JP5685428B2 - Igzo焼結体及びその製造方法 - Google Patents

Igzo焼結体及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5685428B2
JP5685428B2 JP2010269204A JP2010269204A JP5685428B2 JP 5685428 B2 JP5685428 B2 JP 5685428B2 JP 2010269204 A JP2010269204 A JP 2010269204A JP 2010269204 A JP2010269204 A JP 2010269204A JP 5685428 B2 JP5685428 B2 JP 5685428B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zinc oxide
container
powder
firing
molded body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010269204A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012116718A (ja
Inventor
宮田 昇
昇 宮田
石田 弘徳
弘徳 石田
健一 深澤
健一 深澤
井口 真仁
真仁 井口
弥寿昭 浅野
弥寿昭 浅野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshima Manufacturing Co Ltd
Taiheiyo Cement Corp
NTK Ceratec Co Ltd
Original Assignee
Nihon Ceratec Co Ltd
Toshima Manufacturing Co Ltd
Taiheiyo Cement Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nihon Ceratec Co Ltd, Toshima Manufacturing Co Ltd, Taiheiyo Cement Corp filed Critical Nihon Ceratec Co Ltd
Priority to JP2010269204A priority Critical patent/JP5685428B2/ja
Publication of JP2012116718A publication Critical patent/JP2012116718A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5685428B2 publication Critical patent/JP5685428B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、IGZO焼結体及びその製造方法に関する。
IGZO(InGaZnO)は酸化インジウム、酸化ガリウム、及び酸化亜鉛からなる酸化物半導体であり、電子ペーパや液晶パネル、有機ELを駆動するTFTチャネル層の材料として注目を集めている透明酸化物半導体の一種である。IGZO焼結体は透明電極や、透明酸化物半導体等をスパッタリングにより形成するためのターゲット材料として用いられる。
このようなターゲット材料として、たとえば特許文献1においては、酸化インジウム粉、酸化ガリウム粉、及び酸化亜鉛粉を含む混合粉体を原料とし、この原料を湿式媒体撹拌ミルにより混合粉砕し、比表面積を混合粉体全体の比表面積より1.0〜3.0m/g増加させ、その後、原料を成形し、酸素雰囲気中で、1250〜1450℃の温度で焼成することにより得られるIGZOスパッタリングターゲットが記載されている。
特開2008−144246号公報
しかしながら、上述のように、焼成によりIGZO(InGaZnO)焼結体を得る際には、InGaZnを含む表面変質層が生成される。すなわち焼成時には、高温に晒されたIGZO表面から、まず酸化亜鉛が気化して飛散し、結晶構造が乱れる。これにより飛散しやすくなった酸化インジウムが、次に、気化して飛散する。このようにして、表面変質層が生成される。
かかる表面変質層は、所望のIGZOではないため、ターゲット材として使用することはできない。このため、焼成後のIGZO焼結体は、表面変質層が削り落とされてはじめて製品としてのターゲット材となる。IGZOの原料は高価であるため、表面変質層が極力生成されないようにするのが、製造コスト上望ましい。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑み、焼成により生じる表面変質層が極力少ないIGZO焼結体を提供することにある。
この目的を達成するため、第1の発明に係るIGZO焼結体は、焼成により生じたInGaZnを含む表面変質層(以下、この欄において単に「表面変質層」という。)を有するInGaZnO から成るIGZO焼結体であって、該表面変質層の厚さが1mm以下であることを特徴とする。これによれば、IGZO焼結体がターゲット材料として製品化される際に除外される表面変質層の厚さが従来の1mmを超える場合に比べて少ないので、IGZO焼結体の製造コストを、従来よりも減少させることができる。
第2の発明に係るIGZO焼結体の製造方法は、酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末、及び酸化亜鉛粉末を含む混合粉末、又はインジウム−ガリウム−亜鉛の酸化物粉末を成形し、得られた成形体を焼成することによりInGaZnO から成るIGZO焼結体を製造するに際し、前記成形体の焼成は、気化した酸化亜鉛を含む雰囲気下で行うことを特徴とする。
これによれば、焼成時に、酸化亜鉛の分圧が高いため、成形体の表面から気化して飛散する酸化亜鉛の量が減少する。これにより、表面変質層の生成が抑制され、焼結完了時における表面変質層の厚さが従来に比べて減少する。したがって、IGZO焼結体をターゲット材料として製品化する際に除外すべき表面変質層の量が減少するので、IGZO焼結体の製造コストを減少させることができる。
第3の発明に係るIGZO焼結体の製造方法は、第2発明において、前記成形体の焼成時に該成形体が配置される容器は、所定の開口部以外の部分は密閉されており、前記開口部の開口面積は、前記容器の内面の面積の0.1〜15%であることを特徴とする。
これによれば、焼成時に成形体が配置される容器は、開口部以外の部分が密閉されているので、焼成時に、成形体の表面から気化して飛散する酸化亜鉛により、容器内が酸化亜鉛を含む雰囲気となる。つまり、酸化亜鉛の分圧が、容器内において高まり又は飽和圧に達することにより、酸化亜鉛の飛散量が減少する。
そして開口部の開口面積が上記範囲内であれば、焼成時における酸化亜鉛の飛散量を確実に減少させ、焼成完了時における表面変質層の厚さを1mm以下とすることができる。なお、開口面積が0.1%を下回ると、バインダが焼結体から飛散し難くなり、焼結体が割れるおそれがあるので、好ましくない。
第4の発明に係るIGZO焼結体の製造方法は、第2又は第3発明において、前記成形体の焼成は、前記成形体の焼成時に該成形体が配置される容器内に酸化亜鉛粉末、又は本発明のIGZO焼結体を粉末化したような酸化亜鉛を含む粉末を配置して行うことを特徴とする。これによれば、容器内における酸化亜鉛の分圧が、酸化亜鉛粉末から気化する酸化亜鉛によって高められるので、焼成完了時における表面変質層の厚さをより効果的に減少させることができる。
第5の発明に係るIGZO焼結体の製造方法は、第4発明において、前記酸化亜鉛粉末又は酸化亜鉛を含む粉末は、平均粒径が2.0μm以下であり、含有する酸化亜鉛の体積が、前記容器の容積の1%以上であることを特徴とする。これによれば、焼成時における酸化亜鉛の飛散量を確実に減少させ、焼結完了時における表面変質層の厚さを1mm以下とすることができる。
本発明において焼成に使用することができる容器の斜視図である。
本発明のIGZO(InGaZnO)焼結体は、酸化インジウム(In)、酸化ガリウム(Ga)、及び酸化亜鉛(ZnO)からなる金属酸化物の焼結体であり、焼成により生じたInGaZnを含む表面変質層(以下、この欄において単に「表面変質層」という。)を有する。表面変質層の厚さは1mm以下、好ましくは0.3mm以下である。
表面変質層はIGZOとは異なるので、IGZO焼結体がターゲット材料として製品化される際に除外される。この点、本発明のIGZO焼結体は、表面変質層の厚さが、従来の1mmを超える場合に比べて少ないので、IGZO焼結体の製造コストが、従来よりも減少する。
本発明のIGZO焼結体は、酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末、及び酸化亜鉛粉末を原料としてこれらの混合粉末を、PVA(ポリビニルアルコール)やアクリル系等ののバインダなどを加えて作成し、この混合粉末を成形して焼成することにより得られる。この混合粉末の代わりに、インジウム−ガリウム−亜鉛の酸化物粉末を成形して焼成するようにしてもよい。
原料となる酸化インジウム粉末及び酸化ガリウム粉末は、いずれも比表面積が5〜10m/gのものが好ましい。酸化亜鉛粉末は比表面積が2〜5m/gのものが好ましい。
混合粉末の作成は、ボールミル混合等の公知の方法を用いて行うことができる。混合粉末は、プレス成形、鋳込み成形等により成形され、成形体とされる。
成形体の焼成は、大気中で1300〜1600℃、好ましくは1400〜1500℃の焼成温度で行われる。焼成時間は10〜20時間が好ましい。
焼成時には、高温に晒された成形体の表面から、まず酸化亜鉛が気化して飛散し、表面の結晶構造が乱れる。これにより飛散しやすくなった酸化インジウムが、次に、気化して飛散することにより、表面変質層が生成される。この表面変質層は所望のIGZOではなく、IGZO焼結体の製品とするためには、取り除く必要がある。つまり、表面変質層の分だけ、原料粉末が無駄に消費されることになるので、表面変質層の生成はできる限り抑制するのが好ましい。
本発明では、この表面変質層の生成を極力抑制するために、成形体の焼成を、気化した酸化亜鉛を含む雰囲気(以下、単に「酸化亜鉛雰囲気」という。)中で行うようにしている。これにより、成形体表面からの酸化亜鉛の気化が抑制され、表面変質層の生成が抑制される。つまり、焼成により生成される表面変質層の厚さは、従来の1mmを超える場合よりも薄くなる。
酸化亜鉛雰囲気中で焼成を行うために、成形体の焼成は、図1に示すような容器10を用いて行われる。容器10は容器本体11と、容器10の上面を閉塞するための蓋体12により構成される。容器本体11の両端の側壁上端部には凹部13が設けられている。
容器10が矢印14で示されるように、蓋体12によって閉じられたとき、凹部13と蓋体12の端部とにより開口部が形成される。このとき、容器10は、開口部以外の部分は密閉された状態となる。なお、凹部13は、容器本体11の一方の端部にのみ設けられていてもよい。
成形体は、容器10内に配置され、蓋体12の閉塞により容器10の外部からほぼ隔離された状態で焼成される。焼成開始時には、成形体から酸化亜鉛が気化して飛散し、表面の結晶構造が乱れると、これにより飛散しやすくなった酸化インジウムが、次に、気化して飛散し、表面変質層が生成される。
しかしその後、容器10内の酸化亜鉛の分圧が高まり、又は飽和圧程度にまで達するので、酸化亜鉛の気化が抑制される。これにより、焼成時における表面変質層の生成が抑制され、焼成完了時における表面変質層の厚さが従来に比べて減少する。
これにより、IGZO焼結体をターゲット材料として製品化する際に除外すべき表面変質層の量が減少し、IGZO焼結体の製造コストが減少する。なお、焼成時には、成形体に含まれるバインダ等を気化させ、排除する必要があるが、気化したバインダ等は、凹部13による開口部を介して、支障なく排出される。
容器10の内面の面積に対する開口部の面積の割合は0.1〜15%が好ましい。0.1%以下であると、成形体に含まれるバインダ類を揮発させて除去することが困難となるので、焼結体が割れるおそれが生じ、安定した焼結体を形成するのが困難となる。15%以上であると酸化亜鉛の気化を抑制する効果が薄くなる。より好ましい範囲は1〜3%である。
また、焼成時に、酸化亜鉛の気化をより効果的に抑制するために、容器10内に、酸化亜鉛粉末、又は本発明のIGZO焼結体を粉末化したような酸化亜鉛を含む粉末を敷いて焼成を行うのが好ましい。この場合、設置された粉末における酸化亜鉛の気化により、容器10内の酸化亜鉛の分圧がさらに高まるので、より効果的に、酸化亜鉛の気化が抑制され、表面変質層の形成が制限される。
使用する酸化亜鉛粉末又は酸化亜鉛を含む粉末の量は、容器10の容積に対する酸化亜鉛粉末又は酸化亜鉛を含む粉末が含有する酸化亜鉛の体積の割合で表すと、1%以上が好ましい。より好ましい範囲は2%以上である。ただし、酸化亜鉛粉末又は酸化亜鉛を含む粉末は、該粉末中に成形体が埋もれてしまうと、粉末の断熱効果により焼成に支障を来たすので、埋もれないように敷設する必要がある。
酸化亜鉛粉末又は酸化亜鉛を含む粉末が含有する酸化亜鉛の体積は、酸化亜鉛粉末の重量又は酸化亜鉛を含む粉末における酸化亜鉛分の重量に基づき、酸化亜鉛の密度を5.6g/cmとして計算される。
使用する酸化亜鉛粉末又は酸化亜鉛を含む粉末の平均粒径は小さいほど望ましく、2.0μm以下が好ましい。平均粒径が小さいほど粉末の表面積が大きくなり、揮発する酸化亜鉛の量が多くなるので、酸化亜鉛雰囲気を形成する上で好ましいからである。
また、容器10ではなく、従来の蓋体のない容器を用い、該容器内に、上述と同様に、該容器の容積に対する割合が1%以上、好ましくは2%以上の体積の酸化亜鉛を含有する酸化亜鉛粉末又は酸化亜鉛を含む粉末を敷いて焼成を行うようにしてもよい。この場合も、酸化亜鉛雰囲気において焼成が行われるので、表面変質層の形成が抑制される。
[実施例]
実施例1として、次のようにして、IGZO焼結体を取得し、表面変質層の厚さを計測した。
すなわち、まず、酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末、及び酸化亜鉛粉末を、質量比45:30:25(インジウム、ガリウム及び亜鉛のモル比で1:1:1)で、湿式ボールミルにより混合粉砕し、混合粉末を得た。
次に、得られた混合粉末を、バインダにPVA(ポリビニルアルコール)を用いてスプレードライヤで造粒した後、一軸加圧プレスにより成形し、成形体を得た。次に、得られた成形体を、大気雰囲気下において、図1の容器10を用い、1450℃の焼成温度により15時間かけて焼成し、IGZO焼結体を得た。ただし、焼成に使用した容器10は、その内面の面積に対する開口部(凹部13)の面積の割合が、表1中の実施例1における「開口部面積」の欄で示される0.1%のものである。また、容器10の大きさは、200×300×100mmであり、成形体の大きさは100×100×10mmである。
そして、得られたIGZO焼結体について、表面変質層の厚さを計測した。この結果を、表1中の実施例1における「表面変質層厚さ」の欄に示す。
次に、実施例2〜4として、容器10として、その内壁の面積に対する開口部の面積の割合が、表1中の実施例2〜4における「開口部面積」の欄で示される各値である容器10を用いたこと以外は、実施例1の場合と同様にして、IGZO焼結体を取得し、表面変質層の厚さを計測した。この結果を、表1中の実施例2〜4における「表面変質層の厚さ」の欄に示す。
次に、実施例5〜14として、容器10内に、平均粒径が2.0μm以下の酸化亜鉛粉末を敷いたこと以外は実施例1の場合と同様にしてIGZO焼結体を取得し、表面変質層の厚さを計測した。
ただし、容器10として、その内面の面積に対する開口部の面積の割合が、表1中の実施例5〜14における「開口部面積」の欄で示される各値である各容器10を用い、容器10の容積に対する敷設する酸化亜鉛粉末が含有する酸化亜鉛の体積の割合を、実施例5〜14における「敷設酸化亜鉛体積」の欄で示される各値とした各場合についてIGZO焼結体を取得し、表面変質層の厚さを計測した。
この結果を、表1中の実施例5〜14における「表面変質層厚さ」の欄に示す。
さらに、実施例15〜18として、容器10の代わりに蓋体のない通常の容器を用い、該容器内に、平均粒径が2.0μm以下の酸化亜鉛粉末を敷いたこと以外は実施例1の場合と同様にしてIGZO焼結体を取得し、表面変質層の厚さを計測した。ただし、該容器の容積に対する敷設する酸化亜鉛粉末が含有する酸化亜鉛の体積の割合を、実施例15〜18における「敷設酸化亜鉛体積」の欄で示される各値とした各場合についてIGZO焼結体を取得し、表面変質層の厚さを計測した。
この結果を、表1中の実施例15〜18における「表面変質層厚さ」の欄に示す
較例1として、容器10の代わりに蓋体のない通常の容器を用いて焼成を行ったこと以外は実施例1の場合と同様にして、IGZO焼成体を取得し、表面変質層の厚さを計測した。この結果を、表1中の比較例1における「表面変質層の厚さ」の欄に示す。
次に、実施例19及び20として、使用する各容器10の内面の面積に対する開口部の面積の割合を、表1中の実施例19及び20における「開口部面積」の欄で示される各値としたこと以外は実施例1の場合と同様にして、IGZO焼結体を取得し、表面変質層の厚さを計測した。この結果を、表1中の実施例19及び20における「表面変質層厚さ」の欄に示す。
さらに、実施例21として、容器10の代わりに蓋体のない通常の容器を用いて焼成を行い、かつ該容器内に敷く酸化亜鉛粉末が含有する酸化亜鉛についての該容器の容積に対する体積の割合を、表1中の実施例21における「敷設酸化亜鉛体積」の欄で示される値としたこと以外は、実施例1の場合と同様にして、IGZO焼結体を取得し、表面変質層の厚さを計測した。この結果を、表1中の実施例21における「表面変質層厚さ」の欄に示す。
表1を参照すると、通常の容器を用い、酸化亜鉛粉末の敷設も行わなかった比較例1によれば、焼成により生じた表面変質層の厚さは2.0mmである。これに対し、開口部の面積が0.1〜15%である容器10を用いた実施例1〜4、又はかかる容器10若しくは通常の容器を用い、さらに容器の容積に対する酸化亜鉛の体積が1〜30%である酸化亜鉛粉末を敷設した実施例5〜18によれば、表面変質層の厚さは0.2〜1.0mmである。
したがって、容器10や酸化亜鉛粉末を用いた所定の酸化亜鉛雰囲気下で焼成を行うことにより、表面変質層の厚さを、比較例1により例示される従来の場合よりも薄い1mm以下とすることができることがわかる。
また、容器10の開口部面積、敷設する酸化亜鉛粉末の量その他の条件をより最適化することにより、表面変質層の厚さを0.2mm以下とし、さらに0mmに近づけることができると考えられる。0.3mm以下であれば、IGZO焼結体をターゲット材料として製品化する際のコスト削減を十分達成でき、好ましい。
また、開口部の面積が0.1〜15%の容器10を用いる場合には(実施例1〜14)、さらに、実施例5〜14のように、容器10の容積に対する酸化亜鉛の体積が1〜30%である酸化亜鉛粉末を敷設することにより、表面変質層の厚さをより薄くすることができることがわかる。特に、開口部の面積を0.1〜3%とし、さらには酸化亜鉛の体積を2〜10%とすることにより、表面変質層の厚さを、少なくとも0.5mmまで薄くすることができる。
また、実施例5〜8や、実施例15〜18、実施例21の結果から、容器10又は通常の容器のいずれを用いる場合においても、表面変質層の厚さを薄くするためには、敷設する酸化亜鉛粉末が含有する酸化亜鉛の体積は1%以上、特に2%以上が好ましく、1%未満であると、容器10を用いない場合には表面変質層の厚さを薄くする効果がなくなることがわかる。
また、酸化亜鉛粉末を敷設することなく容器10を用いる場合、実施例1〜4、19及び20が示すように、開口部の面積が0.1〜15%であれば、表面変質層の厚さを少なくとも0.3〜0.9mmまで薄くすることができ、さらに開口部の面積が0.1〜3%であれば、表面変質層の厚さを少なくとも0.3mmまで薄くすることができることがわかる。
開口部の面積が15%を超えると、表面変質層の厚さが1mmを超えるので、好ましくない。また、0.1%を下回ると、焼成時に、成形体に含まれるバインダ類を揮発により除去することができなくなり、焼結体が割れるおそれがあるので、この点においても、下限は0.1%とするのが好ましい。
10…容器、11…容器本体、12…蓋体、13…凹部。

Claims (5)

  1. 焼成により生じたInGaZnを含む表面変質層を有するInGaZnO から成るIGZO焼結体であって、該表面変質層の厚さが1mm以下であることを特徴とするIGZO焼結体。
  2. 酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末、及び酸化亜鉛粉末を含む混合粉末、又はインジウム−ガリウム−亜鉛の酸化物粉末を成形し、得られた成形体を焼成することによりInGaZnO から成るIGZO焼結体を製造するに際し、
    前記成形体の焼成は、気化した酸化亜鉛を含む雰囲気下で行うことを特徴とするIGZO焼結体の製造方法。
  3. 前記成形体の焼成時に該成形体が配置される容器は、所定の開口部以外の部分は密閉されており、
    前記開口部の開口面積は、前記容器の内面の面積の0.1〜15%であることを特徴とする請求項2に記載のIGZO焼結体の製造方法。
  4. 前記成形体の焼成は、前記成形体の焼成時に該成形体が配置される容器内に酸化亜鉛粉末又は酸化亜鉛を含む粉末を敷いて行うことを特徴とする請求項2又は3のいずれか1項に記載のIGZO焼結体の製造方法。
  5. 前記酸化亜鉛粉末又は酸化亜鉛を含む粉末は、平均粒径が2.0μm以下であり、含有する酸化亜鉛の体積が、前記容器の容積の1%以上であることを特徴とする請求項4に記載のIGZO焼結体の製造方法。
JP2010269204A 2010-12-02 2010-12-02 Igzo焼結体及びその製造方法 Active JP5685428B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010269204A JP5685428B2 (ja) 2010-12-02 2010-12-02 Igzo焼結体及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010269204A JP5685428B2 (ja) 2010-12-02 2010-12-02 Igzo焼結体及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012116718A JP2012116718A (ja) 2012-06-21
JP5685428B2 true JP5685428B2 (ja) 2015-03-18

Family

ID=46500017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010269204A Active JP5685428B2 (ja) 2010-12-02 2010-12-02 Igzo焼結体及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5685428B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6722736B2 (ja) * 2018-09-21 2020-07-15 Jx金属株式会社 焼結体および、スパッタリングターゲット
CN109665834B (zh) * 2019-03-01 2021-08-03 郑州大学 相组成可控的氧化铟镓锌靶材及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102131953B (zh) * 2008-06-27 2014-07-09 出光兴产株式会社 由InGaO3(ZnO)结晶相形成的氧化物半导体用溅射靶材及其制造方法
WO2010125801A1 (ja) * 2009-05-01 2010-11-04 株式会社アルバック ZnO-Ga2O3系スパッタリングターゲット用焼結体及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012116718A (ja) 2012-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4926977B2 (ja) 酸化ガリウム−酸化亜鉛系焼結体スパッタリングターゲット
JP4054054B2 (ja) 酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜
JP6137111B2 (ja) 酸化物焼結体および半導体デバイスの製造方法
JP4488184B2 (ja) 酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜
KR101863467B1 (ko) 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 및 반도체 디바이스
JPWO2007000878A1 (ja) 酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜
JP2010037161A (ja) 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、半導体薄膜
JP2007031786A (ja) スパッタリングターゲット、その製造方法及び透明導電膜
CN102918004B (zh) 溅射靶
KR20140027238A (ko) In₂O₃-SnO₂-ZnO계 스퍼터링 타겟
CN103518003A (zh) In2O3-ZnO系溅射靶
KR20170049630A (ko) 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 그리고 반도체 디바이스
WO2016063557A1 (ja) 酸化物焼結体および半導体デバイス
JP5685428B2 (ja) Igzo焼結体及びその製造方法
JP2009132998A (ja) ZnOスパッタリングターゲットとその製造方法
JP5546143B2 (ja) 透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び透明薄膜形成用材料
CN109071359A (zh) 氧化物烧结体、溅射靶以及氧化物半导体膜
JP2933616B2 (ja) アルミナ基焼結体及びその製造方法
JP6409324B2 (ja) 酸化物焼結体および半導体デバイスの製造方法
JP5087605B2 (ja) 酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜
JP6493501B2 (ja) 酸化物焼結体の製造方法
KR102218814B1 (ko) 소결체, 스퍼터링 타깃 및 소결체의 제조 방법
JP5526905B2 (ja) 導電性酸化物焼結体の製造方法
JP7425931B2 (ja) 酸化物半導体薄膜積層体及びその製造方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、及びスパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6255813B2 (ja) 酸化物焼結体および半導体デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131004

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140319

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140401

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140529

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5685428

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250