JP5713224B1 - 弾性表面波デバイス及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

ダイシング時に給電ラインが圧電基板から剥がれることを抑制し、密閉空間の密閉性低下を抑制することができる弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供する。圧電基板の主面１１ａに、弾性表面波素子パターンと、パッドと、パッドに電気的に接続され主面１１ａの外周縁１１ｘまで延在する給電ライン１８ｊとを含む導電パターンが形成されている。主面１１ａの外周縁１１ｘに沿って、外周縁１１ｘとの間に間隔を設けて枠状に形成された枠部３２と、パッド上に形成されたパッド隣接部とを含む支持層を介して、圧電基板とカバーとが接合され、圧電基板、カバー及び枠部３２で囲まれた密閉空間が形成される。支持層は、枠部３２のうちパッド隣接部から離れている独立部分が給電ライン１８ｊと交差する交差部分３２ｘの近傍において、給電ライン１８ｊと交差する補強部３６を、さらに含む。

Description

本発明は、弾性表面波デバイス及びその製造方法に関し、詳しくは、密閉空間を有する弾性表面波デバイス及びその製造方法に関する。

従来、密閉空間を有する弾性表面波デバイスが種々提供されている。

例えば図１５に断面図を示す弾性表面波デバイス１０１は、圧電基板１０３とカバー１３７とが枠状の支持層１３５を介して結合され、圧電基板１０３とカバー１３７の間に密閉空間１１０Ａが形成されている。圧電基板１０３のカバー１３７に対向する主面には、弾性表面波素子のＩＤＴ電極や反射器、パッド、配線を含む導電パターン１１１Ａが形成されている。支持層１３５及びカバー１３７の孔部１０５ｈの底面、内周面及び、カバー１３７の上面の孔部１０５ｈの周囲に成膜された下地層１３９と、その内側に充填された中実部１４１とによって、支持層１３５及びカバー１３７を貫通し、パッド１１３Ａに電気的に接続された貫通導体１０７Ａが形成されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１１−１７２１９０号公報

弾性表面波デバイスは、ウェハ状の圧電基板（集合基板）に複数個分をまとめて加工した後、個片に分割することによって、効率よく作製することができる。集合基板の状態で、貫通導体を電解めっきによって形成する場合、めっき工程でパッドに電流が流れるようにする給電ラインを集合基板に予め形成しおく。給電ラインは、集合基板を個基板に分割するときに切断される。そのため、集合基板から分割された個片において、給電ラインは圧電基板の主面の外周縁まで延在している。

ダイシングによって集合基板を切断し、個片に分割する場合、ダイシング時に給電ラインが圧電基板の主面のから剥がれ、密閉空間を形成している支持層と圧電基板の密着性が低下し、密閉空間の密閉性が低下することがある。

本発明は、かかる実情に鑑み、ダイシング時に給電ラインが圧電基板から剥がれることを抑制し、密閉空間の密閉性低下を抑制することができる弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供しようとするものである。

本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性表面波デバイスを提供する。

弾性表面波デバイスは、（ａ）主面を有する圧電基板と、（ｂ）前記主面に形成され、弾性表面波素子パターンと、パッドと、前記パッドに電気的に接続され前記主面の外周縁まで延在する給電ラインとを含む導電パターンと、（ｃ）前記主面の前記外周縁に沿って、前記外周縁との間に間隔を設けて枠状に前記主面に形成された枠部と、前記パッド上に形成されたパッド隣接部とを含む支持層と、（ｄ）前記支持層に接合され、前記主面に対向するカバーと、（ｅ）前記パッドに電気的に接続され、前記主面を平面視する方向に前記支持層のパッド隣接部の内部を貫通する貫通孔の内部に形成される貫通導体とを備え、前記圧電基板、前記カバー及び前記支持層によって囲まれた密閉空間が形成される。前記給電ラインは、前記パッド隣接部から離れている前記枠部の独立部分と交差する独立給電ラインを含む。前記支持層は、前記独立部分の近傍において、前記独立給電ラインと交差する前記主面に形成された補強部をさらに含む。

上記構成において、支持層の枠部の外側に支持層の補強部が形成された場合、ダイシング時に独立給電ラインが圧電基板の主面から剥がれても、補強部によって、独立給電ラインの剥がれを枠部の独立部分の手前で止めることができる。支持層の枠部の内側に枠部と一体に支持層の補強部が形成された場合、ダイシング時に独立給電ラインが圧電基板の主面から剥がれ、支持層の枠部の独立部分と独立給電ラインとの交差部分で密着性が低下しても、補強部によって、密閉空間の気密を維持することができる。

上記構成によれば、支持層の補強部によって、密閉空間の密閉性低下を抑制することができる。

好ましい一態様において、前記補強部は、前記枠部の外側に形成される。前記補強部が前記独立給電ラインに交差する方向の寸法である前記補強部の幅は、前記枠部に接近するにつれて連続的に大きくなる。

この場合、ダイシング時に給電ラインが延在する方向に作用する応力を、補強部によって、給電ラインが延在する方向と異なる方向に逃がすことができ、より確実に、密閉空間の気密を維持することができる。

好ましい他の態様において、前記補強部は、前記枠部の外側に形成される。前記補強部が前記独立給電ラインに交差する方向の寸法である前記補強部の幅は、前記枠部に接近するにつれて階段状に大きくなる。

この場合、ダイシング時に給電ラインの方向に作用する応力を、補強部によって、給電ラインが延在する方向と異なる方向に逃がすことができ、より確実に、密閉空間の気密を維持することができる。

好ましい他の態様において、前記補強部は、前記枠部の外側に形成され、かつ前記枠部から離れて形成されている。

この場合、補強部によって、独立給電ラインの剥がれを枠部の手前で止め、密閉空間の密閉性低下を抑制することができる。

また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性表面波デバイスの製造方法を提供する。

弾性表面波デバイスの製造方法は、第１乃至第４の工程を備える。前記第１の工程において、圧電基板の主面に、弾性表面波素子パターンと、パッドと、前記パッドに電気的に接続され前記主面の外周縁まで延在する給電ラインとを含む導電パターンを形成する。前記第２の工程において、前記導電パターンが形成された前記圧電基板の前記主面に、前記圧電基板の前記主面の前記外周縁に沿って、前記外周縁との間に間隔を設けて枠状に形成された枠部と、前記パッド上に形成されたパッド隣接部とを含む支持層を形成する。前記第３の工程において、前記圧電基板の前記主面に対向するカバーを、前記支持層に接合して、前記圧電基板、前記カバー及び前記支持層によって囲まれた密閉空間を形成する。前記第４の工程において、前記パッドに電気的に接続され、前記主面を平面視する方向に前記支持層のパッド隣接部を貫通する貫通孔の内部に形成される貫通導体を形成する。前記第１の工程において形成する前記給電ラインは、前記第２の工程において前記枠部のうち前記パッド隣接部から離れている独立部分と交差する独立給電ラインを含む。前記第２の工程において形成する前記支持層は、前記独立部分の近傍において、前記独立給電ラインと交差する前記主面に形成された補強部をさらに含む。

上記方法によれば、支持層の補強部によって、密閉空間の密閉性低下を抑制することができる。

好ましい一態様において、前記第２の工程において、前記補強部は、前記枠部の外側に、前記枠部に接近するにつれて、前記補強部が前記独立給電ラインに交差する方向の寸法である前記補強部の幅が連続的に大きくなるように形成する。

この場合、ダイシング加工時に給電ラインが延在する方向に作用する応力を、補強部によって、給電ラインが延在する方向と異なる方向に逃がすことができ、より確実に、密閉空間の気密を維持することができる。

好ましい他の態様において、前記第２の工程において、前記補強部は、前記補強部は、前記枠部の外側に、前記枠部に接近するにつれて、前記補強部が前記独立給電ラインに交差する方向の寸法である前記補強部の幅が階段状に大きくなるように形成する。

この場合、ダイシング加工時に給電ラインが延在する方向に作用する応力を、補強部によって、給電ラインが延在する方向と異なる方向に逃がすことができ、より確実に、密閉空間の気密を維持することができる。

好ましい他の態様において、前記第４の工程は、前記第３の工程の前に、前記支持層と前記カバーとが接合されたとき前記主面を平面視して前記パッド隣接部の前記貫通孔と重なるように前記カバーに貫通孔を形成する工程を含む。

