JP5759413B2 - 発光ダイオードパッケージ - Google Patents
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 7
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24C—DOMESTIC STOVES OR RANGES ; DETAILS OF DOMESTIC STOVES OR RANGES, OF GENERAL APPLICATION
- F24C7/00—Stoves or ranges heated by electric energy
- F24C7/06—Arrangement or mounting of electric heating elements
- F24C7/062—Arrangement or mounting of electric heating elements on stoves
- F24C7/065—Arrangement or mounting of electric heating elements on stoves with reflectors
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24C—DOMESTIC STOVES OR RANGES ; DETAILS OF DOMESTIC STOVES OR RANGES, OF GENERAL APPLICATION
- F24C7/00—Stoves or ranges heated by electric energy
- F24C7/08—Arrangement or mounting of control or safety devices
- F24C7/081—Arrangement or mounting of control or safety devices on stoves
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
本発明は、発光ダイオードパッケージに関するものである。
発光ダイオードパッケージは、発光ダイオードと、上記発光ダイオードに駆動信号を印加し、上記発光ダイオードを支持する印刷回路基板が含まれて構成される。
上記発光ダイオードは、電気エネルギーを光に変換する素子であって、電気エネルギーが光に変換される過程で熱が発生され、発生された熱により発光ダイオードの駆動特性が劣化する問題がある。
したがって、発光ダイオードから発生された熱を効果的に放出されるようにする必要がある。
一方、発光ダイオードパッケージでは、発光ダイオードから発生された熱が迅速に放出できるように印刷回路基板に放熱部材を取り付ける場合がある。
しかしながら、放熱部材を取り付ける場合、工程が複雑になり、費用が増加する短所がある。
また、放熱部材の取付位置によって発光ダイオードから放出された光を遮断して発光ダイオードチップの発光効率を低下させる。
本発明の目的は、発光ダイオードチップから発生された熱を効果的に放出できるようにする。
本発明による発光ダイオードパッケージは、上面側に複数の溝を有する板と、前記板の上の反射層と、前記板の上の発光ダイオードと、前記発光ダイオードの上のモールディング部と、を備え、前記複数の溝が前記発光ダイオードを囲んでいることを特徴とする。
本発明による発光ダイオードパッケージは、熱を効果的に放出することができる。
本発明による発光ダイオードパッケージは、発光ダイオードチップの発光効率を低下させないで、効果的に熱を放出することができる。
以下、添付図面を参照しつつ本発明の実施形態を詳細に説明する。
本発明の実施形態を説明するにあって、ある要素が他の要素の上（on）／下（under）に形成されると記載された場合、ある要素が他の要素と直接（directly）接触して上／下に形成される場合と、ある要素と他の要素との間に媒介要素を介して間接的に（indirectly）接触して上／下に形成される場合とを含む。
図１乃至図４は、本発明の実施形態による発光ダイオードパッケージの製造方法を説明する図である。図１と図２には、ＭＣＰＣＢ（Metal Core Printed Circuit Board）を形成する過程が例示されている。
本実施形態では、上記ＭＣＰＣＢの放熱効果を極大化するための方法が説明される。
図１に示すように、金属板１０の上に絶縁層１１が形成される。
絶縁層１１は、樹脂層（resin layer）で形成されることができ、例えば上記樹脂層としてガラスエポキシ系材質であるＦＲ４樹脂層が使われることができる。
金属板１０は、Ａｌ、Ａｕなどのように熱伝導性が優れる金属材質で、数ｍｍ乃至数十ｍｍの厚みで形成され、ヒットシンク（heat sink）としての役割をすることになる。
絶縁層１１は、機械的強度が高く、かつ耐久性が優れるので、薄い厚みでなされた場合にも熱による変形が小さいし、接着性があるので、レイヤーを形成するに適したＦＲ４樹脂層が使われる。
一方、絶縁層１１は、プレスまたは熱圧搾ジグ（jig）を利用して金属板１０の上部面に形成することができ、プレスまたは熱圧搾ジグにより加えられる熱により金属板１０に接着されることができる。
図２に示すように、絶縁層１１の上側に回路パターン１２を形成する。
回路パターン１２は、銅のような金属材質を使用して形成する。回路パターン１２は、半導体回路の形成のための工程技術、例えば、光リソグラフィー（photo-lithography）、メタライゼーション（metallization）、エッチングなどの方法を利用して形成することができる。
したがって、図１と図２に示すように、回路パターン１２が形成されたＭＣＰＣＢが準備される。
図３を参照すれば、絶縁層１１の上側に選択的に反射膜１３を形成する。
反射膜１３は、コーティング方法により形成されることができ、回路パターン１２が形成されない領域の絶縁層１１の上側に形成されることができる。
反射膜１３は、発光ダイオードチップから放出される光の輝度を増大させるためのものであって、発光ダイオードチップが装着される領域及び回路パターン１２が形成される領域を考慮して絶縁層１１の上側に適切に形成する。
反射膜１３は、酸化チタンと樹脂を主成分とし、炭酸カルシウム、硫酸バリウム及び酸化亜鉛のうち、少なくとも１つを混合したホワイト樹脂が使われることができる。勿論、ホワイト樹脂の以外に白色顔料を用いて反射膜１３を形成することができる。
