JP2006236836A - 試料高さ調整方法と試料観察方法と試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イオンビーム2b照射による二次電子像と電子ビーム12b照射による二次電子像の倍率と、イオンビーム2b照射による二次電子像の観察点と電子ビーム12b照射による二次電子像の観察点との距離から、イオンビーム2bと電子ビーム12bが同一の観察点に集束するための前記試料の高さを計算手段14で算出する。
【選択図】図1
Description
第1の課題解決手段として、本発明の試料高さ調整方法は、二つの荷電粒子ビームを異なる角度から試料上の一つの観察点に照射できる装置において、前記試料上の前記観察点を含む領域に第一の荷電粒子ビームを走査照射し、前記観察点を含む第一の二次電子像を取得する工程と、前記試料上の前記観察点を含む領域に第二の荷電粒子ビームを走査照射し、前記観察点を含む第二の二次電子像を取得する工程と、前記第一の二次電子像と前記第二の二次電子像の倍率と、前記第一の二次電子像内の前記観察点と前記第二の二次電子像内の前記観察点との距離から前記第一の荷電粒子ビームと前記第二の荷電粒子ビームが前記観察点に集束するための前記試料の高さを算出する工程と、算出した前記試料の高さに前記試料を配置するために試料台を移動させる工程を含むことを特徴するものである。
前記加工部分に前記イオンビームを走査照射して、前記加工部分をエッチング加工する工程を含むことを特徴とするものである。
をXY平面の調整値として算出し記憶することができる。
はイオンビーム2bと電子ビーム12bがウエハ5上で同一の観察点に集束するような高さにウエハがある時のウエハ5と試料台6である。ΔX0はイオンビーム2bがウエハ5
上に集束する位置と電子ビーム12bがウエハ5上に集束する位置とのズレ量である。図4(f)はこのときに電子ビーム12b照射によって得られた二次電子像である。点線はイオンビーム2b照射により得られる二次電子像のダイリファレンスポイント17aの位置であり、電子ビーム12b照射によって得られた二次電子像のダイリファレンスポイント17aの位置とはΔX2離れた位置に表示される。これは、図4(b)で示すように、
イオンビーム2bと電子ビーム12bがウエハ5上で同一の観察点に集束する点線で示したウエハ5の高さに比べて、ΔZ低い位置にウエハ5があるため、イオンビーム2bが集
束する位置からΔX0離れた位置に電子ビーム12bは集束する。よって、電子ビーム1
2bを照射することによって得られる二次電子像では、ダイリファレンスポイント17aは画面の中央からΔX2離れた位置に表示される。
ΔX2=k・ΔX0・sinθ
ここでkは図4(f)二次電子像の表示倍率とする。
従って,図4(f)のように電子ビーム12bの照射による二次電子像からΔX2を算
出することで、イオンビーム2bと電子ビーム12bがウエハ5上で同一の観察点に集束する高さとのズレ量ΔZを算出することができる。このズレ量を調整する値をZ軸方向の
調整値として算出し記憶することができる。
、ΔY1とZ軸方向の調整値ΔZを用いて正確な加工部分18aの位置を算出し、算出し
た位置にイオンビーム2bを照射できるように試料台6を移動する。そしてイオンビーム2bを加工部分18aに走査照射してエッチング加工と、電子ビーム12bを照射して断面観察を実施する。
2a イオン
2b イオンビーム
3 イオン光学系
4 二次電子
5 ウエハ
5a 加工溝
5b 加工溝
6 試料台
7 試料台制御手段
8 二次電子検出器
9 制御手段
10 表示手段
11 電子発生源
12a 電子
12b 電子ビーム
13 電子光学系
14 計算手段
15a リファレンスポイント
15b リファレンスポイント
15c リファレンスポイント
15d リファレンスポイント
16a ダイ
16b ダイ
16c ダイ
16d ダイ
17a ダイリファレンスポイント
17b ダイリファレンスポイント
17c ダイリファレンスポイント
17d ダイリファレンスポイント
18a 加工部分
18b 加工部分
19 算出したダイリファレンスポイント
Claims (8)
- 二つの荷電粒子ビームを異なる角度から試料上の一つの観察点に照射するための試料高さ調整方法であって、
前記試料上の前記観察点を含む領域に第一の荷電粒子ビームを走査照射し、前記観察点を含む第一の二次電子像を取得する工程と、
前記試料上の前記観察点を含む領域に第二の荷電粒子ビームを走査照射し、前記観察点を含む第二の二次電子像を取得する工程と、
前記第一の二次電子像と前記第二の二次電子像の倍率と、前記第一の二次電子像内の前記観察点と前記第二の二次電子像内の前記観察点との距離から前記第一の荷電粒子ビームと前記第二の荷電粒子ビームが前記観察点に集束するための前記試料の高さを算出する工程と、
算出した前記試料の高さに前記試料を配置するために試料台を移動させる工程を含むことを特徴とする試料高さ調整方法。 - 所望の観察部分または該観察部分近傍で請求項1記載の試料高さ調整方法を行う工程と、
前記観察部分に前記第一の荷電粒子ビームを走査照射して、前記観察部分の二次電子像を取得する工程を含むことを特徴とする試料観察方法。 - 請求項1記載の試料高さ調整方法において、第一の荷電粒子ビームと第二の荷電粒子ビームは、それぞれ電子ビームとイオンビームであることを特徴とする試料高さ調整方法。
- 所望の加工部分または該加工部分近傍で請求項3記載の試料高さ調整方法を行う工程と、
前記加工部分に前記イオンビームを走査照射して、前記加工部分をエッチング加工する工程を含むことを特徴とする試料加工方法。 - 所望の加工部分または該加工部分近傍で請求項3記載の試料高さ調整方法を行う工程と、
前記加工部分に前記イオンビームを走査照射してエッチング加工を行う工程と、
エッチング加工によって作製した断面部分に前記電子ビームを走査照射して前記断面部分を観察する工程を含むことを特徴とする試料加工方法。 - 第一の荷電粒子を発生するための第一の荷電粒子発生源と、
前記第一の荷電粒子を集束させて第一の荷電粒子ビームにし、該第一の荷電粒子ビームを走査させながら試料表面に照射するための第一の荷電粒子光学系と、
第二の荷電粒子を発生するための第二の荷電粒子発生源と、
前記第二の荷電粒子を集束させて第二の荷電粒子ビームにし、該第二の荷電粒子ビームを走査させながら前記試料表面に照射するための第二の荷電粒子光学系と、
前記第一の荷電粒子ビームまたは第二の荷電粒子ビームを前記試料表面に照射して発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、
