JP5720995B2 - Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、発光ダイオード等の半導体発光素子を有する半導体発光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device having a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode.

半導体発光装置のパッケージとしてＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス）やＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics：高温同時焼成セラミックス）を用いた積層セラミックパッケージが知られている。図１は積層セラミックパッケージにより構成される半導体発光装置３００の断面図である。半導体発光装置３００は、基板３０１、基板３０１上に搭載されたＬＥＤチップ３０２、基板３０１表面に形成された電極パッド３０３、基板３０１の裏面に形成された外部接続端子３０４、電極パッド３０３とＬＥＤチップ３０２とを電気的に接続するボンディングワイヤ３０５、基板３０１上においてＬＥＤチップ３０２を囲む枠体３０６、枠体３０６の内側に充填された封止樹脂３０７により構成される。基板３０１と枠体３０６はセラミックからなり、拘束焼結されて一体的な形態をなしている。   As a semiconductor light emitting device package, a multilayer ceramic package using LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) or HTCC (High Temperature Co-fired Ceramics) is known. FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor light emitting device 300 constituted by a multilayer ceramic package. The semiconductor light emitting device 300 includes a substrate 301, an LED chip 302 mounted on the substrate 301, an electrode pad 303 formed on the surface of the substrate 301, an external connection terminal 304 formed on the back surface of the substrate 301, an electrode pad 303 and the LED chip. A bonding wire 305 that electrically connects the substrate 302, a frame body 306 that surrounds the LED chip 302 on the substrate 301, and a sealing resin 307 filled inside the frame body 306. The substrate 301 and the frame body 306 are made of ceramic and are constrained and sintered to form an integral form.

一方、自動車のヘッドランプや一般照明等の比較的高い光出力が要求される用途向けに複数のＬＥＤチップをパッケージングした発光装置が知られている。   On the other hand, a light-emitting device in which a plurality of LED chips are packaged for an application that requires a relatively high light output, such as an automobile headlamp or general illumination, is known.

特開２００９−１３５５３６号公報JP 2009-135536 A 特開２０１０−２１５０７号公報JP 2010-21507 A

図１に示す積層セラミックパッケージにおいて、電極パッド３０３は、ボンディングワイヤ３０５との接合強度を確保する観点から最表面がＡｕで構成され得る。しかしながら、Ａｕは、ＬＥＤチップ３０２から発せられる光の発光波長に対して光吸収性を示す故、光出力が低下する。例えば、基板上に複数のＬＥＤチップを搭載し、これらのＬＥＤチップに接続される電極パッドを１箇所に集約して配置するような構成では、電極パッドの面積が比較的大きくなり、光取り出し効率の低下および光取り出し面内における明暗差（輝度むら）が顕著となる。   In the monolithic ceramic package shown in FIG. 1, the electrode pad 303 may have an outermost surface made of Au from the viewpoint of securing the bonding strength with the bonding wire 305. However, since Au exhibits light absorptivity with respect to the emission wavelength of light emitted from the LED chip 302, the light output decreases. For example, in a configuration in which a plurality of LED chips are mounted on a substrate and electrode pads connected to these LED chips are arranged in one place, the area of the electrode pads is relatively large, and light extraction efficiency is increased. And the difference in brightness (brightness unevenness) in the light extraction surface become significant.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板上に発光素子および電極パッドを備えた半導体発光装置において、光取り出し効率の向上と光取り出し面内における輝度むらの低減を図ることができる半導体発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and in a semiconductor light emitting device including a light emitting element and an electrode pad on a substrate, it is possible to improve light extraction efficiency and reduce luminance unevenness in a light extraction surface. An object of the present invention is to provide a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same.

本発明に係る半導体発光装置は、素子搭載面に設けられた凹部と、前記凹部の底面に設けられた電極パッドと、を有する基板と、前記基板の前記素子搭載面に環状配列をなして搭載され前記電極パッドに電気的に接続された複数の発光素子と、前記電極パッドを覆うように前記凹部に充填された光反射性樹脂と、を有し、前記光反射性樹脂は、前記発光素子の表面よりも投光方向前方に頂部を有し且つ前記頂部から前記凹部の側壁に至る表面が凹状面を有し、前記凹部は、前記環状配列の内側に設けられていることを特徴としている。 A semiconductor light emitting device according to the present invention is mounted in a circular array on the element mounting surface of the substrate, and a substrate having a recess provided on the element mounting surface and an electrode pad provided on the bottom surface of the recess. a plurality of light emitting elements electrically connected to the electrode pads is, have a light reflecting resin filled in the recess so as to cover the electrode pad, wherein the light reflective resin, the light emitting element the surface extending from and the top has a top forwardly projecting direction on the side walls of the recess have a concave surface than the surface of said recess is characterized that you have provided inside the annular array .

また、本発明に係る半導体発光装置の製造方法は、素子搭載面に設けられた凹部と、前記凹部底面に設けられた電極パッドと、を有する基板を用意する工程と、前記基板の前記素子搭載面に少なくとも１つの発光素子を搭載して前記発光素子と電極パッドとを電気的に接続する工程と、前記電極パッドを覆うように前記凹部に光反射性樹脂を充填する工程と、を含み、前記光反射性樹脂は、前記発光素子の表面よりも投光方向前方に頂部を有し且つ前記頂部から前記凹部の側壁に至る表面が凹状面となるように充填され、前記光反射性樹脂を充填する工程は、前記光反射性樹脂を封入したディスペンサを前記凹部の上方に位置合わせするステップと、前記ディスペンサから前記光反射性樹脂を吐出させ、前記光反射性樹脂が前記凹部の側壁に接するように前記凹部内に前記光反射性樹脂を供給するステップと、前記光反射性樹脂の供給量が所定量に達したとき前記光反射性樹脂の供給を停止させるステップと、前記光反射性樹脂の供給を停止した後に前記ディスペンサを上方に引き上げるステップと、を含むことを特徴としている。 The method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present invention includes a step of preparing a substrate having a recess provided on an element mounting surface and an electrode pad provided on the bottom surface of the recess, and mounting the element on the substrate. Mounting at least one light emitting element on the surface and electrically connecting the light emitting element and the electrode pad; and filling the concave portion with a light reflecting resin so as to cover the electrode pad, the light reflecting resin, the surface extending from and the top has a top forwardly projecting direction from the surface of the light emitting element on a side wall of the recess is filled such that the concave surface, the light reflective resin The filling step includes a step of aligning a dispenser enclosing the light-reflective resin above the recess, and discharging the light-reflective resin from the dispenser, and the light-reflective resin is applied to the side wall of the recess. Supplying the light-reflective resin into the recess, stopping the supply of the light-reflective resin when the supply amount of the light-reflective resin reaches a predetermined amount, and the light-reflective property And a step of pulling the dispenser upward after stopping the supply of the resin .

本発明の半導体発光装置およびその製造方法によれば、電極パッドは光反射率の高い光反射性樹脂で被覆される故、半導体発光装置の光束および光度を向上させることが可能となる。また、これに伴って、光取り出し面内における明暗差（輝度むら）を低減することが可能となる。更に、光反射性樹脂は、発光素子の表面高さよりも投光方向前方に頂部を有し且つその表面が凹状面を呈する被覆形状を有する故、上記した光出力を向上させ輝度むらを低減させる効果がより顕著となる。   According to the semiconductor light emitting device and the manufacturing method thereof of the present invention, since the electrode pad is covered with the light reflecting resin having a high light reflectance, it is possible to improve the luminous flux and the luminous intensity of the semiconductor light emitting device. Along with this, it is possible to reduce the difference in brightness (brightness unevenness) in the light extraction surface. Furthermore, since the light-reflective resin has a cover shape that has a top portion in the light projecting direction forward of the surface height of the light emitting element and has a concave surface, the above-described light output is improved and luminance unevenness is reduced. The effect becomes more remarkable.

従来の半導体発光装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional semiconductor light-emitting device. 図２（ａ）は本発明の実施例に係る半導体発光装置の構成を示す断面図、図２（ｂ）は本発明の実施例に係る半導体発光装置の構成を示す上面図。2A is a cross-sectional view showing the configuration of the semiconductor light emitting device according to the embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a top view showing the configuration of the semiconductor light emitting device according to the embodiment of the present invention. 図２（ｂ）における２−２線に沿った断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line 2-2 in FIG. 本発明の実施例に係る半導体発光装置の等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram of a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例に係る光反射性樹脂形成部における拡大断面図である。It is an expanded sectional view in the light reflection resin formation part concerning the example of the present invention. 凹部側壁の傾斜角度と光反射性樹脂の被覆形状の関係を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the relationship between the inclination angle of a recessed part side wall, and the coating shape of light-reflective resin. 図７（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例に係る半導体発光装置の製造方法を示す断面図である。7A to 7C are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図８（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例に係る半導体発光装置の製造方法を示す断面図である。8A to 8D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図９（ａ）〜（ｃ）は光反射性樹脂の塗布方法を示す断面図である。FIGS. 9A to 9C are cross-sectional views illustrating a method for applying a light reflecting resin.

以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ説明する。尚、各図において、実質的に同一又は等価な構成要素、部分には同一の参照符を付している。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, substantially the same or equivalent components and parts are denoted by the same reference numerals.

図２（ａ）は本発明の実施例に係る半導体発光装置１の斜視図、図２（ｂ）は半導体発光装置１の平面図である。図３は、図２（ｂ）における３−３線に沿った断面図である。
図４は、半導体発光装置１の等価回路図である。 2A is a perspective view of the semiconductor light emitting device 1 according to the embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a plan view of the semiconductor light emitting device 1. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line 3-3 in FIG.
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the semiconductor light emitting device 1.

半導体発光装置１は、基板１０上に６つのＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆが搭載された面実装型の発光装置である。基板１０は、電極パッド形成面を有する第１セラミック層１１と、素子搭載面を有する第２セラミック層１２とを積層して構成されるものである。また、基板１０上には第３セラミック層１３を更に積層することにより形成される枠体１３０が設けられる。枠体１３０の側壁１３２によって囲まれる空間内にはＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆを封止する封止樹脂６０が充填される。第１乃至第３セラミック層は、例えばアルミナ・セラミックスにガラス成分を混ぜることで焼成温度を９００℃程度としたＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミックス）からなり、各セラミック層は拘束焼結されて一体的な形態をなす積層セラミックパッケージを構成している。   The semiconductor light emitting device 1 is a surface mount type light emitting device in which six LED chips 20 a to 20 f are mounted on a substrate 10. The substrate 10 is configured by laminating a first ceramic layer 11 having an electrode pad formation surface and a second ceramic layer 12 having an element mounting surface. Further, a frame body 130 formed by further laminating the third ceramic layer 13 is provided on the substrate 10. A space surrounded by the side wall 132 of the frame 130 is filled with a sealing resin 60 that seals the LED chips 20a to 20f. The first to third ceramic layers are made of LTCC (low temperature co-fired ceramics) with a firing temperature of about 900 ° C., for example, by mixing a glass component with alumina ceramics. Each ceramic layer is integrally sintered and restrained. The multilayer ceramic package which comprises a form is comprised.

基板１０の素子搭載面（第２セラミック層１２の表面）には、６つのＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆが環状配列をなして搭載されている。基板１０は、素子搭載面内にＬＥＤチップの環状配列の内側に配置された円形の凹部１２１を有する。凹部１２１の底面には、第１セラミック層１１上に設けられた電極パッド３２ｎおよび３２ｐが延在している。電極パッド３２ｎおよび３２ｐは、それぞれ半円形状を有し、互いに隣接して設けられることにより略円形の電極パターンを形成している。凹部１２１の側壁は上記略円形の電極パターンを囲んでいる。電極パッド３２ｐは、ＬＥＤチップ２０ａ、２０ｂ、２０ｃに共通の電極パッドであり、ボンディングワイヤ４０を介してこれらのＬＥＤチップのｐ電極に接続される。電極パッド３２ｎは、ＬＥＤチップ２０ｄ、２０ｅ、２０ｆに共通の電極パッドであり、ボンディングワイヤ４０を介してこれらのＬＥＤチップのｎ電極に接続される。   On the element mounting surface of the substrate 10 (the surface of the second ceramic layer 12), six LED chips 20a to 20f are mounted in an annular arrangement. The substrate 10 has a circular recess 121 arranged inside the annular array of LED chips in the element mounting surface. Electrode pads 32 n and 32 p provided on the first ceramic layer 11 extend on the bottom surface of the recess 121. The electrode pads 32n and 32p each have a semicircular shape, and are provided adjacent to each other to form a substantially circular electrode pattern. The side wall of the recess 121 surrounds the substantially circular electrode pattern. The electrode pad 32p is an electrode pad common to the LED chips 20a, 20b, and 20c, and is connected to the p-electrodes of these LED chips via the bonding wires 40. The electrode pad 32n is an electrode pad common to the LED chips 20d, 20e, and 20f, and is connected to the n electrodes of these LED chips via the bonding wires 40.

基板１０は、素子搭載面においてＬＥＤチップの環状配列の外側に配置された複数の円形の凹部１２２を有する。凹部１２２の底面には、第１セラミック層１１上に設けられた電極パッド３１ｎまたは３１ｐが延在している。電極パッド３１ｎおよび３１ｐは、各ＬＥＤチップ毎に独立に設けられている。電極パッド３１ｎおよび３１ｐの形状は例えば円形とすることができるが、これに限定されるものではない。電極パッド３１ｎは、それぞれ、ボンディングワイヤ４０を介してＬＥＤチップ２０ａ、２０ｂ、２０ｃのｎ電極に接続される。電極パッド３１ｐは、それぞれ、ボンディングワイヤ４０を介してＬＥＤチップ２０ｄ、２０ｅ、２０ｆのｐ電極に接続される。電極パッド３１ｎ、３１ｐ、３２ｎ、３２ｐ、外部接続端子３５ｐ、３５ｎは、例えばＡｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕを順次積層した多層金属膜によって構成される。   The substrate 10 has a plurality of circular recesses 122 arranged outside the annular array of LED chips on the element mounting surface. An electrode pad 31 n or 31 p provided on the first ceramic layer 11 extends on the bottom surface of the recess 122. The electrode pads 31n and 31p are provided independently for each LED chip. The electrode pads 31n and 31p can be circular, for example, but are not limited thereto. The electrode pads 31n are connected to the n electrodes of the LED chips 20a, 20b, and 20c via the bonding wires 40, respectively. The electrode pads 31p are connected to the p electrodes of the LED chips 20d, 20e, and 20f via the bonding wires 40, respectively. The electrode pads 31n, 31p, 32n, 32p and the external connection terminals 35p, 35n are formed of a multilayer metal film in which Ag, Pd, Ni, and Au are sequentially stacked, for example.

このように、電極パッド３１ｎ、３１ｐ、３２ｎ、３２ｐは、基板１０の素子搭載面（第２セラミック層１２の表面）に設けられた凹部１２１および１２２の底面（第１セラミック層１１の表面）に形成されており、素子搭載面よりも低位置に配置されている。   As described above, the electrode pads 31n, 31p, 32n, and 32p are formed on the bottom surfaces (surfaces of the first ceramic layer 11) of the recesses 121 and 122 provided on the element mounting surface (surface of the second ceramic layer 12) of the substrate 10. It is formed and arranged at a position lower than the element mounting surface.

第１セラミック層１１の裏面には、外部接続端子３５ｎおよび３５ｐが設けられている。外部接続端子３５ｎは、コンタクトビア３６ｎ等を介して電極パッド３１ｎ、３２ｎに電気的に接続される。一方、外部接続端子３５ｐは、コンタクトビア３６ｐ等を介して電極パッド３１ｐ、３２ｐに電気的に接続される。半導体発光装置１には、外部接続端子３５ｐ、３５ｎを介して電力供給が行われ、ＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆが駆動される。上記の如き接続構成によってＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆは、図４に示すように、互いに並列接続される。   External connection terminals 35 n and 35 p are provided on the back surface of the first ceramic layer 11. The external connection terminal 35n is electrically connected to the electrode pads 31n and 32n through contact vias 36n and the like. On the other hand, the external connection terminal 35p is electrically connected to the electrode pads 31p and 32p through the contact via 36p and the like. Power is supplied to the semiconductor light emitting device 1 via the external connection terminals 35p and 35n, and the LED chips 20a to 20f are driven. The LED chips 20a to 20f are connected in parallel to each other as shown in FIG.

尚、基板１０の素子搭載面（第２セラミック層１２の表面）は光反射層およびガラス層で覆われていてもよい。光反射層は、ＬＥＤチップから発せられる光に対して光反射性を有するＡｇ等の金属により構成される。光反射層は、基板１０の素子搭載面の略全域に延在していることが好ましい。ガラス層は、光反射層の上面及び側面を覆い、光反射層の劣化に伴う反射率の低下を防止する。例えば、光反射層がＡｇからなる場合、ガラス層は、Ａｇの硫化を防止する。   The element mounting surface of the substrate 10 (the surface of the second ceramic layer 12) may be covered with a light reflecting layer and a glass layer. The light reflecting layer is made of a metal such as Ag having light reflectivity with respect to light emitted from the LED chip. The light reflecting layer preferably extends over substantially the entire area of the element mounting surface of the substrate 10. The glass layer covers the upper surface and the side surface of the light reflecting layer, and prevents the reflectance from decreasing due to the deterioration of the light reflecting layer. For example, when the light reflecting layer is made of Ag, the glass layer prevents the sulfurization of Ag.

基板１０の素子搭載面に対して凹んでいる凹部１２１内には光反射性樹脂５０が充填されている。すなわち、凹部１２１の底面に延在する電極パッド３２ｎ、３２ｐは、光反射性樹脂５０で覆われる。また、電極パッド３２ｎ、３２ｐに接続されるボンディングワイヤ４０の一部は光反射性樹脂５０内に埋設される。光反射性樹脂５０は、例えばシリコーン樹脂にアルミナ等の光散乱粒子を混合した白色の樹脂である。尚、アルミナ以外に酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化亜鉛等を光散乱粒子として用いることができる。光反射性樹脂５０は電極パッド３２ｎ、３２ｐよりも高い光反射性を有する。光吸収性を持つＡｕ層を最表面に有する電極パッド３２ｎ、３２ｐが反射率の高い光反射性樹脂５０で被覆されることにより、半導体発光装置１の光出力の向上および輝度むらの低減を図ることが可能となる。光反射性樹脂５０の被覆形状等については、後述する。   A light reflecting resin 50 is filled in the recess 121 that is recessed with respect to the element mounting surface of the substrate 10. That is, the electrode pads 32 n and 32 p extending on the bottom surface of the recess 121 are covered with the light reflective resin 50. A part of the bonding wire 40 connected to the electrode pads 32 n and 32 p is embedded in the light reflecting resin 50. The light reflective resin 50 is, for example, a white resin in which light scattering particles such as alumina are mixed with a silicone resin. In addition to alumina, magnesium oxide, titanium oxide, zinc oxide, or the like can be used as the light scattering particles. The light reflective resin 50 has higher light reflectivity than the electrode pads 32n and 32p. The electrode pads 32n, 32p having the light absorbing Au layer on the outermost surface are coated with the light reflecting resin 50 having a high reflectance, thereby improving the light output of the semiconductor light emitting device 1 and reducing the luminance unevenness. It becomes possible. The covering shape and the like of the light reflective resin 50 will be described later.

基板１０上には、第３セラミック層１３によって構成される枠体１３０が設けられている。枠体１３０は、ＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆおよび電極パッド３１ｎ、３１ｐ、３２ｎ、３２ｐを囲む円形に連なる側壁１３２を形成する。側壁１３２は、ＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆから発せられる光を半導体発光装置１の内側に向けて反射せしめるリフレクタとして機能する。封止樹脂６０は、枠体１３０の側壁１３２で囲まれた凹状空間内に充填される。ＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆ、電極パッド３１ｎ、３１ｐ、３２ｎ、３２ｐ、ボンディングワイヤ４０および光反射性樹脂５０は、封止樹脂６０内に埋設される。封止樹脂６０は、例えばシリコーン樹脂等の光透過性樹脂からなる。封止樹脂６０内には、ＬＥＤチップから発せられる光の波長を変換せしめる蛍光体が分散されていてもよい。   On the substrate 10, a frame body 130 constituted by the third ceramic layer 13 is provided. The frame 130 forms a circular side wall 132 that surrounds the LED chips 20a to 20f and the electrode pads 31n, 31p, 32n, and 32p. The side wall 132 functions as a reflector that reflects the light emitted from the LED chips 20 a to 20 f toward the inside of the semiconductor light emitting device 1. The sealing resin 60 is filled in a concave space surrounded by the side wall 132 of the frame body 130. The LED chips 20a to 20f, the electrode pads 31n, 31p, 32n, and 32p, the bonding wire 40, and the light reflective resin 50 are embedded in the sealing resin 60. The sealing resin 60 is made of a light transmissive resin such as a silicone resin. A phosphor that converts the wavelength of light emitted from the LED chip may be dispersed in the sealing resin 60.

以下に光反射性樹脂５０の被覆形状について詳細に説明する。図５は、光反射性樹脂５０の形成部における拡大断面図である。上記したように、光反射性樹脂５０は、基板１０の素子搭載面に設けられた凹部１２１を充填し、電極パッド３２ｎおよび３２ｐを被覆する。光反射性樹脂５０は、凹部１２１の側壁１２１ａから凹部１２１の中央に向けて反り上がった略錐状の被覆形状を有している。すなわち、光反射性樹脂５０は、ＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆの環状配列の中央であってＬＥＤチップの上面高さよりも高い位置（すなわち、投光方向前方）に頂部を有し、凹部１２１の側壁１２１ａから頂部を結ぶ表面が下に凸の凹状曲面を呈する略錐状の被覆形状を有する。光反射性樹脂５０がかかる被覆形状を有することにより、光反射性樹脂５０はＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆから発せられた光を光取り出し面に導くリフレクタとして有効に機能する。また、各ＬＥＤチップから光反射性樹脂５０の頂部までの距離が略同一となるように光反射性樹脂５０を成形することにより、均一な発光分布を得ることが可能となる。   The covering shape of the light reflective resin 50 will be described in detail below. FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a portion where the light reflective resin 50 is formed. As described above, the light reflective resin 50 fills the recess 121 provided on the element mounting surface of the substrate 10 and covers the electrode pads 32n and 32p. The light-reflecting resin 50 has a substantially conical covering shape that warps from the side wall 121 a of the recess 121 toward the center of the recess 121. That is, the light-reflective resin 50 has a top portion at a position higher than the height of the upper surface of the LED chip (that is, forward in the light projecting direction) in the center of the annular array of the LED chips 20a to 20f, and the side wall 121a of the recess 121. The surface connecting the top and the top has a substantially conical covering shape with a concave convex curved surface. Since the light reflecting resin 50 has such a covering shape, the light reflecting resin 50 effectively functions as a reflector that guides light emitted from the LED chips 20a to 20f to the light extraction surface. Further, by forming the light reflecting resin 50 so that the distance from each LED chip to the top of the light reflecting resin 50 is substantially the same, a uniform light emission distribution can be obtained.

光反射性樹脂５０の側壁１２１ａと接触する部分における高さは、素子搭載面の高さ位置よりも低くなるように光反射性樹脂５０の供給量が制御される。これにより、光反射性樹脂５０がＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆの搭載領域まで濡れ広がることを防止している。   The supply amount of the light reflecting resin 50 is controlled so that the height of the portion of the light reflecting resin 50 in contact with the side wall 121a is lower than the height position of the element mounting surface. Thereby, the light-reflective resin 50 is prevented from spreading to the mounting area of the LED chips 20a to 20f.

封止樹脂６０の上面は、光反射性樹脂５０の頂部から距離Ｔｃをおいて離間している。これにより、発光色および発光輝度の均一性が向上する。すなわち、ＬＥＤチップ搭載領域Ａと、光反射性樹脂５０が充填される凹部領域Ｂにおける明暗差が低減され、封止樹脂６０に蛍光体を含有させる場合には発光色の混色性が向上する。   The upper surface of the sealing resin 60 is separated from the top of the light reflective resin 50 by a distance Tc. Thereby, the uniformity of the emission color and the emission luminance is improved. That is, the difference in brightness between the LED chip mounting area A and the recessed area B filled with the light-reflecting resin 50 is reduced, and when the phosphor is contained in the sealing resin 60, the color mixing of the emission color is improved.

光反射性樹脂５０の頂部の高さ位置は、ボンディングワイヤ４０のループトップの高さ位置と概ね一致していることが好ましい。光反射性樹脂５０を設けない場合や光反射性樹脂５０の高さが低すぎる場合（例えば光反射性樹脂５０の表面高さが素子搭載面の高さに一致している場合）、ＬＥＤチップ搭載領域Ａに延在する封止樹脂６０の体積と、凹部領域Ｂに延在する封止樹脂６０の体積の差が過大となる。これにより、熱ストレス印加時において領域Ａ−Ｂ間で封止樹脂６０の厚さ方向における伸縮差が生じ、凹部領域Ｂにおいて封止樹脂６０の剥離が生じるおそれがある。本実施例のように、凹部領域Ｂに、略錐状に成形され且つその頂部の高さ位置がボンディングワイヤ４０のループトップの高さ位置と概ね一致するように光反射性樹脂５０を形成することにより、ＬＥＤチップ搭載領域Ａに延在する封止樹脂６０の体積と、凹部領域Ｂに延在する封止樹脂６０の体積とがほぼ等しくなる。これにより、熱応力による封止樹脂６０の剥離を防止することが可能となる。尚、光反射性樹脂は、光反射性を得るために高い濃度で光散乱粒子を含有（例えばシリコーン樹脂にアルミナ粒子を７０ｗｔ％で含有）しているため、光散乱粒子を含有していないものと比較して樹脂部分の体積は小さいものとなっている。   It is preferable that the height position of the top portion of the light reflecting resin 50 substantially coincides with the height position of the loop top of the bonding wire 40. When the light reflective resin 50 is not provided or when the height of the light reflective resin 50 is too low (for example, when the surface height of the light reflective resin 50 matches the height of the element mounting surface), the LED chip The difference between the volume of the sealing resin 60 extending in the mounting area A and the volume of the sealing resin 60 extending in the recessed area B becomes excessive. As a result, there is a possibility that a difference in expansion and contraction in the thickness direction of the sealing resin 60 occurs between the regions A and B when heat stress is applied, and the sealing resin 60 peels off in the recessed region B. As in the present embodiment, the light-reflective resin 50 is formed in the recessed region B so as to be formed in a substantially conical shape and the height position of the top portion thereof substantially coincides with the height position of the loop top of the bonding wire 40. As a result, the volume of the sealing resin 60 extending to the LED chip mounting area A and the volume of the sealing resin 60 extending to the recessed area B become substantially equal. Thereby, peeling of the sealing resin 60 due to thermal stress can be prevented. The light-reflective resin contains light scattering particles at a high concentration to obtain light reflectivity (for example, silicon resin contains alumina particles at 70 wt%), and therefore does not contain light scattering particles. The volume of the resin part is smaller than that.

図６（ａ）〜（ｃ）は、凹部１２１の側壁１２１ａの傾斜角度と光反射性樹脂５０の被覆形状との関係を示す断面図である。光反射性樹脂５０をリフレクタとして有効に機能させるためには、光反射性樹脂５０がその周縁部から中央部に向けて反り上がった反り上がり形状を有していること、すなわち、光反射性樹脂５０の表面が凹状曲面を有していることが好ましい。   6A to 6C are cross-sectional views showing the relationship between the inclination angle of the side wall 121a of the recess 121 and the coating shape of the light reflective resin 50. FIG. In order for the light-reflecting resin 50 to function effectively as a reflector, the light-reflecting resin 50 has a warped shape that warps from the peripheral edge toward the center, that is, the light-reflecting resin. It is preferable that the surface of 50 has a concave curved surface.

光反射性樹脂５０において反り上がり形状（凹状曲面）を再現性よく形成するためには、図６（ａ）に示すように、凹部の側壁１２１ａが凹部１２１の底面に対して垂直であることが好ましく、図６（ｂ）に示すように、側壁１２１ａと凹部１２１の底面とのなす角が鈍角となるように側壁１２１ａが傾斜していること、換言すれば、光反射性樹脂５０が充填される凹部１２１の開口径が上方（素子搭載面側）に向けて広がる方向に側壁１２１ａが傾斜していることがより好ましい。その理由は、以下のとおりである。すなわち、光反射性樹脂５０は、例えば、ディスペンス法によって塗布形成され、凹部１２１の中央に配置されたディスペンサのノズルから吐出される（図９参照）。光反射性樹脂５０の被覆形状は、ノズルに吸着する方向に作用する表面張力ｈと凹部の側壁１２１ａを這い上がる方向に作用する表面張力ｇによって定まる。図６（ａ）に示すように、凹部の側壁１２１ａが凹部１２１の底面に対して垂直である場合、または図６（ｂ）に示すように、側壁１２１ａと凹部１２１の底面とのなす角が鈍角となるように側壁１２１ａが傾斜している場合、表面張力ｈの作用方向と表面張力ｇの作用方向のなす角を大きくすることができる。これにより、光反射性樹脂５０と側壁１２１ａとの接触部における上端点Ｔと、光反射性樹脂５０の反り上がり開始点Ｓとの高低差が大きくなり、光反射性樹脂５０の反り上がり形状を再現性よく形成することが可能となる。図６（ｂ）に示すように、側壁１２１ａと凹部１２１の底面とのなす角が鈍角となるように側壁１２１ａが傾斜している場合には、光反射性樹脂５０と側壁１２１ａとの接触部における上端点Ｔと、光反射性樹脂５０の反り上がり開始点Ｓとの高低差がより大きくなり、光反射性樹脂５０の反り上がり形状の再現性をより高めることが可能となる。   In order to form a warped shape (concave curved surface) with good reproducibility in the light reflective resin 50, the side wall 121a of the recess should be perpendicular to the bottom surface of the recess 121 as shown in FIG. Preferably, as shown in FIG. 6B, the side wall 121a is inclined so that the angle formed between the side wall 121a and the bottom surface of the recess 121 becomes an obtuse angle, in other words, the light reflecting resin 50 is filled. More preferably, the side wall 121a is inclined in a direction in which the opening diameter of the concave portion 121 is widened upward (on the element mounting surface side). The reason is as follows. That is, the light reflecting resin 50 is applied and formed by, for example, a dispensing method, and is discharged from a dispenser nozzle disposed in the center of the recess 121 (see FIG. 9). The coating shape of the light-reflecting resin 50 is determined by the surface tension h acting in the direction of adsorbing to the nozzle and the surface tension g acting in the direction climbing up the side wall 121a of the recess. As shown in FIG. 6A, when the side wall 121a of the recess is perpendicular to the bottom surface of the recess 121, or as shown in FIG. 6B, the angle formed between the side wall 121a and the bottom surface of the recess 121 is When the side wall 121a is inclined so as to have an obtuse angle, the angle formed by the direction of the surface tension h and the direction of the surface tension g can be increased. As a result, the height difference between the upper end point T at the contact portion between the light reflecting resin 50 and the side wall 121a and the warping start point S of the light reflecting resin 50 is increased, and the warped shape of the light reflecting resin 50 is increased. It can be formed with good reproducibility. As shown in FIG. 6B, when the side wall 121a is inclined such that the angle formed between the side wall 121a and the bottom surface of the recess 121 is an obtuse angle, the contact portion between the light reflective resin 50 and the side wall 121a. The height difference between the upper end point T and the warping start point S of the light reflecting resin 50 becomes larger, and the reproducibility of the warping shape of the light reflecting resin 50 can be further enhanced.

一方、図６（ｃ）は、凹部の側壁１２１ａと凹部１２１の底面とのなす角が鋭角となるように側壁１２１ａが傾斜している場合を示している。この場合、ノズルに吸着する方向に作用する表面張力ｈと凹部の側壁１２１ａを這い上がる方向に作用する表面張力ｇのなす角が図６（ａ）および図６（ｂ）の場合と比較して小さくなる。これにより、光反射性樹脂５０と側壁１２１ａとの接触部における上端点Ｔと、光反射性樹脂５０の反り上がり開始点Ｓとの高低差が小さくなり、光反射性樹脂５０の反り上がり形状を形成することが困難となる。すなわち、この場合、光反射性樹脂５０の表面が凸状曲面（ドーム状）となりやすい。光反射性樹脂５０の表面が凸状曲面となると、ＬＥＤチップから発せられた光を光取り出し面側に導く効果が損なわれ、光反射性樹脂５０によるリフレクタとしての機能が低下する。   On the other hand, FIG. 6C shows a case where the side wall 121a is inclined such that the angle formed by the side wall 121a of the recess and the bottom surface of the recess 121 is an acute angle. In this case, the angle formed by the surface tension h acting in the direction of attracting the nozzle and the surface tension g acting in the direction of scooping up the side wall 121a of the recess is compared with the case of FIG. 6 (a) and FIG. 6 (b). Get smaller. Thereby, the height difference between the upper end point T at the contact portion between the light reflecting resin 50 and the side wall 121a and the warping start point S of the light reflecting resin 50 is reduced, and the warped shape of the light reflecting resin 50 is reduced. It becomes difficult to form. That is, in this case, the surface of the light reflective resin 50 tends to be a convex curved surface (dome shape). When the surface of the light reflecting resin 50 becomes a convex curved surface, the effect of guiding the light emitted from the LED chip to the light extraction surface side is impaired, and the function of the light reflecting resin 50 as a reflector is reduced.

以上より、光反射性樹脂５０の反り上がり形状を樹脂の充填と硬化により再現性よく形成するためには、凹部１２１の側壁１２１ａと凹部１２１の底面とのなす角が直角または鈍角となるように側壁１２１ａが傾斜していることが好ましい。   From the above, in order to form the warped shape of the light reflective resin 50 with good reproducibility by filling and curing the resin, the angle formed between the side wall 121a of the recess 121 and the bottom surface of the recess 121 is a right angle or an obtuse angle. The side wall 121a is preferably inclined.

次に、上記した構成を有する半導体発光装置１の製造方法について説明する。図７（ａ）〜（ｃ）および図８（ａ）〜（ｄ）は、半導体発光装置１の製造工程におけるプロセスステップ毎の断面図である。   Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device 1 having the above-described configuration will be described. 7A to 7C and FIGS. 8A to 8D are cross-sectional views for each process step in the manufacturing process of the semiconductor light emitting device 1.

（グリーンシートの作製）
第１乃至第３セラミック層１１、１２、１３の材料であるグリーンシート１１Ａ、１２Ａ、１３Ａを作製する（図７（ａ））。具体的には、セラミック粉末とガラスを一定比率で配合し、混合する。続いて、混合された原料に有機系のバインダと溶剤を加え、均一になるまで分散させ、スラリーを得る。スラリーは、製膜装置でＰＥＴフィルム上に一定の厚さで塗布され、乾燥工程を経てシート状のグリーンシート１１Ａ、１２Ｂ、１３Ｃが形成される。 (Production of green sheets)
Green sheets 11A, 12A, and 13A, which are materials of the first to third ceramic layers 11, 12, and 13, are produced (FIG. 7A). Specifically, ceramic powder and glass are blended at a certain ratio and mixed. Subsequently, an organic binder and solvent are added to the mixed raw materials and dispersed until uniform to obtain a slurry. The slurry is applied on the PET film with a certain thickness by a film forming apparatus, and sheet-like green sheets 11A, 12B, and 13C are formed through a drying process.

（グリーンシートの加工）
グリーンシート１１Ａ、１２Ａ、１３Ａを所望の大きさに切断する。続いて第１セラミック層１１の材料であるグリーンシート１１Ａにコンタクトビア３６ｎ、３６ｐを形成するための貫通孔３６ｈを形成する。また、第２セラミック層１２の材料であるグリーンシート１２Ａに凹部１２１、１２２を形成するための円形の貫通孔１２１ｈ、１２２ｈを形成する。また、枠体１３０を構成する第３セラミック層１３の材料であるグリーンシート１３Ａに円形の貫通孔１３１ｈを形成する（図７（ｂ））。 (Green sheet processing)
The green sheets 11A, 12A, and 13A are cut to a desired size. Subsequently, through holes 36h for forming contact vias 36n and 36p are formed in the green sheet 11A that is the material of the first ceramic layer 11. In addition, circular through holes 121h and 122h for forming the recesses 121 and 122 are formed in the green sheet 12A that is the material of the second ceramic layer 12. In addition, a circular through hole 131h is formed in the green sheet 13A that is a material of the third ceramic layer 13 constituting the frame body 130 (FIG. 7B).

（電極パッド、外部接続端子の形成）
次に、グリーンシート１１Ａの表面にスクリーン印刷法によってＡｇ−Ｐｄペーストを印刷して電極パッド３１ｎ、３１ｐ、３２ｎ、３２ｐを形成する。また、グリーンシート１１Ａの裏面にスクリーン印刷法によってＡｇ−Ｐｄペーストを印刷して外部接続端子３５ｎ、３５ｐを形成する。また、貫通孔３６ｈにＡｇ−Ｐｄペーストを充填してコンタクトビア３６ｎ、３６ｐを形成する（図７（ｃ））。 (Formation of electrode pads and external connection terminals)
Next, Ag-Pd paste is printed on the surface of the green sheet 11A by screen printing to form electrode pads 31n, 31p, 32n, and 32p. Further, an Ag-Pd paste is printed on the back surface of the green sheet 11A by screen printing to form the external connection terminals 35n and 35p. Further, the via-hole 36h is filled with Ag—Pd paste to form contact vias 36n and 36p (FIG. 7C).

（焼成およびめっき処理）
次に、グリーンシート１１Ａ、１２Ａ、１３Ａを位置合わせして熱と圧力を加えた状態で積層する。その後、グリーンシートに含まれる有機系バインダを飛散させながら、グリーンシート、Ａｇ−Ｐｄペーストを同時焼成する。次に、電解めっき法により、電極パッド３１ｎ、３１ｐ、３２ｎ、３２ｐおよび外部接続端子３５ｎ、３５ｐにＮｉめっき処理およびＡｕめっき処理を施す。第１セラミック層１１と第２セラミック層１２が積層されることにより、素子搭載面に凹部１２１および１２２を有し、凹部１２１の底面において電極パッド３２ｎ、３２ｐが露出し、凹部１２２の底面において電極パッド３１ｎ、３１ｐが露出した基板１０が形成される。そして、第１乃至第３セラミック層の積層体である積層セラミックパッケージが完成する（図８（ａ））。 (Baking and plating treatment)
Next, the green sheets 11A, 12A, and 13A are aligned and laminated with heat and pressure applied. Thereafter, the green sheet and the Ag—Pd paste are simultaneously fired while scattering the organic binder contained in the green sheet. Next, Ni plating treatment and Au plating treatment are performed on the electrode pads 31n, 31p, 32n, 32p and the external connection terminals 35n, 35p by electrolytic plating. By laminating the first ceramic layer 11 and the second ceramic layer 12, the element mounting surface has the recesses 121 and 122, the electrode pads 32 n and 32 p are exposed on the bottom surface of the recess 121, and the electrode is formed on the bottom surface of the recess 122. The substrate 10 with the pads 31n and 31p exposed is formed. Then, a multilayer ceramic package that is a multilayer body of the first to third ceramic layers is completed (FIG. 8A).

（チップマウントおよびワイヤーボンディング）
基板１０の素子搭載面（第２セラミック層１２の表面）上のＬＥＤチップ搭載位置にシリコーン樹脂等からなる接着材を塗布し、この接着剤の上にＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆをマウントする。ＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆは、素子搭載面に設けられた凹部１２１を囲む環状配列をなすように配置される。その後、熱処理によって接着剤を硬化させ、ＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆを基板１０上に固着する。次にＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆのｎ電極およびｐ電極と、電極パッド３１ｎ、３１ｐ、３２ｎ、３２ｐとをボンディングワイヤ４０で接続する（図８（ｂ））。 (Chip mount and wire bonding)
An adhesive made of silicone resin or the like is applied to the LED chip mounting position on the element mounting surface (the surface of the second ceramic layer 12) of the substrate 10, and the LED chips 20a to 20f are mounted on this adhesive. The LED chips 20a to 20f are arranged so as to form an annular array surrounding the recess 121 provided on the element mounting surface. Thereafter, the adhesive is cured by heat treatment, and the LED chips 20 a to 20 f are fixed onto the substrate 10. Next, the n and p electrodes of the LED chips 20a to 20f are connected to the electrode pads 31n, 31p, 32n, and 32p with the bonding wires 40 (FIG. 8B).

（光反射性樹脂の形成）
次に、ＬＥＤチップの環状配列の内側に配置された凹部１２１内に光反射性樹脂５０を充填して電極パッド３２ｎ、３２ｐを被覆する。光反射性樹脂５０は、シリコーン樹脂に光散乱粒子であるアルミナ粒子を含有させたものを用いることができる。アルミナ粒子の配合比率は例えば７０重量パーセント、光反射性樹脂５０の粘度は約７０Ｐａ・ｓである。光散乱粒子としてはアルミナ以外に酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化亜鉛等を使用することができる（図８（ｃ））。 (Formation of light-reflective resin)
Next, the light reflecting resin 50 is filled in the recesses 121 arranged inside the annular array of LED chips to cover the electrode pads 32n and 32p. As the light reflective resin 50, a silicone resin containing alumina particles which are light scattering particles can be used. The mixing ratio of the alumina particles is, for example, 70 weight percent, and the viscosity of the light reflective resin 50 is about 70 Pa · s. As the light scattering particles, magnesium oxide, titanium oxide, zinc oxide and the like can be used in addition to alumina (FIG. 8C).

ここで、光反射性樹脂５０の被覆形状を光取り出しに有利な反り上がり形状とするための塗布方法を図９（ａ）〜（ｃ）を参照しつつ説明する。尚、図９（ａ）および図９（ｃ）において、ブロック矢印はディスペンサ２００の移動方向、破線矢印はディスペンサ２００内に生ずる圧力方向を示している。   Here, a coating method for making the cover shape of the light reflective resin 50 into a warped shape advantageous for light extraction will be described with reference to FIGS. 9A and 9C, the block arrow indicates the moving direction of the dispenser 200, and the broken arrow indicates the direction of pressure generated in the dispenser 200.

光反射性樹脂５０は、ディスペンス法により塗布される。光反射性樹脂５０を封入したディスペンサ２００が凹部１２１の中央上方に位置するように位置合わせを行う。次に、ディスペンサ２００に圧縮空気を供給しつつこれを降下させる。ディスペンスノズル内には下向き（吐出方向）の圧力が生じ、ディスペンスノズルの先端からは光反射性樹脂５０が吐出される（図９（ａ））。   The light reflecting resin 50 is applied by a dispensing method. Positioning is performed so that the dispenser 200 enclosing the light-reflective resin 50 is positioned above the center of the recess 121. Next, this is lowered while supplying compressed air to the dispenser 200. A downward pressure (discharge direction) is generated in the dispense nozzle, and the light reflecting resin 50 is discharged from the tip of the dispense nozzle (FIG. 9A).

ディスペンスノズルから吐出された光反射性樹脂５０が凹部１２１の底面に接触するタイミングでディスペンサ２００の降下を停止させる。ディスペンサ２００を静止状態に保持したまま光反射性樹脂５０の供給を継続する。光反射性樹脂５０は、凹部１２１の底面を濡れ広がって凹部の側壁１２１ａに達する。凹部１２１を充填する光反射性樹脂５０の供給量が所定量に達したら、圧縮空気の供給を停止して光反射性樹脂５０の供給を停止させる。光反射性樹脂５０が凹部１２１の側壁１２１ａを超えて素子搭載面にまで横溢しないように供給量が制御される。光反射性樹脂５０は、凹部１２１を充填している部分からディスペンスノズルの先端まで連なった状態となる（図９（ｂ））。   The descent of the dispenser 200 is stopped at the timing when the light reflective resin 50 discharged from the dispense nozzle contacts the bottom surface of the recess 121. The supply of the light reflective resin 50 is continued while the dispenser 200 is held stationary. The light-reflecting resin 50 wets and spreads on the bottom surface of the recess 121 and reaches the side wall 121a of the recess. When the supply amount of the light reflecting resin 50 filling the recess 121 reaches a predetermined amount, the supply of the compressed air is stopped to stop the supply of the light reflecting resin 50. The supply amount is controlled so that the light-reflective resin 50 does not overflow to the element mounting surface beyond the side wall 121a of the recess 121. The light-reflective resin 50 is in a state of being continuous from the portion filling the recess 121 to the tip of the dispensing nozzle (FIG. 9B).

次に、ディスペンサ２００に負圧を印加することによりディスペンスノズル内において上向き（吸引方向）の圧力を発生させつつディスペンスノズル２００を上方に引き上げる。これにより、光反射性樹脂５０は凹部１２１を充填する部分と、ディスペンスノズル先端に付着する部分とに引き裂かれて分離する。このとき、光反射性樹脂５０には、凹部の側壁１２１ａを這い上がる方向に作用する表面張力と、ディスペンスノズルの方向に作用する表面張力によって、光反射性樹脂５０の側面は凹状曲面となる（図９（ｃ））。   Next, by applying a negative pressure to the dispenser 200, the dispense nozzle 200 is pulled upward while generating an upward pressure (suction direction) in the dispense nozzle. As a result, the light-reflective resin 50 is torn into a portion that fills the concave portion 121 and a portion that adheres to the tip of the dispensing nozzle. At this time, the light-reflecting resin 50 has a concave curved side surface due to the surface tension acting in the direction of scooping up the side wall 121a of the recess and the surface tension acting in the direction of the dispensing nozzle ( FIG. 9 (c)).

光反射性樹脂の塗布工程において以上のような手順で光反射性樹脂５０を塗布することにより、光反射性樹脂５０の形状を光取り出しに有利な反り上がり形状とすることができる。光反射性樹脂５０の塗布が完了したら、熱処理を行って光反射性樹脂５０を硬化させる。   By applying the light-reflecting resin 50 in the above-described procedure in the light-reflecting resin application step, the shape of the light-reflecting resin 50 can be a warped shape that is advantageous for light extraction. When the application of the light reflecting resin 50 is completed, heat treatment is performed to cure the light reflecting resin 50.

（封止樹脂の形成）
枠体１３０の側壁１３１の内側に形成された空間にシリコーン樹脂等の光透過性樹脂からなる封止樹脂６０を充填する。ＬＥＤチップ２０ａ〜２０ｆ、ボンディングワイヤ４０および光反射性樹脂５０は封止樹脂６０内に埋設される。封止樹脂６０は、その上面の高さ位置が光反射性樹脂５０の頂部の高さ位置よりも高くなるように形成される。封止樹脂６０内には、ＬＥＤから発せられる光の波長を変換せしめる蛍光体が分散されていてもよい（図８（ｄ））。以上の各工程を経ることにより半導体発光装置１が完成する。 (Formation of sealing resin)
A space formed inside the side wall 131 of the frame body 130 is filled with a sealing resin 60 made of a light transmissive resin such as a silicone resin. The LED chips 20a to 20f, the bonding wire 40, and the light reflecting resin 50 are embedded in the sealing resin 60. The sealing resin 60 is formed such that the height position of the upper surface thereof is higher than the height position of the top portion of the light reflective resin 50. A phosphor that converts the wavelength of light emitted from the LED may be dispersed in the sealing resin 60 (FIG. 8D). The semiconductor light emitting device 1 is completed through the above steps.

以上の説明から明らかなように、本発明の実施例に係る半導体発光装置によれば、光吸収性を示す電極パッド３２ｎ、３２ｐは反射率の高い光反射性樹脂５０で被覆される故、半導体発光装置の光束および光度を向上させることが可能となる。また、これに伴って、光取り出し面内における明暗差（輝度むら）を低減することが可能となる。   As is apparent from the above description, according to the semiconductor light emitting device according to the embodiment of the present invention, the electrode pads 32n and 32p exhibiting light absorption are covered with the light reflective resin 50 having high reflectivity. It becomes possible to improve the luminous flux and luminous intensity of the light emitting device. Along with this, it is possible to reduce the difference in brightness (brightness unevenness) in the light extraction surface.

更に、光反射性樹脂５０は、ＬＥＤチップの表面高さよりも投光方向前方に頂部を有し且つその表面が凹状曲面を呈する故、光反射性樹脂５０をリフレクタとして有効に機能させることが可能となる。これにより、上記した光出力を向上させ輝度むらを低減させる効果がより顕著となる。具体的には、光反射性樹脂５０の被覆形状を反り上がり形状とすることで、電極パッド３２ｎ、３２ｐを光反射性樹脂で被覆しない場合と比較して、光束および光度が５〜２０％増加した。尚、比較例として、凹部１２１内に光反射性樹脂を水平形状（すなわち、光反射性樹脂は反り上がり形状を有さず、上面が平坦）に充填した半導体発光装置を作製し、同様の評価を行ったところ、光束および光度の増加は３〜５％にとどまった。   Furthermore, since the light reflective resin 50 has a top portion in front of the light emitting direction with respect to the surface height of the LED chip and the surface has a concave curved surface, the light reflective resin 50 can function effectively as a reflector. It becomes. Thereby, the effect of improving the light output and reducing the luminance unevenness becomes more remarkable. Specifically, by making the coating shape of the light reflecting resin 50 warped, the luminous flux and the luminous intensity are increased by 5 to 20% compared to the case where the electrode pads 32n and 32p are not coated with the light reflecting resin. did. As a comparative example, a semiconductor light emitting device in which the light reflecting resin is filled in the recess 121 in a horizontal shape (that is, the light reflecting resin does not have a warped shape and the top surface is flat) is manufactured, and the same evaluation is made. As a result, the increase in luminous flux and luminous intensity was only 3 to 5%.

また、光反射性樹脂５０が、ＬＥＤチップの上面高さよりも高い位置に頂部を有する反り上がり形状を有する故、封止樹脂６０の体積分布が均一化され、封止樹脂６０の剥離を防止することが可能となる。   Further, since the light reflective resin 50 has a warped shape having a top at a position higher than the height of the upper surface of the LED chip, the volume distribution of the sealing resin 60 is made uniform and the peeling of the sealing resin 60 is prevented. It becomes possible.