図３では、回路パターン１２と回路パターン１２との間には反射膜１３が形成されなかったが、選択によって回路パターン１２と回路パターン１２との間にも反射膜を形成することができる。
上記ホワイト樹脂を反射膜１３で形成するために、空圧方式のディスペンシング（Dispensing）方式でない、スクリーンプリンティング（Screen Printing）方式を使用する。
上記スクリーンプリンティング方式は、空圧方式のディスペンシング方式に比べて短い時間の間、多くの面積にホワイト樹脂を塗布することができるので、設備投資費用が少ない。
上記スクリーンプリンティング方式は、回路パターン１２の上に厚みが５０?であるスクリーンマスクを形成し、スクイズ（squeeze）を利用してスクリーンマスクの以外の部分にホワイト樹脂を詰める。
具体的に、スクイズはスクリーンマスクの上側面に沿って既設定された方向に液状のホワイト樹脂を擦りながら移動し、液状のホワイト樹脂はスクリーンマスクの以外の部分に詰められる。
スクリーンマスクの以外の部分に液状のホワイト樹脂が詰められてホワイト樹脂の表面がスクリーンマスクの上部表面と同一に平らになるようにする。そして、上記スクリーンマスクを除去し、既設定された温度でアニーリングを遂行してホワイト樹脂が硬化されるようにする。
図４に示すように、上記ホワイト樹脂からなる反射膜１３を形成した後、発光ダイオードチップ１４をＭＣＰＣＢの上に実装する。
具体的に、発光ダイオードチップ１４を回路パターン１２に装着し、ワイヤー１５を利用して発光ダイオードチップ１４と回路パターン１２を電気的に連結する。そして、発光ダイオードチップ１４及びワイヤー１５にモールディング部１６を形成する。
発光ダイオードチップ１４は絶縁層１１の上に形成されることができ、反射膜１３の上に形成されることもできる。
一方、発光ダイオードチップ１４は、ＳｉＯＢ（Silicon Optical Bench：シリコン光学ベンチ）にフリップボンディングして実装されることができ、発光ダイオードチップ１４がフリップボンディングされたＳｉＯＢを熱伝導性を有したペーストを利用して絶縁層１１の上に装着してリードフレームを利用して回路パターン１２と電気的に連結されるようにすることができる。
発光ダイオードチップ１４をＭＣＰＣＢに実装した後、金属板１０、絶縁層１１及び反射膜１３を選択的に除去して、金属板１０の上側面に複数の溝１７を形成する。
溝１７の上側には絶縁層１１及び反射膜１３が除去されるため、溝１７の底面及び側面は空気中に露出される。したがって、金属板１０の放熱効果を極大化することができる。
一方、溝１７が形成された後、発光ダイオードチップ１４がＭＣＰＣＢに実装されることもできる。
ここで、上記複数の溝１７は、ドリリングマシン、またはミーリングマシンを利用した機械的方法により形成されるか、エッチング方法を利用した化学的方法により形成されることができる。
したがって、本発明による発光ダイオードパッケージは、複数の溝１７により放熱のための金属板１０の断面積が広くなることにより、発光ダイオードチップ１４などから発生する熱が効果的に放熱されることができる。したがって、発光ダイオードチップ１４に対する熱的信頼性を向上させることができるので、発光ダイオードチップ１４の性能を向上させることができる。
図５は、本発明の他の実施形態による発光ダイオードパッケージを説明するための図である。
図５に図示された発光ダイオードパッケージは、図４に図示された発光ダイオードパッケージとは異なり、複数の溝１７が金属板の下側面に形成される。
したがって、反射膜１３が形成された面積が増加されて光効率がより向上することができ、溝１７の個数も増加されて放熱効果が極大化されることができる。
図６は、本発明の更に他の実施形態による発光ダイオードパッケージを説明するための図である。
図６に図示された発光ダイオードパッケージは、図４及び図５に図示された発光ダイオードパッケージとは異なり、複数の溝１７が金属板１０の上側面及び下側面に形成される。
したがって、複数の溝１７による放熱効果が極大化されることができる。
一方、金属板１０の上側面に形成された溝１７と下側面に形成された溝１７の位置が互いに相異するように形成する。即ち、金属板１０の上側面に形成された溝１７の下側には溝１７を形成せず、金属板１０の上側面に溝１７が形成されない部分の下側に溝１７を形成する。
言い換えると、金属板１０の上側面に形成された溝１７と下側面に形成された溝１７は同一垂直線上に形成されない。
これによって、金属板１０の機械的強度が維持されることができる。
本実施形態では、発光ダイオードチップが実装された発光ダイオードパッケージを説明したが、ＩＣ、抵抗など、その他の電子素子が装着されたＭＣＰＣＢにも適用されることができる。
本発明は、電子素子が装着された回路基板に適用されることができる。
Claims (14)
- 上面側に放熱のための複数の溝を有する板と、
前記板上の絶縁性の樹脂層と、
前記樹脂層上の第１の反射層と、
前記樹脂層の上の発光ダイオードと、
を備え、
前記板は金属板であり、
前記発光ダイオードは、前記発光ダイオードに最も近い２つの溝に挟まれた部分に配置されることを特徴とする発光ダイオードパッケージ。 - 前記板が、前記発光ダイオードがその上方に設置される第１の部分および前記複数の溝が形成された第２の部分を含む請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記第１の反射層は前記板の第２の部分の上面に形成されている請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記板の前記第１の部分が平らな上面を含み、
