JP5694317B2 - 荷電粒子エネルギー分析器装置および方法 - Google Patents
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Description
本出願は、発明者Khashayar Shadmanにより2009年7月17日に出願された「Energy Analyzer」と題する米国仮特許出願第61/226682号に基づく優先権を主張するものであり、その開示は全体的に本明細書に参照として組み込まれる。
本発明は以下の適用例としても実現可能である。
[適用例1]
荷電粒子エネルギー分析器装置であって、
荷電粒子の通過のための開口をもつ第1の導電性メッシュであって、第1の側部上で前記荷電粒子を受け取り、前記荷電粒子を第2の側部に受け渡すように配列される、第1のメッシュと、
前記第1のメッシュの前記第2の側部と前記第1の電極との間に、第1のキャビティが形成されるように配列される、第1の電極と、
前記荷電粒子の通過のための開口をもつ第2の導電性メッシュであって、第2の側部上で前記荷電粒子を受け取り、前記荷電粒子を第1の側部に受け渡すように配列される、第2のメッシュと、
前記第2のメッシュの第1の側部と前記第2の電極との間に第2のキャビティが形成されるように配列される、第2の電極と、
前記荷電粒子の通過のための開口をもつ第3の導電性メッシュであって、第1の側部上で前記荷電粒子を受け取り、前記荷電粒子を第2の側部に受け渡すように配列される、第3のメッシュと、
前記荷電粒子が前記第3のメッシュを通過した後に、前記荷電粒子を受け取るように配列される、位置検知荷電粒子検出器と
を備える、装置。
[適用例2]
適用例1に記載の装置であって、
前記第1のメッシュ、前記第2のメッシュ、および、前記第3のメッシュが、単一のメッシュ構造の一部である、装置。
[適用例3]
適用例1に記載の装置であって、
前記第1の電極が、第1の導電性プレートを備え、前記第2の電極が、第2の導電性プレートを備える、装置。
[適用例4]
適用例1に記載の装置であって、
前記第1のメッシュ、前記第2のメッシュ、および、前記第3のメッシュが、電気的に接地され、前記第1の電極および前記第2の電極に負の電圧が印加される、装置。
[適用例5]
適用例1に記載の装置であって、
前記メッシュを前記電極に電気的に結合する抵抗的側壁
をさらに備える、装置。
[適用例6]
適用例5に記載の装置であって、
前記抵抗的側壁が、電圧ステップダウンアレイを備える、装置。
[適用例7]
適用例5に記載の装置であって、
前記抵抗的側壁が、抵抗性コーティングを施した側壁を備える、装置。
[適用例8]
適用例1に記載の装置であって、
前記荷電粒子の軌跡が、前記第1のメッシュを通って前記第1のキャビティに入り、前記第1の電極から離れて偏向し、前記第2のメッシュを通って前記第2のキャビティに入り、前記第2の電極から離れて偏向し、前記第3のメッシュを通って前記第2のキャビティから出る、装置。
[適用例9]
適用例1に記載の装置であって、
前記第1のキャビティにおいて静電界を遮蔽するように配列される第1の導電性シールドと、前記第2のキャビティにおいて静電界を遮蔽するように配列される第2の導電性シールドと
をさらに備える装置。
[適用例10]
適用例1に記載の装置であって、
前記位置検知荷電粒子検出器の表面の前に配列される金属メッシュと、
前記金属メッシュと前記表面との間の電圧差によって生成された静電界と
をさらに備える、装置。
[適用例11]
適用例1に記載の装置であって、
前記位置検知荷電粒子検出器の検出器セグメント
をさらに備える、装置。
[適用例12]
適用例11に記載の装置であって、
前記検出器セグメントが、台形の検出器表面を備える、装置。
[適用例13]
適用例11に記載の装置であって、
前記検出器セグメントが、極方向に回転可能である、装置。
[適用例14]
適用例1に記載の装置であって、
前記荷電粒子が電子を含み、前記装置が、
1次電子ビームを発生するように構成される電子ソースと、
前記1次電子ビームを、ターゲット基板の表面にあるスポットに集束させるように構成される対物レンズと、
前記ターゲット基板の前記表面にわたって、前記1次電子ビームを制御可能に偏向させるように構成されるデフレクタと
をさらに備え、
前記1次電子ビームが、前記ターゲット基板の前記表面から2次電子を射出させ、
前記2次電子の軌跡が、前記第1のキャビティおよび前記第2のキャビティを通過し、前記位置検知荷電粒子検出器によって検出される、
装置。
[適用例15]
荷電粒子のエネルギーを分析する方法であって、
前記荷電粒子を、第1の導電性メッシュを通過させて、第1のキャビティに入れることと、
前記荷電粒子を第1の導電性プレートから離れて偏向させることと、
前記荷電粒子を、第2の導電性メッシュを通過させて、前記第1のキャビティから出し、第2のキャビティに入れることと、
前記荷電粒子を第2の導電性プレートから離れて偏向させることと、
前記荷電粒子を、第3の導電性メッシュを通過させて、前記第2のキャビティから出すことと、
位置検知検出器を用いて前記荷電粒子を検出することと
を含む、方法。
[適用例16]
適用例15に記載の方法であって、
前記第1の導電性メッシュ、前記第2の導電性メッシュ、および、前記第3の導電性メッシュが、単一のメッシュ構造の一部である、方法。
[適用例17]
適用例15に記載の方法であって、
前記導電性メッシュが電気的に接地され、前記第1の導電性プレートおよび前記第2の導電性プレートに負の電圧が印加される、方法。
[適用例18]
適用例17に記載の方法であって、
第1の導電性シールドを使用して前記第1のキャビティを遮蔽することと、
第2の導電性シールドを用いて前記第2のキャビティを遮蔽することと
をさらに備える、方法。
[適用例19]
適用例15に記載の方法であって、
前記荷電粒子が電子を含み、前記方法が、
電子銃を使用して1次電子ビームを発生することと、
前記1次電子ビームを、ターゲット基板の表面にあるスポットに集束させることと、
前記ターゲット基板の前記表面から2次電子を射出させることと、
前記1次電子ビームを、前記ターゲット基板の前記表面にわたって制御可能に偏向させることと
をさらに含み、
前記ターゲット基板の前記表面から射出される前記2次電子の軌跡が、前記第1のキャビティおよび前記第2のキャビティを通って進み、前記位置検知荷電粒子検出器によって検出される、
方法。
