JP5699485B2 - ジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体、およびその金属錯体を用いる金属含有薄膜の製造法 - Google Patents

Description

本発明は、新規な金属錯体に関する。本発明は、また、その金属錯体を用いて、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；以下、ＣＶＤ法と称する）により金属含有薄膜を製造する方法に関する。

近年、半導体、電子部品、光学部品など、様々な分野の材料として、金属錯体に関して多くの研究と開発がなされている。

例えば、亜鉛含有膜の一つである酸化亜鉛薄膜は、太陽電池、液晶表示デバイス、透明電極用途として、また、その薄膜が圧電特性を有することから、表面弾性波デバイスなどにも用いられている。このような酸化亜鉛薄膜を得る方法として、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などの方法が開発されているが、最近では、均一な薄膜を製造し易いＣＶＤ法による成膜方法が最も盛んに検討されている。

ＣＶＤ法による亜鉛含有薄膜を製造するための亜鉛錯体としては、例えば、ジエチル亜鉛（例えば、非特許文献１、非特許文献２参照）、ビス（アセチルアセトナト）亜鉛（例えば、特許文献１参照）、ビス（ジピバロイルメタナト）亜鉛（例えば、特許文献１参照）、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（例えば、特許文献２参照）などが知られている。

これらうち、発火性のジエチル亜鉛は、酸素との反応が激しく、反応の制御に問題がある。また、ビス（アセチルアセトナト）亜鉛、あるいはビス（ジピバロイルメタナト）亜鉛は、高融点の固体であるために、一定の供給量を保つことが困難である上に、配管閉塞を引き起こす恐れがあるという問題があった。また、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛は、室温で粘性の液体であるために、一定の供給量を保つことには問題ないが、熱安定性が低く、長期の加熱使用で問題があった。このように上記いずれの亜鉛錯体も問題を有しており、それらを用いる亜鉛含有薄膜の製造方法は工業的な製造方法としては有利ではなかった。

銅薄膜は、その導電率の高さから、シリコン半導体での微細配線用途、あるいは、有機ＥＬ等のデバイスでの銅配線用途での開発が進んでいる。また、銅の酸化物としては、亜酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）が、ｐ型導電性で透明性を有していることから、ｐｎ接合デバイス等の用途開発が成されている。このような銅含有薄膜を得る方法として、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などの方法が開発されているが、最近では、均一な薄膜を製造し易いＣＶＤ法による成膜方法が最も盛んに検討されている。

ＣＶＤ法による銅薄膜を製造するための銅錯体としては、例えば、（１）１価の銅のβ−ジケトナト銅錯体（例えば、特許文献３参照）、（２）２価の銅のβ−ジケトナト銅錯体（例えば、特許文献２、４、５参照）が知られている。

上記の（１）の銅錯体は、不均化反応を利用して金属銅を析出させることが可能であり、化学的には都合のよい化合物である反面、本質的に熱的に不安定であることから、蒸気圧を得るために加熱気化させる際に多量の原料が分解してしまうという問題があった。一方、上記（２）の銅錯体においては、銅錯体は低融点であるものの、成膜速度に問題があるものや、成膜性は良好であるが、熱安定性の向上が必要で、長期の加熱使用に対しては更なる検討を要するものであった。そのため、成膜対象物上に銅含有薄膜を製造するための工業的により好適な銅錯体が望まれていた。

また、近年、ＤＲＡＭに代表される半導体メモリーでは、デバイスの微細化に伴って、誘電体材料として、従来用いられてきた酸化シリコンから、より誘電率の高い酸化タンタル等の酸化物が使用されるようになってきている。そのため、電極材料も、従来のポリシリコンでは、誘電体由来の酸素により電気不導体へと酸化されるために、使用が困難な状況にある。そこで、酸化物となっても比抵抗が低い金属として、ルテニウムが注目されている。更に、シリコン半導体の多層銅配線で、その下地金属としてルテニウム金属が着目されており、低抵抗で、且つ平坦性を有するルテニウム金属膜の成膜技術が要望されている。

従来、ルテニウム又はルテニウム含有膜の製造方法としては、スパッタ法が多く用いられてきたが、近年のより微細化した構造への応用は困難となってきている。そうした微細化への潮流の中、ＣＶＤ法が、ホールやトレンチへの優れた段差被覆性と薄膜の均一性、その量産性から活発に研究が行われている。

ＣＶＤ法によるルテニウム原子を含有する薄膜製造用原料としては、β−ジケトナトやシクロペンタジエニル誘導体を配位子とするルテニウム錯体が検討されている。β−ジケトナト錯体としては、Ｒｕ（ｄｐｍ）_３、Ｒｕ（ｏｄ）_３等の三価のルテニウム錯体や、Ｒｕ（ｄｐｍ）_２（ｃｏｄ）、Ｒｕ（Ｃｐ）_２、Ｒｕ（ＥｔＣｐ）_２、Ｒｕ（ｄｍｐｄ）（ＥｔＣｐ）、ビス（６−メチル−２，４−ヘプタンジオナト）（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム等の二価のルテニウム錯体が開示されている（例えば、特許文献６〜１０、非特許文献３〜４参照）［但し、ｄｐｍ：ジピバロイルメタナト；ｏｄ：オクタン−２，４−ジオナト；ｃｏｄ：１，５−シクロオクタジエン；Ｃｐ：シクロペンタジエニル；ＥｔＣｐ：エチルシクロペンタジエニル；ｄｍｐｄ：２，４−ジメチル−１，３−ペンタジエニルである。］。しかし、これらのルテニウム錯体を使用したルテニウム膜成膜の問題点として、誘導期が長い、表面平坦性が悪い、あるいは下地との密着性が低いなどが指摘されている。

一方、従来の有機ルテニウム錯体の問題点を改善したビス（アセチルアセトナト）（１，５−ヘキサジエン）ルテニウムが開示されており（例えば、特許文献１１、非特許文献５参照）、表面平坦性、反応性の改善がなされている。しかしながら、このルテニウム錯体は、熱安定性が十分ではないために、バブリング法での長期加熱使用で問題があった。このように上記いずれのルテニウム錯体も問題を有しており、それらを用いるルテニウム含有薄膜の製造方法は工業的な製造方法としては有利ではなく、更に高性能の有機ルテニウム錯体の開発が望まれていた。

また、半導体や電子部品等の分野の材料として、コバルト膜に関しても多くの研究・開発がなされている。これまでに提案されてきた薄膜製造用コバルト錯体としては、例えば、ビス（アセチルアセトナト）コバルト（例えば、非特許文献６参照）、ビス（ジピバロイルメタナト）コバルト（例えば、非特許文献７参照）、オクタカルボニルジコバルト（例えば、非特許文献７及び特許文献１２参照）、コバルトシクロペンタジエニルジカルボニル（例えば、非特許文献９及び特許文献１３参照）、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）コバルト（例えば、特許文献１４参照）、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジナト）コバルト（例えば、特許文献１５及び特許文献１６参照）が開示されている。さらに、β−ジケトナトを配位子とするコバルト錯体（特許文献２及び特許文献１７参照）も知られている。

従来のコバルト錯体からコバルト膜を成膜する方法としては、オクタカルボニルジコバルトは、コバルトの価数が０価であり、アルゴンやヘリウム等の不活性ガスと共にチャンバー内へ送り、熱分解でコバルト膜を得る方法がとられる（例えば、非特許文献８参照）。この場合、原料のカルボニル由来の炭素、酸素が膜中に含有されやすいという問題があった。また、ビス（アセチルアセトナト）コバルト、コバルトシクロペンタジエニルジカルボニル、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）コバルト（例えば、非特許文献６、非特許文献９、特許文献１４参照）のようなコバルト錯体は、価数が１及び２価であるため、還元剤として還元性ガスが必要となり、一般的には水素ガスを還元性ガスとして使用し、コバルト膜を得ている。しかし、この場合は、反応に４００℃以上の高温やプラズマ雰囲気が必要であり、高温、もしくはプラズマに耐えない基板には使用することができなかった。また、膜中に配位子由来の炭素が含有されるという問題があった。

還元性ガスとしてアンモニアガスを使用している例も報告されている。特許文献１３では、コバルト源として１価のコバルトシクロペンタジエニルジカルボニルを使用し、水素ガスと同様にアンモニアガスを還元性ガスとして用いてコバルト膜を得ている。アンモニアガスの詳しい還元機構について不明ではあるが、コバルト化合物への吸着、配位子の脱離を促進していると言える。また、特許文献１３の記載の通り、アンモニアガスは膜表面から有機物の脱離を促す効果があり、結果的にコバルト膜中の炭素の含有量を減らす効果があると言える。しかしながら、特許文献１３にはコバルト膜の純度や物性に関しての詳細な記載がなかった。また、各種コバルト錯体に対してアンモニアガスを使用している例はあるが（例えば、特許文献１２参照）、０価の錯体であるオクタカルボニルジコバルトに関しては詳細な記載があるものの、他のコバルト錯体を用いた詳細な実施例の記載がなかった。また、この場合、コバルト膜を得るのではなく、コバルト窒化物膜を得ることを目的としていた。同様に、２価のコバルト錯体であるビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジナト）コバルトを用いて、アンモニアガスを使用している例があるが（例えば、特許文献１５及び特許文献１６参照）、この場合もコバルト窒化物膜を得ることを目的としており、コバルト膜は得られていなかった。

一方、従来の検討されてきたコバルト錯体は、物性面やその工業的生産性に問題があると言える。例えば、オクタカルボニルジコバルトは、融点が高いため、一定の供給量を保つことが困難である上に、配管内閉塞を引き起こす恐れがあり、ＣＶＤ用原料としては採用されにくいという問題があった。また、オクタカルボニルジコバルト及びコバルトシクロペンタジエニルジカルボニルは、熱安定性が低く、分解し易いため、長期の加熱使用ができないという欠点があった。これを改良したコバルト錯体として、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）コバルト及びビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジナト）コバルトが提案されているが、コバルト錯体やその配位子の合成法が煩雑であり、また、その合成過程で発火性のナトリウムやアルキルリチウムを使用する等、工業的生産性に問題があると言える。

コバルト酸化物膜も、ガスセンサー等の用途で多く研究がなされている。例えば、ビス（ジピバロイルメタナト）コバルトを用いたＣＶＤ法でコバルト酸化物膜を作製した例が報告されている（例えば、非特許文献７参照）。しかしながら、ビス（ジピバロイルメタナト）コバルトも融点が高いため、前述の通り、ＣＶＤ用原料としては採用されにくいという問題があった。

ストロンチウム含有膜の一つである酸化ストロンチウム薄膜は、ＤＲＡＭキャパシタの高誘電体膜や、不揮発性メモリの強誘電体膜（ＳＴＯ、ＳＢＴ）等に用いられている。このような酸化ストロンチウム薄膜を得る方法としては、例えば、ゾルゲル法、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などの方法が開発されているが、最近では、均一な薄膜を製造し易いＣＶＤ法によるストロンチウム含有薄膜の製造法が最も盛んに検討されている。

