | 2020-11-11 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 캡슐화된 다공성 입자 내 양자점 |
KR101542504B1 (ko) * | 2013-07-15 | 2015-08-06 | 한국과학기술연구원 | 표면개질 형광 나노복합체 및 이를 이용한 백색 led |
JPWO2015019941A1 (ja) * | 2013-08-09 | 2017-03-02 | 昭和電工株式会社 | 半導体ナノ粒子含有硬化性組成物、硬化物、光学材料および電子材料 |
KR101977123B1 (ko) * | 2013-08-14 | 2019-05-10 | 나노코 테크놀로지스 리미티드 | 다상의 수지를 이용한 양자점 막 |
US9574135B2 (en) * | 2013-08-22 | 2017-02-21 | Nanoco Technologies Ltd. | Gas phase enhancement of emission color quality in solid state LEDs |
EP3048461B1 (en) | 2013-09-16 | 2023-07-19 | LG Chem, Ltd. | Method of manufacturing a light-scattering sheet |
KR102223504B1 (ko) * | 2013-09-25 | 2021-03-04 | 삼성전자주식회사 | 양자점-수지 나노복합체 및 그 제조 방법 |
US9778510B2 (en) | 2013-10-08 | 2017-10-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanocrystal polymer composites and production methods thereof |
US9513261B2 (en) | 2013-10-14 | 2016-12-06 | Infineon Technologies Ag | Photoacoustic gas sensor device and a method for analyzing gas |
WO2015062697A1 (en) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | Merck Patent Gmbh | Silicate phosphors |
CN110085767A (zh) * | 2013-12-18 | 2019-08-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置 |
EP3114189B1 (en) | 2014-03-04 | 2018-07-04 | Nanoco Technologies Ltd | Methods for fabricating quantum dot polymer films |
TWI586760B (zh) * | 2014-03-18 | 2017-06-11 | 納諾柯技術有限公司 | 量子點組合物 |
CN103911142B (zh) * | 2014-03-26 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蓝色量子点复合颗粒、其制备方法、光电元件和光电设备 |
US9708532B2 (en) * | 2014-03-28 | 2017-07-18 | Nanoco Technologies Ltd. | Quantum dot compositions |
CN106164219B (zh) * | 2014-04-02 | 2019-03-01 | 3M创新有限公司 | 包含硫醚配体的复合纳米粒子 |
US20150316219A1 (en) * | 2014-05-01 | 2015-11-05 | CoreLed Systems, LLC | High-pass filter for led lighting |
WO2015184329A1 (en) | 2014-05-29 | 2015-12-03 | Crystalplex Corporation | Dispersion system for quantum dots |
WO2015190884A1 (ko) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | 주식회사 엘지화학 | 점착 조성물, 점착 필름, 점착 필름을 포함하는 휘도 향상 필름 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 |
KR102404563B1 (ko) * | 2014-08-06 | 2022-06-02 | 엔에스 마테리얼스 아이엔씨. | 수지 성형품 및 그 제조방법, 그리고 파장 변환 부재, 조명 부재 |
JP6432848B2 (ja) * | 2014-08-14 | 2018-12-05 | エルジー・ケム・リミテッド | 発光フィルム(light−emitting film) |
EP3194528B1 (en) * | 2014-09-17 | 2020-11-11 | Lumileds Holding B.V. | Phosphor with hybrid coating and method of production |
KR101686713B1 (ko) * | 2014-12-08 | 2016-12-14 | 엘지전자 주식회사 | 양자점-고분자 복합체의 제조 방법, 양자점-고분자 복합체, 이를 포함하는 광 변환 필름, 백라이트 유닛 및 표시장치 |
WO2016117561A1 (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-28 | デンカ株式会社 | 蛍光体及び発光装置 |
JP6224016B2 (ja) * | 2015-02-02 | 2017-11-01 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換層用組成物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置 |
EP3623445B1 (en) * | 2015-02-02 | 2022-09-14 | Stanley Electric Co., Ltd. | Quantum dot |
US10266760B2 (en) | 2015-05-13 | 2019-04-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with multiple insulator coatings |
CN104861958B (zh) * | 2015-05-14 | 2017-02-15 | 北京理工大学 | 一种钙钛矿/聚合物复合发光材料及其制备方法 |
DE112016003002T5 (de) * | 2015-06-30 | 2018-03-15 | Cree, Inc. | Stabilisierte Quantenpunktstruktur und Verfahren zur Herstellung einer stabilisierten Quantenpunktstruktur |
EP3320568B1 (en) * | 2015-07-07 | 2021-03-24 | Lumileds LLC | Device for emitting light and a method for its fabrication |
CN105153807B (zh) * | 2015-07-21 | 2016-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点墨水 |
