JP5742739B2 - 金属汚染評価用シリコン基板の選別方法 - Google Patents
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Description
フローティングゾーン法により、導電型がp型で、抵抗率が4500Ω・cm(結晶a)と導電型がn型で、抵抗率が43Ω・cm(結晶b)のシリコン単結晶インゴットを育成した。それぞれのシリコン単結晶インゴットの直径は200mm、結晶軸方位は<100>である。そして、これらのシリコン単結晶インゴットから、標準的なウェーハ加工プロセスにより、鏡面研磨仕上げのシリコン基板を作製した。
フローティングゾーン法により、導電型がp型で、抵抗率が4500Ω・cmのシリコン単結晶インゴットを育成した。直径は200mm、結晶軸方位は<100>である。そして、そのシリコン単結晶インゴットから、標準的なウェーハ加工プロセスにより、鏡面研磨仕上げのシリコン基板を作製した。
フローティングゾーン法により、導電型がn型で、抵抗率が43Ω・cmのシリコン単結晶インゴットを育成した。直径は200mm、結晶軸方位は<100>である。そして、そのシリコン単結晶インゴットから、標準的なウェーハ加工プロセスにより、鏡面研磨仕上げのシリコン基板を作製した。
チョクラルスキー法により、導電型がn型で、抵抗率が63Ω・cm、酸素濃度が10.7ppmaのシリコン単結晶インゴットを育成した。直径は200mm、結晶軸方位は<100>である。そして、そのシリコン単結晶インゴットから、標準的なウェーハ加工プロセスにより、鏡面研磨仕上げのシリコン基板を作製した。
チョクラルスキー法により、導電型がn型で、抵抗率が50Ω・cm、酸素濃度が5.9ppmaのシリコン単結晶インゴットを育成した。直径は200mm、結晶軸方位は<100>である。そして、そのシリコン単結晶インゴットから、標準的なウェーハ加工プロセスにより、鏡面研磨仕上げのシリコン基板を作製した。
チョクラルスキー法により、導電型がn型で、抵抗率が5Ω・cm、酸素濃度が12.6ppmaのシリコン単結晶インゴットを育成した。直径は200mm、結晶軸方位は<100>である。そして、そのシリコン単結晶インゴットから、標準的なウェーハ加工プロセスにより、鏡面研磨仕上げのシリコン基板を作製した。
Claims (5)
- 再結合ライフタイムの測定値を用いて熱処理炉の金属汚染を評価する際に用いる金属汚染評価用シリコン基板を選別する方法であって、
前記金属汚染評価用シリコン基板の候補となるシリコン基板を、シリコン単結晶インゴットから作製して準備する工程と、
前記候補となるシリコン基板に対し、Grown−in再結合中心を消滅させる熱処理を、熱処理温度を1000℃以上1200℃以下とし、熱処理時間を1分以上60分以下の範囲として行う工程と、
前記候補となるシリコン基板の表面に対して表面パシベーション処理を行う工程と、
前記熱処理及び表面パシベーション処理を行った後のシリコン基板の再結合ライフタイムを、マイクロ波光導電減衰法により測定する工程と、
前記測定により得られた測定値が所定の基準値以上である場合に、前記測定を行ったシリコン基板が金属汚染評価用シリコン基板として合格であると判定する工程と、
前記判定により合格と判定されたシリコン基板を作製した前記シリコン単結晶インゴットと同一のシリコン単結晶インゴットから作製したシリコン基板を前記金属汚染評価用シリコン基板として選別する工程と
を含むことを特徴とする金属汚染評価用シリコン基板の選別方法。 - 前記候補となるシリコン基板を準備する工程は、
前記シリコン単結晶インゴットから前記シリコン基板を切断する段階と、
該シリコン基板の表面及び裏面の前記切断によるダメージ層を除去する段階と
を含むことを特徴とする請求項1に記載の金属汚染評価用シリコン基板の選別方法。 - 前記表面パシベーション処理を、ケミカルパシベーション処理により、又は、前記シリコン基板の表面に酸化膜を形成することにより行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の金属汚染評価用シリコン基板の選別方法。
- 前記ケミカルパシベーション処理を、ヨウ素アルコール溶液を用いて行うことを特徴とする請求項3に記載の金属汚染評価用シリコン基板の選別方法。
- 前記基準値を、3msec以上とすることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の金属汚染評価用シリコン基板の選別方法。
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