前記第１の部分の平らな表面は、前記第２の部分の上面と実質的に同じ高さに配置される請求項２または３に記載の発光ダイオードパッケージ。 - 前記絶縁性の樹脂層はエポキシ材質を含む請求項１〜４のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記板の上の回路パターンをさらに含む請求項１〜５のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記回路パターンの間に形成された第２の反射層をさらに含む請求項５または６に記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記溝が形成されていない領域に前記回路パターンが形成されている請求項５〜７のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記複数の溝が前記金属板の上面側および下面側の両方に形成され、前記上側面に形成された前記溝と下側面に形成された前記溝は、同一垂直線上に形成されていない請求項１〜８のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記板は、前記発光ダイオードが形成された上側方向に少なくとも一部が露出している請求項１〜９のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記第１の反射層は、酸化チタンと樹脂を主成分とし、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、及び酸化亜鉛のうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記発光ダイオードは、前記第１の反射層上に配置されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記発光ダイオードと前記板との間に絶縁物質を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
- 前記発光ダイオード上にモールディング部を含む請求項１〜１３のいずれかに記載の発光ダイオードパッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2006-0020305 | 2006-03-03 | ||
| KR1020060020305A KR101210090B1 (ko) | 2006-03-03 | 2006-03-03 | 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008557208A Division JP5323501B2 (ja) | 2006-03-03 | 2007-02-28 | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012178581A JP2012178581A (ja) | 2012-09-13 |
| JP5759413B2 true JP5759413B2 (ja) | 2015-08-05 |
Family
ID=38459278
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008557208A Active JP5323501B2 (ja) | 2006-03-03 | 2007-02-28 | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
| JP2012095306A Active JP5759413B2 (ja) | 2006-03-03 | 2012-04-19 | 発光ダイオードパッケージ |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008557208A Active JP5323501B2 (ja) | 2006-03-03 | 2007-02-28 | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7745844B2 (ja) |
| JP (2) | JP5323501B2 (ja) |
| KR (1) | KR101210090B1 (ja) |
| CN (1) | CN101213892B (ja) |
| TW (1) | TWI429100B (ja) |
| WO (1) | WO2007100209A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101210090B1 (ko) * | 2006-03-03 | 2012-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법 |
| KR20110046440A (ko) * | 2008-08-21 | 2011-05-04 | 파나소닉 주식회사 | 조명용 광원 |
| KR101134555B1 (ko) * | 2009-03-23 | 2012-04-16 | 금호전기주식회사 | 발광소자 장착용 인쇄회로기판 |
| KR101124102B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2012-03-21 | 삼성전기주식회사 | 발광 소자 패키지용 기판 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
| KR20110068689A (ko) * | 2009-12-16 | 2011-06-22 | 삼성전기주식회사 | 광학소자용 패키지 기판 및 그 제조방법 |
| US8616732B2 (en) | 2010-02-12 | 2013-12-31 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-emitting device and illumination device |
| KR101121151B1 (ko) * | 2010-03-19 | 2012-03-20 | 주식회사 대원이노스트 | Ｌｅｄ 모듈 및 그 제조 방법 |
| KR101037168B1 (ko) * | 2010-06-04 | 2011-05-26 | 지성수 | 절연 및 방열성능이 향상된 방열피씨비 및 이의 제조방법 |
| KR101101709B1 (ko) * | 2010-12-16 | 2012-01-05 | 한국세라믹기술원 | Ｌｅｄ 어레이 방열모듈 및 이의 제조방법 |
| KR101166066B1 (ko) | 2010-12-21 | 2012-07-19 | 주식회사 루셈 | 발광다이오드 패키지 |
| KR101775428B1 (ko) * | 2010-12-28 | 2017-09-06 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| CN102104092A (zh) * | 2011-01-13 | 2011-06-22 | 北京易光天元半导体照明科技有限公司 | 一种利于散热的新型led封装方法和装置 |