US10174886B2 (en) * | 2015-07-31 | 2019-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wavelength conversion member and light emitting device |
WO2017036997A1 (en) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | Basf Se | Process for formulating quantum dots |
WO2017048825A1 (en) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | Ernest Lee | Local quantum dot optics |
KR102449686B1 (ko) * | 2015-09-18 | 2022-09-30 | 엘지전자 주식회사 | 광 변환 복합체, 이를 포함하는 광 변환 부재, 표시장치 및 발광소자 패키지및 이의 제조방법 |
US20170125650A1 (en) | 2015-11-02 | 2017-05-04 | Nanoco Technologies Ltd. | Display devices comprising green-emitting quantum dots and red KSF phosphor |
KR102427698B1 (ko) * | 2015-12-17 | 2022-07-29 | 삼성전자주식회사 | 양자점-폴리머 미분 복합체, 그의 제조 방법 및 이를 포함하는 성형품과 전자 소자 |
KR102297782B1 (ko) * | 2015-12-21 | 2021-09-06 | 성균관대학교산학협력단 | 3d 오브젝트 제조 방법 |
CN105385449B (zh) * | 2015-12-22 | 2018-04-10 | 莫婉玲 | 一种含有脂肪酸脂的量子点复合微球及其制备方法 |
CN108129811B (zh) * | 2015-12-30 | 2020-09-29 | 浦江县汕淋贸易有限公司 | 用于3d打印的量子点发光复合物 |
US20170250332A1 (en) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | Thomas Paulos | Heat dissipation from circuits through quantom dot optics and led integration |
US20170271563A1 (en) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | Chris Durgan | Method and apparatus for controlled semiconductor growth during synthesis of quantum dot materials |
KR102480088B1 (ko) | 2016-03-17 | 2022-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점 발광 소자 |
US10287491B2 (en) * | 2016-03-22 | 2019-05-14 | Intematix Corporation | Coated manganese-activated complex fluoride phosphors |
CN105870302B (zh) * | 2016-03-30 | 2019-01-29 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 一种高色域白光量子点led的封装方法 |
US20190177615A1 (en) | 2016-05-19 | 2019-06-13 | Crystalplex Corporation | Cadmium-free quantum dots, tunable quantum dots, quantum dot containing polymer, articles, films, and 3d structure containing them and methods of making and using them |
JP6965500B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2021-11-10 | 大日本印刷株式会社 | 光波長変換組成物、光波長変換粒子、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置 |
JP6877101B2 (ja) * | 2016-07-22 | 2021-05-26 | 大日本印刷株式会社 | 光波長変換粒子の製造方法、光波長変換粒子、光波長変換粒子含有組成物、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置 |
KR102601102B1 (ko) | 2016-08-09 | 2023-11-10 | 삼성전자주식회사 | 조성물, 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체 및 이를 포함하는 소자 |
KR102494728B1 (ko) | 2016-08-11 | 2023-02-02 | 삼성전자주식회사 | 양자점 응집물 입자, 그 제조방법, 및 이를 포함한 조성물과 전자 소자 |
JP2019535805A (ja) * | 2016-10-04 | 2019-12-12 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 重合可能量子ドットナノ粒子、並びにそれを用いた治療薬、除去剤及び刺青剤 |
EP3342841B1 (en) * | 2016-12-27 | 2023-03-01 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with multiple insulator coatings |
KR102540848B1 (ko) | 2017-01-04 | 2023-06-08 | 삼성전자주식회사 | 조성물, 이로부터 제조된 복합체, 및 이를 포함한 전자 소자 |
JP2018111764A (ja) * | 2017-01-11 | 2018-07-19 | シャープ株式会社 | 波長変換部材および発光装置 |
US10407613B2 (en) * | 2017-01-27 | 2019-09-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with polymer and insulator coatings |
JP7039842B2 (ja) * | 2017-02-15 | 2022-03-23 | 大日本印刷株式会社 | 画像表示装置 |
US10472563B2 (en) | 2017-02-16 | 2019-11-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Methods for making improved quantum dot resin formulations |
US10508232B2 (en) | 2017-02-16 | 2019-12-17 | Dow Global Technologies Llc | Polymer composites and films comprising reactive additives having thiol groups for improved quantum dot dispersion and barrier properties |
CN106833614B (zh) * | 2017-03-15 | 2019-02-01 | 厦门大学 | 量子点复合荧光粉的制备方法 |
