JP5754090B2 - ガラスフリット、およびこれを用いた導電性ペースト、電子デバイス - Google Patents
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Description
まず、表1に示す組成を有するガラスフリットを製造した。すなわち、表1に示す組成となるように原料粉末を配合して混合し、1100〜1300℃の電気炉中で白金ルツボを用いて1時間溶融させ、薄板状ガラスを成形した。次いで、この薄板状ガラスをボールミルで粉砕し、平均粒径D50が0.9〜2.0μmの範囲で表1に示す値となるように、気流分級装置で分級した。こうして、参考例1、実施例2〜6、参考例7,8および比較例2,3および比較例5の電極形成用ガラスフリットを製造した。比較例4については、平均粒径D50が6.5μmとなるようにボールミルで粉砕して製造した。
Claims (6)
- 実質的にPbおよびMnを含まず、酸化物換算で、V2O5を20mol%以上80mol%以下、ZnOを5mol%以上22.2mol%以下、BaOを2mol%以上40mol%以下、Sb2O3を0mol%以上15mol%以下、P2O5を0mol%以上22.3mol%以下含有し、平均粒径(50%粒径D50)が0.1μm以上5.0μm以下であることを特徴とする導電性粒子バインダー用のガラスフリット。
- V 2 O 5 の含有量が24mol%以上72mol%以下、ZnOの含有量が5mol%以上22.2mol%以下、BaOの含有量が17.8mol%以上36mol%以下である、請求項1記載のガラスフリット。
- 導電性金属粉末、ガラスフリット、および有機ビヒクルを含有する導電性ペーストであって、前記ガラスフリットとして請求項1または2記載のガラスフリットを、前記導電性金属粉末100質量部に対して0.1質量部以上10質量部以下の割合で含有することを特徴とする導電性ペースト。
- 半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた導電層を備えた電子デバイスであって、
前記導電層が、請求項3記載の導電性ペーストの焼成により形成された層であることを特徴とする電子デバイス。 - 前記導電層は、前記導電性ペーストを赤外線加熱炉により10℃/秒以上の昇温速度で加熱・焼成して形成された層であることを特徴とする請求項4記載の電子デバイス。
- 前記導電層は、前記導電性ペーストに含有される前記ガラスフリットの焼成により、前記導電性金属粒子表面にガラス析出物が存在することを特徴とする請求項4または5記載の電子デバイス。
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