JP2009129998A - 表面処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表面処理におけるローディング効果を防止する表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１の第１ノズル部３０に、反応性ガスを噴出する第１噴出口３１と、ガスを吸引する第１吸引口３２とを左右（第１方向）に離して形成する。移動手段２０によって被処理物Ｗを第１ノズル部３０に対し第１方向に相対移動させる。被処理物Ｗの相対移動される位置を挟んで第１ノズル部３０と上下（第２方向）に対向するように、第２ノズル部４０を配置する。第２ノズル部４０には、第１ノズル部３０と第２ノズル部４０との間のガスを吸引する第２吸引口４２を形成し、この第２吸引口４２を第１噴出口３１と第２方向に対向させる。
【選択図】図１

Description

この発明は、反応性ガスを被処理物に噴き付け、成膜やエッチング等の表面処理を行う装置に関する。

この種の表面処理装置では、テーブル等の支持部に載せた被処理物にノズルから反応性ガスを噴き付けて処理するようになっている。ノズルと支持部は相対移動（スキャン）され、被処理物の全体を処理できるようになっている。
特開平９−９２４９３号公報 特開２００２−１５１４９４号公報

例えば、図１２に示すように、プレート状ステージＳにガラス基板等の被処理物Ｗを置いて処理する場合を考える。ノズルＮの直下にステージＳの端部が移動して来ると、ノズルＮから噴出された反応性ガスＦがノズルＮとステージＳの端部との間に未反応の濃い状態で溜まる（図１２（ａ））。そこにガラス基板Ｗの端部が入って来、未反応高濃度の反応性ガスＦで処理される（図１２（ｂ））。ガラス基板Ｗが更に移動して、ガラス基板Ｗの中央部がノズルＮと対向するときは、反応性ガスＦの下流側では既にいくらか反応が進み濃度の低下した反応性ガスＦで処理される（図１２（ｃ））。したがって、ガラス基板Ｗの端部と中程の部分とでは、処理される量が異なってしまう。これをローディング効果と言う。
本発明は、上記の事情に鑑み、ローディング効果を防止して処理の均一性を高めることを目的とする。

本発明は、上記事情鑑みて提案されたものであり、反応性ガスを被処理物に噴き付けて表面処理する装置であって、
前記反応性ガスを噴出する第１噴出口と吸引する第１吸引口が第１方向に離れて形成された第１ノズル部と、
前記被処理物を前記第１ノズル部に対し前記第１方向に相対移動させる移動手段と、
前記被処理物の相対移動される位置を挟んで前記第１ノズル部と前記第１方向と直交する第２方向に対向するように配置された第２ノズル部と、
を備えている。
前記第２ノズル部には、前記第１ノズル部と第２ノズル部との間のガスを吸引する第２吸引口が形成されていることが好ましい。この第２吸引口が前記第１噴出口と前記第２方向に対向していることが好ましい。
これによって、被処理物が第１ノズル部と対向する位置にないときは、第１噴出口からの反応性ガスを第２吸引口に吸い込んで排出することができる。したがって、未反応高濃度の反応性ガスが第１ノズル部の近くに溜まるのを防止でき、被処理物の端部が第１ノズル部と対向する位置に来たとき過剰に処理されるのを防止できる。すなわち、ローディング効果を防止することができる。この結果、処理の均一性を高めることができる。

前記第２吸引口は前記第１噴出口より大きいことが好ましい。前記第２方向から見て、前記第２吸引口が前記第１噴出口を囲み、前記第２吸引口の内側に前記第１噴出口が位置していることが好ましい。これによって、第１噴出口から噴き出された反応性ガスを第２吸引口に確実に吸引でき、反応性ガスが周囲に滞留したり拡散したりするのを確実に防止できる。
前記第１ノズル部には、前記第１噴出口と第１吸引口が前記第１方向に１つ又は複数ずつ交互に設けられていてもよい。
前記第２ノズル部には、前記第２吸引口が前記第１噴出口ごとに複数設けられていてもよい。

