JP5757355B2 - 超接合半導体装置の製造方法 - Google Patents
超接合半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5757355B2 JP5757355B2 JP2014088808A JP2014088808A JP5757355B2 JP 5757355 B2 JP5757355 B2 JP 5757355B2 JP 2014088808 A JP2014088808 A JP 2014088808A JP 2014088808 A JP2014088808 A JP 2014088808A JP 5757355 B2 JP5757355 B2 JP 5757355B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- layer
- ion implantation
- superjunction
- epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
型ガードリング7a表面とに相互に電気的に接続される導電性プレート9を備える。さらに、p型チャネルストッパー領域11(もしくはn型チャネルストッパー領域でもよい)にも電気的に接続される導電性プレート12が設けられる。
封止用の薄いエピタキシャルシリコン層を気相成長してから第二エピタキシャル層の本成長を行う複数段階処理とすることが望ましい。」という記載のように、エピタキシャルシリコン層のソースガスを先に処理する方法が示されている(特許文献3)。
3が設けられている。
ず、成長温度も低いので結晶性が低下することが懸念される。その結果、結晶性の低下によるアライメントマーカーの形状崩れによりパターン合わせが不正確になり、超接合構造部の形成におけるエピタキシャル層の正確な積み重ねが困難になるという問題が発生する。そのため、実施例2では、前述の問題が起きないような製造条件を加えた上で超接合構造部を作製する。以下、そのような超接合構造部の製造条件について説明する。
2 n−層
3 低濃度n−エピタキシャル層
4 n型カラム
4a n型不純物
5 p型カラム
5a p型不純物
6 レジストマスク
10 超接合構造部
100 素子活性部
200 周縁耐圧構造部
Claims (3)
- 高濃度第1導電型半導体基板の主面に垂直方向に長い形状であって、主面に平行方向では交互に隣接配置される第1導電型領域と第2導電型領域からなる超接合構造部をドリフト層として形成する超接合半導体装置の製造方法において、
前記高濃度第1導電型半導体基板上に第1導電型半導体層をエピタキシャル成長する層形成工程を備え、
前記層形成工程の後に、
前記第1導電型半導体層の上面にエピタキシャル層を成長させ、該エピタキシャル層の全面に第1導電型の不純物のイオン注入を行う全面イオン注入工程と、
前記全面イオン注入工程後に前記エピタキシャル層上面にレジストマスクを形成し、第2導電型の不純物のイオン注入を選択的に行う選択的イオン注入工程と、
前記選択的イオン注入工程後に前記レジストマスクを除去する除去工程と、を複数回繰り返す積層工程を備え、
前記複数回繰り返す積層工程後に熱処理により前記第1導電型の不純物と前記第2導電型の不純物を熱拡散して前記第1導電型領域および第2導電型領域を形成する熱拡散工程と、を備え、
前記層形成工程および前記複数回繰り返す積層工程の前記全面イオン注入工程前はそれぞれ過酸化水素水とアンモニア水による基板洗浄処理した後に1100℃未満で水素アニールを行う清浄化工程を有し、
前記層形成工程の第1半導体層と前記複数回繰り返す積層工程の前記全面イオン注入の前記エピタキシャル層は、それぞれのエピタキシャル成長の開始温度が1100℃未満とすることを特徴とする超接合半導体装置の製造方法。 - 高濃度第1導電型半導体基板の主面に垂直方向に長い形状であって、主面に平行方向では交互に隣接配置される第1導電型領域と第2導電型領域からなる超接合構造部をドリフト層として形成する超接合半導体装置の製造方法において、
前記高濃度第1導電型半導体基板上に第1導電型半導体層をエピタキシャル成長する層形成工程を備え、
前記層形成工程の後に、
前記第1導電型半導体層の上面にエピタキシャル層を成長させ、該エピタキシャル層の全面に第1導電型の不純物のイオン注入を行う全面イオン注入工程と、
前記全面イオン注入工程後に前記エピタキシャル層上面にレジストマスクを形成し、第2導電型の不純物のイオン注入を選択的に行う選択的イオン注入工程と、
前記選択的イオン注入工程後に前記レジストマスクを除去する除去工程と、を複数回繰り返す積層工程を備え、
前記複数回繰り返す積層工程後に熱処理により前記第1導電型の不純物と前記第2導電型の不純物を熱拡散して前記第1導電型領域および第2導電型領域を形成する熱拡散工程と、を備え、
前記層形成工程および前記複数回繰り返す積層工程の前記全面イオン注入工程前はそれぞれ過酸化水素水とアンモニア水による基板洗浄処理した後に希釈フッ酸処理を行う清浄化工程を有し、
前記層形成工程の第1半導体層と前記複数回繰り返す積層工程の前記洗面イオン注入の前記エピタキシャル層は、それぞれのエピタキシャル成長の開始温度が950℃以下とすることを特徴とする超接合半導体装置の製造方法。 - 前記それぞれのエピタキシャル成長は、所定の厚さまで行った後に1100℃以上に昇温してさらにエピタキシャル成長することを特徴とする請求項1または2に記載の超接合半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014088808A JP5757355B2 (ja) | 2014-04-23 | 2014-04-23 | 超接合半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014088808A JP5757355B2 (ja) | 2014-04-23 | 2014-04-23 | 超接合半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010058069A Division JP5985789B2 (ja) | 2010-03-15 | 2010-03-15 | 超接合半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014158045A JP2014158045A (ja) | 2014-08-28 |
JP5757355B2 true JP5757355B2 (ja) | 2015-07-29 |
Family
ID=51578696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014088808A Expired - Fee Related JP5757355B2 (ja) | 2014-04-23 | 2014-04-23 | 超接合半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5757355B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104183627B (zh) * | 2014-08-29 | 2017-05-03 | 电子科技大学 | 一种超结功率器件终端结构 |
CN105977161A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-28 | 中航(重庆)微电子有限公司 | 超结结构及其制备方法 |
CN107611167B (zh) * | 2017-08-21 | 2024-07-09 | 无锡新洁能股份有限公司 | 一种具有多个浓度中心的超结半导体器件及其制造方法 |
WO2024143385A1 (ja) * | 2022-12-28 | 2024-07-04 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
WO2024143383A1 (ja) * | 2022-12-28 | 2024-07-04 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001119022A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4016371B2 (ja) * | 1999-11-10 | 2007-12-05 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
2014
- 2014-04-23 JP JP2014088808A patent/JP5757355B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014158045A (ja) | 2014-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5985789B2 (ja) | 超接合半導体装置の製造方法 | |
JP5560931B2 (ja) | 超接合半導体装置の製造方法 | |
JP6135178B2 (ja) | 超接合半導体装置の製造方法 | |
JP2009004668A (ja) | 半導体装置 | |
JP5757355B2 (ja) | 超接合半導体装置の製造方法 | |
US9646836B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
CN109564932B (zh) | 半导体装置 | |
JP2018110166A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2013175655A (ja) | 電力用半導体装置及びその製造方法 | |
JP5533067B2 (ja) | 超接合半導体装置の製造方法 | |
TWI802811B (zh) | 半導體裝置 | |
US20110291181A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
JP2013069786A (ja) | 電力用半導体装置 | |
US10424637B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
TW201826529A (zh) | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 | |
US20140284715A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP5556293B2 (ja) | 超接合半導体装置の製造方法 | |
JP2014179595A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5532758B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP5556335B2 (ja) | 超接合半導体装置の製造方法 | |
US10217857B2 (en) | Super junction MOSFET and method of manufacturing the same | |
JP2013251467A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5817138B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20180065769A (ko) | SiC MOSFET 전력 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
JP2012204410A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150210 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5757355 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |