JP5739119B2 - 断面加工観察装置 - Google Patents
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 53
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 24
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
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- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
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Description
本発明に係る断面加工観察方法は、集束イオンビームによるエッチング加工で試料に第一の断面を形成する工程と、集束イオンビームを第一の断面に照射し、第一の断面の画像情報を取得する工程と、集束イオンビームで第一の断面をエッチング加工し、第二の断面を形成する工程と、集束イオンビームを第二の断面に照射し、第二の断面の画像情報を取得する工程と、第二の断面の画像情報から集束イオンビームの照射領域の一部の表示領域の画像情報を表示する工程と、表示した画像情報に第一の断面の画像情報を重ねて表示する工程と、照射領域内で表示領域を変更する工程と、を有する。
これにより、第一の断面像と第二の断面像の間で表示領域の位置ずれがない観察像を取得することができる。
これにより、第一の断面像と第二の断面像の間で表示領域の位置ずれがない観察像を取得することができる。
これにより自動的に第一の断面像と第二の断面像の間で表示領域の位置ずれがない観察像を取得することができる。
集束イオンビーム装置は、図1に示すように、次の構成を備えている。集束イオンビームを照射するイオンビーム鏡筒1と、内部を真空状態にする試料室2を備える。試料室2は、試料4を載置する試料台3と、二次電子を検出する二次電子検出器5を備える。
また、集束イオンビーム照射と観察像形成に関する制御を行う制御部10を備える。制御部10に指示を入力するキーボートやマウスなどの入力手段である入力部11を備える。
図2は本発明の実施例を示す断面加工観察の概略図である。図2(a)、(c)、(e)、(g)は、試料台3と試料4の断面図である。図2(b)、(d)、(f)、(h)は、それぞれ図2(a)、(c)、(e)、(g)の集束イオンビーム30の方向から集束イオンビーム30を走査照射して得られた観察像である。
25の観察像である。表示領域51は、第一の断面22の表示領域41に対応する領域である。すなわち、表示領域51と表示領域41とは、集束イオンビーム30を照射する位置座標が同じである。断面観察を行う際、表示領域51を含み、表示領域51よりも広いビーム照射領域52に集束イオンビーム30を照射し、画像情報を取得する。取得した画像情報は第一の記憶部15に記憶する。
2…試料室
3…試料台
4…試料
5…二次電子検出器
6…試料台駆動部
10…制御部
11…入力部
12…表示部
13…イオンビーム制御部
14…像形成部
15…第一の記憶部
16…像編集部
17…像処理部
18…第二の記憶部
Claims (4)
- 集束イオンビーム照射部と、
試料を載置する試料台と、
前記試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出部と、
前記二次粒子検出部からの信号に基づいて観察像を形成する像形成部と、
前記観察像を記憶する記憶部と、
前記観察像の一部の領域を表示する表示部と、
前記表示部に表示した前記観察像の一部の領域と前記記憶部から読み出した前記試料の別の観察像とを重ね合わせて表示し、前記観察像を表示させる領域を変更する像編集部と、
前記観察像と前記記憶部から読み出した別の観察像のそれぞれから特徴部分を抽出し、前記特徴部分の位置が一致するように前記観察像と前記別の観察像を重ね合わせる像処理部と、を有する断面加工観察装置。 - 前記像編集部は、前記試料の別の観察像を半透明にする請求項1に記載の断面加工観察装置。
- 前記像編集部は、前記表示部に表示した前記観察像の一部の領域と前記記憶部から読み出した前記試料の別の観察像とを重ね合わせる際に、ピクセル毎に2枚の観察像の画像の輝度情報の排他的論理和を取る請求項1に記載の断面加工観察装置。
- 前記像編集部は、前記表示部に表示した前記観察像の一部の領域と前記記憶部から読み出した前記試料の別の観察像とを重ね合わせて表示する際に、ピクセル単位で交互に2枚の観察像の画像情報を表示する請求項1に記載の断面加工観察装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010163036A JP5739119B2 (ja) | 2009-09-15 | 2010-07-20 | 断面加工観察装置 |
US12/880,626 US8542275B2 (en) | 2009-09-15 | 2010-09-13 | Method and apparatus for cross-section processing and observation |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009213597 | 2009-09-15 | ||
JP2009213597 | 2009-09-15 | ||
JP2010163036A JP5739119B2 (ja) | 2009-09-15 | 2010-07-20 | 断面加工観察装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015087761A Division JP5889464B2 (ja) | 2009-09-15 | 2015-04-22 | 断面加工観察装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011086606A JP2011086606A (ja) | 2011-04-28 |
JP2011086606A5 JP2011086606A5 (ja) | 2013-07-18 |
JP5739119B2 true JP5739119B2 (ja) | 2015-06-24 |
Family
ID=43730151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010163036A Active JP5739119B2 (ja) | 2009-09-15 | 2010-07-20 | 断面加工観察装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8542275B2 (ja) |
JP (1) | JP5739119B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9041793B2 (en) * | 2012-05-17 | 2015-05-26 | Fei Company | Scanning microscope having an adaptive scan |
CN104795302B (zh) * | 2013-10-29 | 2018-10-02 | Fei 公司 | 具有用于横切应用的过程自动化的图案识别的差分成像 |
US11120967B2 (en) | 2016-11-22 | 2021-09-14 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam apparatus and sample observation method using superimposed comparison image display |
WO2021053704A1 (ja) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 株式会社日立ハイテク | イオンビーム装置 |
JP7291047B2 (ja) | 2019-09-24 | 2023-06-14 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 粒子ビーム照射装置 |
JP7360871B2 (ja) | 2019-09-24 | 2023-10-13 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム照射装置、及び制御方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3401426B2 (ja) | 1998-03-23 | 2003-04-28 | 日本電子株式会社 | Fib−sem装置における試料加工方法およびfib−sem装置 |
JP4301385B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2009-07-22 | 株式会社ホロン | 画像処理装置および記録媒体 |
JP4667650B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2011-04-13 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 断面観察方法及び集束イオンビーム装置 |
JP2004214060A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡及びそれを用いた試料観察方法 |
TW200528756A (en) * | 2004-01-27 | 2005-09-01 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Light application apparatus, crystallization apparatus and optical modulation element assembly |
JP2006049155A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Keyence Corp | 3次元画像生成装置、3次元画像生成方法、3次元画像生成プログラムおよびコンピュータで読み取り可能な記録媒体又は記録した機器 |
JP5033314B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2012-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工装置及び加工方法 |
JP4855726B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2012-01-18 | 株式会社キーエンス | 拡大観察装置、拡大観察装置の操作方法、拡大観察装置操作プログラムおよびコンピュータで読み取り可能な記録媒体並びに記録した機器 |
JP4851804B2 (ja) * | 2006-02-13 | 2012-01-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 集束イオンビーム加工観察装置、集束イオンビーム加工観察システム及び加工観察方法 |
JP2008165424A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Sony Corp | 画像検索装置および方法、撮像装置、並びにプログラム |
JP5039961B2 (ja) * | 2007-04-24 | 2012-10-03 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 三次元画像構築方法 |
-
2010
- 2010-07-20 JP JP2010163036A patent/JP5739119B2/ja active Active
- 2010-09-13 US US12/880,626 patent/US8542275B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110063431A1 (en) | 2011-03-17 |
US8542275B2 (en) | 2013-09-24 |
JP2011086606A (ja) | 2011-04-28 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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