前記第２ノズル部には、第２吸引口に代えて、又は第２吸引口に加えて、前記反応性ガスを希釈する希釈ガスを前記第１ノズルに向けて噴出する第２噴出口が形成されていてもよい。
これによって、被処理物が第１ノズル部と対向する位置にないとき、第１噴出口からの反応性ガスを希釈ガスで希釈して濃度を低下させることがでる。したがって、被処理物の端部が第１ノズル部と対向する位置に来たとき過剰に処理されるのを防止でき、ローディング効果を防止することができる。この結果、処理の均一性を高めることができる。
希釈された反応性ガスは、第１吸引口（第２ノズル部に第２吸引口に加えて第２噴出口を設けた場合は、第１吸引口及び第２吸引口）から適宜吸引して排出することができる。なお、第２ノズル部に第２吸引口に加えて第２噴出口を設ける場合の第２吸引口は、第１噴出口と第２方向に対向している必要はなく、第１噴出口からずれていてもよい。

前記第２噴出口が、前記第１吸引口と前記第２方向に対向しないようにずれていることが好ましい。
これによって、第２噴出口から噴出された希釈ガスがそのまま第１吸引口に吸い込まれるのを回避でき、第１噴出口からの反応性ガスと確実に混合するようにでき、反応性ガスを確実に希釈することができる。

前記第１ノズル部と前記第２ノズル部の第１方向及び第２方向と直交する第３方向の端部どうし間を塞ぐように壁を設けることが好ましい。
これによって、前記第３方向の端部から反応性ガスが拡散するのを防止でき、被処理物の第３方向の端部についても処理が不均一になるのを防止することができる。
前記被処理物が前記第１ノズルと第２ノズル部との間に位置しているとき、前記壁と被処理物との間の間隔は被処理物が相対移動可能なクリアランスが形成される程度であることが好ましい。

本発明によれば、表面処理におけるローディング効果を防止することができる。

以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図１は、液晶パネル製造ラインにおけるアイランドエッチング工程に用いられる表面処理装置１を示したものである。被処理物Ｗは、液晶パネル用の無アルカリガラス基板である。図２に示すように、ガラス基板Ｗは、四角形状をなしている。ガラス基板Ｗの長手方向（図２の左右方向）の寸法は、例えば１３００ｍｍであり、短手方向（図２において上下方向）の寸法は、例えば１１００ｍｍである。ガラス基板Ｗの表面（上面）には、アモルファスシリコンの層（図示省略）がＣＶＤによって形成されている。このアモルファスシリコン層を表面処置装置にてエッチングする。

図１に示すように、表面処理装置１は、処理ハウジング１０と、移動手段２０を備えている。
図１〜図３に示すように、処理ハウジング１０は、上側の天板１１と、下側の底板１２と、前後（図１の紙面手前と紙面奥）の壁１３とを有し、長手方向を左右（第１方向）に向けた直方体の箱形状になっている。処理ハウジング１０の左右の端部は開放されている。
処理ハウジング１０の左右の長さは、例えば６００ｍｍになっている。
壁１３の高さ（天板１１と底板１２の間の距離）は、例えば２０ｍｍ程度になっている。
前後（第３方向）の壁１３どうし間の距離は、ガラス基板Ｗの短手方向の寸法より僅かに大きい。

図１及び図２に示すように、処理ハウジング１０の内部には、被処理物Ｗの支持部兼移動手段としてローラコンベア２０が収容されている。ローラコンベア２０は、軸線を前後（図１において紙面直交方向）に向けて左右に間隔を置いて並べられた複数のローラ軸２１を備えている。各ローラ軸２１の両端部が、壁１３に設けた軸受（図示せず）に回転可能に支持されている。壁１３は、ローラコンベア２０のフレームとしても機能している。各ローラ軸２１にローラ２３が設けられている。ローラ２３の厚さは、例えば１０ｍｍ程度である。

ガラス基板Ｗが長手方向を左右に向け、短手方向を前後に向けてローラ２３上に載せられ、例えば右から左方向へ搬送されるようになっている。このとき、図３に示すように、ガラス基板Ｗと壁１３との間には、ガラス基板Ｗが移動可能な僅かなクリアランスが形成される。天板１１とガラス基板Ｗとの間の距離は、例えば１０ｍｍ程度になるように設定されている。

図１に示すように、処理ハウジング１０の天板１１には、第１ノズル部３０が設けられている。第１ノズル部３０の下側部分が天板１１より下に突出して処理ハウジング１０の内部に臨み、ローラコンベア２０の中間部と上下に対向している。この第１ノズル部３０の下方をガラス基板Ｗが通過するようになっている。第１ノズル部３０の底面と、その下方を通過するガラス基板Ｗとの間の距離（ワークディスタンス）は、例えば２ｍｍ程度になるよう設定されている。