前記二次電子検出器で検出した前記二次電子から二次電子像を表示する表示手段と、
前記第一の荷電粒子ビームと前記第二の荷電粒子ビームが前記試料上の一つの観察点に集束する前記試料の高さを算出する計算手段と、
前記試料を支持するための試料台と、
前記試料台を前記計算手段で算出した高さに移動するための移動手段を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 請求項6記載の荷電粒子ビーム装置において、前記計算手段は、前記試料上の前記観察点に前記第一の荷電粒子ビームを走査照射して取得した第一の二次電子像と、前記試料上の前記観察点に前記第二の荷電粒子ビームを走査照射して取得した第二の二次電子像より、前記第一の二次電子像と前記第二の二次電子像の倍率、および前記第一の二次電子像内の前記観察点と前記第二の二次電子像内の前記観察点との距離から前記第一の荷電粒子ビームと前記第二の荷電粒子ビームが前記試料上の前記観察点に集束する前記試料の高さを算出する計算手段であることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項6記載の荷電粒子ビーム装置において、前記第一の荷電粒子ビームと第二の荷電粒子ビームは、それぞれ電子ビームとイオンビームであることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200099954A (ko) | 2019-02-15 | 2020-08-25 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 | 복합 하전 입자 빔 장치, 및 제어 방법 |
JP2021051922A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4272121B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2009-06-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Semによる立体形状計測方法およびその装置 |
JP4634134B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-02-16 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 観察位置表示方法及び装置ならびに試料加工方法及び装置 |
JP4567487B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2010-10-20 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 試料観察方法、試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 |
JP5101845B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2012-12-19 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 集束イオンビーム装置ならびにそれを用いた試料断面作製方法および薄片試料作製方法 |
US8350237B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-01-08 | Fei Company | Automated slice milling for viewing a feature |
US9218940B1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-12-22 | Fei Company | Method and apparatus for slice and view sample imaging |
US9558911B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-31 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Method for analyzing and/or processing an object as well as a particle beam device for carrying out the method |
JP7114317B2 (ja) * | 2018-04-20 | 2022-08-08 | 株式会社日立ハイテク | 高さ検出装置および荷電粒子線装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0737538A (ja) * | 1993-07-19 | 1995-02-07 | Jeol Ltd | 複合荷電粒子ビーム装置 |
JP2002134059A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム装置 |
JP2002313275A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Seiko Instruments Inc | 試料の高さ出し機能を備えた集束イオンビーム装置 |
JP2006127891A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8622976D0 (en) * | 1986-09-24 | 1986-10-29 | Trialsite Ltd | Scanning electron microscopes |
DE29507225U1 (de) * | 1995-04-29 | 1995-07-13 | Grünewald, Wolfgang, Dr.rer.nat., 09122 Chemnitz | Ionenstrahlpräparationsvorrichtung für die Elektronenmikroskopie |
US20060060781A1 (en) * | 1997-08-11 | 2006-03-23 | Masahiro Watanabe | Charged-particle beam apparatus and method for automatically correcting astigmatism and for height detection |
