JP5720550B2 - エピタキシャルウエーハの欠陥評価方法 - Google Patents
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Description
直径200mmのCZ法単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハに、シリコン層をエピタキシャル成長させたエピタキシャルウエーハを準備した。このエピタキシャルウエーハについてMAGICSで欠陥の面内座標を取得した。ここでのEP欠陥総数は1523個であった。次に同ウェーハを混酸系の選択エッチング液(JIS H0609:1999によるC液)を用いて30秒間選択エッチングを施し、転位に由来する欠陥(エッチピット)を顕在化させた。その後、SC1洗浄等で選択エッチングによって付着したゴミなどの成分を除去した。次に手動SEMにて欠陥画像を取得し、取得された画像から転位の存在する欠陥を選択した。転位の数の多い欠陥から優先的に31個の厚さ3μmのTEMサンプルをFIBを用いて作製した。これらのサンプルを用いてTEMによる観察を行ったところ31個のうち、28個(約90%)の欠陥の原因物質等の欠陥原因が確認できた。図2にTEMによる観察結果を示す。
直径200mmの実施例1と同一のCZ法単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハにシリコン層をエピタキシャル成長させたエピタキシャルウエーハを準備した。このエピタキシャルウエーハについてMAGICSで欠陥の面内座標を取得した。ここでのEP欠陥総数は1567個であった。この中から無作為に31個のサンプルを選択し、選択エッチングとSEMによる画像の取得を行わないで、厚さ3μmのTEMサンプルをFIBを用いて作製した。これらのサンプルを用いてTEMによる観察を行ったところ、31の欠陥のうち6個(約20%)については原因物質等の欠陥原因の分析結果が得られたが、残りの25個は欠陥原因が確認できなかった。図3にTEMによる観察結果を示す。
Claims (1)
- エピタキシャルウエーハの欠陥評価方法であって、
前記エピタキシャルウエーハ表面を選択エッチングして欠陥を顕在化させた後、走査型電子顕微鏡、光学顕微鏡又はレーザー顕微鏡により前記顕在化した欠陥から線状欠陥である転位が存在する欠陥を選別し、該選別された欠陥のサンプルを作製して透過型電子顕微鏡により観察することで前記エピタキシャルウエーハの欠陥原因を特定し、
前記選別された欠陥のサンプルの観察において、転位の数が多い方から所定の数だけ前記選別された欠陥のサンプルを観察することを特徴とするエピタキシャルウエーハの欠陥評価方法。
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