また、光反射性樹脂５０は、基板１０に設けられた凹部１２１内に形成される故、反り上がり形状を再現性よく形成することが可能となる。   Further, since the light reflective resin 50 is formed in the recess 121 provided in the substrate 10, it is possible to form a warped shape with good reproducibility.

尚、上記した実施例においては、６つのＬＥＤチップを搭載する場合を例示したが、ＬＥＤチップの数量は適宜変更する可能である。また、上記した実施例においては、ＬＥＤチップを環状に配列し、円形の外縁を有する凹部１２１をこの環状配列の内側に配置することとしたが、ＬＥＤチップの配列形態や凹部１２１の形状および配置は適宜変更することが可能である。また、上記した実施例においては、ＬＥＤチップの環状配列の中央に光反射性樹脂５０の頂部を設ける構成としたが、光反射性樹脂５０の頂部を特定のＬＥＤチップ側に偏倚させてもよい。例えば、主にチップ側面から光を放射するタイプのＬＥＤチップと、主にチップ主面から光を放射するタイプのＬＥＤチップが混在する場合、光反射性樹脂５０の頂部を後者側に偏倚させることにより、効率よく光を取り出すことができる。   In the above-described embodiment, the case where six LED chips are mounted is illustrated, but the number of LED chips can be changed as appropriate. Further, in the above-described embodiment, the LED chips are arranged in a ring shape, and the concave portion 121 having a circular outer edge is arranged inside the annular arrangement. However, the LED chip arrangement form and the shape and arrangement of the concave portion 121 are arranged. Can be appropriately changed. In the above embodiment, the top of the light reflecting resin 50 is provided at the center of the annular array of LED chips. However, the top of the light reflecting resin 50 may be biased toward the specific LED chip. . For example, when a type of LED chip that mainly emits light from the side of the chip and a type of LED chip that mainly emits light from the chip main surface are mixed, the top of the light-reflective resin 50 is biased to the latter side. Thus, light can be extracted efficiently.

１ 半導体発光装置
１０ 基板
１１ 第１セラミック層
１２ 第２セラッミク層
１３ 第３セラミック層
２０ａ〜２０ｆ ＬＥＤチップ
３１ｎ、３１ｐ、３２ｎ、３２ｐ 電極パッド
４０ ボンディングワイヤ
５０ 光反射性樹脂
６０ 封止樹脂
１２１、１２２ 凹部
１２１ａ 側壁
１３０ 枠体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor light-emitting device 10 Board | substrate 11 1st ceramic layer 12 2nd ceramic layer 13 3rd ceramic layer 20a-20f LED chip 31n, 31p, 32n, 32p Electrode pad 40 Bonding wire 50 Light reflecting resin 60 Sealing resin 121,122 Recessed part 121a Side wall 130 Frame

Claims (7)

素子搭載面に設けられた凹部と、前記凹部の底面に設けられた電極パッドと、を有する基板と、
前記基板の前記素子搭載面に環状配列をなして搭載され前記電極パッドに電気的に接続された複数の発光素子と、
前記電極パッドを覆うように前記凹部に充填された光反射性樹脂と、を有し、
前記光反射性樹脂は、前記発光素子の表面よりも投光方向前方に頂部を有し且つ前記頂部から前記凹部の側壁に至る表面が凹状面を有し、
前記凹部は、前記環状配列の内側に設けられていることを特徴とする半導体発光装置。 A substrate having a recess provided on the element mounting surface, and an electrode pad provided on the bottom surface of the recess;
A plurality of light emitting elements mounted in an annular arrangement on the element mounting surface of the substrate and electrically connected to the electrode pads;
A light-reflective resin filled in the recess so as to cover the electrode pad,
The light reflecting resin, the surface extending from and the top has a top forwardly projecting direction from the surface of the light emitting element on the side walls of the recess have a concave surface,
The recess, the semiconductor light-emitting device which is characterized that you have provided inside the annular array. 前記光反射性樹脂は、前記環状配列の中央に頂部を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。 The semiconductor light-emitting device according to claim 1 , wherein the light-reflecting resin has a top at the center of the annular array. 前記凹部の側壁は、前記凹部の底面とのなす角が鈍角となるように傾斜していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。 3. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the side wall of the recess is inclined such that an angle formed with a bottom surface of the recess becomes an obtuse angle. 前記発光素子と前記電極パッドとはボンディングワイヤを介して接続され、
前記ボンディングワイヤの一部は、前記光反射性樹脂の内部に埋設されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。 The light emitting element and the electrode pad are connected via a bonding wire,
The bonding wire is part of the semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that is embedded in the interior of the light reflecting resin. 前記基板上に設けられて前記発光素子を囲む側壁を有する枠体と、
前記枠体の側壁の内側に充填された封止樹脂と、を更に有し、
前記発光素子および前記光反射性樹脂は、前記封止樹脂内に埋設されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。 A frame having a side wall provided on the substrate and surrounding the light emitting element;
A sealing resin filled inside the side wall of the frame body,
Said light emitting element and the light reflective resin, the semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that is embedded in said sealing resin. 素子搭載面に設けられた凹部と、前記凹部底面に設けられた電極パッドと、を有する基板を用意する工程と、
前記基板の前記素子搭載面に少なくとも１つの発光素子を搭載して前記発光素子と電極パッドとを電気的に接続する工程と、
前記電極パッドを覆うように前記凹部に光反射性樹脂を充填する工程と、を含み、
前記光反射性樹脂は、前記発光素子の表面よりも投光方向前方に頂部を有し且つ前記頂部から前記凹部の側壁に至る表面が凹状面となるように充填され、
前記光反射性樹脂を充填する工程は、
前記光反射性樹脂を封入したディスペンサを前記凹部の上方に位置合わせするステップと、
前記ディスペンサから前記光反射性樹脂を吐出させ、前記光反射性樹脂が前記凹部の側壁に接するように前記凹部内に前記光反射性樹脂を供給するステップと、
前記光反射性樹脂の供給量が所定量に達したとき前記光反射性樹脂の供給を停止させるステップと、
前記光反射性樹脂の供給を停止した後に前記ディスペンサを上方に引き上げるステップと、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 Preparing a substrate having a recess provided on the element mounting surface and an electrode pad provided on the bottom surface of the recess;
Mounting at least one light emitting element on the element mounting surface of the substrate to electrically connect the light emitting element and the electrode pad;
Filling the recess with a light-reflective resin so as to cover the electrode pad,
The light-reflecting resin has a top part in the light projecting direction from the surface of the light emitting element and is filled so that the surface from the top part to the side wall of the concave part becomes a concave surface ,
The step of filling the light reflecting resin includes
Aligning the dispenser encapsulating the light reflective resin above the recess;
Discharging the light-reflective resin from the dispenser, and supplying the light-reflective resin into the recess so that the light-reflective resin contacts a side wall of the recess;
Stopping the supply of the light-reflective resin when the supply amount of the light-reflective resin reaches a predetermined amount;
And a step of pulling the dispenser upward after stopping the supply of the light-reflecting resin . 前記ディスペンサを上方に引き上げるステップにおいて、前記ディスペンサには負圧が印加されていることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。 The manufacturing method according to claim 6 , wherein in the step of pulling up the dispenser, a negative pressure is applied to the dispenser.
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