TWI614927B (zh) * | 2017-04-26 | 2018-02-11 | 國立清華大學 | 光擴散量子點奈米結構及具有該光擴散量子點奈米結構的發光二極體晶片 |
WO2018220161A1 (en) * | 2017-06-02 | 2018-12-06 | Nexdot | Multicolor display apparatus |
CN110945661A (zh) * | 2017-06-02 | 2020-03-31 | 奈科斯多特股份公司 | 光色转换层与具有其的显示设备 |
US11370966B2 (en) | 2017-06-02 | 2022-06-28 | Nexdot | Uniformly encapsulated nanoparticles and uses thereof |
JP7212947B2 (ja) | 2017-06-02 | 2023-01-26 | ネクスドット | 封入ナノ粒子を得るための方法 |
DK3630917T3 (da) * | 2017-06-02 | 2022-10-10 | Nexdot | Ensartet indkapslede nanopartikler og anvendelser deraf |
EP3630918B1 (en) * | 2017-06-02 | 2023-05-10 | Nexdot | Luminescent particles comprising encapsulated nanoparticles and uses thereof |
CN111201300B (zh) * | 2017-06-02 | 2024-03-15 | 奈科斯多特股份公司 | 包括经封装之纳米颗粒之墨水 |
US11112685B2 (en) * | 2017-06-02 | 2021-09-07 | Nexdot | Color conversion layer and display apparatus having the same |
KR20190043085A (ko) * | 2017-10-17 | 2019-04-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광체, 이를 포함하는 발광 필름, 발광다이오드 및 발광장치 |
CN109671837B (zh) * | 2017-10-17 | 2021-08-10 | 乐金显示有限公司 | 发光体以及包括其的发光膜、发光二极管和发光装置 |
KR102515817B1 (ko) * | 2017-11-28 | 2023-03-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광체, 이를 포함하는 발광 필름, 발광다이오드 및 발광장치 |
US10879431B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-12-29 | Lumileds Llc | Wavelength converting layer patterning for LED arrays |
JP2019148622A (ja) * | 2018-02-26 | 2019-09-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 樹脂粉末、波長変換板、発光装置、及び、樹脂粉末の製造方法 |
JP2019184641A (ja) * | 2018-04-02 | 2019-10-24 | シャープ株式会社 | 波長変換部材および発光装置 |
US10752834B2 (en) * | 2018-05-17 | 2020-08-25 | Chung Yuan Christian University | Composite fluorescent gold nanoclusters with high quantum yield and method for manufacturing the same |
CN108624317B (zh) | 2018-07-12 | 2023-02-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种核壳型量子点及其制备方法和用途 |
WO2020028337A1 (en) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | Lumileds Llc | Light-emitting device with light scatter tuning to control color shift |
US10756243B1 (en) * | 2019-03-04 | 2020-08-25 | Chung Yuan Christian University | Light-emitting diode package structure and method for manufacturing the same |
US11569421B2 (en) * | 2019-03-06 | 2023-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor structure with nanoparticles and light emitting device having a phosphor material with nanoparticles |
WO2020183586A1 (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | シャープ株式会社 | 発光素子、およびそれを用いた表示装置 |
EP3763801B1 (en) | 2019-07-12 | 2022-05-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Quantum dot-containing material, method of preparing the same, and optical member and appapratus including the quantum dot-containing material |
KR102275902B1 (ko) * | 2019-09-18 | 2021-07-12 | 주식회사 한솔케미칼 | 양자점-고분자 복합체 입자 및 이의 제조방법 |
US11404612B2 (en) | 2020-08-28 | 2022-08-02 | Applied Materials, Inc. | LED device having blue photoluminescent material and red/green quantum dots |
CN112195027B (zh) * | 2020-09-21 | 2022-06-28 | 天津纳美纳米科技有限公司 | 一种发光微球及其制备方法 |
TWI749944B (zh) * | 2020-12-11 | 2021-12-11 | 南亞塑膠工業股份有限公司 | 高量子點分散性組成物、光學膜及背光模組 |
WO2022257701A1 (zh) * | 2021-06-11 | 2022-12-15 | 纳晶科技股份有限公司 | 复合材料及其制备方法、光转换器件 |
Family Cites Families (114)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2769838A (en) * | 1953-11-20 | 1956-11-06 | Ciba Pharm Prod Inc | Polyglycol ether acid anilides |
US3524771A (en) * | 1969-04-03 | 1970-08-18 | Zenith Radio Corp | Semiconductor devices |