| US9103532B2 (en) * | 2011-01-25 | 2015-08-11 | Koninklijke Philips N.V. | LED-based modular assembly |
| TWI419270B (zh) * | 2011-03-24 | 2013-12-11 | Chipmos Technologies Inc | 封裝堆疊結構 |
| TW201347244A (zh) * | 2012-05-10 | 2013-11-16 | Gem Weltronics Twn Corp | 一體化高效率多層式照明裝置 |
| KR101236715B1 (ko) * | 2012-08-28 | 2013-02-25 | 주식회사 썬엘이디 | 실리콘 성형 방식을 이용한 칩온보드댐을 포함한 ｌｅｄ 모듈의 제조방법 및 상기 제조방법에 의해 제조된 ｌｅｄ 모듈 |
| JP5784658B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2015-09-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
| EP2806211A1 (en) * | 2013-05-21 | 2014-11-26 | OSRAM GmbH | Solid-state lighting device and related process |
| KR101592649B1 (ko) * | 2013-12-24 | 2016-02-12 | 현대자동차주식회사 | 헤드램프용 레이저 광학계 |
| CN104613379B (zh) * | 2015-02-06 | 2017-12-26 | 东莞佰鸿电子有限公司 | 一种蓝宝石印刷电路板led灯具及其制作方法 |
| CN105655472A (zh) * | 2016-02-02 | 2016-06-08 | 上海鼎晖科技股份有限公司 | 一种金属导热柱cob led光源 |
| CN106449443B (zh) * | 2016-11-29 | 2019-01-01 | 海安浩驰科技有限公司 | 一种具有鳍形结构的晶圆封装方法 |
| CN106449563B (zh) * | 2016-11-29 | 2018-11-13 | 卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司 | 一种具有鳍形结构的晶圆封装 |
| DE102019126021A1 (de) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements |
| CN111048651B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-12-17 | 广州市鸿利秉一光电科技有限公司 | 一种高反射率uvled基板及生产方法 |
| US11894357B2 (en) * | 2020-09-10 | 2024-02-06 | Sj Semiconductor (Jiangyin) Corporation | System-level packaging structure and method for LED chip |
| WO2023133720A1 (zh) * | 2022-01-12 | 2023-07-20 | 谢华棣 | 立体散热电路板组的制造方法 |
Family Cites Families (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6028366U (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-26 | 昭和アルミニウム株式会社 | 凝縮器 |
| JPH0416468Y2 (ja) * | 1986-07-31 | 1992-04-13 | ||
| JPH0677540A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
| JPH08204294A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-09 | Fuji Electric Co Ltd | 放熱フィン一体形プリント配線板 |
| US5739554A (en) * | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
| JPH10144963A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-29 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｌｅｄ光源及びその製造方法 |
| JPH11284110A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Onkyo Corp | ヒートシンクにおけるパワートランジスタの取付構造 |
| JP3605547B2 (ja) * | 1999-06-11 | 2004-12-22 | 松下電器産業株式会社 | 放熱基板及びその製造方法 |
| JP3640153B2 (ja) * | 1999-11-18 | 2005-04-20 | 松下電工株式会社 | 照明光源 |
| TW507482B (en) * | 2000-06-09 | 2002-10-21 | Sanyo Electric Co | Light emitting device, its manufacturing process, and lighting device using such a light-emitting device |
| JP3602453B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2004-12-15 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP3472252B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2003-12-02 | 日本リークレス工業株式会社 | 膨張黒鉛製ヒートシンクの製造方法 |
| US6906455B2 (en) * | 2001-02-26 | 2005-06-14 | Sony Corporation | Transfer foil, transfer method, transfer apparatus, flat cathode-ray tube, and its manufacturing method |
| JP2003249675A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子アレイ |
| JP2003304000A (ja) | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード用パッケージの製造方法 |
| JP3838164B2 (ja) * | 2002-06-18 | 2006-10-25 | 住友電気工業株式会社 | 光通信用素子と光通信用素子の製造方法 |
| JP3655267B2 (ja) * | 2002-07-17 | 2005-06-02 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
| TW578280B (en) * | 2002-11-21 | 2004-03-01 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diode and package scheme and method thereof |
| US7420271B2 (en) * | 2003-02-20 | 2008-09-02 | Tsung Hsin Chen | Heat conductivity and brightness enhancing structure for light-emitting diode |
| JP2004319530A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
| TW560813U (en) * | 2003-03-06 | 2003-11-01 | Shang-Hua You | Improved LED seat |
| TW594950B (en) * | 2003-03-18 | 2004-06-21 | United Epitaxy Co Ltd | Light emitting diode and package scheme and method thereof |
| US6864513B2 (en) * | 2003-05-07 | 2005-03-08 | Kaylu Industrial Corporation | Light emitting diode bulb having high heat dissipating efficiency |
| EP2365539B1 (en) * | 2003-05-26 | 2018-05-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device |
| WO2004107461A1 (en) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks |
| KR100524656B1 (ko) | 2003-09-30 | 2005-10-31 | 서울반도체 주식회사 | 다색 발광다이오드 패키지 및 다색 발광다이오드 시스템 |
| KR100455089B1 (ko) | 2003-05-28 | 2004-11-06 | 서울반도체 주식회사 | 고출력 반도체 발광 소자용 패키지 구조 및 이를 사용하는 반도체 발광 소자 |
| US6983086B2 (en) * | 2003-06-19 | 2006-01-03 | Intel Corporation | Thermally isolating optical devices |
| JP4254470B2 (ja) * | 2003-10-10 | 2009-04-15 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| JP2005056653A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光源装置 |
| JP4400327B2 (ja) * | 2003-09-11 | 2010-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | タイル状素子用配線形成方法 |
| US20050077616A1 (en) * | 2003-10-09 | 2005-04-14 | Ng Kee Yean | High power light emitting diode device |
| JP2005217147A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Seiko Epson Corp | 受発光素子アレイ、光モジュール、および光伝達装置 |
| US20050199899A1 (en) | 2004-03-11 | 2005-09-15 | Ming-Der Lin | Package array and package unit of flip chip LED |
| CN1708212A (zh) * | 2004-06-11 | 2005-12-14 | 周明庆 | 导热基板装置 |
| US7745832B2 (en) * | 2004-09-24 | 2010-06-29 | Epistar Corporation | Semiconductor light-emitting element assembly with a composite substrate |
| US20060097385A1 (en) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Negley Gerald H | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same |
| US20060124953A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-15 | Negley Gerald H | Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same |