従来、ＣＶＤ法によるストロンチウム含有薄膜を製造するためのストロンチウム錯体としては、例えば、シクロペンタジエニル誘導体を配位子に用いたストロンチウム錯体（例えば、特許文献１８及び特許文献１９参照）、β−ジケトナト誘導体を配位子としたストロンチウム錯体（例えば、特許文献２０及び特許文献２１参照）、更に、室温で液体のビス（１−（２−メトキシエトキシ）−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（例えば、特許文献２０参照）が開示されている。

しかしながら、特許文献１８及び特許文献１９記載のシクロペンタジエニル誘導体を配位子に用いたストロンチウム錯体は、酸素との反応が激し過ぎるために、ストロンチウム含有薄膜製造時の制御に問題があった。また、特許文献２０及び特許文献２１記載のβ−ジケトナト誘導体を配位子としたストロンチウム錯体、例えば、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ノナンジオナト）ストロンチウムは、高融点の固体であるために、一定の供給量を保つことが困難である上に、配管閉塞を引き起こす恐れがあるという問題があった。また、室温で液体のストロンチウム錯体も提案されているが、当該ストロンチウム錯体は、蒸気圧が低く、ストロンチウム含有薄膜製造時のストロンチウム錯体の供給が難しくなってしまう問題があった。このように上記いずれのストロンチウム錯体も何らかの問題を有しており、それらを用いたストロンチウム含有薄膜の製造法は工業的な製造法としては有利ではなかった。

また、近年、トランジスタの高性能化に伴い、ゲート絶縁膜の材料として、誘電率がシリコン酸化膜の３倍程度ある窒素添加ハフニウムシリケートの採用が本格化している。それに伴い、ソースとドレイン部の拡散層の浅接合化およびゲート電極のメタル化の検討がなされており、それらに対する新材料が要求されている。その新材料としては、コバルトシリサイドやニッケルシリサイド等が候補とされ、拡散層の深さを考慮して、ニッケルシリサイドが有力視されている。このニッケルシリサイドの形成技術に、ニッケルの薄膜形成が要求されている。また、抵抗変化型不揮発メモリ用途として、酸化ニッケル薄膜の形成も要求されている。一方、薄膜形成方法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法が用いられるが、スパッタ法は周辺半導体素子へのダメージ、又はトランジスタ構造の微細化から、ＣＶＤ法での膜形成がより有用であるとされている。

従来、ＣＶＤ法によるニッケル含有薄膜を形成するためのニッケル錯体としては、例えば、シクロペンタジエニル誘導体を配位子に用いたニッケル錯体（例えば、特許文献２２〜２４参照）、β−ケトイミナトニッケル錯体（例えば、特許文献２５参照）、ニッケルアミノアルコキシド錯体（例えば、特許文献２６参照）、ニッケルアミド錯体（例えば、特許文献２７参照）、テトラキス（トリフルオロホスフィン）ニッケル錯体（例えば、特許文献２８参照）が開示されている。

しかしながら、ＣＶＤ法で用いられるニッケル錯体のうち、シクロペンタジエニル系ニッケル錯体やテトラキス（トリフルオロホスフィン）ニッケル錯体は、蒸気圧が高いものの、空気、水分又は熱に対して不安定であるために取り扱いが難しく、多量に使用する工業的な生産の際には問題であった。また、β−ケトイミナトニッケル錯体やニッケルアミド錯体は、高融点の固体であるために、ＣＶＤ原料用途としては気化量変動の問題があり、更にはＣＶＤでの途中配管内で閉塞を起こす可能性もある。一方、ニッケルアミノアルコキシド錯体は、一部の錯体で低融点であるものの、その多くは固体であり、水分に対して不安定であるため、その製造や取り扱いに問題があった。以上のように、上記いずれの有機ニッケル錯体も問題を有しており、当該有機ニッケル錯体を用いたニッケル含有薄膜の製造方法は工業的な製造方法としては採用し難かった。

また、近年、インジウムを含有する薄膜は、例えば、半導体、電子部品、光学部品等の分野における材料として検討が進められている。特に、インジウム酸化膜は、ＩＺＯやＩＴＯ等の透明電極膜として使用されている。インジウムを含有する薄膜の製造法としては、例えば、塗布熱分解法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等が知られているが、薄膜の組成制御性及び今後のデバイスの微細化傾向を考慮すれば、均一な薄膜を製造し易いＣＶＤ法での成膜が好ましい方法であり、それに適した原料化合物が必要とされている。

従来、ＣＶＤ法によるインジウム含有薄膜の製造原料としては、例えば、アルキルインジウム錯体（例えば、特許文献２９〜３０参照）や、β−ジケトナトインジウム錯体（例えば、特許文献２、３１参照）等が報告されている。

しかしながら、ＣＶＤ法で用いられるインジウム錯体のうち、トリメチルインジウム等のアルキルインジウム錯体は、蒸気圧が高いものの、僅かの水分や空気の存在により激しく変質し、また、発火性があるために取り扱いが困難であるという欠点を持つ。一方、トリス（アセチルアセトナト）インジウム錯体等のβ−ジケトナトインジウム錯体は、高融点の固体が多く、原料供給時にＣＶＤ装置内における配管閉塞の可能性がないとは言えず、ＣＶＤ法による薄膜製造用原料としては、より好適なものが求められていた。特許文献２記載のβ−ジケトナトインジウム錯体は、この点を改良した低融点のインジウム化合物であるが、熱安定性が低いために長期加熱が必要なバブリング供給において問題を有していた。以上のように、上記いずれのインジウム錯体も、インジウム含有薄膜の工業的な製造原料としての適用においては改良の余地があった。

特開２００３−８９８７５号公報 国際公開第２００５／０８７６９７号パンフレット 特開平５−５９５５１号公報 特開２００１−１８１８４０号公報 特開２００３−２９２４９５号公報 特開平６−２８３４３８号公報 特開２０００−２１２７４４号公報 特開２００３−３０６４７２号公報 特開平１１−３５５８９号公報 特開２００３−３４２２８６号公報 国際公開第２００８／０１３２４４号パンフレット 米国特許出願公開第２００５／０１３０４１７号明細書 米国特許出願公開第２００６／０１５７８６３号明細書 国際公開第２００８／１１１４９９号パンフレット 国際公開第２００４／０４６４１７号パンフレット 国際公開第２００９／０８８５２２号パンフレット 国際公開第２００５／０３５８２３号パンフレット 特開２００９−３０１６４号公報 特開２００９−４０７０７号公報 特許３９０４２５５号公報 特許３９６４９７６号公報 特開２００５−９３７３２号公報 特開２００６−１２４７４３号公報 国際公開第２００９／０８１７９７号パンフレット 特開２００７−３０２６５６号公報 特表２００８−５３７９４７号公報 特開２００６−１２４２９１号公報 特開２００８−２３１４７３号公報 特開昭６２−２８７５１３号公報 国際公開第２０００／０３７７１０号パンフレット 特許第４０９２９５８号公報

Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．４２，５６８（２００３） Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．４３，１１１４（２００４） Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，ｖｏｌ．１８，５６５２（２００６） Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．９，Ｃ１０７（２００６） Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．４７，６４２７（２００８） Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，ｖｏｌ．３６，７０５（１９９７） Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，ｖｏｌ．１３，５８８（２００１） Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ，ｖｏｌ．４８５，９５（２００５） Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，ｖｏｌ．４６，１７３（１９９７）

本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、簡便な方法によって、成膜対象物上に金属含有薄膜を製造することができる、工業的に好適な金属錯体を提供することであり、特には、低融点を有し、且つ、熱安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した金属錯体を提供することにある。また、本発明の課題は、当該金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法を提供するものでもある。

本発明は以下の事項に関する。

１． 一般式（Ｉ）

（式中、Ｍは、金属原子を示し、
Ｘは、一般式（２）

で示されるジアルキルアルコキシメチル基（式中、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、
Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、
Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。

ｎは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。

但し、ＭがＳｒ又はＩｎであり、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃが全てメチル基であり、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素であることを同時に満たす場合、及び、ＭがＮｉであり、Ｒ^ａがエチル基、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃがメチル基、Ｙが１−メチル−ペンチル基であって、Ｚが水素原子又はｎ−プロピル基であることを同時に満たす場合、及び、ＭがＣｕであり、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃが全てメチル基であり、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素であることを同時に満たす場合、または、Ｒ^ａ及びＲ^ｂがメチル基、Ｒ^ｃがｎ−ブチル基、Ｙがメチル基であって、Ｚが水素原子であることを同時に満たす場合、及び、ＭがY（イットリウム）であり、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃが全てメチル基であり、Ｙがｔ−ブチル基もしくはイソプロピル基であって、Ｚが水素であることを同時に満たす場合を除く。）
で示される、ジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナト配位子を有する金属錯体。

２． 一般式（ＩＩ）

（式中、Ｍは、金属原子を示し、
Ｌは、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を示し、
Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ、一般式（Ｉ）で定義されたＸ、Ｙ及びＺと同義である。

ｍは、ジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナト配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。）
で示される、ジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナト配位子を有する金属錯体。

３． 少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物が、１，５−ヘキサジエン、２，４−ヘキサジエン、１，５−シクロオクタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエンまたは１，３−ペンタジエンである上記２に記載の金属錯体。

４． Ｍが、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｇａ又はＹである上記１〜３のいずれかに記載の金属錯体。
５． 上記１〜４のいずれかに記載の金属錯体、又は上記１〜４のいずれかに記載の金属錯体の溶液を金属供給源として用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。

６． 上記１〜４のいずれかに記載の金属錯体、又は上記１〜４のいずれかに記載の金属錯体の溶液と、水素源又は還元性ガスとを用いた上記５に記載の金属含有薄膜の製造法。

７． 還元性ガスが水素ガス又はアンモニアガスである上記６に記載の金属含有薄膜の製造法。

８． 上記１〜４のいずれかに記載の金属錯体、又は上記１〜４のいずれかに記載の金属錯体の溶液と、酸素源とを用いた上記５に記載の金属含有薄膜の製造法。

９． 酸素源が酸素ガスである上記８に記載の金属含有薄膜の製造法。

１０． 上記１〜４のいずれかに記載の金属錯体、又は上記１〜４のいずれかに記載の金属錯体の溶液と、不活性ガスとを用いた上記５に記載の金属含有薄膜の製造法。

１１． 使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶媒である上記５〜１０のいずれかに記載の金属含有薄膜の製造法。

本発明の金属錯体は、ジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体であり、低融点を有し、且つ、熱安定性に優れ、ＣＶＤ法による成膜に適している。本発明の金属錯体を用いて、良好な成膜特性で、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に金属含有薄膜を形成することができる。