[適用例20]
適用例15に記載の方法であって、
前記検出器表面で発生した3次電子を抑制または除去するように、検出器表面と前記検出器表面の前のメッシュとの間に静電界を印加すること
をさらに含む、方法。
[適用例21]
適用例15に記載の方法であって、
前記位置検知荷電粒子検出器のセグメントの極回転をさらに備える、方法。
Claims (16)
- 荷電粒子エネルギー分析器装置であって、
荷電粒子の通過のための開口をもつ第1の導電性メッシュであって、第1の側部上で前記荷電粒子を受け取り、前記荷電粒子を第2の側部に受け渡すように配列される、第1のメッシュと、
前記第1のメッシュの前記第2の側部と前記第1の電極との間に、第1のキャビティが形成されるように配列される、第1の電極と、
前記荷電粒子の通過のための開口をもつ第2の導電性メッシュであって、第2の側部上で前記荷電粒子を受け取り、前記荷電粒子を第1の側部に受け渡すように配列される、第2のメッシュと、
前記第2のメッシュの第1の側部と前記第2の電極との間に第2のキャビティが形成されるように配列される、第2の電極と、
前記荷電粒子の通過のための開口をもつ第3の導電性メッシュであって、第1の側部上で前記荷電粒子を受け取り、前記荷電粒子を第2の側部に受け渡すように配列される、第3のメッシュと、
前記荷電粒子が前記第3のメッシュを通過した後に、前記荷電粒子を受け取るように配列される、位置検知荷電粒子検出器と
を備え、
更に、
1次電子ビームを発生するように構成される電子ソースと、
前記1次電子ビームを、ターゲット基板の表面にあるスポットに集束させるように構成される対物レンズと、
前記ターゲット基板の前記表面にわたって、前記1次電子ビームを制御可能に偏向させるように構成されるデフレクタと、
を備え、
前記1次電子ビームが、前記ターゲット基板の前記表面から2次電子を射出させ、
前記荷電粒子は、前記2次電子であり、
前記位置検知荷電粒子検出器は、前記1次電子ビームの光軸の周りに放射状に配置された複数の検出器セグメントを有し、
前記各検出器セグメント間には空間が存在し、
前記各検出器セグメントは、前記光軸と前記ターゲット基板の前記表面との交点を中心に極角方向に回動可能である、
装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記第1のメッシュ、前記第2のメッシュ、および、前記第3のメッシュが、単一のメッシュ構造の一部である、装置。 - 請求項1または請求項2に記載の装置であって、
前記第1の電極が、第1の導電性プレートを備え、前記第2の電極が、第2の導電性プレートを備える、装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記第1のメッシュ、前記第2のメッシュ、および、前記第3のメッシュが、電気的に接地され、前記第1の電極および前記第2の電極に負の電圧が印加される、装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記メッシュを前記電極に電気的に結合する抵抗的側壁
をさらに備える、装置。 - 請求項5に記載の装置であって、
前記抵抗的側壁が、電圧ステップダウンアレイを備える、装置。 - 請求項5に記載の装置であって、
前記抵抗的側壁が、抵抗性コーティングを施した側壁を備える、装置。 - 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記荷電粒子の軌跡が、前記第1のメッシュを通って前記第1のキャビティに入り、前記第1の電極から離れて偏向し、前記第2のメッシュを通って前記第2のキャビティに入り、前記第2の電極から離れて偏向し、前記第3のメッシュを通って前記第2のキャビティから出る、装置。 - 請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記第1のキャビティにおいて静電界を遮蔽するように配列される第1の導電性シールドと、前記第2のキャビティにおいて静電界を遮蔽するように配列される第2の導電性シールドと
をさらに備える装置。 - 請求項1から請求項9までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記位置検知荷電粒子検出器の表面の前に配列される金属メッシュと、
前記金属メッシュと前記表面との間の電圧差によって生成された静電界と
をさらに備える、装置。 - 請求項1から請求項10までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記検出器セグメントが、台形の検出器表面を備える、装置。 - 荷電粒子のエネルギーを分析する方法であって、
前記荷電粒子を、第1の導電性メッシュを通過させて、第1のキャビティに入れることと、
前記荷電粒子を第1の導電性プレートから離れて偏向させることと、
前記荷電粒子を、第2の導電性メッシュを通過させて、前記第1のキャビティから出し、第2のキャビティに入れることと、
前記荷電粒子を第2の導電性プレートから離れて偏向させることと、
前記荷電粒子を、第3の導電性メッシュを通過させて、前記第2のキャビティから出すことと、
位置検知検出器を用いて前記荷電粒子を検出することと
を含み、
前記方法は、更に、
電子銃を使用して1次電子ビームを発生することと、
前記1次電子ビームを、ターゲット基板の表面にあるスポットに集束させることと、
前記ターゲット基板の前記表面から2次電子を射出させることと、
前記1次電子ビームを、前記ターゲット基板の前記表面にわたって制御可能に偏向させることと、
を含み、
前記荷電粒子は、前記2次電子であり、
前記位置検知検出器は、前記1次電子ビームの光軸の周りに放射状に配置された複数の検出器セグメントを有し、
前記各検出器セグメント間には空間が存在し、
前記方法は、前記各検出器セグメントを、前記光軸と前記ターゲット基板の前記表面との交点を中心に極角方向に回動させることを更に含む、
方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記第1の導電性メッシュ、前記第2の導電性メッシュ、および、前記第3の導電性メッシュが、単一のメッシュ構造の一部である、方法。 - 請求項12または請求項13に記載の方法であって、
前記導電性メッシュが電気的に接地され、前記第1の導電性プレートおよび前記第2の導電性プレートに負の電圧が印加される、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
第1の導電性シールドを使用して前記第1のキャビティを遮蔽することと、
第2の導電性シールドを用いて前記第2のキャビティを遮蔽することと
をさらに備える、方法。 - 請求項12から請求項15までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記検出器表面で発生した3次電子を抑制または除去するように、検出器表面と前記検出器表面の前のメッシュとの間に静電界を印加すること
をさらに含む、方法。
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---|---|
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Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8633457B2 (en) * | 2011-06-30 | 2014-01-21 | Kla-Tencor Corporation | Background reduction system including louver |
US8723114B2 (en) * | 2011-11-17 | 2014-05-13 | National University Of Singapore | Sequential radial mirror analyser |
US9496425B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-11-15 | Kla-Tencor Corporation | Back-illuminated sensor with boron layer |
EP2682978B1 (en) * | 2012-07-05 | 2016-10-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Contamination reduction electrode for particle detector |
US8658973B2 (en) | 2012-06-12 | 2014-02-25 | Kla-Tencor Corporation | Auger elemental identification algorithm |
JP6124679B2 (ja) | 2013-05-15 | 2017-05-10 | 日本電子株式会社 | 走査荷電粒子顕微鏡および画像取得方法 |
US9082580B2 (en) | 2013-09-23 | 2015-07-14 | Kla-Tencor Corporation | Notched magnetic lens for improved sample access in an SEM |
US9347890B2 (en) | 2013-12-19 | 2016-05-24 | Kla-Tencor Corporation | Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor |
US9748294B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-08-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Anti-reflection layer for back-illuminated sensor |
US9410901B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-08-09 | Kla-Tencor Corporation | Image sensor, an inspection system and a method of inspecting an article |
US9767986B2 (en) | 2014-08-29 | 2017-09-19 | Kla-Tencor Corporation | Scanning electron microscope and methods of inspecting and reviewing samples |
US9245726B1 (en) * | 2014-09-25 | 2016-01-26 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Controlling charged particles with inhomogeneous electrostatic fields |
US9860466B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems |
US10462391B2 (en) | 2015-08-14 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Dark-field inspection using a low-noise sensor |
US10313622B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-06-04 | Kla-Tencor Corporation | Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor |
US10778925B2 (en) | 2016-04-06 | 2020-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology |
US11114489B2 (en) | 2018-06-18 | 2021-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor |
US11114491B2 (en) | 2018-12-12 | 2021-09-07 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor |
US11848350B2 (en) | 2020-04-08 | 2023-12-19 | Kla Corporation | Back-illuminated sensor and a method of manufacturing a sensor using a silicon on insulator wafer |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3699331A (en) * | 1971-08-27 | 1972-10-17 | Paul W Palmberg | Double pass coaxial cylinder analyzer with retarding spherical grids |
JPS5135388A (ja) * | 1974-09-20 | 1976-03-25 | Hitachi Ltd | |
US4107526A (en) * | 1976-03-22 | 1978-08-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ion scattering spectrometer with modified bias |
JPS5491188U (ja) * | 1977-12-09 | 1979-06-27 | ||
US4224518A (en) * | 1978-12-21 | 1980-09-23 | Varian Associates, Inc. | Multistage cylindrical mirror analyzer incorporating a coaxial electron gun |
US4367406A (en) * | 1981-01-13 | 1983-01-04 | Trustees Of Boston University | Cylindrical mirror electrostatic energy analyzer free of third-order angular aberrations |
JPS5969476U (ja) * | 1982-10-31 | 1984-05-11 | 株式会社島津製作所 | 光電子分光分析装置 |
US4764673A (en) * | 1987-04-30 | 1988-08-16 | Kevex Corporation | Electric electron energy analyzer |
JPS6419249U (ja) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | ||
US5008535A (en) * | 1988-09-02 | 1991-04-16 | U.S. Philips Corporation | Energy analyzer and spectrometer for low-energy electrons |
US5032723A (en) * | 1989-03-24 | 1991-07-16 | Tosoh Corporation | Charged particle energy analyzer |
EP0545064B1 (de) * | 1991-12-02 | 2001-08-08 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zur Filterung elektrisch geladener Teilchen, Energiefilter und Analysator mit einem solchen Energiefilter |
JPH0697601B2 (ja) | 1992-02-14 | 1994-11-30 | 日本電子株式会社 | 円筒鏡面型エネルギ―分析器 |
JPH05266854A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡及びその運転方法 |
JP2590417B2 (ja) * | 1992-06-19 | 1997-03-12 | 工業技術院長 | オージェ電子分光装置 |
GB9220097D0 (en) * | 1992-09-23 | 1992-11-04 | Univ York | Electron spectrometers |
JP3375734B2 (ja) | 1994-06-24 | 2003-02-10 | 日本電子株式会社 | 多段式飛行時間型質量分析装置 |
US5486697A (en) * | 1994-11-14 | 1996-01-23 | California Institute Of Technology | Array of micro-machined mass energy micro-filters for charged particles |
JP3394120B2 (ja) * | 1995-03-23 | 2003-04-07 | 株式会社日立製作所 | 二次荷電粒子検出装置 |
AU6358799A (en) * | 1999-06-16 | 2001-01-02 | Shimadzu Research Laboratory (Europe) Ltd | Electrically-charged particle energy analysers |
US6633034B1 (en) * | 2000-05-04 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for imaging a specimen using low profile electron detector for charged particle beam imaging apparatus including electrostatic mirrors |
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JP3990981B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2007-10-17 | ケイエルエイ−テンコー コーポレイション | 基板を検査するための方法及び装置 |
EP1605492B1 (en) * | 2004-06-11 | 2015-11-18 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device with retarding field analyzer |
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