US4609689A (en) * | 1984-04-27 | 1986-09-02 | Becton, Dickinson And Company | Method of preparing fluorescently labeled microbeads |
NL9400752A (nl) | 1994-05-06 | 1995-12-01 | Skf Ind Trading & Dev | Lagereenheid voor een voertuigwiel. |
EP0814758B1 (en) | 1995-03-10 | 2001-11-07 | Kao Corporation | Ultraviolet shielding composite fine particles, method for producing the same, and cosmetics |
TW434027B (en) * | 1995-03-10 | 2001-05-16 | Kao Corp | Ultraviolet shielding composite fine particles, method for producing the same, and cosmetics |
GB9518910D0 (en) * | 1995-09-15 | 1995-11-15 | Imperial College | Process |
US6322901B1 (en) * | 1997-11-13 | 2001-11-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials |
US6607829B1 (en) * | 1997-11-13 | 2003-08-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Tellurium-containing nanocrystalline materials |
US5990479A (en) * | 1997-11-25 | 1999-11-23 | Regents Of The University Of California | Organo Luminescent semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes |
US6699723B1 (en) * | 1997-11-25 | 2004-03-02 | The Regents Of The University Of California | Organo luminescent semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes |
US6501091B1 (en) * | 1998-04-01 | 2002-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Quantum dot white and colored light emitting diodes |
US20030148024A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-08-07 | Kodas Toivo T. | Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features |
EP2306195A3 (en) * | 1998-09-18 | 2012-04-25 | Massachusetts Institute of Technology | Biological applications of semiconductor nanocrystals |
EP1116036B1 (en) | 1998-09-18 | 2004-08-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Water-soluble fluorescent semiconductor nanocrystals |
US6426513B1 (en) * | 1998-09-18 | 2002-07-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Water-soluble thiol-capped nanocrystals |
US6326144B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-12-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Biological applications of quantum dots |
US6261779B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-07-17 | Bio-Pixels Ltd. | Nanocrystals having polynucleotide strands and their use to form dendrimers in a signal amplification system |
US6333110B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-12-25 | Bio-Pixels Ltd. | Functionalized nanocrystals as visual tissue-specific imaging agents, and methods for fluorescence imaging |
US6114038A (en) * | 1998-11-10 | 2000-09-05 | Biocrystal Ltd. | Functionalized nanocrystals and their use in detection systems |
US6221602B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-04-24 | Bio-Pixels Ltd. | Functionalized nanocrystals and their use in labeling for strand synthesis or sequence determination |
JP2002536285A (ja) * | 1999-02-05 | 2002-10-29 | ユニヴァーシティ オブ メリーランド,ボルティモア | CdSナノ粒子の発光分光特性 |
WO2001013119A1 (en) * | 1999-08-17 | 2001-02-22 | Luminex Corporation | Encapsulation of fluorescent particles |
US20020045190A1 (en) | 2000-07-11 | 2002-04-18 | Wilson Robert B. | Encoding methods using up-converting phosphors for high-throughput screening of catalysts |
EP1176646A1 (en) | 2000-07-28 | 2002-01-30 | Ecole Polytechnique Féderale de Lausanne (EPFL) | Solid state heterojunction and solid state sensitized photovoltaic cell |
US7217409B2 (en) | 2000-09-22 | 2007-05-15 | Smithkline Beecham Corporation | Alkanoic acid derivatives |
JP2004510678A (ja) | 2000-10-04 | 2004-04-08 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ アーカンソー | コロイドナノ結晶の合成 |
DE10051242A1 (de) * | 2000-10-17 | 2002-04-25 | Philips Corp Intellectual Pty | Lichtemittierende Vorrichtung mit beschichtetem Leuchtstoff |
US20030148544A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-08-07 | Advanced Research And Technology Institute, Inc. | Methods of preparing multicolor quantum dot tagged beads and conjugates thereof |
CN1394599A (zh) | 2001-07-06 | 2003-02-05 | 中国科学院上海原子核研究所 | 药用硫化锑纳米胶粒的制备方法 |
JP4567436B2 (ja) * | 2001-07-20 | 2010-10-20 | ライフ テクノロジーズ コーポレーション | 発光ナノ粒子およびそれらの調製方法 |
ATE457373T1 (de) * | 2001-07-30 | 2010-02-15 | Univ Arkansas | Verfahren zur herstellung von kolloidale nanokristalle in nicht koordinierenden lösungsmitteln |
US6794265B2 (en) * | 2001-08-02 | 2004-09-21 | Ultradots, Inc. | Methods of forming quantum dots of Group IV semiconductor materials |
US20030106488A1 (en) * | 2001-12-10 | 2003-06-12 | Wen-Chiang Huang | Manufacturing method for semiconductor quantum particles |
US20040007169A1 (en) * | 2002-01-28 | 2004-01-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor nanoparticles and thin film containing the same |
US6734466B2 (en) * | 2002-03-05 | 2004-05-11 | Agilent Technologies, Inc. | Coated phosphor filler and a method of forming the coated phosphor filler |
AU2003241813A1 (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for producing nanoparticle and nanoparticle produced by the process |
AU2003251890A1 (en) | 2002-07-15 | 2004-02-02 | Advanced Research And Technology Institute, Inc. | Rapid low-temperature synthesis of quantum dots |
EP2336409B1 (en) * | 2002-08-13 | 2023-05-10 | Massachusetts Institute of Technology | Coated nanocrystal and method of preparing a coated nanocrystal |
US7939170B2 (en) * | 2002-08-15 | 2011-05-10 | The Rockefeller University | Water soluble metal and semiconductor nanoparticle complexes |
WO2004065362A2 (en) | 2002-08-16 | 2004-08-05 | University Of Massachusetts | Pyridine and related ligand compounds, functionalized nanoparticulate composites and methods of preparation |
JP2004077389A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Hitachi Software Eng Co Ltd | 半導体ナノ粒子を含む機能性蛍光試薬 |
WO2004022714A2 (en) * | 2002-09-05 | 2004-03-18 | Nanosys, Inc. | Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures |
JP3703479B2 (ja) | 2002-09-20 | 2005-10-05 | 松下電器産業株式会社 | ナノ粒子の製造方法及び該製造方法によって製造されたナノ粒子 |
TW546859B (en) * | 2002-09-20 | 2003-08-11 | Formosa Epitaxy Inc | Structure and manufacturing method of GaN light emitting diode |
US6992202B1 (en) * | 2002-10-31 | 2006-01-31 | Ohio Aerospace Institute | Single-source precursors for ternary chalcopyrite materials, and methods of making and using the same |
US7056471B1 (en) * | 2002-12-16 | 2006-06-06 | Agency For Science Technology & Research | Ternary and quarternary nanocrystals, processes for their production and uses thereof |
JP2004243507A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-09-02 | Hitachi Software Eng Co Ltd | 半導体ナノ粒子及びその製造方法 |
ATE512115T1 (de) * | 2003-01-22 | 2011-06-15 | Univ Arkansas | Monodisperse nanokristalle mit kern/schale und anderen komplexen strukturen sowie herstellungsverfahren dafür |
US7820737B2 (en) * | 2003-03-13 | 2010-10-26 | Eugenia Kumacheva | Method of producing hybrid polymer-inorganic materials |
JP4181435B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2008-11-12 | 日油株式会社 | ポリエチレングリコール修飾半導体微粒子、その製造法及び生物学的診断用材料 |
US7605327B2 (en) * | 2003-05-21 | 2009-10-20 | Nanosolar, Inc. | Photovoltaic devices fabricated from nanostructured template |
CN1312479C (zh) * | 2003-08-08 | 2007-04-25 | 清华大学 | 一种纳米荧光磁粒及其制备方法 |