図３に示すように、第１ノズル部３０の前後の縁は壁１３に達している。図４に示すように、第１ノズル部３０の底面には、３つ（複数）の第１噴出口３１と、６つ（複数）の第１吸引口３２とが形成されている。これら第１噴出口３１と第１吸引口３２は、それぞれ前後方向（図４において上下）にスリット状に延び、互いに左右に間隔を置いて１つ又は複数ずつ交互に並んでいる。ここでは、１つの第１噴出口３１とその両側の２つの第１吸引口３２とからなる組みが、左右に３つ（複数）並んでいる。第１噴出口３１及び第１吸引口３２の前後方向の長さは、ガラス基板Ｗの短手方向の寸法と略同じかそれより若干大きく、その前後の両端部が、壁１３にほとんど達している。
第１噴出口３１は、ローラ軸２１及びローラ２３の真上を避けて配置されている。

図１に示すように、各第１噴出口３１には、反応性ガス供給路２ａを介して反応性ガス供給源２が接続されている。反応性ガス供給源２は、処理目的に応じた反応性成分を含む反応性ガスを生成して、反応性ガス供給路２ａを介して第１ノズル部３０へ送出するようになっている。図示は省略するが、第１ノズル部３０の上側部には、反応性ガス供給路２ａからの反応性ガスをノズルヘッドの前後方向（図１の紙面直交方向）に均一化する整流部が設けられており、反応性ガスが第１噴出口３１の長手方向に均一に導入され、下方へ噴出されるようになっている。

反応性ガスとして、例えば、アモルファスシリコンのエッチングにおいては、オゾン等の酸素系反応成分とフッ酸蒸気等のフッ素系反応成分を含むガスが用いられる。オゾンは、酸素（Ｏ_２）を用いてオゾナイザーにて生成できる。フッ酸蒸気は、ＣＦ_４等のフッ素含有物に水（Ｈ_２Ｏ）を添加し、プラズマ生成装置にてプラズマ化することにより生成することができる。上記オゾナイザーに代えて、プラズマ生成装置にて酸素原料からオゾンや酸素ラジカル等の酸素系反応成分を生成することにしてもよい。１つのプラズマ生成装置にてフッ酸蒸気と酸素系反応成分とを生成することにしてもよい。プラズマ生成装置は、少なくとも一対の電極を有し、これら電極間でプラズマを生成し、原料ガスをプラズマ化して反応成分を生成する。プラズマは大気圧近傍下で生成するのが好ましい。ここで、大気圧近傍とは、１．０１３×１０⁴〜５０．６６３×１０⁴Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａが好ましく、９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａがより好ましい。

各第１吸引口３２は、第１吸引排気路３ａを介して第１吸引排気手段３に接続されている。第１吸引排気手段３は、流量制御弁や吸引ポンプや無毒化設備等を含む。

図１に示すように、処理ハウジング１０の底板１２には、第２ノズル部４０が設けられている。第２ノズル部４０は、底板１２の下面に固定された吸引チャンバ４１と、この吸引チャンバ４１の上面に突設された３つ（複数）の吸引ノズル４２とを有している。吸引チャンバ４１は、平面視投影視で第１ノズル部３０とほぼ重なり、その前後の縁は壁１３に達している。図３に示すように、第１ノズル部３０と吸引チャンバ４１の前側の端部どうし間は、前側（図３において右側）の壁１３によって塞がれている。第１ノズル部３０と吸引チャンバ４１の後側の端部どうし間は、後側（図３において左側）の壁１３によって塞がれている。吸引チャンバ４１は、第２吸引排気路４ａを介して第２吸引排気手段４に接続されている。第２吸引排気手段４は、流量制御弁や吸引ポンプや無毒化設備等を含む。第１吸引排気手段３を第２吸引排気手段４として兼用することにしてもよい。

図１に示すように、吸引ノズル４２は、底板１２を厚さ方向に貫通して処理ハウジング１０の内部に突出されるとともに、ローラ軸２１及びローラ２３を避けて、左右に隣り合うローラ軸２１及びローラ２３の間に差し入れられている。３つの吸引ノズル４２は、互いに左右に離れて配置されている。図２に示すように、各吸引ノズル４２は、前後方向（第３方向）に長く延びている。この吸引ノズル４２の前後方向の長さは、ガラス基板Ｗの短手方向の長さとほぼ同じかそれより若干大きく、その前後の端部が、壁１３にほとんど達している。

図５に示すように、各吸引ノズル４２のノズル孔４２ａが第２吸引口を構成している。各ノズル孔４２ａの上端が開口し、第１噴出口３１と一対一に上下（第２方向）に対向している。すなわち、図１に示すように、左側の吸引ノズル４２は、左側の第１噴出口３１の直下に配置されている。中央の吸引ノズル４２は、中央の第１噴出口３１の直下に配置されている。右側の吸引ノズル４２は、右側の第１噴出口３１の直下に配置されている。上下に対向する第１噴出口３１の下端と吸引ノズル４２の上端との間の距離は、例えば８ｍｍ程度になっている。ガラス基板Ｗが第２ノズル部４０の上に位置するときのガラス基板Ｗの下面と吸引ノズル４２の上端との間の距離は、例えば１ｍｍ程度になっている。

ノズル孔４２ａの幅（左右方向の寸法）は、第１噴出口３１の幅（左右方向の寸法）より大きい。例えば、第１噴出口３１の幅が０．５ｍｍ程度であるのに対し、ノズル孔４２ａの幅は５ｍｍ程度になっている。したがって、平面投影視で（第２方向から見て）、ノズル孔４２ａが第１噴出口３１を囲み、ノズル孔４２ａの内側に第１噴出口３１が配置されている。

上記構成の表面処理装置１によりガラス基板Ｗを表面処理する方法を説明する。
処理すべきガラス基板Ｗを、長手方向を左右に向け、短手方向を前後に向けて、処理ハウジング１０の右端の開口から処理ハウジング１０の内部に差し入れ、ローラコンベア２０に載せて左方向へ移動させる。
併行して、反応性ガス供給源２の反応性ガスを、反応性ガス供給路２ａを介して第１ノズル部３０に導入し、図示しない整流部で前後方向に均一化したうえで第１噴出口３１から下方へ噴出する。また、第１吸引排気手段３を駆動し、第１吸引口３２からガス吸引を行なう。さらに、第２吸引排気手段４を駆動し、吸引ノズル４２からガス吸引を行なう。

図５に示すように、ガラス基板Ｗが各第１噴出口３１の真下に達しないうちは、その第１噴出口３１から噴出された反応性ガスＦは、まっすぐ下方へ流れ、吸引ノズル４２に吸い込まれる。したがって、反応性ガスＦが処理ハウジング１０内に拡散するのを防止でき、ひいては処理ハウジング１０の外部に漏洩し拡散するのを防止することができる。

図６に示すように、ガラス基板Ｗの左端部が第１噴出口３１の真下に達すると、その第１噴出口３１から噴出された反応性ガスＦの一部は、第１ノズル部３０とガラス基板Ｗとの間に形成された空間１ａ内を右方へ流れ、残部は、ガラス基板Ｗの外縁を回り込んで吸引ノズル４２に吸込まれたり、直近左側の第１吸引口３２に吸込まれたりする。このとき、右方へ流れる反応性ガスＦＲ中の反応成分がガラス基板Ｗの上面のアモルファスシリコン層と接触してエッチング反応が起き、アモルファスシリコン層がエッチングされていく。エッチング反応に伴なって反応性ガスＦＲ中の反応成分が消費されていく。したがって、空間１ａ内の反応性ガスＦＲの反応成分濃度は、下流側ほど低くなる。そして、反応性ガスＦＲは、上記第１噴出口３１の直近右側の第１吸引口３２の直下に達したとき、該第１吸引口３２に吸引され、排出される。
図７に示すように、ガラス基板Ｗの進行に伴ない、やがて上記左方へ流れる反応性ガスＦＬもガラス基板Ｗの上面に接触し、エッチング反応に寄与する。この左方への流れＦＬにおいても下流側ほど反応成分の濃度が低くなる。

図８に示すように、ガラス基板Ｗの中央部が第１ノズルの下方に位置するようになると、各第１噴出口３１から噴出された反応性ガスＦは、空間１ａで左右２つの流れＦＬ，ＦＲに分かれ、エッチング反応を起こすことにより反応成分の濃度を漸次低下させながら、直近左右の第１吸引口３２に吸引される。
したがって、ガラス基板Ｗの左右の端部における処理量と中央部における処理量とが、略同じになる。これによって、ローディング効果の発生を防止することができる。
また、ガラス基板Ｗの前後の端部は、僅かなクリアランスを介して壁１３と対面しているため、これら前後の端部の処理量についても中央部と同程度になるようにすることができる。
これによって、ガラス基板Ｗの全体を均一に処理することができる。

