JP5705962B2 - ヘキサフルオロ−2−ブテンの製造方法 - Google Patents
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Description
(a)四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進して1,1,1,3−テトラクロロプロパンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下でエチレンと接触させ;
(b)工程(a)において形成される1,1,1,3−テトラクロロプロパンを、脱塩化水素化触媒の不存在下又は存在下において、3,3,3−トリクロロ−1−プロペン及び/又は1,1,3−トリクロロ−1−プロペンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下で脱塩化水素化し;
(c)四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進して1,1,1,2,4,4,4−ヘプタクロロブタンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下で、工程(b)において形成される3,3,3−トリクロロ−1−プロペン及び/又は1,1,3−トリクロロ−1−プロペンと接触させ;
(d)HFを、フッ素化触媒の存在下又は不存在下において、フッ素化反応を促進してシス−及びトランス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン及び/又は1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−クロロブタンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下で、工程(c)において得られる1,1,1,2,4,4,4−ヘプタクロロブタンと接触させ;
(e)場合によっては、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−クロロブタンを、脱塩化水素化触媒の存在下又は不存在下において、シス−及びトランス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンの混合物を含む生成物流を形成するのに有効な条件下で脱塩化水素化し;そして
(f)場合によっては、トランス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンからシス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン生成物を単離した後に、トランス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンを、好ましくは相当量のシス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンを形成するのに有効な条件下で異性化触媒と接触させる;
工程を含む、ヘキサフルオロ−2−ブテンの製造方法である。
(a)四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進して1,1,1,2,4,4,4−ヘプタクロロブタンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下でエチレンと接触させ;そして
(b)HFを、フッ素化反応を促進して1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン及び/又は1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−クロロブタンを含む生成物流混合物を形成するのに有効な条件下で、工程(a)において形成される1,1,1,2,4,4,4−ヘプタクロロブタンと接触させ、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンをそれから単離する;
工程を含む方法を与える。
(a):CCl4+CH2=CH2→CCl3CH2CH2Cl(HCC-250)
(b):CCl3CH2CH2Cl→HCl+CCl3CH=CH2及び/又はCCl2=CHCH2Cl
(c):CCl4+CCl3CH=CH2及び/又はCCl2=CHCH2Cl→CCl3CHClCH2CCl3
(d):Cl3CHClCH2CCl3+HF→CF3CH=CHCF3(HFO-1336)+CF3CHClCH2CF3+HCl
(e):CF3CHClCH2CF3→HCl+CF3CH=CHCF3(HFO-1336)
によって1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン(HFO−1336)を製造することができる。
(f)トランス−1336→シス−1336