亜鉛錯体（４）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。 銅錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。 コバルト錯体（５）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。 ニッケル錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。 本発明の有機インジウム錯体（３）及び特許文献２記載のβ−ジケトナトインジウム錯体の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。 マグネシウム錯体（４）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。 アルミニウム錯体（４）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。 ガリウム錯体（４）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。 イットリウム錯体（３）の熱重量分析（ＴＧ）データを示す図である。 実施例において、亜鉛錯体と酸素ガスとを用いて亜鉛含有薄膜を製造するために、また、銅錯体と酸素ガス又は水素ガスを用いて銅含有薄膜を製造するために、また、ストロンチウム錯体と酸素ガスとを用いてストロンチウム含有薄膜を製造するために使用した蒸着装置の構成を示す図である。 実施例において使用した、ルテニウム錯体と水素ガス又は酸素ガスとを用いて、或いは熱分解でルテニウム含有薄膜を製造する蒸着装置の構成を示す図である。 実施例において、コバルト含有薄膜、ニッケル含有薄膜、及びインジウム含有薄膜を製造するために使用した蒸着装置の構成を示す図である。

本発明の金属錯体は、下記の一般式（１）で示される、ジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナト配位子を有するものであり、具体的には、前記の一般式（Ｉ）で示される金属錯体、及び前記の一般式（ＩＩ）で示される金属錯体である。

（式中、Ｘは、一般式（２）

で示されるジアルキルアルコキシメチル基（式中、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、
Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、
Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）

前記の一般式（１）、一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）において、Ｍは、金属原子を示し、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｇａ又はＹである。

好ましい配位子は金属（Ｍ）によって異なり、ＭがＳｒ又はＩｎの場合は、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃが全てメチル基であり、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素であることは好ましくない。ＭがＮｉの場合は、Ｒ^ａがエチル基、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃがメチル基、Ｙが１−メチル−ペンチル基であって、Ｚが水素原子又はｎ−プロピル基であることは好ましくない。ＭがＣｕの場合は、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃが全てメチル基であり、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素であること、または、Ｒ^ａ及びＲ^ｂがメチル基、Ｒ^ｃがｎ−ブチル基、Ｙがメチル基であって、Ｚが水素原子であることは好ましくない。ＭがY（イットリウム）の場合は、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃが全てメチル基であり、Ｙがｔ−ブチル基もしくはイソプロピル基であって、Ｚが水素であることは好ましくない。一般に、特に前記の一般式（Ｉ）で示される金属錯体の場合、Ｒ^ｃは、メチル基ではなく、炭素原子数２〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基であることが好ましい傾向があるが、金属（Ｍ）によっては、Ｒ^ｃがメチル基であることが好ましい場合がある。

また、ＭがＺｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｇａ又はＹの場合は、一般式（Ｉ）で示される金属錯体がより好ましい。一方、ＭがＲｕの場合は、一般式（ＩＩ）で示される金属錯体がより好ましい。

前記の一般式（１）、一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）において、Ｘは、前記の一般式（２）で示されるジアルキルアルコキシメチル基（Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃは、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基等の炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、Ｙは、該一般式（２）で示される基、又はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子、又はメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。但し、前記の一般式（Ｉ）で示されるストロンチウム錯体、インジウム錯体の場合は、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃが全てメチル基であり、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素であることを同時に満たす場合を除く。前記の一般式（Ｉ）で示されるニッケル錯体の場合は、Ｒ^ａがエチル基、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃがメチル基、Ｙが１−メチル−ペンチル基であって、Ｚが水素原子又はｎ−プロピル基であることを同時に満たす場合を除く。前記の一般式（Ｉ）で示される銅錯体は、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃが全てメチル基であり、Ｙがｔ−ブチル基であって、Ｚが水素であることを同時に満たす場合、または、Ｒ^ａ及びＲ^ｂがメチル基、Ｒ^ｃがｎ−ブチル基、Ｙがメチル基であって、Ｚが水素原子であることを同時に満たす場合を除く。前記の一般式（Ｉ）で示されるイットリウム錯体は、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃが全てメチル基であり、Ｙがｔ−ブチル基もしくはイソプロピル基であって、Ｚが水素であることを同時に満たす場合を除く。

Ｒ^ａ及びＲ^ｂとしては、金属（Ｍ）によっても異なるが、通常、炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。

Ｒ^Ｃとしては、金属（Ｍ）によっても異なるが、通常、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基が好ましく、炭素原子数２〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基が特に好ましい。前記の一般式（ＩＩ）で示される金属錯体の場合は、Ｒ^ｃがメチル基であることも好ましい。また、前記の一般式（Ｉ）で示される銅錯体及びコバルト錯体の場合は、Ｒ^ｃは、例えば、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等の炭素原子数２〜３のアルキル基であることが好ましい。前記の一般式（Ｉ）で示される亜鉛錯体、ルテニウム錯体などの場合は、Ｒ^ｃがメチル基であることも好ましい場合がある。

Ｙとしては、金属（Ｍ）によっても異なるが、通常、前記の一般式（２）で示される基、又は炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基が好ましく、炭素原子数３〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基がより好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基が特に好ましい。

Ｚとしては、水素原子が好ましい。

前記の一般式（ＩＩ）で示される金属錯体は、アルコキシアルキルメチル基を有するβ−ジケトナトに加えて、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を配位子とする錯体である。その一般式（ＩＩ）において、Ｌは、少なくともふたつの二重結合をもつ不飽和炭化水素化合物を示し、例えば、１，５−ヘキサジエン、２，４−ヘキサジエン、１，５−シクロオクタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエンまたは１，３−ペンタジエンが好適に使用される。

一般式（Ｉ）において、ｎは、一般式（１）で示される配位子の数を示す。一般式（ＩＩ）において、ｍは、一般式（１）で示される配位子の数を示す。ｎ及びｍは、金属Ｍの価数に等しく、整数である。

本発明の亜鉛錯体の具体例としては、例えば、式（Ａ３）から式（Ａ１８）で示される。

本発明の銅錯体の具体例としては、例えば、式（Ｂ３）から式（Ｂ１１）で示される。

本発明のルテニウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｃ３）から式（Ｃ１４）で示される。

本発明のコバルト錯体の具体例としては、例えば、式（Ｄ３）から式（Ｄ１０）で示される。

本発明のストロンチウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｅ３）から式（Ｅ１４）で示される。

本発明のニッケル錯体の具体例としては、例えば、式（Ｆ３）から式（Ｆ１１）で示される。

本発明のインジウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｇ３）から式（Ｇ１４）で示される。

本発明のマグネシウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｈ３）から式（Ｈ１８）で示される。

本発明のアルミニウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｉ３）から式（Ｉ１８）で示される。

本発明のガリウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｊ３）から式（Ｊ１８）で示される。

本発明のイットリウム錯体の具体例としては、例えば、式（Ｋ３）から式（Ｋ１４）で示される。

本発明の金属錯体の配位子であるβ−ジケトナトは対応するβ−ジケトンから得られるが、これらのβ−ジケトンは、公知の方法により容易に得ることが出来る。例えば、式（Ａ４）の亜鉛錯体等の配位子であるβ−ジケトナトに対応するβ−ジケトン、２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオンは、下記式で示される方法等によって容易に得ることが出来る。

なお、本発明の金属錯体は、公知のβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体の製造方法を参考にして、例えば、溶媒中で、金属塩化物等の金属化合物および塩基を対応するβ−ジケトンと反応させることにより製造することができる。また、金属水酸化物と対応するβ−ジケトンとを反応させることにより製造することもできる。

本発明の金属錯体は、低融点であり、しかも熱安定性が高いため、ＣＶＤ法での使用におけるバブリング時の長期の加熱においても問題なく使用できる。ＣＶＤ法用材料の熱安定性を示す指標として、一般的に熱重量分析（ＴＧ）データが引用される（例えば、図Ａ１等参照）。

ＣＶＤ法においては、薄膜形成のために金属錯体を気化させる必要があるが、本発明の金属錯体を気化させる方法としては、例えば、金属錯体自体を気化室に充填又は搬送して気化させる方法だけでなく、金属錯体を適当な溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類；トルエン等の芳香族炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル類等が挙げられる。）に希釈した溶液を液体搬送用ポンプで気化室に導入して気化させる方法（溶液法）も使用出来る。

成膜対象物上への亜鉛含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、亜鉛錯体蒸気を酸素、オゾン等の酸化性ガス、あるいは水、あるいはメタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール等のアルコール類と共に加熱した成膜対象物上に送り込んで亜鉛含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。また、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法で亜鉛含有薄膜を蒸着させることも出来る。

本発明のジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を用いて亜鉛含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、亜鉛錯体を気化させる温度は、好ましくは３０〜２５０℃、更に好ましくは６０〜２００℃である。

なお、亜鉛含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸化性ガス、あるいは水蒸気、あるいはアルコール蒸気の含有割合としては、好ましくは３〜９５容量％、更に好ましくは５〜９０容量％である。

成膜対象物上への銅含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、銅錯体蒸気を酸素、オゾン等の酸化性ガス、あるいは水素、アンモニア等の還元性ガスと共に加熱した成膜対象物上に送り込んで銅含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。また、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法で銅含有薄膜を蒸着させることも出来る。

本発明のジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする銅錯体を用いて銅含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、銅錯体を気化させる温度は、好ましくは３０〜２５０℃、更に好ましくは６０〜２００℃である。

なお、銅含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸化性ガス、あるいは還元性ガスの含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９５容量％である。

成膜対象物上へのルテニウム含有膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、有機ルテニウム錯体を水素源（例えば、水素ガス、アンモニアガス等の還元性ガスやアルコール類等）、あるいは酸素源（例えば、酸素ガス、オゾンガス等）とともに加熱した基板上に送り込んで金属ルテニウム膜、あるいは酸化ルテニウム膜を蒸着させる方法が使用出来る。また、不活性なガス（例えば、アルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガス）とともに加熱した基板上に送り込んで金属ルテニウム膜を蒸着させる方法も使用できる。また、プラズマＣＶＤ法でルテニウム含有膜を蒸着させる方法も使用出来る。

本発明のジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とするルテニウム錯体を用いてルテニウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、ルテニウム錯体を気化させる温度は、好ましくは３０〜２５０℃、更に好ましくは６０〜２００℃である。

水素ガス又は酸素ガスによる金属薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する水素ガスあるいは酸素ガスの含有割合は、好ましくは０．０５〜９７容量％、更に好ましくは０．１〜９５容量％である。

なお、本願発明の好ましい態様としては以下の通りである。
（１）本願発明の有機ルテニウム錯体又は有機ルテニウム錯体の溶媒溶液をルテニウムと水素源（特に、水素ガスが好ましい）とを用いて化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造する。
（２）本願発明の有機ルテニウム錯体又は有機ルテニウム錯体の溶媒溶液をルテニウムと酸素源（特に、酸素ガスが好ましい）とを用いて化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造する。
（３）本願発明の有機ルテニウム錯体又は有機ルテニウム錯体の溶媒溶液を不活性ガス（特に、アルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスが好ましい）とを用いて化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造する。

