JP5727208B2 - ZnO系半導体層の製造方法及びZnO系半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
GZn3N2 = [(KZn・JZn)−1+(KN・JN)−1]−1 ・・・(1)
と表すことができる。
2 Znソースガン
3 Mgソースガン
4 Gaソースガン
5 Oソースガン
6 Nソースガン
7 基板ホルダ
8 基板
9 膜厚モニタ
10 RHEED用ガン、
11 スクリーン
12 表示装置
21 ZnO基板
22 ZnOバッファ層
23 n型ZnO系半導体層
24 ZnO系半導体活性層
25 p型ZnO系半導体層
26 p側透光性電極
27 p側ボンディング用パッド電極
28 n側電極
Claims (9)
- (a)基板上方に、(MgxZn1−x)3N2(0≦x≦0.6)単結晶膜を成長させる工程と、
(b)前記(MgxZn1−x)3N2(0≦x≦0.6)単結晶膜を、400℃以下で、活性酸素により酸化して、MgyZn1−yO(0≦y≦0.6)単結晶膜を形成する工程と、
(c)前記工程(a)及び(b)を繰り返して、MgyZn1−yO(0≦y≦0.6)単結晶膜を積層する工程と
を有するZnO系半導体層の製造方法。 - 前記工程(a)の1回当たりに成長させる(MgxZn1−x)3N2(0≦x≦0.6)単結晶膜の厚さは、0.25nm〜4nmの範囲である請求項1に記載のZnO系半導体層の製造方法。
- 前記活性酸素は、Oラジカルまたはオゾンである請求項1または2に記載のZnO系半導体層の製造方法。
- 前記工程(a)は、300℃以下で(MgxZn1−x)3N2(0≦x≦0.6)単結晶膜を成長させる請求項1〜3のいずれか1項に記載のZnO系半導体層の製造方法。
- 前記工程(a)における(MgxZn1−x)3N2(0≦x≦0.6)単結晶膜の成長温度と、前記工程(b)における酸化温度とが等しく設定されている請求項1〜4のいずれか1項に記載のZnO系半導体層の製造方法。
- 前記工程(a)〜(c)が、結晶製造装置の同一のチャンバ内で行われる請求項1〜5のいずれか1項に記載のZnO系半導体層の製造方法。
- 前記工程(a)で成長される(MgxZn1−x)3N2(0≦x≦0.6)単結晶膜の表面が{111}面であり、前記工程(b)で形成されるMgyZn1−yO(0≦y≦0.6)単結晶膜の表面が{0001}面である請求項1〜6のいずれか1項に記載のZnO系半導体層の製造方法。
- 前記工程(a)は、MBEで(MgxZn1−x)3N2(0≦x≦0.6)単結晶膜を成長させる請求項1〜7のいずれか1項に記載のZnO系半導体層の製造方法。
- (a)基板上方に、n型ZnO系半導体層を形成する工程と、
(b)前記n型ZnO系半導体層上に、ZnO系半導体活性層を形成する工程と、
(c)前記ZnO系半導体活性層上方に、(MgxZn1−x)3N2(0≦x≦0.6)単結晶膜を成長させる工程と、
(d)前記(MgxZn1−x)3N2(0≦x≦0.6)単結晶膜を、400℃以下で、活性酸素により酸化して、Nがドープされたp型MgyZn1−yO(0≦y≦0.6)単結晶膜を形成する工程と、
(e)前記工程(c)及び(d)を繰り返して、MgyZn1−yO(0≦y≦0.6)単結晶膜を積層し、p型ZnO系半導体層を形成する工程と
を有するZnO系半導体発光素子の製造方法。
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