において、異性化触媒を用いてトランス−1336をシス−1336に異性化することができる。
工程(a):CCl4+CH2=CH2→CCl3CH2CH2Cl(HCC-250):
この工程においては、四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進して1,1,1,3−テトラクロロプロパンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下でエチレンと反応させる。
この工程においては、CCl3CH2CH2Clを蒸気相反応器(脱塩化水素化反応器)に供給して、脱塩化水素化触媒を用いて脱塩化水素化して所望の中間体:CCl3CH=CH2を生成させる。反応器から流出する流出流は、場合によっては未反応のCCl3CH2CH2Cl、HCl、及びCCl2=CHCH2Clのような更なる成分を含む可能性がある。
この工程においては、四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進してCCl3CHClCH2CCl3を含む生成物流を形成するのに有効な条件下でCCl3CH=CH2及び/又はCCl2=CHCH2Clと反応させる。
この工程においては、四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進してCCl3CHClCH2CCl3を含む生成物流を形成するのに有効な条件下でエチレンと反応させる。
この工程においては、HFを、フッ素化触媒の存在下において、フッ素化反応を促進して1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン及び/又は1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−クロロブタンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下で、工程(d)において形成される1,1,1,2,4,4,4−ヘプタクロロブタンと反応させる。反応器から排出される流出流は、場合によっては未反応のHF、及びCF3CHClCH2CF3のような更なる成分を含む可能性がある。フッ素化プロセスは、蒸気相又は液相中で行うことができる。
この工程においては、工程(d)において副生成物として形成されるCF3CHClCH2CF3を、蒸気相反応器(脱塩化水素化触媒を含む)に供給して脱塩化水素化して、所望の生成物であるHFO−1336を生成させる。
工程(d)及び(e)の反応中においては、一般に2種類の異性体、即ちシス−CF3CH=CHCF3及びトランス−CF3CH=CHCF3が生成する。シス異性体が所望の生成物である場合には、シス異性体のシングルパス収率を増加させるために、場合によっては、しかしながら好ましくは、トランス−1336を、異性化触媒を含む蒸気相反応器内でシス−1336に異性化する。トランス異性体が好ましい場合には、同様の異性化反応を用いて、生成物流中のトランス−1336をより多くすることができる。
四塩化炭素及びエチレンからのCCl3CH2CH2Cl(HCC−250)の製造:
鉄線を充填した0.5インチ×40インチの栓流反応器に、エチレン及び四塩化炭素の混合物(50/50モル%)を約1.5g/分で供給した。また、触媒予備混合タンク(2L)中で調製した塩化第二鉄、トリブチルホスフェート、及び四塩化炭素の触媒混合物も、約2g/分で反応器に同時に供給した。反応器を80℃〜100℃で運転し、約30psig〜100psigに制御した。栓流反応器の流出流を蒸留カラムに供給し、例えば30mmHgの真空下及び約50℃〜60℃において運転した。この蒸留カラムから、未反応の四塩化炭素を微量のエチレンと共に留出し、凝縮し、触媒予備混合タンクに供給した。この蒸留からの塔底混合物を第2の蒸留に供給し、約50mmHgの真空下及び80℃〜90℃で運転した。粗HCC−250生成物をカラムの頂部から回収した。触媒混合物、塩化第二鉄、塩化第一鉄、及びトリブチルホスフェートを含む塔底混合物を、触媒予備混合タンクに戻し、その後反応器に再循環して戻した。粗HCC−250は1.4gのHCC−250を含んでいた。収率は90%より大きかった。
CCl3CH=CH2の製造:
3区域の電気炉中に浸漬した円筒形のID=3/4インチのモネル反応器を、HCC−250の脱塩化水素化反応において用いた。触媒床を通して反応器の内部に配置した5点式熱電対を用いてプロセス温度を記録した。20ccの5%−FeCl3/炭素触媒を反応器中に充填した。垂直に設置した反応器の底部中にHCC−250を12g/時の速度で供給し、触媒床に達する前に気化させた。350℃及び1気圧において反応を行った。流出ガスをガスサンプリング管に通して、ガスサンプリング管の内容物のGC分析によって反応の進行を周期的にモニタリングするようにした。分析によって、流出ガスは約92%のCCl3CH=CH2、約3%のCCl2=CHCH2Cl、及び約5%のHCC−250を含んでいたことが示された。
CCl3CHClCH2CCl3の製造:
撹拌器を取り付けた1Lのガラスライニングオートクレーブに、CCl3CH=CH2及び四塩化炭素の混合物(50/50モル%)を約1.5g/分で供給した。また、触媒予備混合タンク(2L)中で調製した塩化第二鉄、トリブチルホスフェート、及び四塩化炭素の触媒混合物も、約2g/分で反応器に同時に供給した。反応器を約100℃で運転し、80psig未満に制御した。オートクレーブの約2/3に挿入した浸漬管を用いることによって、生成物混合物を連続的に取り出した。生成物混合物を蒸留カラムに供給し、雰囲気圧力及び約80℃において運転した。この蒸留カラムから、未反応の四塩化炭素を微量のCCl3CH=CH2と共に留出し、触媒予備混合タンクに供給した。この蒸留からの塔底混合物を第2の蒸留に供給し、約50mmHgの真空下及び80℃〜90℃で運転した。粗CCl3CHClCH2CCl3生成物をカラムの頂部から回収した。触媒混合物、塩化第二鉄、及びトリブチルホスフェートを含む塔底混合物を、触媒予備混合タンクに戻した。粗CCl3CHClCH2CCl3は1.35gのCCl3CHClCH2CCl3を含んでいた。収率は90%より大きかった。
四塩化炭素及びエチレンからの直接のCCl3CHClCH2CCl3の製造:
撹拌器を取り付けた1Lのガラスライニングオートクレーブに、エチレン及び四塩化炭素の混合物(50/50モル%)を約1.5g/分で供給した。また、触媒予備混合タンク(2L)中で調製したFe粉末、塩化第二鉄、トリブチルホスフェート、及び四塩化炭素の触媒混合物も、約2g/分で反応器に同時に供給した。反応器を約100℃で運転し、80psig未満に制御した。オートクレーブの約2/3に挿入した浸漬管を用いることによって、生成物混合物を連続的に取り出した。生成物混合物を蒸留カラムに供給し、雰囲気圧力及び約80℃において運転した。この蒸留カラムから、未反応の四塩化炭素を微量のエチレンと共に留出し、触媒予備混合タンクに供給した。この蒸留からの塔底混合物を第2の蒸留に供給し、約50mmHgの真空下及び80℃〜90℃で運転した。粗CCl3CHClCH2CCl3生成物をカラムの頂部から回収した。触媒混合物、Fe粉末、塩化第二鉄、及びトリブチルホスフェートを含む塔底混合物を、触媒予備混合タンクに戻した。粗CCl3CHClCH2CCl3は1.35gのCCl3CHClCH2CCl3を含んでいた。収率は90%より大きかった。
CF3CH=CHCF3(HFO−1336)及びCF3CHClCH2CF3の製造:
フッ素化Cr2O3触媒の存在下においてCCl3CHClCH2CCl3の蒸気相フッ素化を行った。N2、HF、及び有機物の供給システム、供給流気化器、過熱器、ID(内径)4インチのモネル反応器、酸スクラバー、乾燥機、及び生成物回収システムから構成される連続蒸気相フッ素化反応システムを用いて反応を研究した。反応器に約6.5Lのフッ素化Cr2O3触媒を装填した。次に、触媒上にN2パージを流しながら、反応器を約240℃の反応温度に加熱した。反応器は約3psigの圧力であった。次に、気化器及び過熱器を通してHF供給流をN2との共供給流として15分間反応器に導入し、この時点でN2流を停止した。HFの流速を1.4ポンド/時に調節し、次に気化器及び過熱器を通してCCl3CHClCH2CCl3の反応器への供給を開始した。CCl3CHClCH2CCl3の供給速度は約1.2ポンド/時において一定に維持し、HF供給は、約18:1のHF:CCl3CHClCH2CCl3のモル比にするために1.4ポンド/時において一定に維持した。反応が開始すると、触媒床の温度が250℃〜260℃の範囲に上昇した。反応器の流出流中のCF3CH=CHCF3、CF3CHClCH2CF3、及びCCl3CHClCH2CCl3の濃度は、それぞれ92.9、4.9、及び1.1GC面積%であった。
CF3CHClCH2CF3からのCF3CH=CHCF3(HFO−1336)の製造:
3区域の電気炉中に浸漬した円筒形のID=3/4インチのモネル反応器を、CF3CHClCH2CF3の脱塩化水素化反応において用いた。触媒床を通して反応器の内部に配置した5点式熱電対を用いてプロセス温度を記録した。20ccのフッ素化クロミア触媒を反応器中に充填した。垂直に設置した反応器の底部中にCF3CHClCH2CF3を12g/時の速度で供給し、触媒床に達する前に気化させた。350℃及び1気圧において反応を行った。流出ガスをガスサンプリング管に通して、ガスサンプリング管の内容物のGC分析によって反応の進行を周期的にモニタリングするようにした。分析によって、流出ガスは約91%のCF3CH=CHCF3、及び約8%のCF3CHClCH2CF3を含んでいたことが示された。
CCl3CHClCH2CCl3からのCF3CH=CHCF3(HFO−1336)の製造:
SbCl5の存在下においてCCl3CHClCH2CCl3の液相フッ素化を行った。約6100gのSbCl5を、ID=2インチの充填カラム及び凝縮器を取り付けたテフロンライニング液相反応器(テフロンはE. I. DuPont de Nemours & Co.の商標である)内に含ませた。反応器はID=2.75インチ×長さ=36インチであった。まず、大過剰のCl2を反応器に加えて、触媒が5価状態であることを確保した。反応器を約85℃〜87℃に加熱した。まず、HFの供給を開始した。1.3ポンドのHFが加えられた時点で、CCl3CHClCH2CCl3の供給を開始した。CCl3CHClCH2CCl3供給材料の純度は約99GC面積%(ガスクロマトグラフ)であった。実験を71時間連続的に運転した。この運転中において、塩素を運転中にわたって約4時間毎にバッチ供給して触媒を活性に保持した。供給は、18/1のHF/CCl3CHClCH2CCl3の比のために平均で0.495ポンド/時のHF及び0.411ポンド/時のCCl3CHClCH2CCl3であり、135秒の滞留時間であった。この実験に関する反応器温度範囲は78℃〜91℃であり、圧力範囲は85psig〜115psig(ポンド/平方インチゲージ圧)であった。運転から回収された有機粗材料をガスクロマトグラフにかけた。有機相中のCF3CH=CHCF3及びCCl3CHClCH2CCl3の濃度は、それぞれ97.9及び1.0GC面積%であった。
トランス−CF3CH=CHCF3からのシス−CF3CH=CHCF3の製造:
3区域の電気炉中に浸漬した円筒形のID=3/4インチのモネル反応器を、トランス−CF3CH=CHCF3の異性化反応において用いた。触媒床を通して反応器の内部に配置した5点式熱電対を用いてプロセス温度を記録した。20ccのフッ素化クロミア触媒を反応器中に充填した。垂直に設置した反応器の底部中にトランス−CF3CH=CHCF3を12g/時の速度で供給し、触媒床に達する前に気化させた。250℃及び1気圧において反応を行った。流出ガスをガスサンプリング管に通して、ガスサンプリング管の内容物のGC分析によって反応の進行を周期的にモニタリングするようにした。分析によって、流出ガスは約61%のシス−CF3CH=CHCF3及び約38%のトランス−CF3CH=CHCF3を含んでいたことが示された。
Claims (2)
- (a)四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進して1,1,1,2,4,4,4−ヘプタクロロブタンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下でエチレンと接触させ;そして
(b)HFを、フッ素化反応を促進して1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン及び/又は1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−クロロブタンを含む生成物流を形成するのに有効な条件下で、工程(a)において形成される1,1,1,2,4,4,4−ヘプタクロロブタンと接触させ、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンをそれから単離する;
工程を含む、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンの製造方法。 - (a)四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進して1,1,1,3−テトラクロロプロパンを含む第1の生成物流を形成するのに有効な条件下でエチレンと接触させ;
(b)工程(a)において形成される1,1,1,3−テトラクロロプロパンを、3,3,3−トリクロロ−1−プロペン及び/又は1,1,3−トリクロロ−1−プロペンを含む第2の生成物流混合物を形成するのに有効な条件下で脱塩化水素化し;
(c)四塩化炭素を、金属及び有機リガンドを含む有効量の金属触媒錯体の存在下において、付加反応を促進して1,1,1,2,4,4,4−ヘプタクロロブタンを含む第3の生成物流を形成するのに有効な条件下で、工程(b)において形成される生成物流混合物と接触させ;そして
(d)HFを、フッ素化反応を促進して1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン及び/又は1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−クロロブタンを含む第4の生成物流混合物を形成するのに有効な条件下で、工程(c)において形成される1,1,1,2,4,4,4−ヘプタクロロブタンと接触させ、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンをそれから単離する;
工程を含む、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンの製造方法。
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