WO2005021150A2 (en) | 2003-09-01 | 2005-03-10 | The University Of Manchester | Labelled polymeric materials |
JP2005139389A (ja) | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 半導体超微粒子 |
US7645397B2 (en) * | 2004-01-15 | 2010-01-12 | Nanosys, Inc. | Nanocrystal doped matrixes |
US7374807B2 (en) * | 2004-01-15 | 2008-05-20 | Nanosys, Inc. | Nanocrystal doped matrixes |
WO2006001848A2 (en) | 2004-02-12 | 2006-01-05 | Advanced Research And Technology Institute, Inc. | Quantum dots as high-sensitivity optical sensors and biocompatible imaging probes, compositions thereof, and related methods |
US7151047B2 (en) * | 2004-04-28 | 2006-12-19 | Warren Chan | Stable, water-soluble quantum dot, method of preparation and conjugates thereof |
GB0409877D0 (en) * | 2004-04-30 | 2004-06-09 | Univ Manchester | Preparation of nanoparticle materials |
US7588828B2 (en) * | 2004-04-30 | 2009-09-15 | Nanoco Technologies Limited | Preparation of nanoparticle materials |
US20080044340A1 (en) | 2004-06-10 | 2008-02-21 | Ohio University | Method for Producing Highly Monodisperse Quantum Dots |
JP4617730B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2011-01-26 | ソニー株式会社 | 画像処理装置および方法、記録媒体、並びにプログラム |
US20070045777A1 (en) | 2004-07-08 | 2007-03-01 | Jennifer Gillies | Micronized semiconductor nanocrystal complexes and methods of making and using same |
US7229690B2 (en) * | 2004-07-26 | 2007-06-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Microspheres including nanoparticles |
US20060172133A1 (en) * | 2004-08-17 | 2006-08-03 | Imad Naasani | Synthesis of highly luminescent colloidal particles |
EP1783137A4 (en) | 2004-08-26 | 2014-10-22 | Nippon Shinyaku Co Ltd | GALACTOSIS DERIVATIVE, DRUG VECTOR AND THERAPEUTIC PREPARATION |
US7615169B2 (en) * | 2004-09-20 | 2009-11-10 | The Regents Of The University Of California | Method for synthesis of colloidal nanoparticles |
US7534489B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-05-19 | Agency For Science, Technology And Research | Coated composites of magnetic material and quantum dots |
US7261940B2 (en) * | 2004-12-03 | 2007-08-28 | Los Alamos National Security, Llc | Multifunctional nanocrystals |
JP4928775B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2012-05-09 | 株式会社日立ソリューションズ | 半導体ナノ粒子表面修飾方法 |
WO2006075974A1 (en) | 2005-01-17 | 2006-07-20 | Agency For Science, Technology And Research | Water-soluble nanocrystals and methods of preparing them |
TWI389897B (zh) | 2005-02-22 | 2013-03-21 | Chugai Pharmaceutical Co Ltd | 1- (2H) -isoquinolinone derivatives |
DE112006001067T5 (de) | 2005-04-25 | 2008-03-13 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Dotierte Halbleiter-Nanokristalle und Verfahren zu deren Herstellung |
CN101208605A (zh) | 2005-05-04 | 2008-06-25 | 新加坡科技研究局 | 含有低分子量涂布剂的新型水溶性纳米晶及其制备方法 |
KR101374512B1 (ko) | 2005-06-15 | 2014-03-14 | 이섬 리서치 디벨러프먼트 컴파니 오브 더 히브루 유니버시티 오브 예루살렘 엘티디. | Ⅲ족-ⅴ족 반도체 코어-헤테로쉘 나노결정 |
CA2615134A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Evident Technologies, Inc. | Light emitting diode comprising semiconductor nanocrystal complexes |
GB2472541B (en) | 2005-08-12 | 2011-03-23 | Nanoco Technologies Ltd | Nanoparticles |
KR100691273B1 (ko) * | 2005-08-23 | 2007-03-12 | 삼성전기주식회사 | 복합 형광체 분말, 이를 이용한 발광 장치 및 복합 형광체분말의 제조 방법 |
EP1760800B1 (en) * | 2005-09-02 | 2017-01-04 | OSRAM OLED GmbH | Radiation emitting device and method of manufacturing the same |
US8440906B2 (en) | 2005-10-20 | 2013-05-14 | The Regents Of The University Of California | Nanocrystal solar cells processed from solution |
