JP5670229B2 - 表面処理方法及び装置 - Google Patents
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Description
CF4+2H2O→4HF+CO2 (式1)
SiO2+4HF+H2O→SiF4+3H2O (式2)
前記第1面を搬送路と直交する方向の第1側に向け、かつ前記第2面を前記直交方向の前記第1側とは反対の第2側に向けた状態で、前記被処理基板を前記搬送路に沿って搬送し、
前記搬送路に介在された反応室の少なくとも前記搬送路より前記第2側の第2室部に前記反応ガスを供給し、
前記反応室の前記搬送路より前記第1側の第1室部における前記被処理基板にて前記第2室部と隔てられた第1隔室部分のガスを不活性ガスからなる置換ガスに置換することを特許請求しない特徴とする。
被処理基板の第2面には反応ガスを接触させることで、第2面を表面処理することができる。このとき、第1面には置換ガスを接触させ、反応ガスが第1面になるべく接触しないようにできる。これによって、第1面の表面処理を抑制又は防止することができる。
置換ガスの流速(線速度)は、置換ガスの流量(体積速度)や第1隔壁部分の流路断面積によって調節できる。
本発明方法は、第1面と該第1面の裏側の第2面とを有する被処理基板における前記第2面を反応ガスにて処理する表面処理方法であって、
前記第1面を搬送路と直交する方向の第1側に向け、かつ前記第2面を前記直交方向の前記第1側とは反対の第2側に向けた状態で、前記被処理基板を前記搬送路に沿って搬送し、
前記搬送路に介在された反応室の少なくとも前記搬送路より前記第2側の第2室部に前記反応ガスを供給し、
前記反応室の前記搬送路より前記第1側の第1室部における前記被処理基板にて前記第2室部と隔てられた第1隔室部分のガスを不活性ガスからなる置換ガスに置換し、
前記第1隔室部分内における前記置換ガスの流速を、前記被処理基板の搬送速度の0.8倍〜2.5倍とすることを特徴とする特許請求する特徴とする。
前記第1面を搬送路と直交する方向の第1側に向け、かつ前記第2面を前記直交方向の前記第1側とは反対の第2側に向けた状態で、前記被処理基板を前記搬送路に沿って搬送する搬送手段と、
前記搬送路に介在される反応室を画成する画成部と、
前記反応室の前記搬送路より前記第2側の第2室部に開口する供給口を有し、前記反応ガスを前記供給口から前記反応室に供給する供給部と、
前記被処理基板の搬送と連携して、前記反応室の前記搬送路より前記第1側の第1室部における前記被処理基板にて前記第2室部と隔てられた第1隔室部分のガスを不活性ガスからなる置換ガスに置換する置換手段と、
を備えたことを特許請求しない特徴とする。
搬送手段にて被処理基板を反応室に通す。反応ガスを供給部の供給口から吹き出すことで、反応室の少なくとも第2室部に反応ガスを供給できる。これによって、被処理基板の第2面に反応ガスを接触させ、第2面を表面処理することができる。このとき、第1面には置換ガスを接触させ、反応ガスが第1面になるべく接触しないようにできる。これによって、第1面の表面処理を抑制又は防止することができる。
本発明装置は、第1面と該第1面の裏側の第2面とを有する被処理基板における前記第2面を反応ガスにて処理する表面処理装置であって、
前記第1面を搬送路と直交する方向の第1側に向け、かつ前記第2面を前記直交方向の前記第1側とは反対の第2側に向けた状態で、前記被処理基板を前記搬送路に沿って搬送する搬送手段と、
前記搬送路に介在される反応室を画成する画成部と、
前記反応室の前記搬送路より前記第2側の第2室部に開口する供給口を有し、前記反応ガスを前記供給口から前記反応室に供給する供給部と、
前記被処理基板の搬送と連携して、前記反応室の前記搬送路より前記第1側の第1室部における前記被処理基板にて前記第2室部と隔てられた第1隔室部分のガスを不活性ガスからなる置換ガスに置換する置換手段と、
を備え、前記第1隔室部分内における前記置換ガスの流速が、前記被処理基板の搬送速度の0.8倍〜2.5倍であることを特許請求する特徴とする。
これによって、置換ガスを、反応室より搬送路の上流側かつ搬送路より第1側から被処理基板の搬送方向と同方向に流すことができる。したがって、置換ガスを被処理基板の搬送方向に沿って第1隔室部分内に導入でき、第1隔室部分内に被処理基板と同方向の置換ガスの流れを形成できる。この置換ガスの流れによって、第1隔室部分内の反応ガスを搬送方向の下流側へ押し出すことができ、さらには被処理基板よりも搬送方向の下流側の反応ガスが第1隔室部分内に入り込むのを阻止することができる。
図1〜図3は、本発明の第1実施形態を示したものである。被処理基板9は、例えばフラットパネルディスプレイ等の半導体装置になるべきガラス基板である。ガラス基板9は、SiO2等のシリコン含有物を主成分として含んでいる。ガラス基板9は、四角形の平板状をなし、おもて側の第1面9aと、その裏側の第2面9bとを有している。第1面9aは、絶縁層、導電層、半導体層等の各種電子素子層が設けられるべき主面である。第2面9bは、表面処理装置1による処理対象となる裏面である。この実施形態では、表面処理装置1によって第2面9bの粗化(エッチング)を行なう。そのうえで、第1面9aに対し、他の表面処理装置によって上記各種電子素子層を形成するための表面処理を行なう。ガラス基板9の厚さは、例えば0.5mm〜0.7mm程度である。
或いは、添加する水を液体の状態で計量し、計量した水を加熱により気化させて、上記原料ガスと混合させるようにしてもよい。
今、図4に示すように、被処理基板9が反応室10内に搬入されていないものとする。
原料ガス(CF4+N2+H2O)を大気圧プラズマ生成部33にてプラズマ化して、HFを含む反応ガスを生成する。この反応ガスを供給口39から吹き出す。反応ガスg0は、直接には第2室部12に供給され、第1室部11へ拡散する。これによって、反応室10の全体が反応ガス雰囲気になる。
例えば、上記実施形態では、表面処理すべきでない第1面9aがおもて面であり、表面処理すべき第2面9bが裏面であったが、表面処理すべきでない第1面9aが裏面であり、表面処理装置1にて処理すべき第2面9bがおもて面であってもよい。
被処理基板9は、ガラスに限られず、半導体ウェハ等でもよい。更に、被処理基板は、電子素子層が形成される基板ないしは半導体装置用の基板に限られない。
反応ガスは、プラズマ化により形成するものに限られない。例えば、反応ガス源としてフッ化水素水溶液を蓄えたタンクを用意し、上記フッ化水素水溶液を気化させて、反応ガスを得ることにしてもよい。
反応ガスが、オゾン等の酸化成分を含んでいてもよい。オゾンはオゾナイザーや酸素プラズマ生成装置にて生成できる。
被処理基板9の姿勢は、水平に限られず鉛直でもよく、水平又は鉛直に対し斜めであってもよい。
被処理基板9を往復移動させてもよい。
被処理基板9を支持する支持手段を搬送手段2とは別途に設けてもよい。支持手段にて被処理基板9の位置を固定し、搬送手段にて画成部20及び置換手段50を移動させることにしてもよい。
置換手段として、反応室10内の搬送路3より第1側に置換ガスの吹出しノズルを複数、搬送方向に並べて配置し、被処理基板9の搬送と連携して、直下に被処理基板が位置する吹出しノズルからは置換ガスを吹き出し、直下に被処理基板が位置していない吹出しノズルについては置換ガスの吹き出しを停止してもよい。
実施例1では、第1実施形態(図1〜図6)と実質的に同じ表面処理装置1を用い、第1実施形態と同様の方法で被処理基板9の第2面9bに対し表面粗化処理(エッチング)を行なった。
被処理基板9としてガラス基板を用いた。
被処理基板9の寸法は、以下の通りであった。
搬送方向aの長さ:650mm
幅方向wの寸法:550mm
厚さ:0.7mm
反応室10の厚さd0: d0=8mm
反応室10の幅方向wの寸法:600mm
第1隔室部分11aの厚さd1: d1=3.3mm
第1隔室部分11aの流路断面積: 0.0020m2
置換ガス成分: N2
置換ガス流量: 0L/min、25L/min、50L/min
第1隔室部分11a内の置換ガスの流速:
0m/sec、0.21m/sec、0.42m/sec
なお、上記置換ガス流速は、下式にて算出した線速度である。
(置換ガス流速)=(置換ガス流量)/(第1隔室部分11aの流路断面積)
原料ガスの組成は以下の通りとした。
CF4: 0.12slm
N2: 5.90slm
H2O: 0.06g/min
大気圧プラズマ生成部33のプラズマ生成条件は以下の通りとした。
電極間間隔: 1mm
電極間電圧: Vpp=12.8kV
電極間電圧の周波数: 25kHz(パルス波)
供給電力: パルス変換前の直流電圧=370V、電流=9.4A
排気部40の排気流量は、400slmとした。
置換ガス流量: 20L/min、25L/min、50L/min
第1隔室部分11a内の置換ガスの流速(線速)は、以下の3通りであった。
置換ガスの流速V1: 0.17m/sec、0.21m/sec、0.42m/sec
被処理基板9の搬送速度V9は、以下の通りとした。
搬送速度V9: 5m/min、10m/min、20m/min
その他の条件は、実施例1と同一であった。
第1隔室部分11a内における置換ガスg1の流速V1が被処理基板9の搬送速度V9の0.9倍〜4倍のとき、処理比がRa2/Ra1=1.5以上になった。
更に、第1隔室部分11a内における置換ガスg1の流速V1が被処理基板9の搬送速度V9の1.0倍〜2.2倍のとき、処理比がRa2/Ra1=2.0以上になった。
したがって、第1隔室部分11a内における置換ガスg1の流速V1が被処理基板9の搬送速度V9の0.8倍以上、2.5倍以下にすることで、第1面9aの表面処理を確実に抑制でき、かつ第2面9bを確実に表面処理できることが判明した。
g1 置換ガス
1 表面処理装置
2 搬送手段
3 搬送路
9 被処理基板
9a 第1面
9b 第2面
10 反応室
11 第1室部
11a 第1隔室部分
12 第2室部
12a 第2隔室部分
13 搬入口
13a 搬入口の天板と基板との間の開口部分
14 搬出口
20 画成部
21 天板
22 底部構造体
23 側壁
30 供給部
31 原料ガス源
32 原料ガス路
33 大気圧プラズマ生成部
34 電極
35 放電空間
36 電源
37 供給路
38 反応ガスノズル
39 供給口
40 排気部
41 搬入側吸引口
42 搬出側吸引口
43 吸引路
44 排気路
45 排気手段
50 置換手段
51 置換ガス源
52 置換ガス路
60 置換ノズル
61 ノズルボディ
62 導出口
63 案内部
64 垂直案内部
64a 垂直案内路
64b 搬送方向上流側の壁
64c 搬送方向下流側の壁
65 水平案内部
65a 水平案内路
66 上案内板
67 下案内板
68 端板
69 吹出し口
Claims (6)
- 第1面と該第1面の裏側の第2面とを有する被処理基板における前記第2面を反応ガスにて処理する表面処理方法であって、
前記第1面を搬送路と直交する方向の第1側に向け、かつ前記第2面を前記直交方向の前記第1側とは反対の第2側に向けた状態で、前記被処理基板を前記搬送路に沿って搬送し、
前記搬送路に介在された反応室の少なくとも前記搬送路より前記第2側の第2室部に前記反応ガスを供給し、
前記反応室の前記搬送路より前記第1側の第1室部における前記被処理基板にて前記第2室部と隔てられた第1隔室部分のガスを不活性ガスからなる置換ガスに置換し、
前記第1隔室部分内における前記置換ガスの流速を、前記被処理基板の搬送速度の0.8倍〜2.5倍とすることを特徴とする表面処理方法。 - 前記置換ガスを、前記反応室より前記搬送路の上流側かつ前記搬送路より前記第1側から前記被処理基板の搬送方向と同方向に流すことを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。
- 第1面と該第1面の裏側の第2面とを有する被処理基板における前記第2面を反応ガスにて処理する表面処理装置であって、
前記第1面を搬送路と直交する方向の第1側に向け、かつ前記第2面を前記直交方向の前記第1側とは反対の第2側に向けた状態で、前記被処理基板を前記搬送路に沿って搬送する搬送手段と、
前記搬送路に介在される反応室を画成する画成部と、
前記反応室の前記搬送路より前記第2側の第2室部に開口する供給口を有し、前記反応ガスを前記供給口から前記反応室に供給する供給部と、
前記被処理基板の搬送と連携して、前記反応室の前記搬送路より前記第1側の第1室部における前記被処理基板にて前記第2室部と隔てられた第1隔室部分のガスを不活性ガスからなる置換ガスに置換する置換手段と、
を備え、前記第1隔室部分内における前記置換ガスの流速が、前記被処理基板の搬送速度の0.8倍〜2.5倍であることを特徴とする表面処理装置。 - 前記置換手段が、前記置換ガスを吹き出す置換ノズルを含み、前記置換ノズルが、前記反応室より前記搬送路の上流側かつ前記搬送路より前記第1側に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の表面処理装置。
- 前記置換ノズルの吹出し口が、前記搬送路の下流側に向けて開口していることを特徴とする請求項4に記載の表面処理装置。
- 前記第2室部における前記供給口より前記搬送路の上流側に、ガスを吸い込む搬入側吸引口が設けられていることを特徴とする請求項3〜5の何れか1項に記載の表面処理装置。
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