好ましい他の態様において、前記第４の工程は、前記第３の工程の後に、前記支持層と前記カバーとが接合されたとき前記主面を平面視して前記パッド隣接部の前記貫通孔と重なるように前記カバーに貫通孔を形成する工程を含む。

本発明によれば、弾性表面波デバイスの密閉空間の密閉性低下を抑制することができる。

弾性表面波デバイスの断面図である（実施例１） 弾性表面波デバイスの断面図である（実施例１） 弾性表面波デバイスの製造工程を示す平面図である（実施例１） 弾性表面波デバイスの製造工程を示す平面図である（実施例１） 弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図である（実施例１） 弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図である（実施例１） 弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図である（実施例１） 弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図である（実施例１） 弾性表面波デバイスの要部拡大断面図である（実施例１） 弾性表面波デバイスの要部拡大断面図である（変形例１） 弾性表面波デバイスの要部拡大断面図である（変形例１） 弾性表面波デバイスの要部拡大断面図である（変形例２） 弾性表面波デバイスの要部拡大断面図である（変形例３） 弾性表面波デバイスの製造工程の変形例を示す平面図である。 弾性表面波デバイスの断面図である（従来例１）

以下、本発明の実施の形態について、図１〜図１４を参照しながら説明する。

＜実施例１＞ 実施例１の弾性表面波デバイス１０について、図１〜図８を参照しながら説明する。

図１は、弾性表面波デバイス１０の断面図である。図２は、図１の線Ａ−Ａに沿って切断した断面図である。なお、図１は、図２の線Ｂ−Ｂに沿って切断した断面図である。図１及び図２に示すように、弾性表面波デバイス１０は、大略、圧電基板１１の主面１１ａに支持層３０が形成され、支持層３０にカバー４０が接合されている。詳しくは後述するが、圧電基板１１の主面１１ａには、金属膜１３ａ，１３ｂによって導電パターンが形成され、支持層３０及びカバー４０を貫通する貫通導体５０が形成され、カバー４０の上に、外部端子として、はんだバンプ５４が形成されている。

図２に示すように、支持層３０は、圧電基板１１の主面１１ａの外周縁１１ｘに沿って、外周縁１１ｘとの間に間隔を設けて枠状に形成された枠部３２と、貫通導体５０のまわりを取り囲むパッド隣接部３４と、補強部３６とを含む。枠部３２は、パッド隣接部３４から離れている独立部分３２ａと、パッド隣接部３４と一体に形成された一体部分３２ｂとを含む。圧電基板１１とカバー４０の間に、支持層３０によって囲まれた密閉空間１０ｘが形成される。

弾性表面波デバイス１０は、ウェハ状の圧電基板１１を用いて、図３〜図８に示す工程で作製することができる。図３（ａ）及び図４（ａ）は、圧電基板１１の平面図であり、個片１個分に相当する領域（個基板領域）の境界線１９を、鎖線で示している。図３（ｂ）及び図４（ｂ）は、図３（ａ）及び図４（ａ）の線Ｘ−Ｘに沿って切断した断面図である。図５〜図８は、図３（ｂ）及び図４（ｂ）と同様の断面図である。

（ａ）導電パターン形成工程
図３に示すように、ウェハ状の圧電基板の主面１１ａに、ＩＤＴ電極や反射器を含む弾性表面波素子パターン１２ａ〜１２ｄと、パッド１４ａ〜１４ｊと、パッド１４ａ〜１４ｊに電気的に接続された給電ライン１８ａ〜１８ｊと、弾性表面波素子パターン１２ａ〜１２ｄのＩＤＴ電極間や弾性表面波素子パターン１２ａ〜１２ｄのＩＤＴ電極とパッド１４ａ〜１４ｊとの間などを電気的に接続する配線を含む導電パターンを形成する。給電ライン１８ａ〜１８ｊは、境界線１９と交差し、隣接する個基板領域のパッド間を電気的に接続している。

例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）基板などの圧電基板１１の主面１１ａに、金属膜１３ａ，１３ｂや絶縁膜１３ｃを形成し、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて、パターニングする。立体的に配線するため、金属膜１３ａ，１３ｂの間に絶縁膜１３ｃを介在させている。

（ｂ）支持層形成工程
次いで、図４の平面図に示すように、圧電基板の主面１１ａに、支持層３０を形成する。支持層３０は、境界線１９に沿って、境界線１９との間に間隔を設けて形成される枠部３２と、パッド１４ａ〜１４ｊ上に形成され、パッド１４ａ〜１４ｊが露出する貫通孔３４ａ〜３４ｊが形成されたパッド隣接部３４と、詳しくは後述する補強部３６とを含む。

支持層３０は、例えば感光性ポリイミド系樹脂を圧電基板１１の主面１１ａ全体に塗布した後、フォトリソグラフィー技術により不要部分を除去して、所定の形状に形成する。

（ｂ）カバー形成工程
次いで、図５の断面図に示すように、支持層３０の上に、カバー４０を接合する。例えば、支持層３０の上にラミネート等により、低温硬化プロセスが可能となる非感光性エポキシ系フィルム樹脂などのシート状の樹脂を貼り付ける。

（ｄ）貫通孔形成工程
次いで、図６の断面図に示すように、例えばレーザ加工により、カバー４０に、支持層３０の貫通孔３４ａ〜３４ｊに連通する貫通孔４２を形成し、パッド１４ａ〜１４ｊを露出させる。

なお、カバー４０に貫通孔４２を形成した後、カバー形成工程で、貫通孔４２が形成されたカバー４０を、支持層３０の上に接合しても構わない。

また、支持層３０の貫通孔３４ａ〜３４ｊは、支持層形成工程で必ずしも形成されなくともよい。すなわち、カバー４０と支持層３０とを接合した後に、例えばレーザ加工により、カバー４０と支持層３０とに、互いに連通する貫通孔４２及び貫通孔３４ａ〜３４ｊを同時に形成してもよい。

（ｄ）貫通導体形成工程
次いで、図７の断面図に示すように、貫通孔４２；３４ａ〜３４ｊに電解メッキにて金属(Ｃｕ、Ｎｉ等)を充填して貫通導体５０を形成し、貫通導体５０の表面に、アンダーバンプメタル５２として、厚さ０．０５〜０．１μｍ程度のＡｕ膜を形成する。

（ｅ）外部端子形成工程
次いで、図８の断面図に示すように、アンダーバンプメタル５２の直上に、メタルマスクを介して、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等のはんだペーストを印刷し、はんだペーストが溶解する温度、例えば２６０℃くらいで加熱することで、はんだをＡｕ膜と固着させ、フラックス洗浄剤によりフラックスを除去し、球状のはんだバンプ５４を形成する。

（ｅ）基板分割工程
次いで、境界線１９に沿ってダイシング刃で圧電基板１１を切断するダイシング加工を行なう。ダイシング加工によって圧電基板１１を個片に分割し、図１に示す弾性表面波デバイス１０が完成する。

以上の工程によって作製された弾性表面波デバイス１０において、給電ライン１８ａ〜１８ｊは、ダイシング加工時に切断されたため、圧電基板１１の主面１１ａの外周縁１１ｘまで延在している。

図３及び図４に示した給電ライン１８ａ〜１８ｊのうち、圧電基板１１の主面１１ａの中央に配置されたパッド１４ｊに電気的に接続された給電ライン１８ｊは、支持層３０の枠部３２のうち、パッド隣接部３４から離れている独立部分３２ａと交差する独立給電ラインである。以下、給電ライン１８ｊを、独立給電ライン１８ｊとも言う。

図９は、図２の要部拡大断面図である。図２及び図９に示すように、支持層３０の補強部３６は、支持層３０の枠部３２のうち、パッド隣接部３４から離れている独立部分３２ａと独立給電ライン１８ｊとが交差する交差部分３２ｘに隣接して、枠部３２の外側に、枠部３２と一体に形成されている。

補強部３６によって、密閉空間１０ｘの密閉性の低下を防ぐことができる。すなわち、独立給電ライン１８ｊは、集合基板がダイシング加工によって切断されるときに、圧電基板１１の主面１１ａから剥がれることがある、この場合、主面１１ａから剥がれた独立給電ライン１８ｊから支持層３０の独立部分３２ａに主面１１ａから剥離とるように応力が作用することがある。その影響で、独立給電ライン１８ｊと支持層３０の枠部３２と圧電基板１１の主面１１ａとの間の密着性が低下し、密閉空間１０ｘの気密状態が低下することがある。そこで、補強部３６を追加すると、独立給電ライン１８ｊの剥がれを、補強部３６によって、枠部３２の手前で止め、密閉空間１０ｘの密閉性低下を抑制することができる。

支持層３０の枠部３２は、ダイシング刃の目詰まりを避け、ダイシング加工を効率よく行なうため、境界線１９との間に間隔を設けて形成される。一方、支持層３０の補強部３６は、部分的に形成されているため、ダイシング刃の目詰まりが起こりにくくなる。そのため、補強部３６は、境界線１９に達するように形成されても構わない。

支持層３０の補強部は、独立給電ライン１８ｊがダイシング加工によって切断されるときに独立給電ライン１８ｊに作用する応力を逃がすことができる形状であれば、密閉空間１０ｘの密閉性低下を抑制することができるので、例えば以下の図１０〜図１３のような形状にすることができる。図１０〜図１３は、図９と同様の要部拡大断面図である。

＜変形例１＞ 図１０及び図１１に示すように、変形例１の補強部３６ａ，３６ｂは、独立給電ライン１８ｊに交差する方向の寸法である補強部３６ａ，３６ｂの幅（図１０及び図１１において上下方向の寸法）が、枠部３２に接近するにつれて連続的に大きくなるように、枠部３２の外側に、枠部３２と一体に形成されている。この場合、ダイシング加工時に作用する、独立給電ライン１８ｊが延在する方向（図１０及び図１１において左右方向）の応力を、補強部３６ａ，３６ｂによって、独立給電ライン１８ｊが延在する方向と異なる方向に逃がすことができる。補強部３６ａ，３６ｂは、独立給電ライン１８ｊの両側の断面３６ｐ，３６ｑが凸状又は凹状であるが、直線状であっても構わない。

＜変形例２＞ 図１２に示すように、変形例２の補強部３６ｃは、補強部３６ｃが独立給電ライン１８ｊに交差する方向の寸法である補強部３６ｃの幅（図１２において上下方向の寸法）が、枠部３２に接近するにつれて階段状に大きくなるように、枠部３２の外側に、枠部３２と一体に形成されている。この場合、ダイシング加工時に作用する、独立給電ライン１８ｊが延在する方向（図１２において左右方向）の応力を、補強部３６ｃによって、独立給電ライン１８ｊが延在する方向と異なる方向に逃がすことができる。

＜変形例３＞ 図１３に示すように、変形例３の補強部３６ｄは、枠部３２から離れて、枠部３２の外側に形成されている。この場合、補強部３６ｄによって、独立給電ライン１８ｊの剥がれを枠部３２の手前で止め、密閉空間１０ｘの密閉性低下を抑制することができる。なお、図１３に示した、枠部３２から離れた補強部３６ｄは、変形例１あるいは変形例２と組み合わせることができる。具体的には、枠部３２から離れた補強部３６ｄが、枠部３２に接近するにつれて階段状に大きくなるように形成されてもよい。

＜まとめ＞ 以上に説明したように、独立給電ライン上に、独立給電ラインが剥がれる方向の応力を分散させる形状の補強部を形成すると、ダイシング加工時に給電ラインが圧電基板から剥がれることを抑制し、密閉空間の密閉性低下を抑制することができる。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。具体的には、独立給電ライン１８ｊを図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、給電ライン１８ｉに独立給電ライン１８ｊを積層して２層に形成する必要はない。すなわち、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように１層の給電ラインから独立給電ライン１８ｊを引き出して形成してもよい。

１０ 弾性表面波デバイス
１０ｘ 密閉空間
１１ 圧電基板
１１ａ 主面
１１ｘ 外周縁
１２ａ-１２ｄ 弾性表面波素子パターン
１３ａ，１３ｂ 金属膜
１３ｃ 絶縁膜
１４ａ-１４ｊ パッド
１８ａ-１８ｉ 給電ライン
１８ｊ 給電ライン（独立給電ライン）
１９ 境界線
３０ 支持層
３２ 枠部
３２ａ 独立部分
３２ｂ 一体部分
３２ｘ 交差部分
３４ パッド隣接部
３４ａ-３４ｊ 貫通孔
３６，３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ 補強部
３６ｐ，３６ｑ，３６ｒ 断面
４０ カバー
４２ 貫通孔
５０ 貫通導体
５２ アンダーバンプメタル
５４ はんだバンプ

Claims (9)

1. 主面を有する圧電基板と、
   前記主面に形成され、弾性表面波素子パターンと、パッドと、前記パッドに電気的に接続され前記主面の外周縁まで延在する給電ラインとを含む導電パターンと、
   前記主面の前記外周縁に沿って、前記外周縁との間に間隔を設けて枠状に前記主面に形成された枠部と、前記パッド上に形成されたパッド隣接部とを含む支持層と、
   前記支持層に接合され、前記主面に対向するカバーと、
   前記パッドに電気的に接続され、前記主面を平面視する方向に前記支持層のパッド隣接部を貫通する貫通孔の内部に形成される貫通導体と、
   を備え、
   前記圧電基板、前記カバー及び前記支持層によって囲まれた密閉空間が形成される弾性表面波デバイスにおいて、
   前記給電ラインは、前記パッド隣接部から離れている前記枠部の独立部分に交差する独立給電ラインを含み、
   前記支持層は、前記独立部分の近傍において、前記独立給電ラインと交差する前記主面に形成された補強部をさらに含むことを特徴とする、弾性表面波デバイス。
2. 前記補強部は、前記枠部の外側に形成され、
   前記補強部が前記独立給電ラインに交差する方向の寸法である前記補強部の幅は、前記枠部に接近するにつれて連続的に大きくなることを特徴とする、請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
3. 前記補強部は、前記枠部の外側に形成され、
   前記補強部が前記独立給電ラインに交差する方向の寸法である前記補強部の幅は、前記枠部に接近するにつれて階段状に大きくなることを特徴とする、請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
4. 前記補強部は、前記枠部の外側に形成され、かつ前記枠部から離れて形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイス。
5. 圧電基板の主面に、弾性表面波素子パターンと、パッドと、前記パッドに電気的に接続され前記主面の外周縁まで延在する給電ラインとを含む導電パターンを形成する第１の工程と、
   前記導電パターンが形成された前記圧電基板の前記主面に、前記圧電基板の前記主面の前記外周縁に沿って、前記外周縁との間に間隔を設けて枠状に形成された枠部と、前記パッド上に形成されたパッド隣接部とを含む支持層を形成する第２の工程と、
   前記圧電基板の前記主面に対向するカバーを、前記支持層に接合して、前記圧電基板、前記カバー及び前記支持層によって囲まれた密閉空間を形成する第３の工程と、
   前記パッドに電気的に接続され、前記支持層のパッド隣接部を貫通する貫通導体を形成する第４の工程と、
   を備え、
   前記第１の工程において形成する前記給電ラインは、前記第２の工程において前記支持層の前記枠部のうち前記パッド隣接部から離れている独立部分と交差する独立給電ラインを含み、
   前記第２の工程において形成する前記支持層は、前記枠部の前記独立部分の近傍において、前記独立給電ラインと交差する補強部をさらに含むことを特徴とする、弾性表面波デバイスの製造方法。
6. 前記第２の工程において、前記補強部は、前記枠部の外側に、前記枠部に接近するにつれて、前記補強部が前記独立給電ラインに交差する方向の寸法である前記補強部の幅が連続的に大きくなるように形成することを特徴とする、請求項５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
7. 前記第２の工程において、前記補強部は、前記補強部は、前記枠部の外側に、前記枠部に接近するにつれて、前記補強部が前記独立給電ラインに交差する方向の寸法である前記補強部の幅が階段状に大きくなるように形成することを特徴とする、請求項５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
8. 前記第４の工程は、前記第３の工程の前に、前記支持層と前記カバーとが接合されたとき前記主面を平面視して前記パッド隣接部の前記貫通孔と重なるように前記カバーに貫通孔を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
9. 前記第４の工程は、前記第３の工程の後に、前記支持層と前記カバーとが接合されたとき前記主面を平面視して前記パッド隣接部の前記貫通孔と重なるように前記カバーに貫通孔を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。

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