JP5463884B2 - 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法 - Google Patents
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Description
また、ドーパントの種類によっては、ドーパント濃度が高くなるにつれ欠陥サイズが微小となり、検出が困難になることも多く、適切な評価方法が求められてきた。
前述のように、例えば5mΩ・cm以下といった低抵抗率基板表面及び内部に存在する結晶欠陥は、ケミカルエッチ法や光学的手法により観察されてきたが、ヒ素やボロン等を高濃度ドープしたウェーハの結晶欠陥については、結晶欠陥の検出方法が確立されていなかった。従って、半導体単結晶基板の結晶欠陥を高感度に顕在化させることのできる欠陥評価方法が求められていた。
そして、本発明者は鋭意検討を重ねたところ、例え低抵抗率の半導体単結晶基板であっても水素雰囲気下800〜1100℃で熱処理することによって、半導体単結晶基板の表面に結晶欠陥をピットとして顕在化させることができ、評価する半導体単結晶基板の表面を、予めポリッシュ(アングルポリッシュを含む)あるいは劈開しておくことで、熱処理後顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、半導体単結晶基板の表面のみならず内部の結晶欠陥の評価をも行うことができることを見出した。
ここで行う洗浄としては、過酸化水素をベースとした、H2O/H2O2/NH4OH(SC−1洗浄)、H2O/H2O2/HCl(SC−2洗浄)による2段階洗浄を行うことができる。このような洗浄をすることによって、半導体単結晶基板表面がエッチングされ、確実に異物が除去されるとともに、評価する半導体単結晶基板表面に存在していた結晶欠陥に加えて、表面直下に存在していた結晶欠陥も、熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化させることができるため、より精度良く半導体単結晶基板の評価をすることができる。また、自然酸化膜除去のためにフッ酸を用いた洗浄も行うことができる。
この顕在化した結晶欠陥は、走査型電子顕微鏡や表面欠陥検査装置等を用いて検出することができる。走査型電子顕微鏡を用いて検出することによって、結晶欠陥の形状、サイズ、組成、結晶欠陥密度等の分析をすることができ、半導体単結晶基板の持つ品質特性を詳細に評価することができる。また、表面欠陥検査装置(例えば、MAGICS、SP1、SP2等)に適合する形状の試料にあっては、このような表面欠陥検査装置を用いることによって、結晶欠陥密度や分布を短時間で正確に分析することができ、ゲッタリング能力等に代表されるウェーハの特性を評価することができる。
評価する半導体単結晶基板として、直径150mm、抵抗率1.5mΩ・cm、<100>のN型ヒ素ドープシリコンウェーハを用いた。
このシリコンウェーハをポリッシュ加工し、シリコンウェーハ表面を鏡面とし、その後SC1洗浄、SC2洗浄、HF洗浄を行った。その後水素雰囲気下900℃で10分間熱処理を施した。
更に、上記と同様のポリッシュ加工、洗浄を行い、それぞれ水素雰囲気下850℃で60分、水素雰囲気下900℃で10分熱処理を施したN型ヒ素ドープシリコンウェーハを、高分解能走査型電子顕微鏡SU−800により観察し、検出された欠陥像をもとに欠陥個数を計測し、密度換算したものを図3に示す。
また、上記と同様のポリッシュ加工、洗浄を行い、水素雰囲気下900℃で10分熱処理を施したN型ヒ素ドープシリコンウェーハをMAGICS M5640(レーザーテック社製)を用いて観察し、検出された欠陥分布を図4に示す。
評価する半導体単結晶基板として、実施例と同様のヒ素ドープシリコンウェーハを用い、水素雰囲気下での熱処理を行わずに、シリコンウェーハ表面からレーザー光を入射して結晶欠陥による散乱光を検出したところ、感度が低く結晶欠陥の検出をすることができなかった。
評価する半導体単結晶基板として、直径150mm、抵抗率1.5mΩ・cm、<100>のN型ヒ素ドープシリコンウェーハを用いた。
このシリコンウェーハをポリッシュ加工し、シリコンウェーハ表面を鏡面とし、その後SC1洗浄、SC2洗浄、HF洗浄を行った。その後水素雰囲気下で下記表1の熱処理条件で熱処理を施した。各条件で熱処理したN型ヒ素ドープシリコンウェーハを、高分解能走査型電子顕微鏡SU−800により観察した結果を表1に示す。
Claims (5)
- 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板を水素雰囲気下800〜1100℃で熱処理した後、該熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、前記半導体単結晶基板の結晶欠陥の評価を行う半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であり、前記評価する半導体単結晶基板を、5mΩ・cm以下の低抵抗率のヒ素又はボロンドープシリコンウェーハとすることを特徴とする半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
- 前記評価する半導体単結晶基板の表面は、ポリッシュ又は劈開により鏡面とし、その後前記水素雰囲気下800〜1100℃での熱処理を行い、前記熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
- 前記評価する半導体単結晶基板に前記鏡面を形成した後、洗浄を行い、その後前記熱処理を行うことを特徴とする請求項2に記載の半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
- 前記顕在化した結晶欠陥を、走査型電子顕微鏡又は表面欠陥検査装置を用いて検出することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
- 前記評価する半導体単結晶基板として、エピタキシャル成長用の半導体単結晶基板を評価することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。
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