GB0522027D0 (en) * | 2005-10-28 | 2005-12-07 | Nanoco Technologies Ltd | Controlled preparation of nanoparticle materials |
KR100745744B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2007-08-02 | 삼성전기주식회사 | 나노 입자 코팅 방법 |
US20080286826A1 (en) | 2005-11-22 | 2008-11-20 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Luminescent Particle and Method of Detecting a Biological Entity Using a Luminescent Particle |
JP4863745B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2012-01-25 | 京セラ株式会社 | 蛍光体粒子および波長変換器ならびに発光装置 |
EP1984543A2 (en) | 2006-01-20 | 2008-10-29 | Agency for Science, Technology and Research | Synthesis of alloyed nanocrystals in aqueous or water-soluble solvents |
TW200802903A (en) | 2006-02-16 | 2008-01-01 | Solexant Corp | Nanoparticle sensitized nanostructured solar cells |
KR100745745B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2007-08-02 | 삼성전기주식회사 | 나노복합재료 및 그 제조방법 |
JP4960644B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-06-27 | 京セラ株式会社 | 蛍光体粒子および波長変換器ならびに発光装置 |
GB0606845D0 (en) * | 2006-04-05 | 2006-05-17 | Nanoco Technologies Ltd | Labelled beads |
US20090311295A1 (en) | 2006-05-12 | 2009-12-17 | Edith Mathiowitz | Particles with high uniform loading of nanoparticles and methods of preparation thereof |
JP5089235B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 縮合複素環化合物および有機発光素子 |
US20080112877A1 (en) | 2006-11-14 | 2008-05-15 | Toyota Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Metal telluride nanocrystals and synthesis thereof |
KR101290251B1 (ko) * | 2006-08-21 | 2013-07-30 | 삼성전자주식회사 | 복합 발광 재료 및 그를 포함하는 발광 소자 |
US7754329B2 (en) * | 2006-11-06 | 2010-07-13 | Evident Technologies, Inc. | Water-stable semiconductor nanocrystal complexes and methods of making same |
WO2008133660A2 (en) | 2006-11-21 | 2008-11-06 | Qd Vision, Inc. | Nanocrystals including a group iiia element and a group va element, method, composition, device and other prodcucts |
FR2910632B1 (fr) * | 2006-12-22 | 2010-08-27 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de codage optique par effet plasmon et methode d'authentification le mettant en oeuvre |
US20080190483A1 (en) | 2007-02-13 | 2008-08-14 | Carpenter R Douglas | Composition and method of preparing nanoscale thin film photovoltaic materials |
WO2008116079A1 (en) * | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Evident Technologies, Inc. | Powdered quantum dots |
US8563348B2 (en) * | 2007-04-18 | 2013-10-22 | Nanoco Technologies Ltd. | Fabrication of electrically active films based on multiple layers |
US20080264479A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-10-30 | Nanoco Technologies Limited | Hybrid Photovoltaic Cells and Related Methods |
GB0714865D0 (en) | 2007-07-31 | 2007-09-12 | Nanoco Technologies Ltd | Nanoparticles |
KR101462651B1 (ko) * | 2007-08-23 | 2014-11-17 | 삼성전자 주식회사 | 나노결정 혼합물 및 그를 이용하는 발광 다이오드 |
CN101815774B (zh) | 2007-09-28 | 2014-03-12 | 纳米技术有限公司 | 核壳纳米粒子及其制备方法 |
US8784701B2 (en) * | 2007-11-30 | 2014-07-22 | Nanoco Technologies Ltd. | Preparation of nanoparticle material |
US20090190483A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Inventec Corporation | Network transmission system and a testing method thereof |
WO2009106810A1 (en) | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Nanoco Technologies Limited | Semiconductor nanoparticle capping agents |
GB0813273D0 (en) * | 2008-07-19 | 2008-08-27 | Nanoco Technologies Ltd | Method for producing aqueous compatible nanoparticles |
