JP5685428B2 - Igzo焼結体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
[実施例]
実施例1として、次のようにして、IGZO焼結体を取得し、表面変質層の厚さを計測した。
比較例1として、容器10の代わりに蓋体のない通常の容器を用いて焼成を行ったこと以外は実施例1の場合と同様にして、IGZO焼成体を取得し、表面変質層の厚さを計測した。この結果を、表1中の比較例1における「表面変質層の厚さ」の欄に示す。
Claims (5)
- 焼成により生じたIn2Ga2Zn1O7を含む表面変質層を有するInGaZnO 4 から成るIGZO焼結体であって、該表面変質層の厚さが1mm以下であることを特徴とするIGZO焼結体。
- 酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末、及び酸化亜鉛粉末を含む混合粉末、又はインジウム−ガリウム−亜鉛の酸化物粉末を成形し、得られた成形体を焼成することによりInGaZnO 4 から成るIGZO焼結体を製造するに際し、
前記成形体の焼成は、気化した酸化亜鉛を含む雰囲気下で行うことを特徴とするIGZO焼結体の製造方法。 - 前記成形体の焼成時に該成形体が配置される容器は、所定の開口部以外の部分は密閉されており、
前記開口部の開口面積は、前記容器の内面の面積の0.1〜15%であることを特徴とする請求項2に記載のIGZO焼結体の製造方法。 - 前記成形体の焼成は、前記成形体の焼成時に該成形体が配置される容器内に酸化亜鉛粉末又は酸化亜鉛を含む粉末を敷いて行うことを特徴とする請求項2又は3のいずれか1項に記載のIGZO焼結体の製造方法。
- 前記酸化亜鉛粉末又は酸化亜鉛を含む粉末は、平均粒径が2.0μm以下であり、含有する酸化亜鉛の体積が、前記容器の容積の1%以上であることを特徴とする請求項4に記載のIGZO焼結体の製造方法。
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