| JP4618682B2 (ja) | 2005-01-28 | 2011-01-26 | 株式会社神戸製鋼所 | 耐水素脆化特性に優れた高強度ばね用鋼 |
| US7411225B2 (en) * | 2005-03-21 | 2008-08-12 | Lg Electronics Inc. | Light source apparatus |
| KR100592508B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2006-06-26 | 한국광기술원 | 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지 |
| TWI280332B (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-01 | Guei-Fang Chen | LED lighting device |
| KR101210090B1 (ko) * | 2006-03-03 | 2012-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 금속 코어 인쇄회로기판 및 이를 이용한 발광 다이오드패키징 방법 |
| US20080175003A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-24 | Cheng Home Electronics Co., Ltd. | Led sunken lamp |
-
2006
- 2006-03-03 KR KR1020060020305A patent/KR101210090B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-02-28 JP JP2008557208A patent/JP5323501B2/ja active Active
- 2007-02-28 US US11/910,174 patent/US7745844B2/en active Active
- 2007-02-28 WO PCT/KR2007/001020 patent/WO2007100209A1/en active Application Filing
- 2007-02-28 CN CN2007800000705A patent/CN101213892B/zh active Active
- 2007-03-02 TW TW096107087A patent/TWI429100B/zh active
-
2010
- 2010-05-26 US US12/788,090 patent/US8212274B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-04-19 JP JP2012095306A patent/JP5759413B2/ja active Active
- 2012-06-13 US US13/495,664 patent/US8796717B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200735425A (en) | 2007-09-16 |
| CN101213892B (zh) | 2012-09-05 |
| US20120248488A1 (en) | 2012-10-04 |
| US20100230707A1 (en) | 2010-09-16 |
| US7745844B2 (en) | 2010-06-29 |
| US8796717B2 (en) | 2014-08-05 |
| WO2007100209A1 (en) | 2007-09-07 |
| JP5323501B2 (ja) | 2013-10-23 |
| KR20070090509A (ko) | 2007-09-06 |
| CN101213892A (zh) | 2008-07-02 |
| US8212274B2 (en) | 2012-07-03 |
| JP2012178581A (ja) | 2012-09-13 |
| US20080179612A1 (en) | 2008-07-31 |
| JP2009528695A (ja) | 2009-08-06 |
| KR101210090B1 (ko) | 2012-12-07 |
| TWI429100B (zh) | 2014-03-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130710 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130723 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131022 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131025 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140304 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140703 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140710 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140822 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150408 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150605 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
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|
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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