GB0814458D0 (en) * | 2008-08-07 | 2008-09-10 | Nanoco Technologies Ltd | Surface functionalised nanoparticles |
GB0820101D0 (en) * | 2008-11-04 | 2008-12-10 | Nanoco Technologies Ltd | Surface functionalised nanoparticles |
GB0821122D0 (en) * | 2008-11-19 | 2008-12-24 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods |
KR101462656B1 (ko) * | 2008-12-16 | 2014-11-17 | 삼성전자 주식회사 | 나노입자/블록공중합체 복합체의 제조방법 |
GB0901857D0 (en) * | 2009-02-05 | 2009-03-11 | Nanoco Technologies Ltd | Encapsulated nanoparticles |
GB0916700D0 (en) * | 2009-09-23 | 2009-11-04 | Nanoco Technologies Ltd | Semiconductor nanoparticle-based materials |
-
2009
- 2009-09-23 GB GBGB0916699.2A patent/GB0916699D0/en not_active Ceased
-
2010
- 2010-09-21 CN CN201080053048.9A patent/CN102648536B/zh active Active
- 2010-09-21 JP JP2012530327A patent/JP5759995B2/ja active Active
- 2010-09-21 AU AU2010299632A patent/AU2010299632A1/en not_active Abandoned
- 2010-09-21 WO PCT/GB2010/001782 patent/WO2011036446A1/en active Application Filing
- 2010-09-21 KR KR1020127010270A patent/KR20120062902A/ko active Application Filing
- 2010-09-21 KR KR1020147026989A patent/KR101584688B1/ko active IP Right Grant
- 2010-09-21 CA CA2774838A patent/CA2774838C/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-21 EP EP10770857.0A patent/EP2481100B1/en active Active
- 2010-09-23 US US12/888,881 patent/US8847197B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-23 TW TW099132284A patent/TWI462988B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-03-18 IL IL218709A patent/IL218709A/en not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-09-25 US US14/496,020 patent/US9543481B2/en active Active
-
2017
- 2017-01-06 US US15/400,524 patent/US10014447B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI462988B (zh) | 2014-12-01 |
US20170373230A1 (en) | 2017-12-28 |
KR20120062902A (ko) | 2012-06-14 |
US9543481B2 (en) | 2017-01-10 |
KR20150039127A (ko) | 2015-04-09 |
US10014447B2 (en) | 2018-07-03 |
US8847197B2 (en) | 2014-09-30 |
CN102648536B (zh) | 2015-10-21 |
AU2010299632A1 (en) | 2012-04-12 |
CA2774838A1 (en) | 2011-03-31 |
IL218709A (en) | 2015-08-31 |
WO2011036446A1 (en) | 2011-03-31 |
JP2013505346A (ja) | 2013-02-14 |
GB0916699D0 (en) | 2009-11-04 |
CA2774838C (en) | 2016-11-22 |
KR101584688B1 (ko) | 2016-01-22 |
US20110068321A1 (en) | 2011-03-24 |
IL218709A0 (en) | 2012-05-31 |
CN102648536A (zh) | 2012-08-22 |
EP2481100B1 (en) | 2016-12-21 |
US20150048311A1 (en) | 2015-02-19 |
EP2481100A1 (en) | 2012-08-01 |
TW201141985A (en) | 2011-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5759995B2 (ja) | 添加物を含み、カプセル化された半導体ナノ粒子ベース材料 | |
JP6042721B2 (ja) | カプセル化された半導体ナノ粒子ベース材料 | |
US10014452B2 (en) | Semiconductor nanoparticle-based light-emitting devices and associated materials and methods |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131105 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131112 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131205 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131212 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131224 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140107 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20140205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141104 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150202 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20150216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150608 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5759995 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |