JP2015202997A - 基板、基板製造システム、剥離装置、基板製造方法および剥離方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ステージの基板に対する真空吸着力を保ちつつ、ステージから容易に剥離することが可能であって、且つステージから剥離する際に剥離帯電が発生しにくい基板を提供する。
【解決手段】第一の面５１０と、第一の面５１０の反対側の第二の面５２０とを有する矩形の基板であって、第一の面５１０の中央部の算術平均表面粗さが、少なくとも第一の面５１０の一つの辺Ｅ１に沿う一つの縁部の算術平均表面粗さよりも小さい基板５００。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板、基板製造システム、剥離装置、基板製造方法および剥離方法に関するものである。

フラットパネルディスプレイ等の製造プロセスは、基板の割れや欠けを防ぐために鋭利な角部を研削する面取り工程や、薄膜トランジスタや透明電極といった電子部材を基板に形成する工程を含む。これらの工程は、基板の一方の面（以下、「第一の面」という。）を、真空吸着によりステージに固定した状態で行われる（例えば、特許文献１参照）。

基板が載置されるステージ上の面（以下、「載置面」という。）は、金属やセラミックで形成される。第一の面が平滑であると、基板はステージに貼り付きやすくなる。したがって、基板をステージから剥離しようとすると、基板が破損するおそれ、あるいは基板の剥離帯電が発生するおそれが高くなる。基板の破損、あるいは基板の剥離帯電の発生を防ぐために、第一の面に反応ガスを吹き付けてエッチングを行い、第一の面を粗面化する。これにより、基板とステージの接触面積が減少し、基板を破損することなくステージから剥離しやすくなる（例えば、特許文献２参照）。

特開２０１１−２０７７３９号公報 国際公開第２０１０／１２８６７３号

しかしながら、第一の面全面を均一に粗面化すると、第一の面と載置面との接触面積が減少するため、ステージの真空吸着力が弱くなる。このため、上記の工程を行う際に、基板が所望の固定位置からずれてしまうという問題が生じる。

本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであって、ステージの基板に対する真空吸着力を保ちつつ、ステージから容易に剥離することが可能であって、且つステージから剥離する際に剥離帯電が発生しにくい基板、基板製造システム、剥離装置、基板製造方法および剥離方法を提供することを目的とする。

本発明の第一の態様に係る基板は、第一の面と、前記第一の面と反対側の第二の面とを有する基板であって、前記第一の面の中央部の算術平均表面粗さが、少なくとも前記第一の面の一つの辺に沿う一つの縁部の算術平均表面粗さよりも小さい。

本発明の第一の態様に係る基板は、前記第一の面の前記中央部の算術平均表面粗さが、前記第一の面の四つの辺にそれぞれ沿う四つの縁部の算術平均表面粗さのいずれよりも小さいものであってもよい。

本発明の第一の態様に係る基板においては、前記第一の面は、吸着ステージに接する側となる面であり、前記第二の面は、電子部材が形成される面であってもよい。

本発明の第一の態様に係る基板製造システムは、基板を搬送する搬送装置と、前記搬送装置によって搬送される前記基板の第一の面に反応ガスを吹き付けて前記第一の面を粗面化するノズルと、前記基板と前記ノズルとの相対位置に応じて向きが変化する気流を前記ノズルと前記基板との間の隙間に向けて流入させる気流制御手段と、を含む。

本発明の第一の態様に係る基板製造システムにおいては、前記気流制御手段は、第一の気流生成装置を含み、前記第一の気流生成装置は、前記ノズルの基板搬送方向下流側に設けられ、前記ノズルによって反応ガスが吹き付けられている前記基板の前記第一の面に第一の気流を作用させるものであってもよい。

本発明の第一の態様に係る基板製造システムにおいては、前記気流制御手段は、第二の気流生成装置と、第三の気流生成装置と、を含み、前記第二の気流生成装置は、前記ノズルの基板搬送方向上流側に設けられ、前記ノズルによって前記反応ガスが吹き付けられている前記基板の前記第一の面と反対側の第二の面に第二の気流を作用させ、前記第三の気流生成装置は、前記ノズルの基板搬送方向下流側で且つ前記第一の気流生成装置の基板搬送方向上流側に設けられ、前記第二の気流と同じ向きの第三の気流を発生させるものであってもよい。

本発明の第一の態様に係る基板製造システムにおいては、第二の気流生成装置と、第三の気流生成装置と、を含み、前記第二の気流生成装置は、前記ノズルの基板搬送方向上流側に設けられ、前記ノズルによって前記反応ガスが吹き付けられている前記基板の前記第一の面と反対側の第二の面に第二の気流を作用させ、前記第三の気流生成装置は、前記ノズルの基板搬送方向下流側に設けられ、前記基板の搬送経路を挟んで前記搬送経路の一方側から他方側に向かう第三の気流を発生させるものであってもよい。

本発明の第一の態様に係る基板製造システムは、前記ノズルが内部に設けられたエッチング槽と、前記エッチング槽の基板搬送方向上流側に接続され、前記第二の気流生成装置によって内部に前記第二の気流が生成される第一のバッファ槽と、前記エッチング槽の基板搬送方向下流側に接続され、前記第三の気流生成装置によって内部に前記第三の気流が生成される第二のバッファ槽と、を含み、前記エッチング槽、前記第一のバッファ槽および前記第二のバッファ槽の各々は、前記搬送装置によって前記基板が搬入される基板搬入口と、前記搬送装置によって前記基板が搬出される基板搬出口と、を含み、前記第一のバッファ槽の前記基板搬入口から前記ノズルまでの基板搬送方向の長さは、前記基板の基板搬送方向の長さ以下であるものであってもよい。

本発明の第一の態様に係る剥離装置は、ステージに吸着された板状体を前記ステージから剥離する剥離手段を含み、前記板状体は、前記ステージに吸着された第一の面の中央部の算術平均表面粗さが、少なくとも前記第一の面の一つの辺に沿う一つの縁部の算術平均表面粗さよりも小さく、前記剥離手段は、前記ステージと前記一つの縁部とが重畳する重畳部分から前記板状体を剥離し始める。

本発明の第一の態様に係る基板製造方法は、前記第一の態様に係る基板製造システムを用いて前記基板の前記第一の面に粗面化処理を施す基板製造方法であって、前記搬送装置によって前記基板を搬送する搬送ステップと、前記搬送装置によって搬送される前記基板の前記第一の面に前記ノズルから反応ガスを吹き付けて前記第一の面を粗面化する粗面化ステップと、前記基板と前記ノズルとの相対位置に応じて向きが変化する気流を前記ノズルと前記基板との間の隙間に向けて流入させる気流制御ステップと、を含む。

本発明の第一の態様に係る剥離方法は、ステージに吸着された板状体を前記ステージから剥離する剥離ステップを含み、前記板状体は、前記ステージに吸着された第一の面の中央部の算術平均表面粗さが、少なくとも前記第一の面の一つの辺に沿う一つの縁部の算術平均表面粗さよりも小さく、前記剥離ステップでは、前記ステージと前記一つの縁部とが重畳する重畳部分から前記板状体を剥離し始める。

本発明によれば、ステージの基板に対する真空吸着力を保ちつつ、ステージから容易に剥離することが可能であって、且つステージから剥離する際に剥離帯電が発生しにくい基板、基板製造システム、剥離装置、基板製造方法および剥離方法を提供することができる。

本発明の実施形態に係る基板を示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る基板の中央部および縁部の定義、および各領域での平均表面粗さを説明する上視図である。 本発明の実施形態に係る基板の上視図である。 本発明の実施形態に係る基板の算術平均表面粗さの分布を示す模式図である。 本発明の実施形態に係る基板製造システムの一部を示す側面図である。 第一の気流発生機構を説明する図である。 第二の気流発生機構を説明する図である。 第二の気流発生機構を説明する図である。 基板の搬送速度を制御しつつ粗面化処理を行う方法を示す側面図である。 反応ガスの吹き出し量を制御しつつ粗面化処理を行う方法を示す側面図である。 本発明の実施形態に係る基板製造システムの上視図である。 本発明の実施形態に係る基板製造システムの側面図である。 ノズルのガス吹き出し口上に、マスク材を挿入可能な基板製造システムの、ノズル近傍の上視図および側面図である。 本発明の実施形態に係る剥離方法の第一の例を示す図である。 本発明の実施形態に係る剥離方法の第二の例を示す図である。

［基板］
本発明の一実施の形態に係る基板５００について、図１ないし図４を用いて説明する。図１は、基板５００を示す斜視図である。図２は、基板５００の中央部５１１および縁部５１２の定義、および各領域での平均表面粗さを説明する上視図である。図３および図４は、基板５００の上視図、および算術平均表面粗さの分布を示す模式図である。

図１に示すように、基板５００は、２つの主表面である第一の面５１０と第一の面５１０の反対側の第二の面５２０とを有する。基板５００は、例えば、フラットパネルディスプレイ等の基板として用いられる矩形のガラス基板である。基板５００は、例えば、第一の面５１０を真空吸着によりステージに固定した状態で、基板５００の端部および角部を研削する面取り工程や、薄膜トランジスタや透明電極といった電子部材を第二の面５２０に形成する工程などに供される。

第一の面５１０の中央部５１１の算術平均表面粗さは、少なくとも第一の面５１０の一つの辺に沿う一つの縁部の算術平均表面粗さよりも小さい。第一の面５１０に粗度（算術平均表面粗さの大きさ）の分布を持たせることで、基板５００をステージに吸着する際に、吸着しやすい部分（粗度の小さい部分）と吸着しにくい部分（粗度の大きい部分）を形成することができる。ステージに吸着しにくい部分（粗度の大きい部分）から基板５００を剥離すれば、基板５００の剥離が容易になり、基板５００の割れなどが抑制される。

以下、第一の面５１０に形成される粗度の分布の一例を具体的に説明する。

図１に示すように、第一の面５１０は、例えば、第一の辺Ｅ１、第二の辺Ｅ２、第三の辺Ｅ３、および第四の辺Ｅ４を有する。第一の辺Ｅ１と第二の辺Ｅ２とは対向し、第三の辺Ｅ３と第四の辺Ｅ４とは対向する。以下、第四の辺Ｅ４に沿って第二の辺Ｅ２から第一の辺Ｅ１に向かう方向をＸ方向といい、第二の辺Ｅ２に沿って第四の辺Ｅ４から第三の辺Ｅ３に向かう方向をＹ方向という。第一の辺Ｅ１および第二の辺Ｅ２の長さをＬ_Ｙ、第三の辺Ｅ３および第四の辺Ｅ４の長さをＬ_Ｘと記す。

第一の面５１０の中央部５１１は、例えば、第一の面５１０の中心点５０１を中心とし、Ｘ方向に平行な長さＬ_Ｘ／３の二辺、およびＹ方向に平行な長さＬ_Ｙ／３の二辺で囲まれる矩形領域として規定される。

図２および図３に示すように、第一の面５１０は、第一の辺Ｅ１に沿う第一の縁部５１２と、第二の辺Ｅ２に沿う第二の縁部５１３と、第三の辺Ｅ３に沿う第三の縁部５１４と、第四の辺Ｅ４に沿う第四の縁部５１５と、を含む。第一の縁部５１２、第二の縁部５１３、第三の縁部５１４および第四の縁部５１５は、例えば、第一の辺Ｅ１、第二の辺Ｅ２、第三の辺Ｅ３および第四の辺Ｅ４から一定の距離ｄだけ内側に及ぶ第一の面５１０内の矩形の領域としてそれぞれ規定される。第一の縁部５１２、第二の縁部５１３、第三の縁部５１４および第四の縁部５１５は、中央部５１１よりも外側の領域であるため、Ｌ_Ｘ／３＞ｄかつＬ_Ｙ／３＞ｄである。

後述するように、ステージから基板５００を剥離する場合には、基板５００の縁部から剥離が開始される。第一の縁部５１２、第二の縁部５１３、第三の縁部５１４および第四の縁部５１５のうち、少なくとも一つの縁部の粗度が大きくなっていれば、その縁部から剥離を開始すればよい。よって、上記四つの縁部のうちの少なくともいずれか一つの縁部の算術平均表面粗さが、中央部５１１の算術平均表面粗さよりも大きければよい。

粗度が大きく設定される領域の大きさ（ｄの大きさ）は、基板５００とステージの載置面との相対的な大きさによって決められる。例えば、ｄの大きさは、基板５００をステージに載置したとき、第一の面５１０がステージの載置面と接触する部分に上記四つの縁部のうちの少なくともいずれか一つの縁部が重畳するような値とする。吸着パッド等を用いてステージから基板５００を剥離する際の便宜のため、粗度が大きく設定される領域の面積は十分広くとることが望ましい。具体的には、ｄ≧２００ｍｍとすることが望ましい。

本実施形態の基板５００は、中央部５１１の算術平均表面粗さが少なくも一つの縁部の算術平均表面粗さよりも小さいものとして規定される。算術平均表面粗さは、ＪＩＳ Ｂ０６０１―２０１３に準拠する。算術平均表面粗さの値は、原子間力顕微鏡（製品名：ＳＰＩ−３８００Ｎ、セイコーインスツル社製）を用いて測定される。具体的には、原子間力顕微鏡により基板５００の表面形状（表面プロファイル）を測定し、その表面形状の三次元情報から基板５００の算術平均表面粗さを計算により求める。計算ソフトは、原子間力顕微鏡に付属のソフト（ソフト名：ＳＰＡ−４００）を用いる。

中央部５１１の算術平均表面粗さＲａ０は、中央部５１１の１点以上の測定点の算術平均表面粗さの平均値として規定される。好ましくは、中心点５０１および選択した中央部５１１の任意の２点以上の測定点の算術平均表面粗さを各々測定し、各値の平均値を中央部５１１の算術平均表面粗さとして規定する。この場合、測定点の選び方によって中央部５１１の算術平均表面粗さの値が変わるため、本実施形態では、例えば、代表的な測定点である中心点５０１の算術平均表面粗さの値を中央部５１１の算術平均表面粗さの値として定義する。

中心点５０１は、第一の辺Ｅ１および第二の辺Ｅ２から等距離（Ｌ_Ｘ／２）にあり、且つ、第三の辺Ｅ３および第四の辺Ｅ４から等距離（Ｌ_Ｙ／２）にある点である。中心点５０１を測定点とし、この測定点を中央に有する測定領域の表面プロファイルを、原子間力顕微鏡を用いて測定する。測定領域は、測定点を中心として、Ｘ方向に平行な二辺およびＹ方向に平行な二辺を有するサイズ５μｍ×５μｍの矩形領域である。測定は、スキャンエリア５μｍ×５μｍに対し、ダイナミック・フォース・モードを用いて（カンチレバー：ＳＩ−ＤＦ４０Ｐ２）、スキャンレート１Ｈｚで行う（エリア内データ数：２５６×２５６）。原子間力顕微鏡による測定結果から、計算ソフトを用いて測定領域の算術平均表面粗さＲａを求める。この値を中央部５１１の算術平均表面粗さＲａ０と定義する。

縁部の算術平均表面粗さは、縁部の１点以上の測定点の算術平均表面粗さの平均値として規定される。好ましくは、縁部の中心点および選択した縁部の任意の２点以上の測定点の算術平均表面粗さを各々測定し、各値の平均値を縁部の算術平均表面粗さとして規定する。この場合、測定点の選び方によって縁部の算術平均表面粗さの値が変わるため、本実施形態では、例えば、以下の方法で縁部の算術平均表面粗さを定義する。以下、図２を用いて第一の縁部５１２の算術平均表面粗さの定義を説明するが、第二の縁部５１３、第三の縁部５１４および第四の縁部５１５の定義も同様である。

まず、図２に示すように、第一の面５１０の第一の辺Ｅ１に沿う三つの点を第一の測定点５０２、第二の測定点５０３、および第三の測定点５０４として設定する。Ｘ方向に関しては、３つの測定点５０２ないし５０４は、第一の辺Ｅ１からｄ／２ｍｍだけ内側の位置にとる。Ｙ方向に関しては、第一の測定点５０２は、第四の辺Ｅ４から、ｄ／２ｍｍだけ内側の位置にとる。第二の測定点５０３は、第三の辺Ｅ３および第四の辺Ｅ４から等距離（Ｌ_Ｙ／２）の位置にとる。第三の測定点５０４は、第三の辺Ｅ３からｄ／２ｍｍだけ内側の位置にとる。

そして、第一の測定点５０２を中央に有する第一の測定領域の表面プロファイルと、第二の測定点５０３を中央に有する第二の測定領域の表面プロファイルと、第三の測定点５０４を中央に有する第三の測定領域の表面プロファイルと、を原子間力顕微鏡を用いて測定する。第一の測定領域、第二の測定領域および第三の測定領域は、それぞれ第一の測定点、第二の測定点および第三の測定点を中心として、Ｘ方向に平行な二辺およびＹ方向に平行な二辺を有するサイズ５μｍ×５μｍの矩形領域である。測定は、スキャンエリア５μｍ×５μｍに対し、ダイナミック・フォース・モードを用いて（カンチレバー：ＳＩ−ＤＦ４０Ｐ２）、スキャンレート１Ｈｚで行う（エリア内データ数：２５６×２５６）。原子間力顕微鏡による測定結果から、計算ソフトを用いて第一の測定領域の第一の測定点５０２、第二の測定点５０３および第三の測定点５０４それぞれの算術平均表面粗さＲａ１、第二の測定領域の算術平均表面粗さＲａ２および第三の測定領域の算術平均表面粗さＲａ３を求める。そして、これら三つの算術平均表面粗さの平均値＜Ｒａ＞を算出する（＜Ｒａ＞＝（Ｒａ１＋Ｒａ２＋Ｒａ３）／３）。この値＜Ｒａ＞を第一の縁部５１２における算術平均表面粗さＲａ５１２と定義する。その他の縁部５１３、５１４、５１５についても算術平均表面粗さを算出し、それぞれＲａ５１３、Ｒａ５１４、Ｒａ５１５と定義する。

この場合、ｄの値（縁部の幅）によって測定点の位置が変わり、それに応じて縁部の算術平均表面粗さの値も変わることとなる。そのため、本実施形態では、例えば、ｄの値を２００ｍｍとし、第一の辺Ｅ１から１００ｍｍだけ内側に位置する３つの測定点の算術平均表面粗さの平均値を第一の縁部５１２の算術平均表面粗さとして定義する。

図４（ａ）は、基板５００の第一の面５１０のうち図３に示すＡ−Ｂを結ぶ線上における、算術平均表面粗さの分布の一例を示す模式図である。Ａ−Ｂを結ぶ線は、Ｘ方向に平行であり、中心点５０１を含む。図４（ｂ）は、基板５００の第一の面５１０のうち図３に示すＣ−Ｄを結ぶ線上における、算術平均表面粗さの分布の一例を示す模式図である。Ｃ−Ｄを結ぶ線は、Ｙ方向に平行であり、中心点５０１を含む。

図４（ａ）および図４（ｂ）の例では、第一の面５１０の中央部５１１の算術平均表面粗さＲａ０が、第一の面５１０の四つの辺Ｅ１ないしＥ４にそれぞれ沿う四つの縁部５１２ないし５１４の算術平均表面粗さのいずれよりも小さい。この構成によれば、基板５００の四つの縁部５１２ないし５１５のどこから基板５００を剥離しても、基板５００の剥離を容易に行うことができる。また、四つの縁部５１２ないし５１５から同時に基板５００を剥離し始めることもできる。この場合、剥離作業を短時間で効率的に行うことができる。

［剥離装置］
図１４および図１５は、ステージ２００から基板５００を剥離する方法を説明する図である。図１４は、剥離方法の第一の例を示す図であり、図１５は、剥離方法の第二の例を示す図である。図１４および図１５では、基板５００の第一の面５１０において、中央部５１１よりも粗度の大きくなっている部分（大粗度領域）にハッチングを施している。図１４および図１５の例では、第一の縁部５１２と第二の縁部５１３が大粗度領域となっている。

なお、以下では単一の基板５００がステージ２００から剥離される場合を説明するが、剥離装置が剥離する対象は、単一の基板に限られない。例えば、複数の基板を接着層を介して積層した積層体や、複数の基板を機能性材料を介して積層した機能性部材など、板状の形状を有する部材（以下、「板状体」という。）であればどのようなものでもよい。積層体の例としては、例えば、特許第５２００５３８号公報に記載された薄板ガラス積層体などが挙げられる。機能性部材としては、２枚のガラス基板を液晶層、有機ＥＬ素子層または電気泳動素子層などを挟んで接着した光学パネルなどが挙げられる。単一の基板を用いる場合には、その主表面に配線などの回路部が形成されていてもよい。

図１４（ａ）は、基板５００がステージ２００に吸着された状態を示す。ステージ２００は、複数の吸着孔２１０を含む。図１４（ａ）では、便宜上、２つの吸着孔２１０ａ、２１０ｂのみが示されているが、実際には、３つ以上の吸着孔２１０がステージの全面に設けられている。基板５００の第一の面５１０がステージ２００の上に載置された状態で、吸着孔２１０内部の気体を真空吸引することにより、基板５００はステージ２００に真空吸着される。

第一の面５１０の中央部５１１は、算術平均表面粗さが比較的小さい。このため、第一の面５１０の中央部５１１はステージ２００と接触する面積が大きくなり、ステージに貼り付きやすくなる。大粗度領域（第一の縁部５１２および第二の縁部５１３）は、算術平均表面粗さが比較的大きい。このため、大粗度領域は、ステージ２００と接触する面積が小さくなり、中央部５１１に比べてステージに対する吸着力は弱くなる。この構成では、大粗度領域が設けられた基板５００の縁部において吸着力が弱くなるが、基板中央部の広い領域で吸着力が良好に保たれるため、基板５００はステージ２００に強固に固定される。

図１４（ｂ）および図１４（ｃ）に示すように、ステージ２００から基板５００を剥離する際には、ステージ２００と大粗度領域（中央部５１１よりも算術平均表面粗さが大きくなっている基板５００の縁部）とが重畳する重畳部分から基板５００を剥離し始めるようにする。大粗度領域ではステージに対する吸着力が弱くなっているため、大粗度領域とステージ２００との重畳部分から剥離を行うと、比較的小さい力で剥離を行うことができる。したがって、基板５００のステージ２００からの剥離は容易となる。

中央部５１１の算術平均表面粗さは好ましくは０．３ｎｍ未満、より好ましくは０．２ｎｍ未満である。縁部の算術平均表面粗さは０．３〜１．５ｎｍであることが好ましい。中央部５１１の算術平均表面粗さが０．３ｎｍ未満であれば、中央部５１１で吸着力が良好に保たれる。中央部５１１の算術平均表面粗さが０．２ｎｍ未満であれば、中央部５１１で吸着力がより良好に保たれる。縁部の算術平均表面粗さが０．３ｎｍ以上であれば、基板５００をステージから剥離することが容易となり、さらに剥離帯電が発生しにくくなる。縁部の算術平均表面粗さが１．５ｎｍ以下であれば、粗面化処理に時間がかかることもなく、基板５００の面内強度が不十分となるおそれもない。

基板５００のステージ２００からの剥離は、剥離手段３００を含む剥離装置４００を用いて行う。
基板５００をステージ２００に吸着しやすくするため、ステージ２００は、載置面上に吸着部材を備えることができる。あるいは、基板５００が傷付くことを防止するため、ステージ２００は、載置面上に傷付き防止部材を備えていてもよい。

図１４（ｂ）および図１４（ｃ）に、剥離装置４００の第一の例４００ａを示す。剥離装置４００ａにおいて、剥離手段３００は、複数の吸着部材を含む。図１４（ｂ）および図１４（ｃ）では、便宜上、基板５００の縁部を吸着する二つの吸着部材３１０ａ、３１０ｂのみを示すが、実際には、３つ以上の吸着部材が基板５００の第二の５２０面全体を吸着するようになっている。

吸着部材３１０ａおよび吸着部材３１０ｂは、支持部材３１１ａおよび支持部材３１１ｂにそれぞれ接続される。図１４（ｂ）に示すように、吸着部材３１０ａおよび吸着部材３１０ｂは、基板５００の第二の面５２０において、基板５００の第一の面５１０の縁部が重畳する重畳部分の裏側の領域に吸着される。

基板５００を剥離する際は、図１４（ｃ）に示すように、吸着部材３１０ａおよび吸着部材３１０ｂが第二の面５２０に吸着した状態で、支持部材３１１ａおよび支持部材３１１ｂを引き上げる。複数の吸着部材のうち、重畳部分と対向する位置に配置された吸着部材３１０ａおよび吸着部材３１０ｂを最初に引き上げる。これにより、基板５００の大粗度領域（第一の縁部５１２および第二の縁部５１３）は、吸着部材３１０ａおよび吸着部材３１０ｂとともに持ち上げられる。大粗度領域は粗度が大きくなるよう粗面化されているため、ステージ２００との吸着力が比較的弱い。そのため、比較的容易に基板５００をステージ２００から剥離することができる。

図１５に、剥離装置４００の第二の例４００ｂを示す。剥離装置４００ｂにおいて、剥離手段３００は、複数のリフトピンを含む。図１５（ａ）および図１５（ｂ）では、便宜上、ステージ２００の縁部に配置された二つのリフトピン３２０ａ、３２０ｂのみを示すが、実際には、３つ以上のリフトピンがステージ２００の載置面の全面に設けられている。

リフトピンは、ステージ２００に設けられた貫通孔２２０の内部に没入可能に設けられる。図１５（ａ）および図１５（ｂ）では、便宜上、ステージ２００の縁部に配置された二つの貫通孔２２０ａ、２２０ｂのみを示すが、実際には、３つ以上の貫通孔がステージ２００の載置面の全面に設けられている。リフトピン３２０ａおよびリフトピン３２０ｂは、貫通孔２２０ａおよび貫通孔２２０ｂから突出して、ステージ２００に載置された基板５００を押し上げることができる。

図１５（ａ）に示すように、基板５００がステージ２００に載置されたとき、貫通孔２２０ａおよび貫通孔２２０ｂは、それぞれ大粗度領域（第一の縁部５１３および第二の縁部５１２）の直下に位置する。すなわち、リフトピン３１０ａおよびリフトピン３２０ｂは、ステージ２００と大粗度領域（第一の縁部５１３および第二の縁部５１２）とが重畳する重畳部分に配置されている。

複数のリフトピンのうち、重畳部分と対向する位置に配置されたリフトピン３１０ａおよびリフトピン３２０ｂを最初にステージ２００から突出させて基板５００を押し上げる。これにより、基板５００は大粗度領域とステージ２００との重畳部分から剥離される。大粗度領域は強く粗面化されているため、ステージ２００との吸着力が比較的弱い。そのため、比較的容易に基板５００をステージ２００から剥離することができる。
なお、剥離装置の実施形態において、基板５００の縁部の一部がステージ２００から食み出ているが、これに限定されず、縁部の一部がステージ２００から食み出なくてもよい。

［基板製造システム−１］
以下、図５を用いて、本発明の第一の実施の形態に係る基板製造システム１０００について説明する。図５は、基板製造システム１０００の一部を示す側面図である。図５において、第一の面５１０の右端（基板５００の搬送方向下流側）は、図１に示した第一の辺Ｅ１に対応する。図５において、第一の面５１０の左端（基板５００の搬送方向上流側）は、図１に示した第二の辺Ｅ２に対応する。以下、基板５００の搬送方向を「基板搬送方向」という。

基板製造システム１０００は、第一洗浄槽１０１０と、第一のバッファ槽１０２０と、エッチング槽１０３０と、第二のバッファ槽１０４０と、第二洗浄槽１０５０と、搬送装置１０７０と、を含む。

搬送装置１０７０は、基板５００を図示左側から図示右側に向けて搬送する。搬送装置１０７０は、例えば、複数のローラー１０７１からなるローラーコンベアである。複数のローラー１０７１により、第一洗浄槽１０１０の上流側から、第一洗浄槽１０１０、第一のバッファ槽１０２０、エッチング槽１０３０、第二のバッファ槽１０４０、および第二洗浄槽１０５０を順次通過し、第二洗浄槽１０５０の下流側に向かう搬送経路が形成される。

複数のローラー１０７１は、例えば、基板５００の第一の面５１０を支持しながら基板５００を搬送する。第一の面５１０は、例えば、薄膜トランジスタや透明電極などの電子部材が形成される面（第二の面５２０）とは反対側の面である。第二の面５２０は、ローラー１０７１に接触しない。このため、ローラー１０７１起因の傷は第二の面５２０に付かない。

複数のローラー１０７１は、駆動制御機構（図示略）によって、同期して回転する。複数のローラー１０７１が同期して同じ向き（図５では時計回り）に回転することにより、基板５００は水平に搬送される。なお、搬送装置１０７０はローラーコンベアに限られず、例えばベルトコンベアや、ロボットアームといった手段によっても実現可能である。

図示は省略したが、第一洗浄槽１０１０の上流側には、例えば基板５００の成形や研磨が行われる装置が設けられる。第二洗浄槽１０５０の下流側には、例えば基板５００の乾燥や検査が行われる装置が設けられる。

第一洗浄槽１０１０、第一のバッファ槽１０２０、第二のバッファ槽１０４０、および第二洗浄槽１０５０は、それぞれ搬送装置１０７０によって基板５００が搬入される基板搬入口と、搬送装置１０７０によって基板５００が搬出される基板搬出口と、を含む。各槽の基板搬入口および基板搬出口は、エッチング槽１０３０の基板搬入口１０３１および基板搬出口１０３２と同じ高さに、同じ大きさで設けられている。各槽の基板搬出口は、基板搬送方向の下流側に隣接する槽の基板搬入口に、順次接続されている。各槽の基板搬入口および基板搬出口は、例えば、基板５００を第一洗浄槽１０１０の上流側から第二洗浄槽１０５０の下流側に搬送する間、常時開放されている。

以下、図５を用いて、基板５００の製造プロセスを説明する。

基板５００は、例えば、フロート法によりリボン状に成形された後、所望サイズの基板５００に切断する切断工程、基板５００の端面を面取りする面取り工程、および基板５００表面（例えば、第二の面５２０）を研磨する研磨工程を経て、第一洗浄槽１０１０に搬送される。研磨方法としては、例えばスラリーを基板に供給して研磨する方法が用いられる。スラリーは、研磨砥粒を、水や有機溶媒といった液体に分散させた分散液である。研磨砥粒としては、例えば酸化セリウムが用いられる。

研磨された基板５００は搬送装置１０７０によって第一洗浄槽１０１０に搬送される。第一洗浄槽１０１０では、基板５００の表面から研磨砥粒を除去する。第一洗浄槽１０１０では、例えば、まず基板５００をシャワー洗浄し、水で基板５００の表面の研磨砥粒を洗い流す。その後に、基板５００をスラリー洗浄する。スラリー洗浄は、シャワー洗浄で除去できなかった研磨砥粒を、洗浄用のスラリーをノズルから基板に吹き付けながらディスクブラシ等の洗浄手段を用いて除去する洗浄方法である。洗浄用のスラリーとしては、例えば、酸化セリウム、炭酸カルシウム、または炭酸マグネシウムを、水や有機溶媒といった液体に分散させた分散液が用いられる。

基板５００は、搬送装置１０７０によって第一洗浄槽１０１０から搬出され、第一のバッファ槽１０２０に搬入される。第一のバッファ槽１０２０は、基板搬入口１０３１から反応ガスが第一洗浄槽１０１０に漏れてしまうことを防止するために設けられる。これにより、第一洗浄槽１０１０で行われる洗浄ステップは、反応ガスで汚染されなくなる。

第一のバッファ槽１０２０は、例えば、天井にファンフィルターユニットＦＦＵ１を有し、床面に排気口ＥＸＨ１を有する。ファンフィルターユニットＦＦＵ１は、外気を濾過して第一のバッファ槽１０２０の内部に導入して、第一のバッファ槽１０２０の内部を正圧の状態にする。ファンフィルターユニットＦＦＵ１で導入された外気は、第一のバッファ槽１０２０の内部の塵埃やガスとともに、排気口ＥＸＨ１から相対的に圧力の低い第一のバッファ槽１０２０の外部へ排出される。

基板５００は、搬送装置１０７０によって第一のバッファ槽１０２０から搬出され、エッチング槽１０３０に搬入される。エッチング槽１０３０の内部には、搬送装置１０７０によって搬送される基板５００の第一の面５１０に反応ガスを吹き付けるノズル１０８０が設けられている。ノズル１０８０は、例えば、基板５００の搬送経路の鉛直方向下方側に設けられる。ノズル１０８０は、搬送装置１０７０によって搬送される基板５００に対し、基板５００の搬送経路の鉛直方向下側（鉛直方向一方側）から鉛直方向上側（鉛直方向他方側）に向けて反応ガスを吹き付ける。これにより、基板５００の鉛直方向下側（鉛直方向一方側）の面である第一の面５１０を粗面化する。

ノズル１０８０は、例えば、ガス供給路（図示略）と、ガス吸引路（図示略）と、を含む。ノズル１０８０の上端は平面状になっている。ノズル１０８０の上端には、ガス供給路のガス吹き出し口１０８１ａと、ガス吸引路のガス吸引口（図示略）と、が設けられている。ガス吸引口は、ガス吹き出し口１０８１ａと基板搬入口１０３１との間およびガス吹き出し口１０８１ａと基板搬出口１０３２との間に設けられる。ガス供給路は、図５の紙面と直交する方向に一様な断面を有する。ガス吹き出し口１０８１ａは、基板搬送方向と直交する水平方向に延びるスリット状になっている（図１３（ａ）参照）。ガス吹き出し口１０８１ａの幅（基板搬送方向と直交する水平方向の長さ）は、基板５００の第一の面５１０全面にわたって粗面化が行えるよう、基板５００の幅より若干大きくなっている（図１３（ａ）参照）。

ガス供給路は、エッチング槽１０３０の外部に設けられた原料ガス供給装置（図示略）と接続される。原料ガス供給装置は、反応ガスの原料である、原料ガスを供給する。原料ガスは、例えば、フッ素系原料ガスと、キャリアガスとを含む。

フッ素系原料ガスは、基板５００の表面と反応するフッ素系反応成分を生成するために用いられる。フッ素系反応成分は、フッ素系原料ガスをプラズマ化（分解、冷気、活性化、イオン化等を含む）することにより生成できる。キャリアガスは、フッ素系原料ガスの搬送および希釈や、プラズマ放電を行うために用いられる。本実施形態では、フッ素系原料ガスとしてＣＦ_４が、キャリアガスとしてアルゴンが用いられる。また、以下ではフッ素系反応成分の例としてフッ化水素（ＨＦ）を用いて説明する。なお、フッ素系原料ガスはこれに限られず、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８といったその他のパーフルオロカーボン、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨ_３Ｆといったハイドロフルオロカーボン、ＳＦ_６、ＮＦ_３、ＸｅＦ_２といったその他のフッ素含有化合物を用いてもよい。また、キャリアガスはこれに限られず、ヘリウム、ネオン、キセノンといったその他の不活性ガスを用いてもよい。

原料ガスは、例えば、水蒸気を含む。原料ガス供給装置は、本実施形態では、フッ化水素およびアルゴンに水を添加する水添加部を含む。水添加部は、例えば、液体の水を飽和水蒸気として供給する加湿器である。水の添加量は、加湿器の温度調節によって調節可能である。水の添加量を調節することによって、原料ガス内の水蒸気分圧を設定できる。これにより、プラズマ化で生成するフッ素系反応成分および水蒸気の凝縮温度（すなわち、基板と反応を起こすフッ化水素酸が生成される温度）を変えることができる。

原料ガス供給装置からガス吹き出し口１０８１ａに至る、原料ガスが供給される通路のいずれかの部分には、プラズマ生成部（図示略）が設けられる。プラズマ生成部は、一対の電極を含む。一対の電極は、原料ガスが供給される通路を挟んで配置される。一対の電極の一方は電源に接続され、他方は接地される。電源から高電圧が印加されることにより、一対の電極間で電場が発生し放電が行われる。これにより、一対の電極間で、原料ガスがプラズマ化され、基板５００の表面と反応するフッ化水素が生成される。原料ガスはプラズマ化されて反応ガスとなる。反応ガスは、ガス吹き出し口１０８１ａから基板５００の第一の面５１０に吹き付けられる。

基板５００の搬送経路を挟んでノズル１０８０と対向する位置には、天板１０８２が設けられている。天板は、ノズル１０８０の上端に対向して、ノズル１０８０の上方に水平に設けられている。基板５００は、基板搬入口から搬入された後、ノズル１０８０の上端と天板１０８２の下面との間を通過し、基板搬出口１０３２から搬出される。

基板５００がノズル１０８０の上端を通過する間、ガス吹き出し口１０８１ａから吹き出された反応ガスは、基板５００の第一の面５１０とノズル１３０との間の隙間１０８１に充満する。第一の面５１０が反応ガスに曝される間、反応ガスは第一の面５１０上で凝縮し、フッ化水素酸が生成される。これにより、第一の面５１０は粗面化される。

天板１０８２の下面には、温度調節自在なプレート状のヒーター（図示略）が設けられている。このヒーターにより、基板５００の第一の面５１０と第二の面５２０の、天板１０８２の直下に位置する領域を加温することができる。ヒーターの幅（基板搬送方向と直交する水平方向の長さ）は、基板５００の第二の面５２０全面を加温できるよう、基板５００の幅より若干大きくなっている。

フッ化水素と水蒸気の前記凝縮温度に合わせて、基板５００がエッチング槽１０３０に搬入されるときの温度、および天板１０８２のヒーターの温度を適切に設定する。これにより、基板５００がノズル１０８０の上を通過する間、第一の面５１０の温度は前記凝縮温度以下、第二の面５２０の温度は前記凝縮温度以上にすることができる。このため、フッ化水素と水蒸気は第一の面５１０のみで凝縮し、フッ化水素酸を形成する。これにより、吹き出し口１０８１ａから吹き出された反応ガスの一部が、天板１０８２と第二の面５２０との隙間に入り込んだとしても、基板５００のエッチングを第一の面５１０のみに対して選択的に行うことができる。したがって、第二の面５２０は、粗面化せずに平滑に保つことができる。

粗面化された基板５００は、搬送装置１０７０によってエッチング槽１０３０から搬出され、第二のバッファ槽１０４０に搬入される。第二のバッファ槽１０４０は、基板搬出口１０３２から反応ガスが第二洗浄槽１０５０に漏れてしまうことを防止するために設けられる。これにより、第二洗浄槽１０５０で行われる洗浄ステップは、反応ガスで汚染されなくなる。

第二のバッファ槽１０４０は、例えば、天井にファンフィルターユニットＦＦＵ２を有し、床面に排気口ＥＸＨ２を有する。ファンフィルターユニットＦＦＵ２は、外気を濾過して第二のバッファ槽１０４０の内部に導入して、第二のバッファ槽１０４０の内部を正圧の状態にする。ファンフィルターユニットＦＦＵ２で導入された外気は、第二のバッファ槽１０４０の内部の塵埃やガスとともに、排気口ＥＸＨ２から相対的に圧力の低い第二のバッファ槽１０４０の外部へ排出される。

基板５００は、搬送装置１０７０によって第二のバッファ槽１０４０から搬出され、第二洗浄槽１０５０に搬入される。第二洗浄槽１０５０は、高圧シャワー１０５１を含む。第二洗浄槽１０５０では、基板５００の両面を洗浄して、粗面化によって発生したガラスカレットやエッチング副生成物等を除去する。洗浄方法は特に限定されず、例えば、高圧シャワー洗浄、ブラッシング洗浄、超音波洗浄、またはそれらを組み合わせたもの等が挙げられる。洗浄の終わった基板５００は、第二洗浄槽１０５０から搬送装置１０７０によって搬出され、乾燥工程や検査工程に供される。

上に述べたように、第一のバッファ槽１０２０および第二のバッファ槽１０４０は、第一のバッファ槽１０２０および第二のバッファ槽１０４０の前後に設けられた槽が互いに干渉することを防ぐために設けられる。この目的を確実に達成するために、通常は、第一のバッファ槽１０２０および第二のバッファ槽１０４０の基板搬送方向の長さは十分長く設定される。具体的には、第一のバッファ槽１０２０および第二のバッファ槽１０４０の基板搬送方向の長さは、基板５００の基板搬送方向の長さよりも長く設定される。

これに対し、本実施形態に係る基板製造システム１０００においては、第一のバッファ槽１０２０および第二のバッファ槽１０４０の基板搬送方向の長さを基板５００の基板搬送方向の長さよりも短く設定する。これにより、例えば、第二洗浄槽１０５０の内部に発生した気流を基板５００を介してノズル１０８０の近傍に伝えたり、第一のバッファ槽１０２０および第二のバッファ槽１０４０の内部の圧力変動をノズル１０８０の近傍に伝えたりする。これにより、ノズル１０８０の近傍に気流が発生し、ノズル１０８０から吹き出す反応ガスの流れが変化する。

ノズル１０８０の近傍に発生する気流の向きや強さは、基板５００とノズル１０８０との相対位置に応じて変化する。これにより、基板５００の第一の面５１０の粗度が基板５００の位置によって変化し、例えば、第一の面５１０の中央部５１１の算術平均表面粗さを、第一の縁部５１２、第二の縁部５１３、第三の縁部５１４および第四の縁部５１５の算術平均表面粗さよりも小さくすることが可能となる。

以下、図６ないし図８を用いて、ノズル１０８０の近傍に気流が発生する機構について説明する。図６は、第一の気流発生機構を説明する図であり、図７および図８は、第二の気流発生機構を説明する図である。

［第一の気流発生機構］
まず、図６を用いて、第一の気流発生機構を説明する。図６は、エッチング槽１０３０の下流側の構成を示す側面図である。

図６に示すように、第二のバッファ槽１０４０の基板搬送方向の長さを短くして、エッチング槽１０３０と第二洗浄槽１０５０との間に基板５００が跨るようにすると、基板５００の先端部（基板搬送方向下流側）では洗浄処理が行われ、基板５００の後端部（基板搬送方向上流側）では粗面化処理が行われるという状況が生じる。第二洗浄槽１０５０では、基板５００の鉛直方向下側に設けられた高圧シャワー１０５１が基板５００の第一の面５１０に向けて高圧の洗浄水を吹き付ける。これにより、基板５００の鉛直方向下側には、鉛直方向下側から鉛直方向上側に向かう第一の気流ＦＬ１が発生する。ノズル１０８０の基板搬送方向下流側に設けられた高圧シャワー１０５１は、ノズル１０８０によって反応ガスが吹き付けられている基板５００に対し、搬送経路の鉛直方向下側から鉛直方向上側に向かう第一の気流ＦＬ１を作用させる第一の気流生成装置として機能する。

図６に示した基板製造システム１０００では、基板５００が搬送装置１０７０によってノズル１０８０が設置された位置まで搬送されると、ノズル１０８０から基板５００の第一の面５１０に向けて反応ガスが吹き付けられる。基板５００は、反応ガスによって第一の面５１０を粗面化されつつ、搬送装置１０７０によって高圧シャワー１０５１が設置された位置まで搬送される。

基板５００が、高圧シャワー１０５１が設置された位置まで搬送されると、高圧シャワー１０５１によって生成された第一の気流ＦＬ１が基板５００の第一の面５１０に作用する。第一の気流ＦＬ１に乗って基板５００に到達した気体（第二洗浄槽１０５０の内部の空気）は、基板５００の第一の面５１０を伝わってノズル１０８０と基板５００との間の隙間１０８１に流れ込む。このときノズル１０８０では、基板５００の基板搬送方向上流側の第二の辺Ｅ２に沿う第二の縁部５１３の粗面化が行われている。

ノズル１０８０から吹き出された反応ガスは、基板５００に吹き付けられた後、基板５００とともに基板搬送方向に流れる。第一の面５１０を伝わって基板搬送方向下流側からノズル１０８０に向けて流れてくる気体によって反応ガスの流れが乱され、ノズル１０８０の近傍に反応ガスが滞留する。これにより、第一の気流ＦＬ１が作用した後の基板５００の第一の面５１０は、第一の気流ＦＬ１が作用する前よりも粗度が大きくなる。その結果、第一の面５１０の中央部の算術平均表面粗さが、第一の面５１０の基板搬送方向上流側の第二の辺Ｅ２に沿う第二の縁部５１３の算術平均表面粗さよりも小さくなる。

以上が、第一の気流発生機構である。以上説明したように、基板製造システム１０００においては、第一の気流発生機構によって、第一の面５１０の中央部の算術平均表面粗さが、第一の面５１０の基板搬送方向上流側の第二の辺Ｅ２に沿う第二の縁部５１３の算術平均表面粗さよりも小さくなる。そのため、例えば、図１４に示したように、ステージ２００に基板５００を吸着させると、基板５００の中央部５１１において吸着力が大きくなり、少なくとも基板５００の第二の縁部５１３において吸着力が小さくなる。よって、例えば、第二の縁部５１３から基板５００を剥離すれば、基板５００の剥離が容易になり、基板５００の割れなどが抑制される。

［第二の気流発生機構］
次に、図７および図８を用いて、第二の気流発生機構を説明する。図７は、第一のバッファ槽１０２０から第二のバッファ槽１０４０までの構成を示す側面図である。図８は、ノズル１０８０を基板搬入口１０３１側から見たときのノズル１０８０の正面図であり、ノズル１０８０の上側を基板５００が通過するときの、ノズル１０８０の近傍の反応ガスの流れを示す。

図７（ａ）に示すように、第一のバッファ槽１０２０の基板搬送方向の長さを短くして、エッチング槽１０３０と第一洗浄槽との間に基板５００が跨るようにすると、基板５００の先端部で粗面化処理が行われている最中に、基板５００の後端部が第一のバッファ槽１０２０の内部の空間を上下に分断するような状況が生じる。ファンフィルターユニットＦＦＵ１およびファンフィルターユニットＦＦＵ２は、基板５００が第一洗浄槽から第二洗浄槽に搬送される間、常に稼働している。そのため、ノズル１０８０の基板搬送方向上流側に設けられたファンフィルターユニットＦＦＵ１は、ノズル１０８０によって反応ガスが吹き付けられている基板５００に対し、搬送経路の鉛直方向上側から鉛直方向下側に向かう第二の気流ＦＬ２を作用させる第二の気流生成装置として機能する。ノズル１０８０の基板搬送方向下流側に設けられたファンフィルターユニットＦＦＵ２は、搬送経路の鉛直方向上側から鉛直方向下側に向かう第三の気流ＦＬ３を発生させる第三の気流生成装置として機能する。

例えば、図７（ａ）に示すように、基板５００の先端部がノズル１０８０の近傍まで到達すると、第一のバッファ槽１０２０は、基板５００によって、上下の空間に分断される。このとき、ファンフィルターユニットＦＦＵ１が外気を導入することによって、第一のバッファ槽１０２０の上側の空間は正圧となる。導入された外気は、基板５００によって遮断されるため、第一のバッファ槽１０２０の下側の空間は相対的に負圧となる。他方、第二のバッファ槽１０４０は、ファンフィルターユニットＦＦＵ２が外気を導入することによって、全空間が正圧となる。エッチング槽１０３０は、基板搬入口１０３１とノズル１０８０との間の空間が基板５００で区切られる。基板５００の下側の空間は、第一のバッファ槽１０２０の下側の空間と基板搬入口１０３１を介して繋がっているため、負圧になる。他方、ノズル１０８０と基板搬出口１０３２と間の空間は、第二のバッファ槽１０４０の全空間と基板搬出口１０３２を介して繋がっているため、正圧になる。この結果、エッチング槽１０３０内部に、基板搬出口１０３２から基板搬入口１０３１に向かう気流が生じる。

図７（ｃ）に示すように、基板５００の後端部がノズル１０８０の近傍まで搬送されると、第一のバッファ槽１０２０には、基板５００が存在しないため、ファンフィルターユニットＦＦＵ１が外気を導入することによって、第一のバッファ槽１０２０の全空間が正圧となる。他方、第二のバッファ槽１０４０は、基板５００によって、上下の空間に分断される。このとき、ファンフィルターユニットＦＦＵ２が外気を導入することによって、第二のバッファ槽１０４０の上側の空間は正圧となる。導入された外気は、基板５００によって遮断されるため、第二のバッファ槽１０４０の下側の空間は相対的に負圧となる。エッチング槽１０３０は、ノズル１０８０と基板搬出口１０３２との間の空間が、基板５００で区切られる。基板５００の下側の空間は、第二のバッファ槽１０４０の下側の空間と基板搬出口１０３２を介して繋がっているため、負圧になる。他方、ノズル１０８０と基板搬入口１０３１との間の空間は、第一のバッファ槽１０２０の全空間と基板搬入口１０３１を介して繋がっているため、正圧になる。この結果、エッチング槽１０３０内部に、基板搬入口１０３１から基板搬出口１０３２に向かう気流が生じる。

なお、図７（ｂ）に示すように、基板５００が基板搬入口１０３１から基板搬出口１０３２へ搬送される途中の段階では、第一のバッファ槽１０２０および第二のバッファ槽１０４０の空間を基板５００が分断するか否かに応じて、様々な気圧の分布が実現される。

以上説明したように、基板５００とノズル１０８０との相対位置に応じて、ノズル１０８０の前後で異なる圧力分布が生じる。基板搬入口１０３１および基板搬出口１０３２を通って、複数の基板５００が順次連続的に搬送されるため、ノズル１０８０の前後での圧力差は時間とともに変動する。このような圧力差は、第一のバッファ槽１０２０の基板搬入口１０２１からノズル１０８０までの基板搬送方向の長さが、基板５００の基板搬送方向の長さ以下である場合に大きくなる。

特に、図７（ａ）に示すように基板５００の先端部がノズル１０８０の近傍まで到達したときは、基板搬送方向下流側から基板搬送方向上流側に向かう気流が生じる。このとき、ノズル１０８０は、第一の面５１０の基板搬送方向下流側の第一の辺Ｅ１に沿う第一の縁部５１２（図３を参照）を粗面化している。ノズル１０８０から吹き出された反応ガスは、基板５００に吹き付けられた後、基板５００とともに基板搬送方向に流れる。しかし、ノズル１０８０の近傍に発生した基板搬送方向下流側から基板搬送方向上流側に向かう気流によって反応ガスの流れが乱され、ノズル１０８０の近傍に反応ガスが滞留する。これにより、第一の面５１０の中央部５１１の算術平均表面粗さが、少なくとも第一の面５１０の基板搬送方向下流側の第一の辺Ｅ１に沿う第一の縁部５１２の算術平均表面粗さよりも小さくなる。

また、図８に示すように、ノズル１０８０の上側を基板５００が通過するときは、反応ガスがノズル１０８０から第一の面５１０に吹き付けられる。基板５００とノズル１０８０との間の隙間１０８１における反応ガスは、図８の黒い矢印で示すように、第一の面５１０に沿って基板５００の側面の側へと流れようとする。

他方、ノズル１０８０の上側を基板５００が通過するときは、基板５００の第二の面５２０の側で相対的に正圧、第一の面５１０の側で相対的に負圧の状態が生ずる（図７（ａ）を参照）。このとき、基板搬送方向に垂直な面内でノズル１０８０の近傍の気体の流れをみると、図８の白い矢印で示すように、基板５００の両側面において、第二の面５２０の側から第一の面５１０の側に回り込む気流が発生している。

この気流は、基板５００の側面の側へと流れようとしていた反応ガスを押し戻す。その結果、反応ガスは基板５００の側面の付近で滞留する。これにより、第一の面５１０の中央部の算術平均表面粗さは、第一の５１０の基板搬送方向に平行な第三の辺Ｅ３に沿う第三の縁部５１４（図３参照）、および第四の辺Ｅ４に沿う第四の縁部５１５（図３参照）の算術平均表面粗さよりも小さくなる。

以上が、第二の気流発生機構である。以上説明したように、基板製造システム１０００においては、第二の気流発生機構によって、第一の面５１０の中央部の算術平均表面粗さが、第一の面５１０の基板搬送方向下流側の第一の辺Ｅ１に沿う第一の縁部５１２の算術平均表面粗さよりも小さくなる。また、第一の面５１０の中央部の算術平均表面粗さが、第一の面５１０の基板搬送方向に平行な第三の辺Ｅ３に沿う第三の縁部５１４、および第四の辺Ｅ４に沿う第四の縁部５１５の算術平均表面粗さよりも小さくなる。そのため、例えば、図１４に示したように、ステージ２００に基板５００を吸着させると、基板５００の中央部５１１において吸着力が大きくなり、少なくとも基板５００の第一の縁部５１２、第三の縁部５１４、第四の縁部５１５において吸着力が小さくなる。

第一の気流発生機構と第二の気流発生機構との相乗効果により、基板製造システム１０００においては、第一の面５１０の中央部の算術平均表面粗さは、第一の面５１０の四つの辺Ｅ１ないしＥ４にそれぞれ沿う四つの縁部５１２ないし５１５の算術平均表面粗さのいずれよりも小さくなる。よって、基板５００の四つの縁部のどこから基板５００を剥離しても、基板５００の剥離を容易に行うことができる。また、四つの縁部から同時に基板５００を剥離し始めることもできる。この場合、剥離作業を短時間で効率的に行うことができる。

以上のように、本実施形態の基板製造システム１０００では、ファンフィルターユニットＦＦＵ１、ファンフィルターユニットＦＦＵ２および高圧シャワー１０５１が、基板５００とノズル１０８０との間の気流を制御する気流制御手段として機能する。気流制御手段は、基板５００とノズル１０８０との相対位置に応じて向きが変化する気流をノズル１０８０と基板５００との間の隙間１０８１に向けて流入させる。気流制御手段によって生成された気流がノズル１０８０と基板５００との間の隙間１０８１に流入することにより、ノズル１０８１の近傍の反応ガスの流れが乱され、例えば、第一の面５１０の中央部５１１の算術平均表面粗さが、少なくとも第一の面５１０の一つの辺に沿う一つの縁部の算術平均表面粗さよりも小さくなる。そのため、基板製造システム１０００によって製造された基板５００をステージに吸着させると、基板５００の中央部５１１において吸着力が大きくなり、少なくとも基板５００の一つの縁部において吸着力が小さくなる。よって、例えば、吸着力が小さくなった一つの縁部から基板５００を剥離すれば、基板５００の剥離が容易になり、基板５００の割れなどが抑制される。

以上、基板製造システムの第一の実施の形態を説明したが、基板製造システムの構成は上記のものに限定されない。上記の基板製造システム１０００では、ノズル１０８０を基板５００の搬送経路の鉛直方向下側に配置し、基板５００の鉛直方向下側の面を粗面化する構成とした。しかし、ノズル１０８０を基板５００の搬送経路の鉛直方向上側に配置し、基板５００の鉛直方向上側の面を粗面化する構成としてもよい。この場合でも、少なくとも第一の気流発生機構によって、基板５００の縁部が基板５００の中央部５１１よりも粗度が大きくなるようにすることができる。また、ファンフィルターユニットＦＦＵ１およびファンフィルターユニットＦＦＵ２の代わりに、第一のバッファ槽１０２０と第二のバッファ槽１０４０に、それぞれ搬送経路の鉛直方向下側から鉛直方向上側に向かう気流を発生させる気流生成装置を設けることで、基板５００の縁部が基板５００の中央部５１１よりも粗度が大きくなるようにすることができる。

また、上記の基板製造システム１０００では、第一の気流発生機構と第二の気流発生機構とを用いて基板５００の粗面化処理を行っているが、第一の気流発生機構と第二の気流発生機構のいずれか一方のみを用いて基板５００を粗面化処理するものとしてもよい。

［基板製造システム−２］
以下、図９を用いて、本発明の第二の実施の形態に係る基板製造システム１１００について説明する。図９は、基板の搬送速度を制御しつつ粗面化処理を行う方法を示す側面図である。図９において、第一の実施の形態に係る基板製造システム１０００と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。図９の太い矢印の長さは、基板５００の搬送速度を表しており、矢印の長さが長いときは搬送速度が速いことを示している。

基板製造システム１１００は、搬送装置１０７０と、ノズル１０８０と、エッチング槽１０３０と、制御装置１１１０と、を含む。搬送装置１０７０、ノズル１０８０およびエッチング槽１０３０の構成は、第一の実施の形態に係る基板製造システム１０００と同じである。

基板５００の第一の面５１０における粗度は、基板５００の第一の面５１０が曝される反応ガスの濃度、および反応ガスに曝される累積時間の、２つの要因によって決まる。累積時間は主に、基板５００の搬送速度で決まる。反応ガスの濃度を変えない場合、基板５００の第一の面５１０における粗度は、基板５００の搬送速度が基板搬送方向に増大するにつれて減少する。

制御装置１１１０は、搬送装置１０７０によって搬送される基板５００の搬送速度を制御する。制御装置１１１０は、例えば、基板５００のノズル１０８０に対する相対位置の情報を取得する。制御装置１１１０は、例えば、取得した相対位置の情報に基づいて、適切な搬送速度を算出する。制御装置１１１０は、例えば、算出した搬送速度を、搬送装置１０７０が含む駆動制御機構に送信して、搬送速度を変化させる。

例えば、図９（ａ）に示すように、基板５００の先端部（例えば、第一の辺Ｅ１に沿う第一の縁部５１２。図３参照）がノズル１０８０で粗面化されるときは、搬送速度を遅くする。図９（ｂ）に示すように、基板５００の中央がノズル１０８０で粗面化されるときは、搬送速度を速くする。図９（ｃ）に示すように、基板５００の後端部（例えば、第二の辺Ｅ２に沿う第二の縁部５１３。図３参照）がノズル１０８０で粗面化されるときは、再び搬送速度を遅くする。以上により、第一の面５１０の中央部の算術平均表面粗さを、第一の面５１０の搬送装置１０７０による基板搬送方向と直交する第一の辺Ｅ１に沿う第一の縁部５１２の算術平均表面粗さ、および第二の辺Ｅ２に沿う第二の縁部５１３の算術平均表面粗さよりも小さくすることができる。

［基板製造システム−３］
以下、図１０を用いて、本発明の第三の実施の形態に係る基板製造システム１２００について説明する。図１０は、反応ガスの吹き出し量を制御しつつ粗面化処理を行う方法を示す側面図である。図１０において、第一の実施の形態に係る基板製造システム１０００と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。図１０の太い矢印の幅は、反応ガスの吹き出し量を表しており、矢印の幅が広いときは吹き出し量が多いことを示している。

基板製造システム１２００は、搬送装置１０７０と、ノズル１０８０と、エッチング槽１０３０と、制御装置１２１０と、を含む。搬送装置１０７０、ノズル１０８０およびエッチング槽１０３０の構成は、第一の実施の形態に係る基板製造システム１０００と同じである。

基板５００の第一の面５１０における粗度は、基板５００の第一の面５１０が曝される反応ガスの濃度、および反応ガスに曝される累積時間の、２つの要因によって決まる。累積時間は主に、基板５００の搬送速度で決まる。基板５００の搬送速度を変えない場合、基板５００の第一の面５１０における粗度は、反応ガスの濃度が高くなるにつれて増大する。

制御装置１２１０は、搬送装置１０７０によって搬送される基板５００の搬送速度を制御する。制御装置１２１０は、例えば、基板５００のノズル１０８０に対する相対位置の情報を取得する。制御装置１２１０は、例えば、取得した相対位置の情報に基づいて、適切な反応ガスの吹き出し量を算出する。制御装置は、例えば、算出した吹き出し量を、ノズル１０８０に接続された図示略の原料ガス供給装置に送信して、原料ガスの供給量を変化させる。

例えば、図１０（ａ）に示すように、基板５００の先端部（第一の辺Ｅ１に沿う第一の縁部５１２。図３参照）がノズル１０８０で粗面化されるときは、反応ガスの吹き出し量を多くする。図１０（ｂ）に示すように、基板５００の中央がノズル１０８０で粗面化されるときは、反応ガスの吹き出し量を少なくする。図１０（ｃ）に示すように、基板５００の後端部（第二の辺Ｅ２に沿う第二の縁部５１３。図３参照）がノズル１０８０で粗面化されるときは、再び反応ガスの吹き出し量を多くする。以上により、第一の面５１０の中央部の算術平均表面粗さを、第一の面５１０の搬送装置１０７０による基板搬送方向と直交する第一の辺Ｅ１に沿う第一の縁部５１２の算術平均表面粗さ、および第二の辺Ｅ２に沿う第二の縁部５１３の算術平均表面粗さよりも小さくすることができる。

本実施形態の基板製造システム１２００では、反応ガスの噴き出し量のみを制御して、基板５００の第一の面５１０に粗度の分布を形成した。しかし、この制御と併用して、第三の実施の形態に係る基板製造システム１１００のように基板５００の搬送速度を制御して基板５００の第一の面５１０に粗度の分布を形成することもできる。すなわち、制御装置１２１０は、基板５００とノズル１０８０との相対位置に応じて、ノズル１０８０から吹き出される反応ガスの吹き出し量と搬送装置１０７０によって搬送される基板５００の搬送速度とのうちの少なくとも一方を制御することにより、第一の面５１０の中央部の算術平均表面粗さが、少なくとも第一の面５１０の搬送装置１０７０による基板搬送方向と直交する一つの辺に沿う一つの縁部の算術平均表面粗さよりも小さくなるようにすることができる。

［基板製造システム−４］
以下、図１１を用いて、本発明の第四の実施の形態に係る基板製造システム１３００について説明する。図１１は、基板製造システム１３００の上視図である。図１１において、第一の実施の形態に係る基板製造システム１０００と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。

基板製造システム１３００は、第一粗面化処理部１３１０と、第二粗面化処理部１３２０と、回転装置１３３０と、を含む。

第一粗面化処理部１３１０は、第一のノズル（図示略）と、第一の搬送装置１３４０と、第一の制御装置（図示略）と、を含む。第二粗面化処理部１３２０は、第二のノズル（図示略）と、第二の搬送装置１３５０と、第二の制御装置（図示略）と、を含む。

第一粗面化処理部１３１０と第二粗面化処理部１３２０は、第三の実施の形態に係る基板製造システム１２００と同じ構成を有する。すなわち、第一のノズルおよび第二のノズルは、第一の実施の形態に係る基板製造システム１００のノズル１０８０と同じ構成を有する。第一の搬送装置１３４０と第二の搬送装置１３５０は、第一の実施の形態に係る基板製造システム１００の搬送装置１０７０と同じ構成を有する。第一の制御装置と第二の制御装置は、第三の実施の形態に係る基板製造システム１２００の制御装置１２１０と同じ構成を有する。

第一の搬送装置１３４０の搬送方向は、例えば、第二の搬送装置１３５０の搬送方向と同じ向きに設けられる。第一の搬送装置１３４０と第二の搬送装置１３５０との間には、回転装置１３３０が設けられる。回転装置１３３０は、例えば、基板５００の載置面内で任意の角度に回転可能な、ターンテーブルである。

基板５００は、例えば、第一の搬送装置１３４０により、例えば、第一の辺Ｅ１および第二の辺Ｅ２（図３を参照）が第一の搬送装置１３４０の基板搬送方向と直交するような配置５００ａで搬送される。そして、第一粗面化処理部１３１０において第一の面５１０が第一のノズルから吹き出す反応ガスによって粗面化された後、回転装置１３３０に搬送される。第一のノズル（第一粗面化処理部１３１０）の基板搬送方向下流側に設けられた回転装置１３３０は、第一のノズルが吹き出す反応ガスによって粗面化が行われた基板５００の向きを、例えば基板５００上側からみて反時計方向に角度９０度だけ回転させる。基板５００は、第二の搬送装置１３５０により、第三の辺Ｅ３および第四の辺Ｅ４（図３を参照）が第二の搬送装置１３５０の基板搬送方向と直交するような配置５００ｂで搬送される。

第一の制御装置は、第一のノズルから吹き出される反応ガスの吹き出し量と第一の搬送装置１３４０によって搬送される基板５００の搬送速度とのうちの少なくとも一方を制御する（図９、図１０を参照）。したがって、第一粗面化処理部１３１０は、第一の面５１０の中央部５１１の算術平均表面粗さを、第一の面５１０の第一の搬送装置１３４０による基板搬送方向と直交する第一の辺Ｅ１に沿う第一の縁部５１２の算術平均表面粗さ、および第二の辺Ｅ２に沿う第二の縁部５１３の算術平均表面粗さよりも小さくすることができる（図３を参照）。

第二の制御装置は、第二のノズルから吹き出される反応ガスの吹き出し量と第二の搬送装置１３５０によって搬送される基板５００の搬送速度とのうちの少なくとも一方を制御する（図９、図１０を参照）。したがって、第二粗面化処理部１３２０は、第一の面５１０の中央部５１１の算術平均表面粗さを、第一の面５１０の第二の搬送装置１３５０による基板搬送方向と直交する第三の辺Ｅ３に沿う第三の縁部５１４の算術平均表面粗さ、および第四の辺Ｅ４に沿う第四の縁部５１５の算術平均表面粗さよりも小さくすることができる（図３を参照）。

以上説明したように、基板製造システム１３００によれば、基板５００の中央部５１１において粗度を小さくし、基板５００の四つの縁部５１２ないし５１５において粗度を大きくすることができる（図３を参照）。そのため、ステージに基板５００を吸着させると、基板５００の中央部５１１において吸着力が大きくなり、基板５００の四つの縁部５１２ないし５１５において吸着力が小さくなる。よって、基板５００の四つの縁部５１２ないし５１５のどこから基板５００を剥離しても、基板５００の剥離を容易に行うことができる。また、四つの縁部５１２ないし５１５から同時に基板５００を剥離し始めることもできる。この場合、剥離作業を短時間で効率的に行うことができる。

［基板製造システム−５］
以下、図１２を用いて、本発明の第五の実施の形態に係る基板製造システム１４００について説明する。図１２は、基板製造システム１４００の側面図である。図１２において、第一の実施の形態に係る基板製造システム１０００と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。

基板製造システム１４００は、搬送装置１０７０と、ノズル１０８０と、エッチング槽１０３０と、を含む。搬送装置１０７０、ノズル１０８０およびエッチング槽１０３０の構成は、第一の実施の形態に係る基板製造システム１０００と同じである。

基板製造システム１４００では、搬送される基板５００の第一の面５１０にマスク材１４１０を設ける。マスク材１４１０は、例えば、フォトレジストと同様、スピンコート等の方法により有機薄膜を第一の面５１０に形成することにより設けられる。マスク材１４１０は、第一の面５１０の中央部５１１を覆い、かつ、第一の縁部５１２ないし第四の縁部５１５を覆わないような範囲（図３を参照）に形成する。

なお、ノズル１０８０におけるプラズマ処理の過程で、有機物であるマスク材１４１０は次第に除去されることがありうる。この場合でも、マスク材１４１０が形成された箇所では、そうでない箇所に比べて、より少ない量の反応ガスに曝されることに変わりはない。

基板５００の第一の面５１０の、搬送方向下流側の一辺を第一の辺Ｅ１、基板搬送方向上流側の一辺を第二の辺Ｅ２、基板搬送方向に平行な二辺を第三の辺Ｅ３および第四の辺Ｅ４とする（図３を参照）。第一の辺Ｅ１に沿う第一の縁部５１２は、マスク材１４１０で覆われていない。このため、図１２（ａ）に示すように、基板５００の基板搬送方向下流側がノズル１０８０を通過するときは、第一の縁部５１２はノズル１０８０から吹き出す量の反応ガスに曝されて粗面化される。

中央部５１１はマスク材１４１０で覆われている。他方、第三の辺Ｅ３に沿う第三の縁部５１４、第四の辺Ｅ４に沿う第四の縁部５１５は、マスク材１４１０で覆われていない。このため、図１２（ｂ）に示すように、基板５００の中間の領域がノズル１０８０を通過するときは、第三の縁部５１４および第四の縁部５１５はノズル１０８０から吹き出す量の反応ガスに曝されて粗面化される。他方、中央部５１１は、ノズル１０８０から吹き出す量よりも少ない量の反応ガスに曝されて粗面化される。

第二の辺Ｅ２に沿う第二の縁部５１３は、マスク材１４１０で覆われていない。このため、図１２（ｃ）に示すように、基板５００の基板搬送方向上流側がノズル１０８０を通過するときは、第二の縁部縁部５１３はノズル１０８０から吹き出す量の反応ガスに曝されて粗面化される。

基板５００がエッチング槽１０３０から搬出され終わった後、基板５００上に形成されたマスク材１４１０を除去する。除去は、例えば基板５００を有機溶剤に浸してマスク材１４１０を溶解させるといった方法で行える。

以上より、基板製造システム１４００に、マスク材１４１０を形成した基板５００を搬送すると、基板５００の第一の面５１０の中央部５１１が実際に曝される反応ガスの量は、第一の縁部５１２ないし第四の縁部５１５が曝される反応ガスの量に比べて少なくなる。その結果、基板５００の中央部５１１において粗度が小さくなり、基板５００の四つの縁部５１２ないし５１５において粗度が大きくなる。

［基板製造システム−６］
以下、図１３を用いて、本発明の第六の実施の形態に係る基板製造システム１５００について説明する。図１３は、ノズル１０８０のガス吹き出し口１０８１ａ上に、マスク材２０００を挿入可能な基板製造システム１５００の、ノズル１０８０近傍の上視図および側面図である。図１３において、第一の実施の形態に係る基板製造システム１０００と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。

基板製造システム１５００は、ノズル１０８０を含む。図１３（ａ）、（ｃ）、（ｅ）は、ノズル１０８０の上を基板５００が通過している状態の上視図であり、図１３（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は図１３（ａ）、（ｃ）、（ｅ）に対応する側面図である。図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、基板５００の基板搬送方向下流側がノズル１０８０を通過する状態である。図１３（ｃ）および図１３（ｄ）は、基板５００の中間の領域がノズル１０８０を通過する状態である。図１３（ｅ）および図１３（ｆ）は、基板５００の基板搬送方向上流側がノズル１０８０を通過する状態である。

図１３（ａ）、（ｃ）、（ｅ）に示すように、ノズル１０８０は、基板５００の幅（基板搬送方向と直交する水平方向の長さ）方向に伸びるスリット状のガス吹き出し口１０８１ａを有する。ガス吹き出し口１０８１ａの幅は、基板５００の第一の面５１０の幅方向全域にわたって反応ガスが及ぶように、基板５００の幅よりも若干長く設定される。

基板製造システム１７００においては、図１３（ｃ）および図１３（ｄ）に示すように、マスク材１５１０が、ノズル１０８０と第一の面５１０との間に設けられる。マスク材１５１０は、板状の部材である。マスク材１５１０は、ノズル１０８０と第一の面５１０との隙間１０８１の距離よりも短い厚さを有する。マスク材１５１０は、第一の面５１０の中央部５１１が曝される反応ガスの量を減らすために、隙間１０８１に挿入される。基板５００の基板搬送方向に平行な二つの縁部が反応ガスに曝されるように、マスク材１５１０の幅は基板５００の幅よりも短い。第一の面５１０の中央部５１１も弱く粗面化されるようにするために、マスク材１５１０には、例えば網目状に複数の小孔を設けてもよい。マスク材１５１０の表面は、反応ガスに耐性を有する材料で形成される。

基板５００の第一の面５１０の、基板搬送方向下流側の一辺を第一のＥ１、基板搬送方向上流側の一辺を第二の辺Ｅ２、基板搬送方向に平行な二辺を第三の辺Ｅ３および第四の辺Ｅ４とする（図３を参照）。図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、基板５００の基板搬送方向下流側がノズル１０８０を通過するときは、マスク材１５１０を隙間１０８１に挿入しない。これにより、第一の辺Ｅ１に沿う第一の縁部５１２（図３を参照）は、ノズル１０８０から吹き出す量の反応ガスに曝されて粗面化される。

図１３（ｃ）および図１３（ｄ）に示すように、基板５００の中間の領域がノズル１０８０を通過するとき、すなわち、第一の辺Ｅ１に沿う第一の縁部５１２（図３を参照）がノズル１０８０を通過し終わって後、かつ、第二の辺Ｅ２に沿う第二の縁部５１３（図３を参照）がノズル１０８０を通過する前は、マスク材１５１０を隙間１０８１に挿入する。マスク材１５１０の挿入は、例えば水平方向に稼働可能なロボットアームにより行う。マスク材１５１０は、中央部５１１（図３を参照）を反応ガスから保護する。他方、第三の縁部５１４および第四の縁部５１５（図３を参照）は、マスク材１５１０で保護されない。このため、第三の縁部５１４および第四の縁部５１５はノズル１０８０から吹き出す量の反応ガスに曝されて粗面化される。他方、中央部５１１は、ノズル１０８０から吹き出す量よりも少ない量の反応ガスに曝されて粗面化される。

図１３（ｅ）および図１３（ｆ）に示すように、基板５００の基板搬送方向上流側がノズル１０８０を通過するときは、マスク材１５１０を隙間１０８１に挿入しない。これにより、第二の辺Ｅ２に沿う第二の縁部５１３（図３を参照）は、ノズル１０８０から吹き出す量の反応ガスに曝されて粗面化される。

以上より、基板製造システム１５００において、基板５００の第一の面５１０の中央部５１１が実際に曝される反応ガスの量は、第一の縁部５１２ないし第四の縁部５１５が曝される反応ガスの量に比べて少なくなる。その結果、基板５００の中央部５１１において粗度が小さくなり、基板５００の四つの縁部５１２ないし５１５において粗度が大きくなる。

以下、表１を用いて、本発明の実施例について説明する。表１は、本発明の実施例に係る基板製造システム（図５を参照）を用いて粗面化された基板における算術平均表面粗さＲａの面内分布を、原子間力顕微鏡で測定した結果を示す。基板の作成条件は、以下のとおりである。エッチング槽サイズ：８５０ｍｍ、基板：無アルカリガラス（製品名：ＡＮ１００、旭硝子社製）、基板サイズ：幅２８８０ｍｍ×基板搬送方向長さ３１３０ｍｍ、基板搬送速度：１０ｍ／ｍｉｎ、反応ガスの組成：ＣＦ_４、Ｎ_２、水蒸気、ノズル部の反応ガス吐出流速：０．０７ｍ／ｓｅｃ。

測定点は、基板の幅方向に３行、基板搬送方向に３列の、合計９点である。測定点の列は、基板の幅方向に沿って、最左端から５００ｍｍ、中央部、最右端から５００ｍｍの位置に、順に並んでいる（以下、「第１列」、「第２列」、「第３列」という。）。測定点の行は、基板搬送方向に沿って、最前端から５００ｍｍ、中央部、最後端から５００ｍｍの位置に、順に並んでいる（以下、「第１行」、「第２行」、「第３行」という。）。

測定は、以下の方法で行った。まず、粗面化された基板から各測定点を含む幅５ｍｍ×長さ５ｍｍの試料を切り出した。次に、各試料の粗面化された表面の形状を、原子間力顕微鏡（製品名：ＳＰＩ−３８００Ｎ、セイコーインスツル社製）を用いて測定した。測定は、スキャンエリア５μｍ×５μｍに対し、ダイナミック・フォース・モードを用いて（カンチレバー：ＳＩ−ＤＦ４０Ｐ２）、スキャンレート１Ｈｚで行った（エリア内データ数：２５６×２５６）。この観察に基づき、各測定点での平均表面粗さＲａを算出した。

表１では、各測定点での算術平均表面粗さＲａ（単位：ｎｍ）を、行列形式で示している。表１の各列は、左から順に、測定点の第１列、第２列、第３列に対応する。表１の各行は、上から順に、測定点の第１行、第２行、第３行に対応する。

表１に示すように、第２行第２列での算術平均表面粗さＲａは、その他の値に比べて低かった。このことは、粗面化された面の中央部の算術平均表面粗さが、四つの辺にそれぞれ沿う四つの縁部の算術平均表面粗さのいずれよりも小さいことを示唆している。本実施例で示されるとおり、本発明によって、ステージに基板を吸着させたとき、基板の中央部において吸着力を大きくし、基板の四つの縁部において吸着力を小さくすることができる。その結果、基板の四つの縁部のどこから基板を剥離しても、基板の剥離を容易に行うことができる。また、四つの縁部から同時に基板を剥離し始めることもできる。この場合、剥離作業を短時間で効率的に行うことができる。

５００…基板、５１０…第一の面、５２０…第二の面、５１１…中央部、Ｅ１…第一の辺、Ｅ２…第二の辺、Ｅ３…第三の辺、Ｅ４…第四の辺、５１２…第一の縁部、５１３…第二の縁部、５１４…第三の縁部、５１５…第四の縁部、１０００…基板製造システム、１０７０…搬送装置、１０８０…ノズル、１０５１…高圧シャワー（第一の気流生成装置）、ＦＦＵ１…ファンフィルターユニット（第二の気流生成装置）、ＦＦＵ２…ファンフィルターユニット（第三の気流生成装置）、１０３０…エッチング槽、１０２０…第一のバッファ槽、１０４０…第二のバッファ槽、１３３０…回転装置、１５１０…マスク材、２００…ステージ、３００…剥離手段、４００…剥離装置、３１０ａ、３１０ｂ…吸着部材、３２０ａ、３２０ｂ…リフトピン

Claims (11)

1. 第一の面と、前記第一の面と反対側の第二の面とを有する基板であって、
   前記第一の面の中央部の算術平均表面粗さが、少なくとも前記第一の面の一つの辺に沿う一つの縁部の算術平均表面粗さよりも小さい
   基板。
2. 前記第一の面の前記中央部の算術平均表面粗さが、前記第一の面の四つの辺にそれぞれ沿う四つの縁部の算術平均表面粗さのいずれよりも小さい
   請求項１に記載の基板。
3. 前記第一の面は、吸着ステージに接する側となる面であり、
   前記第二の面は、電子部材が形成される面である
   請求項１または２に記載の基板。
4. 基板を搬送する搬送装置と、
   前記搬送装置によって搬送される前記基板の第一の面に反応ガスを吹き付けて前記第一の面を粗面化するノズルと、
   前記基板と前記ノズルとの相対位置に応じて向きが変化する気流を前記ノズルと前記基板との間の隙間に向けて流入させる気流制御手段と、
   を含む基板製造システム。
5. 前記気流制御手段は、第一の気流生成装置を含み、
   前記第一の気流生成装置は、前記ノズルの基板搬送方向下流側に設けられ、前記ノズルによって反応ガスが吹き付けられている前記基板の前記第一の面に第一の気流を作用させる
   請求項４に記載の基板製造システム。
6. 前記気流制御手段は、第二の気流生成装置と、第三の気流生成装置と、を含み、
   前記第二の気流生成装置は、前記ノズルの基板搬送方向上流側に設けられ、前記ノズルによって前記反応ガスが吹き付けられている前記基板の前記第一の面と反対側の第二の面に第二の気流を作用させ、
   前記第三の気流生成装置は、前記ノズルの基板搬送方向下流側で且つ前記第一の気流生成装置の基板搬送方向上流側に設けられ、前記第二の気流と同じ向きの第三の気流を発生させる
   請求項５に記載の基板製造システム。
7. 前記気流制御手段は、第二の気流生成装置と、第三の気流生成装置と、を含み、
   前記第二の気流生成装置は、前記ノズルの基板搬送方向上流側に設けられ、前記ノズルによって前記反応ガスが吹き付けられている前記基板の前記第一の面と反対側の第二の面に第二の気流を作用させ、
   前記第三の気流生成装置は、前記ノズルの基板搬送方向下流側に設けられ、前記基板の搬送経路を挟んで前記搬送経路の一方側から他方側に向かう第三の気流を発生させる
   請求項４に記載の基板製造システム。
8. 前記ノズルが内部に設けられたエッチング槽と、
   前記エッチング槽の基板搬送方向上流側に接続され、前記第二の気流生成装置によって内部に前記第二の気流が生成される第一のバッファ槽と、
   前記エッチング槽の基板搬送方向下流側に接続され、前記第三の気流生成装置によって内部に前記第三の気流が生成される第二のバッファ槽と、
   を含み、
   前記エッチング槽、前記第一のバッファ槽および前記第二のバッファ槽の各々は、前記搬送装置によって前記基板が搬入される基板搬入口と、前記搬送装置によって前記基板が搬出される基板搬出口と、を含み、
   前記第一のバッファ槽の前記基板搬入口から前記ノズルまでの基板搬送方向の長さは、前記基板の基板搬送方向の長さ以下である
   請求項６または７に記載の基板製造システム。
9. ステージに吸着された板状体を前記ステージから剥離する剥離手段を含み、
   前記板状体は、前記ステージに吸着された第一の面の中央部の算術平均表面粗さが、少なくとも前記第一の面の一つの辺に沿う一つの縁部の算術平均表面粗さよりも小さく、
   前記剥離手段は、前記ステージと前記一つの縁部とが重畳する重畳部分から前記板状体を剥離し始める
   剥離装置。
10. 請求項４ないし８のいずれか１項に記載の基板製造システムを用いて、前記基板の前記第一の面に粗面化処理を施す基板製造方法であって、
    前記搬送装置によって前記基板を搬送する搬送ステップと、
    前記搬送装置によって搬送される前記基板の前記第一の面に前記ノズルから反応ガスを吹き付けて前記第一の面を粗面化する粗面化ステップと、
    前記基板と前記ノズルとの相対位置に応じて向きが変化する気流を前記ノズルと前記基板との間の隙間に向けて流入させる気流制御ステップと、
    を含む基板製造方法。
11. ステージに吸着された板状体を前記ステージから剥離する剥離ステップを含み、
    前記板状体は、前記ステージに吸着された第一の面の中央部の算術平均表面粗さが、少なくとも前記第一の面の一つの辺に沿う一つの縁部の算術平均表面粗さよりも小さく、
    前記剥離ステップでは、前記ステージと前記一つの縁部とが重畳する重畳部分から前記板状体を剥離し始める
    剥離方法。

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