成膜対象物上へのコバルト含有膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、有機コバルト錯体を水素源（例えば、水素ガス、アンモニアガス等の還元性ガスやアルコール類等）、あるいは酸素源（例えば、酸素ガス、オゾンガス等）とともに加熱した基板上に送り込んで金属コバルト膜、あるいは酸化コバルト膜を蒸着させる方法が使用出来る。また、不活性なガス（例えば、アルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガス）とともに加熱した基板上に送り込んで金属コバルト膜を蒸着させる方法も使用できる。また、プラズマＣＶＤ法でコバルト含有膜を蒸着させる方法も使用出来る。

水素ガス又は酸素ガスによるコバルト薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する水素ガス又は酸素ガスの含有割合は、好ましくは０．１〜９９容量％、更に好ましくは０．５〜９５容量％である。

本発明のジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とするコバルト錯体を用いてコバルト含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは１５０〜７００℃、更に好ましくは２００〜６００℃、コバルト錯体を気化させる温度は、好ましくは３０〜２５０℃、更に好ましくは６０〜２００℃である。

なお、本願発明の好ましい態様としては以下の通りである。
（１）本願発明の有機コバルト錯体又は有機コバルト錯体の溶媒溶液と水素源（特に、水素ガス、アンモニアガスが好ましい）とを用いて化学気相蒸着法によりコバルト含有薄膜を製造する。
（２）本願発明の有機コバルト錯体又は有機コバルト錯体の溶媒溶液と酸素源（特に、酸素ガスが好ましい）とを用いて化学気相蒸着法によりコバルト含有薄膜を製造する。
（３）本願発明の有機コバルト錯体又は有機コバルト錯体の溶媒溶液と不活性ガス（特に、アルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスが好ましい）とを用いて化学気相蒸着法によりコバルト含有薄膜を製造する。

成膜対象物上へのストロンチウム含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、有機ストロンチウム錯体蒸気を酸素源（例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス）、水、又はメタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール等のアルコール類と共に加熱した成膜対象物上に送り込んでストロンチウム含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス（気化した液体も含む）は不活性ガス等で希釈されていてもよい。また、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法でストロンチウム含有薄膜を蒸着させることも出来る。

本発明の有機ストロンチウム錯体を用いてストロンチウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、有機ストロンチウム錯体を気化させる温度は、好ましくは６０〜４００℃、更に好ましくは１００〜３００℃である。

なお、ストロンチウム含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源（例えば、酸化性ガス）、水蒸気又はアルコール蒸気の含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。

成膜対象物上へのニッケル含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、有機ニッケル錯体蒸気を酸素源（例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス）、水、又はメタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール等のアルコール類と共に加熱した成膜対象物上に送り込んでニッケル含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス（気化した液体も含む）は不活性ガス等で希釈されていてもよい。また、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法でニッケル含有薄膜を蒸着させることも出来る。

本発明の有機ニッケル錯体を用いてニッケル含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、有機ニッケル錯体を気化させる温度は、好ましくは３０〜２５０℃、更に好ましくは６０〜２００℃である。

なお、ニッケル含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源（例えば、酸化性ガス）、水蒸気又はアルコール蒸気、又は還元性ガスの含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。

成膜対象物上へのインジウム含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、有機インジウム錯体蒸気を窒素ガス又はアルゴンガスなどの不活性ガスとともに加熱した成膜対象物上に送り込む方法；有機インジウム錯体を酸素等の酸化性ガスとともに加熱した成膜対象物上に送り込む方法；水素、アンモニア等の還元性ガスとともに加熱した成膜対象物上に送り込む方法が好適に採用される。また、同様な有機インジウム錯体の供給方法により、プラズマＣＶＤ法でインジウム含有薄膜を蒸着させることも出来る。

本発明の有機インジウム錯体を用いてインジウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物の温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、有機インジウム錯体を気化させる温度は、好ましくは３０〜２５０℃、更に好ましくは６０〜２００℃である。

なお、インジウム含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸化性ガス又は還元性ガスの含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。

成膜対象物上へのアルミニウム含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、有機アルミニウム錯体蒸気を窒素ガス又はアルゴンガスなどの不活性ガスとともに加熱した成膜対象物上に送り込む方法；有機アルミニウム錯体を酸素等の酸化性ガスとともに加熱した成膜対象物上に送り込む方法；水素、アンモニア等の還元性ガスとともに加熱した成膜対象物上に送り込む方法が好適に採用される。また、同様な有機アルミニウム錯体の供給方法により、プラズマＣＶＤ法でアルミニウム含有薄膜を蒸着させることも出来る。

本発明の有機アルミニウム錯体を用いてアルミニウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物の温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、有機アルミニウム錯体を気化させる温度は、好ましくは３０〜２５０℃、更に好ましくは６０〜２００℃である。

なお、アルミニウム含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸化性ガス又は還元性ガスの含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。

成膜対象物上へのガリウム含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、有機ガリウム錯体蒸気を窒素ガス又はアルゴンガスなどの不活性ガスとともに加熱した成膜対象物上に送り込む方法；有機ガリウム錯体を酸素等の酸化性ガスとともに加熱した成膜対象物上に送り込む方法；水素、アンモニア等の還元性ガスとともに加熱した成膜対象物上に送り込む方法が好適に採用される。また、同様な有機ガリウム錯体の供給方法により、プラズマＣＶＤ法でガリウム含有薄膜を蒸着させることも出来る。

本発明の有機ガリウム錯体を用いてガリウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物の温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、有機ガリウム錯体を気化させる温度は、好ましくは３０〜２５０℃、更に好ましくは６０〜２００℃である。

なお、ガリウム含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸化性ガス又は還元性ガスの含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。

成膜対象物上へのマグネシウム含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、有機マグネシウム錯体蒸気を酸素源（例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス）、水、又はメタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール等のアルコール類と共に加熱した成膜対象物上に送り込んでマグネシウム含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス（気化した液体も含む）は不活性ガス等で希釈されていてもよい。また、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法でマグネシウム含有薄膜を蒸着させることも出来る。

本発明の有機マグネシウム錯体を用いてマグネシウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、有機マグネシウム錯体を気化させる温度は、好ましくは６０〜４００℃、更に好ましくは１００〜３００℃である。

なお、マグネシウム含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源（例えば、酸化性ガス）、水蒸気又はアルコール蒸気の含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。

成膜対象物上へのイットリウム含有薄膜の蒸着方法としては、公知のＣＶＤ法で行うことが出来、例えば、常圧又は減圧下にて、有機イットリウム錯体蒸気を酸素源（例えば、酸素、オゾン等の酸化性ガス）、水、又はメタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール等のアルコール類と共に加熱した成膜対象物上に送り込んでイットリウム含有薄膜を蒸着させる方法が使用出来る。なお、これらのガス（気化した液体も含む）は不活性ガス等で希釈されていてもよい。また、同様な原料供給により、プラズマＣＶＤ法でイットリウム含有薄膜を蒸着させることも出来る。

本発明の有機イットリウム錯体を用いてイットリウム含有薄膜を蒸着させる場合、その蒸着条件としては、例えば、反応系内の圧力は、好ましくは１Ｐａ〜２００ｋＰａ、更に好ましくは１０Ｐａ〜１１０ｋＰａ、成膜対象物温度は、好ましくは５０〜９００℃、更に好ましくは１００〜６００℃、有機イットリウム錯体を気化させる温度は、好ましくは６０〜４００℃、更に好ましくは１００〜３００℃である。

なお、イットリウム含有薄膜を蒸着させる際の全ガス量に対する酸素源（例えば、酸化性ガス）、水蒸気又はアルコール蒸気の含有割合としては、好ましくは３〜９９容量％、更に好ましくは５〜９８容量％である。

次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。

参考例１（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオンの合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積５００ｍｌのフラスコに、カリウムｔ−ブトキシド４１．０ｇ（３６５ｍｍｏｌ）を加え、反応系内をアルゴンで置換した後、テトラヒドロフラン２００ｍｌを加えた。次いで、水冷下、ピナコリン２２．７ｇ（２２６ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下後、続いて２−エトキシイソ酪酸メチル２３．２ｇ（１５９ｍｍｏｌ）を滴下して、攪拌しながら５５℃で２時間反応させた。反応終了後、水冷下で酢酸２６ｇ、水３０ｍｌを加えた後、ヘキサン２００ｍｌを加えて、有機層を分液した。有機層を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（５７℃、４９Ｐａ）し、無色液体として、２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン２８．５ｇを得た（単離収率：８４％）。

２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオンの物性値は以下の通りであった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；１．１９（９Ｈ，ｓ）、１．２１（３Ｈ，ｔ）、１．３０（０．４５Ｈ，ｓ）、１．３６（５．５５Ｈ，ｓ）、３．３９（２Ｈ，ｑ）、３．８５（０．１５Ｈ，ｓ）、６．０５（０．９３Ｈ，ｓ）、１５．６（０．９３Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７６、２９３６、２９０８、２８７６、１６０４（ｂｒ）、１４６０、１３６１、１２８７、１２３９、１２１４、１１８１、１１１８、１０７２、９７１、８６０、８１１、５１７
（なお、１６０４ｃｍ^−１のピークは、β−ジケトン特有のピークである。）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；１２７、８７、５９、４３

比較例Ａ１（ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）（以下、亜鉛錯体（１’）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積５０ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液６．５６ｇ（３４．０ｍｍｏｌ）を加え、氷冷下、２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン６．００ｇ（３４．８ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化亜鉛（ＩＩ）２．２６ｇ（１６．６ｍｍｏｌ）をメタノール２０ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、氷冷下、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、ヘキサン２０ｍｌ及び水２０ｍｌを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１６０℃、２７Ｐａ）し、粘性のある黄色液体として、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）４．９１ｇを得た（単離収率：７３％）。

なお、ビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）の物性値は以下の通りであった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；１．１４（１２Ｈ，ｄ）、１．３５（６Ｈ，ｄ）、２．４９（２Ｈ，ｍ）、３．３６（６Ｈ，ｓ）、３．６５（２Ｈ，ｑ）、５．７２（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７２、２９３２、１５８２、１５１３、１４３２、１３３３、１２１１、１１１８、９１２、８０５、５５８
元素分析（Ｃ_１８Ｈ_３０Ｏ_６Ｚｎ）；炭素：５３．１％、水素：７．４５％、亜鉛：１６％（理論値；炭素：５３．０％、水素：７．４１％、亜鉛：１６．０％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；６４１、４０６