US6124140A (en) * | 1998-05-22 | 2000-09-26 | Micron Technology, Inc. | Method for measuring features of a semiconductor device |
TW546549B (en) * | 1998-11-17 | 2003-08-11 | Advantest Corp | Electron beam exposure apparatus and exposure method |
US6162735A (en) * | 1999-03-26 | 2000-12-19 | Infineon Technologies North America Corp. | In-situ method for preparing and highlighting of defects for failure analysis |
US6538249B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-03-25 | Hitachi, Ltd. | Image-formation apparatus using charged particle beams under various focus conditions |
WO2003007330A1 (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | Hitachi, Ltd. | Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus |
JP3996774B2 (ja) * | 2002-01-09 | 2007-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置 |
JP3887356B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2007-02-28 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 薄片試料作製方法 |
US7151258B2 (en) * | 2003-07-24 | 2006-12-19 | Topcon Corporation | Electron beam system and electron beam measuring and observing methods |
US7611610B2 (en) * | 2003-11-18 | 2009-11-03 | Fei Company | Method and apparatus for controlling topographical variation on a milled cross-section of a structure |
US7483133B2 (en) * | 2004-12-09 | 2009-01-27 | Kla-Tencor Technologies Corporation. | Multiple angle of incidence spectroscopic scatterometer system |
JP4567487B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2010-10-20 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 試料観察方法、試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 |
JP4426519B2 (ja) * | 2005-11-11 | 2010-03-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学的高さ検出方法、電子線測定装置および電子線検査装置 |
-
2005
- 2005-02-25 JP JP2005051203A patent/JP4567487B2/ja active Active
-
2006
- 2006-02-23 US US11/360,948 patent/US7423266B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0737538A (ja) * | 1993-07-19 | 1995-02-07 | Jeol Ltd | 複合荷電粒子ビーム装置 |
JP2002134059A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム装置 |
JP2002313275A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Seiko Instruments Inc | 試料の高さ出し機能を備えた集束イオンビーム装置 |
JP2006127891A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200099954A (ko) | 2019-02-15 | 2020-08-25 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 | 복합 하전 입자 빔 장치, 및 제어 방법 |
US11017982B2 (en) | 2019-02-15 | 2021-05-25 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Composite charged particle beam apparatus and control method thereof |
JP2021051922A (ja) * | 2019-09-25 | 2021-04-01 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置 |
JP7308710B2 (ja) | 2019-09-25 | 2023-07-14 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7423266B2 (en) | 2008-09-09 |
JP4567487B2 (ja) | 2010-10-20 |
US20060192118A1 (en) | 2006-08-31 |
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