実施例Ａ１（ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）（以下、亜鉛錯体（４）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、エーテル４０ｍｌ、水１ｍｌおよび参考例１と同様な方法で合成した２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン４．８５ｇ（２２．６ｍｍｏｌ）を入れた後、ＮａＯＨ ０．９４ｇ（２３．４ｍｍｏｌ）を加えて、室温下１０分攪拌した。その後、メタノール５ｍｌに塩化亜鉛１．５３ｇ（１１．２ｍｍｏｌ）を溶解させたメタノール溶液を室温下で滴下し、１０分間反応させた。その後、濾過し、濾液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１６０℃、４１Ｐａ）し、粘性のある淡黄色粘性液体として、ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）３．９４ｇを得た（単離収率：７１％）。

なお、ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；１．１９（２４Ｈ，ｍ）、１．３７（１２Ｈ，ｓ）、３．４３（４Ｈ，ｍ）、６．１０（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７４、２９３３、１５５８、１５０２、１３９０、１３５９、１２２２、１１８２、１１３２、１１０９、１０７２、９７１、８５８、８１４、７４４、５３５、４８３
元素分析（Ｃ_２４Ｈ_４２Ｏ_６Ｚｎ）；炭素：５８．５％、水素：８．６３％、亜鉛：１３％（理論値；炭素：５８．６％、水素：８．６０％、亜鉛：１３．３％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；４４６、４０３、８７、５７

実施例Ａ２（ビス（２−ｎ−プロポキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）（以下、亜鉛錯体（６）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、エーテル２０ｍｌ及び２−ｎ−プロポキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン２．０６ｇ（９．０ｍｍｏｌ）を入れた後、水１ｍｌに溶解させたＮａＯＨ０．３２ｇ（８．０ｍｍｏｌ）を加えて、室温下１０分攪拌した。その後、水０．５ｍｌに塩化亜鉛０．５５ｇ（４．０ｍｍｏｌ）を溶解させた水溶液を室温下で滴下し、１０分間反応させた。その後、水洗してエーテル層を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、６１Ｐａ）し、粘性のある淡黄色粘性液体として、ビス（２−ｎ−プロポキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）０．５２ｇを得た（単離収率：２５％）。

なお、ビス（２−ｎ−プロポキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；０．９５（６Ｈ，ｔ）、１．１９（１８Ｈ，ｓ）、１．３６（１２Ｈ，ｓ）、１．６１（４Ｈ，ｍ）、３．３２（４Ｈ，ｍ）、５．８０（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９６４、２９３６、２９０４、２８７４、１５７５、１５５９、１５１３、１５０１、１４６４、１３９０、１３７３、１３５９、１２８３、１２２３、１１８１、１１３２、１１０９、１０７８、１０１４、９９４、９５１、８７６、８３４、８１５、７３９、６４２、５３４、４８６
元素分析（Ｃ_２６Ｈ_４６Ｏ_６Ｚｎ）；炭素：６１．５％、水素：９．００％、亜鉛：１２．５％（理論値；炭素：６０．１％、水素：８．９２％、亜鉛：１２．６％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；４６１、４１７、３６０、１０１、５９

実施例Ａ３（ビス（２−ｎ−ブトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）（以下、亜鉛錯体（１５）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％のナトリウムメチラート／メタノール溶液５．７５ｇ（２９．８ｍｍｏｌ）を入れ、室温下、２−ｎ−ブトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン７．１１ｇ（２９．４ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、塩化亜鉛２．００ｇ（１４．７ｍｍｏｌ）をメタノール５ｍｌに溶解させたメタノール溶液を室温下滴下し、その後、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮して、メチルシクロヘキサン５０ｍｌを加えた。反応溶液を濾過して、濾液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、９Ｐａ）し、粘性のある淡黄色粘性液体として、ビス（２−ｎ−ブトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）７．１０ｇを得た（単離収率：８８．３％）。

なお、ビス（２−ｎ−ブトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物であった。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；０．９３（６Ｈ，ｔ）、１．１９（１８Ｈ，ｓ）、１．３５（１２Ｈ，ｓ）、１．４１（４Ｈ，ｍ）、１．５６（４Ｈ，ｍ）、３．３６（４Ｈ，ｍ）、６．１０（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９６１、２９３４、２８７０、１５５９、１５１４、１５０２、１４６３、１３９０、１３６０、１２８４、１２２３、１１８１、１１３２、１０７７、１０３６、９８７、９５１、８９５、８５０、８１６、７４７、６４３、６０９、５３７、４８８
元素分析（Ｃ_２８Ｈ_５０Ｏ_６Ｚｎ）；炭素：６１．８％、水素：９．３０％、亜鉛：１１．７％（理論値；炭素：６１．４％、水素：９．１９％、亜鉛：１１．９％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；４６１、４１７、３６０、１０１、５９

実施例Ａ４（熱安定性試験）
実施例Ａ１で得られた亜鉛錯体（４）及び比較例Ａ１で得られた亜鉛錯体（１’）との熱安定性の比較試験を１６０℃で行った。結果を表Ａ１に示した。その結果、亜鉛錯体（４）はほとんど変化が見られないが、亜鉛錯体（１’）は１０％以上分解している。この結果、亜鉛錯体（４）の熱安定性が高いことが分かる。

また、図Ａ１に、本発明の室温下液体のビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）亜鉛錯体（亜鉛錯体（４））のＴＧデータを示した。これによると、本発明の亜鉛錯体（４）は熱分解なく１００％気化し、熱に対する安定性が高いことが分かる。

実施例Ａ５（ＣＶＤ成膜実験）
実施例Ａ１で得られた亜鉛錯体（４）を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。

評価試験には、図２に示す装置を使用した。気化器５（ガラス製アンプル）にある亜鉛錯体７は、ヒーター６で加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て導入されたヘリウムガスに同伴し気化器５を出る。気化器５を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂで導入された酸素ガスとともに反応器１１に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ１４の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計１２によってモニターされる。ガラス製反応器の中央部はヒーター１０で加熱可能な構造となっている。反応器に導入された亜鉛錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０で所定の温度に加熱された被蒸着基板９の表面上で反応分解し、基板９上に酸化亜鉛膜が析出する。反応器１１を出たガスは、トラップ１３、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。

蒸着条件及び蒸着結果（成膜特性）を表Ａ２に示す。なお、被蒸着基板としては、６ｍｍ×２０ｍｍサイズの矩形のものを使用した。

該結果より、本発明のジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を用いることにより、優れた成膜特性を有する亜鉛含有薄膜を製造することが可能であることが分かる。

比較例Ｂ１（ビス（２−エトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（ＩＩ）（以下、銅錯体（１’）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積３００ｍｌのフラスコに、酢酸銅１水和物１５．１ｇ（７５．６ｍｍｏｌ）と、溶媒として、メチルシクロヘキサン９０ｍｌ及び水２５ｍｌを入れ、その懸濁溶液に２−エトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト２９．４ｇ（１５８ｍｍｏｌ）を滴下した。更に室温下、攪拌しながら、水酸化ナトリウム６ｇ（１５０ｍｍｏｌ）を水２５ｍｌに溶解させた水溶液を滴下した。室温下、１時間反応させた後、有機層を分液し、水洗後濾液を濃縮した。その濃縮物を減圧蒸留（１７５℃、１１Ｐａ）し、粘性のある暗緑色液体として、ビス（２−エトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（ＩＩ）３１ｇを得た（単離収率：９４％）。

ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７４、２９３４、２８７４、１５６９、１５１１、１４２６、１３６４、１３２１、１２４０、１１５６、１１２０、９６２、９０５、８０４、５７４、
元素分析（Ｃ_２０Ｈ_３４Ｏ_６Ｃｕ）；炭素：５５．０％、水素：７．９５％、銅：１４％（理論値；炭素：５５．４％、水素：７．９０％、銅：１４．６％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；４３３、３９０、３１７、２４９、１７５、１１３、４５

実施例Ｂ１（ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（ＩＩ）（以下、銅錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積５０ｍｌのフラスコに、水酸化銅１．０５ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）と、溶媒として、１，２−ジメトキシエタン１５ｍｌ、更に、参考例１と同様な方法で合成した２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト３．００ｇ（１４．０ｍｍｏｌ）及び水０．１ｇを入れ、室温下、攪拌しながら１５分間反応させた。反応終了後、濾過を行い、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１６０℃、２４Ｐａ）し、粘性のある暗緑色粘性液体として、ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅（ＩＩ）２．７７ｇを得た（単離収率：５３％）。

ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７４、２９０２、１５６１、１５００、１４１１、１３６０、１２２３、１１８２、１１４０、１１０８、１０７２、８５９、８０８、７４７、６４０、５４１、５０４
元素分析（Ｃ_２４Ｈ_４２Ｏ_６Ｃｕ）；炭素：５８．６１％、水素：８．７０％、銅：１３％（理論値；炭素：５８．８％、水素：８．６４％、銅：１２．９％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；４０３、８７、５７

実施例Ｂ２（熱安定性試験）
実施例Ｂ１で得られた銅錯体（３）及び比較例Ｂ１で得られた銅錯体（１’）との熱安定性の比較試験を２００℃で行った。結果を表Ｂ１に示した。その結果、銅錯体（３）はほとんど変化が見られないが、銅錯体（１’）は完全に分解している。この結果、銅錯体（３）の熱安定性が高いことが分かる。

また、図Ｂ１に、本発明の室温下液体のビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）銅錯体（銅錯体（３））のＴＧデータを示した。これによると、本発明の銅錯体（３）は熱分解がなく１００％気化し、熱に対する安定性が高いことが分かる。

実施例Ｂ３〜Ｂ４（ＣＶＤ成膜実験）
実施例Ｂ１で得られた銅錯体（３）を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。

評価試験には、図２に示す装置を使用した。気化器５（ガラス製アンプル）にある銅錯体７は、ヒーター６で加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て導入されたヘリウムガスに同伴し気化器５を出る。気化器５を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂで導入された酸素ガス又は水素ガスとともに反応器１１に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ１４の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計１２によってモニターされる。ガラス製反応器の中央部はヒーター１０で加熱可能な構造となっている。反応器に導入された銅錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０で所定の温度に加熱された被蒸着基板９の表面上で反応分解し、基板９上に酸化銅膜又は銅膜が析出する。反応器１１を出たガスは、トラップ１３、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。

蒸着条件及び蒸着結果（成膜特性）を表Ｂ２に示す。なお、被蒸着基板としては、６ｍｍ×２０ｍｍサイズの矩形のものを使用した。

該結果より、本発明のジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする銅錯体を用いることにより、優れた成膜特性を有する銅含有薄膜を製造することが可能であることが分かる。

参考例Ｃ２（ビス（アセチルアセトナト）（１，５−ヘキサジエン）ルテニウム（ＩＩ）（Ｒｕ錯体（１’）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、三塩化ルテニウム三水和物８．８７ｇ（３３．９ｍｍｏｌ）、１，５−ヘキサジエン６．１２ｇ（７４．５ｍｍｏｌ）及びイソプロプロピルアルコール６０ｍｌを加え、攪拌しながら７０℃で４時間反応させた後、アセチルアセトン１０．６ｇ（１０６ｍｍｏｌ）及び水酸化ナトリウム４．２２ｇ（１０６ｍｍｏｌ）を混合した水溶液を滴下し、攪拌しながら０．５時間反応させた。反応終了後、メチルシクロヘキサン６０ｍｌ及び水３０ｍｌを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留（１４０℃、３９Ｐａ）し、黄褐色粘性液体として、ビス（アセチルアセトナト）（１，５−ヘキサジエン）ルテニウム（ＩＩ）１０．３ｇを得た（単離収率：８０％）。

なお、ビス（アセチルアセトナト）（１，５−ヘキサジエン）ルテニウム（ＩＩ）の物性値は以下の通りであった。

ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；３０６７、２９２３、１５７６、１５１７、１４００、１２６８、１２０１、１０２２、９３３、７６７、６２０、４３２

実施例Ｃ１（ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）（１，５−ヘキサジエン）ルテニウム（ＩＩ）（以下、ルテニウム錯体（５）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積２００ｍｌのフラスコに、三塩化ルテニウム三水和物３．４２ｇ（１３．１ｍｍｏｌ）、１，５−ヘキサジエン３．４５ｇ（４２．０ｍｍｏｌ）及びエタノール２０ｍｌを加え、７０℃で攪拌しながら３時間反応させた。その後、２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン９．８７ｇ（４５．６ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム１．６３ｇ（４０．８ｍｍｏｌ）およびエタノール２５ｇ／水１０ｇを混合した溶液を滴下し、攪拌しながら０．５時間反応させた。反応終了後、ヘキサン１００ｍｌ及び水６０ｍｌを加え、有機層を分液、水洗した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧下で蒸留（１８０℃、５１Ｐａ）し、褐色の粘性液体として、ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）（１，５−ヘキサジエン）ルテニウム（ＩＩ）５．８８ｇを得た（単離収率：７４％）。

なお、ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）（１，５−ヘキサジエン）ルテニウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。

ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７１、２９２９、２８７１、２８２１、１５９２、１５７０、１５２２、１４３９、１４２６、１３６３、１３３１、１２１１、１１５６、１１１９、１０６０、９１５、８６９、７９３、５７６
（β−ジケトン特有のピーク（１６０４ｃｍ^−１）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５７０ｃｍ^−１）が観察された）
元素分析（Ｃ_３０Ｈ_５２Ｏ_６Ｒｕ）；炭素：５９．０％、水素：８．６３％、ルテニウム：１６．５％（理論値；炭素：５９．１％、水素：８．６０％、ルテニウム：１６．６％）

実施例Ｃ２（ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト（２，４−ヘキサジエン）ルテニウム（ＩＩ）（以下、ルテニウム錯体（６）と称する）の合成）
実施例Ｃ１において、１，５−ヘキサジエンの代わりに、２，４−ヘキサジエン３．４５ｇ（４２．０ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例Ｃ１と同様にして反応を行った。その結果、黄褐色粘性液体として、ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）（２，４−ヘキサジエン）ルテニウム（ＩＩ）６．８２ｇを得た（単離収率：８６％）。

なお、ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）（２，４−ヘキサジエン）ルテニウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。

ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７２、２９２９、２８７１、２８２１、１５７１、１５７０、１５２２、１４３９、１４２６、１３６３、１３３１、１２１１、１１５６、１１１９、１０６０、９１５、８６９、７９３、５７６
（β−ジケトン特有のピーク（１６０４ｃｍ^−１）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５７１ｃｍ^−１）が観察された）
元素分析（Ｃ_３０Ｈ_５２Ｏ_６Ｒｕ）；炭素：５９．２％、水素：８．５８％、ルテニウム：１６．４％（理論値；炭素：５９．１％、水素：８．６０％、ルテニウム：１６．６％）

実施例Ｃ３（熱安定性試験）
実施例Ｃ２で得られたルテニウム錯体（６）と参考例Ｃ２で得られたルテニウム錯体（１‘）について、１６０℃での熱安定性試験を行った。結果を表Ｃ１に示した。この結果、ルテニウム錯体（６）は熱安定性に優れていることが分かる。

実施例Ｃ４〜Ｃ７（蒸着実験；ルテニウム薄膜の製造）
実施例Ｃ１〜Ｃ２で得られた有機ルテニウム錯体（ルテニウム錯体（５）及び（６））を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。

評価試験には、図３に示す装置を使用した。気化器５（ガラス製アンプル）にあるルテニウム錯体７は、ヒーター６で加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て導入されたヘリウムガスに同伴し気化器５を出る。気化器５を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂで導入された水素ガスあるいは酸素ガスとともに反応器１１に導入される。また、酸素ガスをヘリウムガスで希釈する場合は、マスフローコントローラー１Ｃで導入されたヘリウムガスを酸素ガスラインに添加することにより行われる。なお、熱分解を行う場合はバルブ２を閉にし、水素ガス又は酸素ガスの供給を停止する。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ１４の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計１２によってモニターされる。ガラス製反応器の中央部はヒーター１０で加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたルテニウム錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０で所定の温度に加熱された被蒸着基板９の表面上で反応分解し、基板９上にルテニウム含有膜が析出する。反応器１１を出たガスは、トラップ１３、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。

蒸着条件及び蒸着結果（膜特性）を表Ｃ２に示す。なお、被蒸着基板としては、６ｍｍ×２０ｍｍサイズの矩形のものを使用した。なお、表中の酸素とは酸素ガスを、水素とは水素ガスを、希釈ヘリウムとはヘリウムガスを示す。

該結果より、本発明の有機ルテニウム錯体（ルテニウム錯体（５）及び（６））が、水素ガス還元雰囲気下、酸素ガス雰囲気下、又は不活性なガス下（熱分解）により、優れたルテニウム含有膜成膜性を有することが分かる。

実施例Ｄ１（ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩ）（以下、コバルト錯体（５）と称する）の合成
攪拌装置、温度計及び滴下漏斗を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％ナトリウムメトキシドのメタノール溶液６．００ｇ（３１．１ｍｍｏｌ）を加え、氷冷下、２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン７．００ｇ（３２．７ｍｍｏｌ）をゆるやかに滴下し、５分間攪拌させた。次いで、塩化コバルト（ＩＩ）６水塩２．００ｇ（８．３７ｍｍｏｌ）をメタノール１５ｍｌに溶解させた溶液をゆるやかに滴下し、室温下、攪拌しながら６０分間反応させた。反応終了後、反応液から減圧下でメタノールを留去した。その後、エーテル６０ｍｌ及び水３０ｍｌを加え、有機層を分液した後に、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を濃縮した後、濃縮物を減圧蒸留（１７０℃、４５Ｐａ）し、粘性のある暗紫色液体として、（ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩ）５．９０ｇを得た（単離収率；７８％）。

ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。

ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；３４２０（ｂｒ），２９７３，２９３１，２９０２，２８７１，１５７７，１５２２，１５００，１４５４，１４２３，１３８９，１３６０，１２８１，１２３２，１１６７，１１３０，１１０９，１０７２，１０２４，９７１，９１７，８５８，８０２，７４３，５２８
（β−ジケトン特有のピーク（１６０４ｃｍ^−１）が消失し、β−ジケトナト特有のピーク（１５７７ｃｍ^−１）が観察された）
ＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｅ）；４８５、４２８、２２６、８７
ＣＩ−ＭＳ（ｍ／ｅ）；４８６、４２８、２１５、１６９、８７

実施例Ｄ２（熱安定性の評価）
本発明のビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）コバルト（ＩＩ）（コバルト錯体（５））の熱安定性の評価を行った。その結果を図Ｄ１に示した。

図Ｄ１のＴＧデータの結果より、本発明のコバルト錯体（５）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。

実施例Ｄ３〜Ｄ５（蒸着実験；コバルト含有薄膜の製造）
実施例Ｄ１で得られたコバルト錯体を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。

評価試験には、図４に示す装置を使用した。気化器３（ガラス製アンプル）にあるコバルト錯体２０は、ヒーター１０Ｂで加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て予熱器１０Ａで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器３を出る。気化器３を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂ、ストップバルブ２を経て導入されたアンモニアガスもしくは水素ガス、酸素ガスとともに反応器４に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ６の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計５によってモニターされる。反応器の中央部はヒーター１０Ｃで加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたコバルト錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０Ｃで所定の温度に加熱された被蒸着基板２１の表面上で還元もしくは酸化熱分解し、基板２１上にコバルト含有薄膜が析出する。反応器４を出たガスは、トラップ７、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。

蒸着条件及び蒸着結果（膜特性）を表Ｄ１に示す。なお、被蒸着基板としては、６ｍｍ×２０ｍｍサイズの矩形のものを使用した。

以上の結果より、本発明の有機コバルト錯体（コバルト錯体（５））が、アンモニアガス還元雰囲気下、水素ガス雰囲気下又は酸素ガス雰囲気下により、優れたコバルト含有膜成膜性を有することが分かる。

実施例Ｅ１（ビス（２−ｎ−プロポキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）の合成（以下、ストロンチウム錯体（４）と称する））
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、酸化ストロンチウム０．４ｇ（３．９ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン１０ｍｌを加えた。次いで、２−ｎ−プロポキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン１．４ｇ（６．１ｍｍｏｌ）を水冷下にて滴下させた後、水０．２ｇを滴下して１時間反応させた。

反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン１０ｍｌを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留（３１０℃、１９Ｐａ）して、黄色固体として、ビス（２−ｎ−プロポキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）１．２ｇを得た（単離収率：７２．３％）。

ビス（２−ｎ−プロポキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；０．８１（６Ｈ，ｂ）、１．０４（１８Ｈ，ｂ）、１．２７（１２Ｈ，ｂ）、１．５６（４Ｈ，ｂ）、３．２８（４Ｈ，ｂ）、５．５５（２Ｈ，ｂ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９６６、１６０６、１５９７、１５３１、１４９９、１４２９、１３８９、１３６１、１２７２、１２２５、１１７４、１１２３、１０８０、１０１９、８６１、７９４、７３５、４７５
元素分析（Ｃ_２６Ｈ_４６Ｏ_６Ｓｒ）；炭素：５７．４％、水素：８．８％、ストロンチウム：１６．０％（理論値；炭素：５７．６％、水素：８．６％、ストロンチウム：１６．２％）
融点；８４〜８６℃

実施例Ｅ２（ビス（２−イソプロポキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）の合成（以下、ストロンチウム錯体（５）と称する））
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、酸化ストロンチウム２．２ｇ（２１．２ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン２０ｍｌを加えた。次いで、２−イソプロポキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン５．１ｇ（２２．３ｍｍｏｌ）を水冷下にて滴下させた後、水０．２ｇを滴下して１時間反応させた。

反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン２０ｍｌを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留（３１０℃、１７Ｐａ）して、黄色固体として、ビス（２−イソプロポキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）４．４ｇを得た（単離収率：７２．６％）。

ビス（２−イソプロポキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；１．０７（１８Ｈ，ｓ）、１．１７（１２Ｈ，ｄ）、１．３１（１２Ｈ，ｓ）、３．７８（２Ｈ，ｂ）、５．６４（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９６６、１６０６、１５９６、１５３２、１４９９、１４２９、１３８９、１３６１、１２７２、１２２５、１１７４、１１２３、１０８０、１０１９、８６１、７９４、７３５、４７５
元素分析（Ｃ_２６Ｈ_４６Ｏ_６Ｓｒ）；炭素：５７．４％、水素：８．８％、ストロンチウム：１６．０％（理論値；炭素：５７．６％、水素：８．６％、ストロンチウム：１６．２％）
融点；６２〜６５℃

実施例Ｅ３（ビス（２−ｓｅｃ−ブトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）の合成（以下、ストロンチウム錯体（６）と称する））
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、酸化ストロンチウム１．５ｇ（１４．５ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン３０ｍｌを加えた。次いで、２−ｓｅｃ−ブトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン５．５ｇ（２２．７ｍｍｏｌ）を水冷下にて滴下させた後、水０．２ｇを滴下して１時間反応させた。

反応終了後、反応液を減圧下にて濃縮し、濃縮物にヘキサン１０ｍｌを加えた。得られた溶液を濾過後、濾液を濃縮した後に、濃縮物を減圧蒸留（３１０℃、２４Ｐａ）して、黄色固体として、ビス（２−ｓｅｃ−ブトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）２．９ｇを得た（単離収率：４４．８％）。

ビス（２−ｓｅｃ−ブトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ストロンチウム（ＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；０．８２（６Ｈ，ｔ）、１．０８（２４Ｈ，ｓ）、１．２１（１２Ｈ，ｂ）、１．４３（２Ｈ，ｍ）、１．５０（２Ｈ，ｍ）、３．５０（２Ｈ，ｍ）、５．６６（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９６６、１６０６、１５９６、１５３２、１４９９、１４２９、１３８９、１３６１、１２７２、１２２５、１１７４、１１２３、１０８０、１０１９、８６１、７９４、７３５、４７５
元素分析（Ｃ_２８Ｈ_５０Ｏ_６Ｓｒ）；炭素：５９．０％、水素：８．９％、ストロンチウム：１５．３％（理論値；炭素：５９．０％、水素：８．８％、ストロンチウム：１５．４％）
融点；４２〜５２℃

実施例Ｅ４〜Ｅ６（蒸着実験；ストロンチウム含有薄膜の製造）
実施例Ｅ１〜Ｅ３で得られた有機ストロンチウム錯体を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。

評価試験には、図２に示す装置を使用した。気化器５（ガラス製アンプル）にある有機ストロンチウム錯体７は、ヒーター６で加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て導入されたヘリウムガスに同伴し気化器５を出る。気化器５を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂで導入された酸素ガスとともに反応器１１に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ１４の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計１２によってモニターされる。ガラス製反応器の中央部はヒーター１０で加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたストロンチウム錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０で所定の温度に加熱された被蒸着基板９の表面上で反応分解し、基板９上に酸化ストロンチウム膜が析出する。反応器１１を出たガスは、トラップ１３、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。

蒸着結果（成膜特性）を表Ｅ１に示す。なお、ストロンチウム含有薄膜の製造における共通条件は以下の通りである。

ストロンチウム錯体気化温度；２２０℃
Ｈｅキャリアー流量；３０ｍｌ／ｍｉｎ．
酸素流量；３５０ｍｌ／ｍｉｎ．
蒸着基板；ＳｉＯ_２／Ｓｉ（６ｍｍ×２０ｍｍサイズ）
基板温度；５２５℃
反応系内圧力；３９９０Ｐａ
蒸着時間；３０分

該結果より、本発明の有機ストロンチウム錯体（ジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とするストロンチウム錯体）を用いることにより、優れた特性を有するストロンチウム含有薄膜を製造することが可能であることが分かる。

実施例Ｆ１（ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）（以下、ニッケル錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％のナトリウムメチラート／メタノール溶液５．０２ｇ（２６．０ｍｍｏｌ）を入れ、室温下、２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン６．１２ｇ（２８．６ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、塩化ニッケル６水和物３．００ｇ（１２．６ｍｍｏｌ）をメタノール２０ｍｌに溶かしたメタノール溶液を室温下滴下し、その後、攪拌しながら５分間反応させた。反応終了後、水２０ｍｌ、メチルシクロヘキサン３０ｍｌを加え分液し、その濾液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１９０℃、２０Ｐａ）し、粘性のある暗緑色液体として、ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）４．６０ｇを得た（単離収率：７５％）。

ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７３、２９３２、２９０２、２８７１、１５７９、１５００、１４２６、１３９０、１３６０、１２８２、１２３３、１１６７、１０７２、９７４、８５８、７８７、７４６、５３０、４８６
元素分析（Ｃ_２４Ｈ_４２Ｏ_６Ｎｉ）；炭素：５９．５％、水素：８．７０％、ニッケル：１２％（理論値；炭素：５９．４％、水素：８．７２％、ニッケル：１２．１％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；４８４、４２７、８７、５７

実施例Ｆ２（熱安定性の評価）
本発明のビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ニッケル錯体（ニッケル錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図Ｆ１に示した。

図Ｆ１のＴＧデータの結果より、本発明のニッケル錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。

実施例Ｆ３〜Ｆ５（蒸着実験；ニッケル含有薄膜の製造）
実施例Ｆ１で得られた有機ニッケル錯体を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。

評価試験には、図４に示す装置を使用した。気化器３（ガラス製アンプル）にあるニッケル錯体２０は、ヒーター１０Ｂで加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て予熱器１０Ａで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器３を出る。気化器３を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂ、ストップバルブ２を経て導入された酸素ガス、水素ガスもしくはアンモニアガスとともに反応器４に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ６の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計５によってモニターされる。反応器の中央部はヒーター１０Ｃで加熱可能な構造となっている。反応器に導入されたニッケル錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０Ｃで所定の温度に加熱された被蒸着基板２１の表面上で酸化熱分解もしくは還元分解され、基板２１上にニッケル含有薄膜が析出する。反応器４を出たガスは、トラップ７、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。

蒸着条件及び蒸着結果（成膜特性）を表Ｆ１に示す。なお、被蒸着基板としては、６ｍｍ×２０ｍｍサイズの矩形のものを使用した。

該結果より、本発明の有機ニッケル錯体（ジアルキルアルコキシ基を有するβ−ジケトナトを配位子とする有機ニッケル錯体）を用いることにより、優れた特性を有するニッケル含有薄膜を製造することが可能であることが分かる。

実施例Ｇ１（トリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（ＩＩＩ）（以下、有機インジウム錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積２００ｍｌのフラスコに、２８％のナトリウムメチラート／メタノール溶液５．３１ｇ（２７．５ｍｍｏｌ）を入れ、室温下、２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン６．２２ｇ（２７．５ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、塩化インジウム４水和物２．５０ｇ（８．５３ｍｍｏｌ）をメタノール２０ｍｌに溶かしたメタノール溶液を室温下滴下し、その後、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮した。ここに水５０ｍｌ、メチルシクロヘキサン５０ｍｌを加え分液し、そのメチルシクロヘキサン溶液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１８０℃、１１Ｐａ）し、粘性のある淡黄色粘性液体として、トリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（ＩＩＩ）５．１１ｇを得た（単離収率：７９．０％）。

なお、トリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（ＩＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；１．１２（２７Ｈ，ｓ）、１．１９（９Ｈ，ｔ）、１．３１（１８Ｈ，ｓ）、３．４０（６Ｈ，ｑ）、６．０２（３Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７５、２９３３、２９０３、２８７５、１５６２、１５１５、１５０３、１４１５、１３８３、１３５７、１２８７、１２２２、１１８３、１１３２、１１０８、１０７２、９７１、８５９、８１３、７４３、６２８、５３０、４８７
元素分析（Ｃ_３６Ｈ_６３Ｏ_９Ｉｎ）；炭素：５７．５％、水素：８．９％、インジウム：１５．０％（理論値；炭素：５７．３％、水素：８．４％、インジウム：１５．２％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；７５４、７１０、５４１、８７
密度；１．１０ｇ／ｃｍ^３（２４℃）

比較例Ｇ１（トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（ＩＩＩ）（特許文献２記載の有機インジウム錯体）（以下、Ｉｎ（ｍｏｐｄ）_３と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％のナトリウムメチラート／メタノール溶液４．２６ｇ（２２．１ｍｍｏｌ）を入れ、氷冷下、２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオン３．８０ｇ（２２．１ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、塩化インジウム４水和物２．０４ｇ（６．９６ｍｍｏｌ）をメタノール１５ｍｌに溶かしたメタノール溶液を室温下滴下し、その後、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮した。ここに水４０ｍｌ、エーテル４０ｍｌを加え分液し、そのエーテル溶液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１７５℃、３１Ｐａ）し、粘性のある淡黄色粘性液体として、トリス（２−メトキシ−６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（ＩＩＩ）３．２７ｇを得た（単離収率：７４．０％）。

なお、トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（ＩＩＩ）は、以下の物性値で示される。

ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７５、２９３３、１５７１、１５３９、１５１５、１４２９、１４０２、１３６３、１３３１、１２３０、１１２０、９５２、９１４、８０９、５５４
元素分析（Ｃ_２７Ｈ_４５Ｏ_９Ｉｎ）；炭素：５１．３％、水素：７．３％、インジウム：１８．０％（理論値；炭素：５１．６％、水素：７．２％、インジウム：１８．３％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；６２８、５９８、４５７、２２７、１１５、５９

実施例Ｇ２（熱安定性の評価）
本発明の有機インジウム錯体（３）（トリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（ＩＩＩ））及び比較例Ｇ１のＩｎ（ｍｏｐｄ）_３（トリス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）インジウム（ＩＩＩ））の安定性評価を行った。その結果を図Ｇ１に示した。

図Ｇ１のＴＧデータの結果より、本発明の有機インジウム錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。

実施例Ｇ３（蒸着実験；インジウム含有薄膜の製造）
実施例Ｇ１で得られた有機インジウム錯体を用いて、ＣＶＤ法による蒸着実験を行い、成膜特性を評価した。

評価試験には、図４に示す装置を使用した。気化器３（ガラス製アンプル）にある有機インジウム錯体２０は、ヒーター１０Ｂで加熱されて気化し、マスフローコントローラー１Ａを経て予熱器１０Ａで予熱後導入されたヘリウムガスに同伴し気化器３を出る。気化器３を出たガスは、マスフローコントローラー１Ｂ、ストップバルブ２を経て導入された酸素ガス、水素ガス又はアンモニアガスとともに反応器４に導入される。反応系内圧力は真空ポンプ手前のバルブ６の開閉により、所定圧力にコントロールされ、圧力計５によってモニターされる。反応器の中央部はヒーター１０Ｃで加熱可能な構造となっている。反応器に導入された有機インジウム錯体は、反応器内中央部にセットされ、ヒーター１０Ｃで所定の温度に加熱された被蒸着基板２１の表面上で酸化熱分解もしくは還元分解され、基板２１上にインジウム含有薄膜が析出する。反応器４を出たガスは、トラップ７、真空ポンプを経て、大気中に排気される構造となっている。

蒸着条件及び蒸着結果（成膜特性）を表Ｇ１に示す。なお、被蒸着基板としては、６ｍｍ×２０ｍｍサイズの矩形のものを使用した。

該結果より、本発明の有機インジウム錯体（ジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とするインジウム錯体）を用いることにより、優れた成膜特性を有するインジウム含有薄膜を製造することが可能であることが分かる。

実施例Ｈ１（ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（ＩＩ）（以下、マグネシウム錯体（４）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、水酸化マグネシウム０．４４ｇ（７．５ｍｍｏｌ）、メタノール５ｍｌおよび水５ｍｌを入れ、室温下、２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン４．００ｇ（１８．７ｍｍｏｌ）を滴下した。１０分間反応させた後、反応液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（２３０℃、３２Ｐａ）し、粘性のある淡黄色粘性液体として、ビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（ＩＩ）２．８８ｇを得た（単離収率：８４．７％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；１．０４（１８Ｈ，ｓ）、１．１１（６Ｈ，ｔ）、１．２８（１２Ｈ，ｓ）、３．３８（４Ｈ，ｑ）、５．７３（２Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７３、２９３３、２９０３、２８７２、１６０６、１５２８、１５０４、１４５５、１４３２、１３９０、１３６０、１２８５、１２３３、１１６５、１１３１、１１０９、１０７２、９７７、８５７、７９１、７３３、６２１、５２８、４８３
元素分析（Ｃ_２４Ｈ_４２Ｏ_６Ｍｇ）；炭素：６４．０％、水素：９．６％、マグネシウム：５．２％（理論値；炭素：６３．９％、水素：９．４％、マグネシウム：５．４％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；４５１、３９３、１２７、８７

実施例Ｈ２（熱安定性の評価）
本発明のビス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マグネシウム（ＩＩ）（マグネシウム錯体（４））の熱安定性の評価を行った。その結果を図Ｈ１に示した。

図Ｈ１のＴＧデータの結果より、本発明のマグネシウム錯体（４）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。

実施例Ｉ１（トリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）（以下、アルミニウム錯体（４）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン３．００ｇ（１４．０ｍｍｏｌ）とメタノール１２ｍｌを入れ、ここに水３ｍｌに溶解した水酸化ナトリウム０．５６ｇ（１４．１ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、塩化アルミニウム０．６３ｇ（５．１８ｍｍｏｌ）を水６ｍｌに溶かした水溶液を室温下滴下し、その後、攪拌しながら５分間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮した。ここに水６ｍｌ、ヘキサン１５ｍｌを加え分液し、水洗をした後、その溶液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１６０℃、２７Ｐａ）し、無色透明の固体として、トリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）２．４１ｇを得た（単離収率：７７．５％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；１．０８（２７Ｈ，ｍ）、１．１６〜１．２２（１８Ｈ，ｍ）、１．３０（９Ｈ，ｍ）、３．３８（６Ｈ，ｍ）、５．９６（３Ｈ，ｍ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７８、２９３３、２９０４、２８７６、１５７９、１５４５、１５０８、１４５４、１４３６、１４０４、１３７３、１３６０、１３０６、１２４０、１２２６、１１８３、１１４５、１１０９、１０７３、９７０、８６２、８０４、７４５、６５７、５５０、５０８、４５４
元素分析（Ｃ_３６Ｈ_６３Ｏ_９Ａｌ）；炭素：６５．０％、水素：９．６％、アルミニウム：４．０％（理論値；炭素：６４．８％、水素：９．５％、アルミニウム：４．１％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；６６６、６２２、４５３、４０８、５９
融点；４０℃

実施例Ｉ２（熱安定性の評価）
本発明のトリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）（アルミニウム錯体（４））の熱安定性の評価を行った。その結果を図Ｉ１に示した。

図Ｉ１のＴＧデータの結果より、本発明のアルミニウム錯体（４）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。

実施例Ｊ１（トリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ガリウム（ＩＩＩ）（以下、ガリウム錯体（４）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積１００ｍｌのフラスコに、２８％のナトリウムメチラート／メタノール溶液４．９１ｇ（２５．５ｍｍｏｌ）を入れ、室温下、２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン６．００ｇ（２８．０ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、塩化ガリウム１．４０ｇ（８．０ｍｍｏｌ）をメタノール５ｍｌに溶かしたメタノール溶液を室温下滴下し、その後、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮した。ここに水１０ｍｌ、メチルシクロヘキサン３０ｍｌを加え分液し、そのメチルシクロヘキサン溶液を濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１７０℃、１１Ｐａ）し、粘性のある淡黄色粘性液体として、トリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ガリウム（ＩＩＩ）５．１９ｇを得た（単離収率：９２．０％）。

なお、（トリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ガリウム（ＩＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物である。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；１．１１（２７Ｈ，ｓ）、１．２２（１８Ｈ，ｓ）、１．３３（９Ｈ，ｔ）、３．３９（６Ｈ，ｑ）、５．９６（３Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７５、２９３３、２９０３、２８７５、１５６９、１５４５、１５１６、１５０４、１４２５、１３８９、１３５８、１２９７、１２３８、１１８３、１１４０、１１０８、１０７２、９６１、８６０、８０７、７４６、６３８、５３６、４９５
元素分析（Ｃ_３６Ｈ_６３Ｏ_９Ｇａ）；炭素：６１．２％、水素：９．２％、ガリウム：９．６％（理論値；炭素：６０．９％、水素：９．０％、ガリウム：９．８％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；７０８、６６４、４９５、２８１、５９

実施例Ｊ２（熱安定性の評価）
本発明のトリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ガリウム（ＩＩＩ）（ガリウム錯体（４））の熱安定性の評価を行った。その結果を図Ｊ１に示した。

図Ｊ１のＴＧデータの結果より、本発明のガリウム錯体（４）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。

実施例Ｋ１（トリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（ＩＩＩ）（以下、イットリウム錯体（３）と称する）の合成）
攪拌装置、温度計を備えた内容積２００ｍｌのフラスコに、２８％のナトリウムメチラート／メタノール溶液３．０２ｇ（１５．６５ｍｍｏｌ）を入れ、室温下、２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオン３．６０ｇ（１６．８ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、塩化イットリウム６水和物１．５７ｇ（５．１８ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶かしたメタノール溶液を室温下滴下し、その後、攪拌しながら３０分間反応させた。反応終了後、水３０ｍｌ、メチルシクロヘキサン３０ｍｌを加え分液し、メチルシクロヘキサン溶液を水洗して濃縮した。濃縮物を減圧蒸留（１９０℃、３３Ｐａ）し、粘性のある淡黄色粘性液体として、トリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（ＩＩＩ）２．９０ｇを得た（単離収率：７６．９％）。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，δ（ｐｐｍ））；０．９７〜１．３７（５４Ｈ，ｍ）、３．３８（６Ｈ，ｑ）、６．０５（３Ｈ，ｓ）
ＩＲ（ｎｅａｔ（ｃｍ^−１））；２９７４、２９３２、２９０３、２８７４、１５７７、１５４３、１５０３、１４１２、１３９０、１３５９、１２８５、１２２４、１１８０、１１３４、１１０８、１０７２、９７１、８５７、８０２、７３９、６１４、５２３、４８７
元素分析（Ｃ_３６Ｈ_６３Ｏ_９Ｙ）；炭素：５９．８％、水素：９．０％、イットリウム：１２．０％（理論値；炭素：５９．３％、水素：８．７％、イットリウム：１２．２％）
ＭＳ（ｍ／ｅ）；７２８、６８４、６４１、４２３、８７

実施例Ｋ２（熱安定性の評価）
本発明のトリス（２−エトキシ−２，６，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イットリウム（ＩＩＩ）（イットリウム錯体（３））の熱安定性の評価を行った。その結果を図Ｋ１に示した。

図Ｋ１のＴＧデータの結果より、本発明のイットリウム錯体（３）は、低温で気化し、残渣が少なく、熱に対する安定性が高いことが分かる。

本発明は、新規なジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とする金属錯体を用いて、ＣＶＤ法により、金属含有薄膜を製造する方法に関する。本発明の金属錯体は、低融点を有し、且つ熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適している。

（図２，図３）
５ 気化器
１１ 反応器
６ 気化器ヒーター
１０ 反応器ヒーター
７ 原料金属錯体融液
９ 基板
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ マスフローコントローラー
１２ 圧力計
１３ トラップ
２，３，４，１４ バルブ
（図４）
３ 気化器
４ 反応器
１０Ａ 予熱器
１０Ｂ 気化器ヒーター
１０Ｃ 反応器ヒーター
２０ 原料金属錯体融液
２１ 基板
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ マスフローコントローラー
５ 圧力計
７ トラップ
１，２，６，８ バルブ

Claims (9)

1. 一般式（Ｉ）
   

   

   （式中、Ｍは、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｓｒ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｇａ又はＹを示し、
   Ｒ ^ｃ は、炭素原子数２〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。
   ｎは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。）
   で示される、ジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナト配位子を有する金属錯体。
2. 一般式（ＩＩ）
   

   

   （式中、Ｌは、１，５−ヘキサジエン又は２，４−ヘキサジエンを示す。）
   で示される、ジアルキルアルコキシメチル基を有するβ−ジケトナト配位子を有する金属錯体。
3. 請求項１〜２のいずれかに記載の金属錯体、又は請求項１〜２のいずれかに記載の金属錯体の溶液を金属供給源として用いた化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製造法。
4. 請求項１〜２のいずれかに記載の金属錯体、又は請求項１〜２のいずれかに記載の金属錯体の溶液と、水素源又は還元性ガスとを用いた請求項３に記載の金属含有薄膜の製造法。
5. 還元性ガスが水素ガス又はアンモニアガスである請求項４に記載の金属含有薄膜の製造法。
6. 請求項１〜２のいずれかに記載の金属錯体、又は請求項１〜２のいずれかに記載の金属錯体の溶液と、酸素源とを用いた請求項３に記載の金属含有薄膜の製造法。
7. 酸素源が酸素ガスである請求項６に記載の金属含有薄膜の製造法。
8. 請求項１〜２のいずれかに記載の金属錯体、又は請求項１〜２のいずれかに記載の金属錯体の溶液と、不活性ガスとを用いた請求項３に記載の金属含有薄膜の製造法。
9. 使用する溶媒が、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類及びエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも１種の溶媒である請求項３〜８のいずれかに記載の金属含有薄膜の製造法。
   

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