次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を適宜省略する。
図９及び図１０は、本発明の第２実施形態を示したものである。この実施形態では、移動手段として浮上エアステージ５０が用いられている。この浮上エアステージ５０が、処理ハウジング１０の底板を兼ねている。浮上エアステージ５０の前後（図９において紙面手前及び奥）の縁に壁１３が設けられ、その上に天板１１が被せられている。

図１０に示すように、浮上エアステージ５０における第１ノズル部３０の直下を除く部分には、左右に直線状に延びるエア噴出部５１が前後に複数列（例えば５つ）設けられている。
エア噴出部５１の幅は、例えば１２０ｍｍであり、エア噴出部５１の前後方向のピッチは、例えば２９５ｍｍである。

図９に示すように、浮上エアステージ５０の底部には、浮上エア供給ポート５２が設けられている。処理ハウジング１０の外部のエア供給源５が、浮上エア供給路５ａを介して浮上エア供給ポート５２に接続されている。
エア供給源５は、加圧されたクリーンドライエア（ＣＤＡ）を浮上エア供給路５ａに圧送する。このクリーンドライエアが、浮上エア供給ポート５２から浮上エアステージ５０内のエア通路（図示せず）に導入され、エア噴出部５１の上面の多数の小孔５１ａ（図１０）から上方へ噴出されるようになっている。この噴出エアによってガラス基板Ｗが浮上される。エア噴出部５１は、エアが上方へ噴出するようになっていればよく、多数の小孔５１ａに代えて、エア噴出部５１を多孔質部材（例えばポーラスアルミナ、ポーラスカーボン、ポーラスアルミ等）で構成してもよい。

図９及び図１０に示すように、浮上エアステージ５０の隣り合うエア噴出部５１間の部分は、エア噴出部５１より少し下に引っ込んで凹部５３になっている。この凹部５３に推進コロ５４が設けられている。推進コロ５４は、エア噴出部５１の上面より僅かに突出するとともに、ガラス基板Ｗの長手方向寸法より少し短いピッチ（例えば１０００ｍｍピッチ）で左右に並べられている。この推進コロ５４の回転によって、ガラス基板Ｗを一方向（例えば右から左）へ搬送することができる。

浮上エアステージ５０における第１ノズル部３０の直下部分は、第２ノズル部５５になっている。第２ノズル部５５には、第２噴出口５６と第２吸引口５７が形成されている。これら第２噴出口５６及び第２吸引口５７は、前後方向に延びるスリット状をなし、左右に間隔を置いて交互に並べられている。第２噴出口５６及び第２吸引口５７の前後方向の長さは、ガラス基板Ｗの短手方向の寸法と略同じかそれより若干大きく、その前後の端部が、壁１３にほとんど達している。第２吸引口５７の幅（左右方向の寸法）は、第１噴出口３１及び第２噴出口５６の幅（左右方向の寸法）より大きい。
例えば、第１噴出口３１の幅が２ｍｍ程度であり、第２噴出口５６の幅が０．５ｍｍ程度であるのに対し、第２吸引口５７の幅は５ｍｍ程度になっている。

第２噴出口５６は、第１吸引口３２と上下に対向しないように第１吸引口３２の直下からずれて配置されている。希釈ガス供給源６から希釈ガス供給路６ａが延び、この希釈ガス供給路６ａが各第２噴出口５６に連なっている。希釈ガス供給源６は、希釈ガスを希釈ガス供給路６ａに圧送するようになっている。希釈ガスとしては、反応性を有しないガスが用いられており、例えば空気や窒素が用いられている。希釈ガスとして空気を用いる場合、エア供給源５を希釈ガス供給源６として兼用することにしてもよい。

第２吸引口５７は、第１噴出口３１の直下に配置されている。この第２吸引口５７に第２吸引排気路４ａを介して第２吸引排気手段４が接続されている。これにより、ガラス基板Ｗが第１ノズル部３０と第２ノズル部５５との間に入って来ていないとき、第１噴出口３１からの反応性ガスを第２吸引口５７によってまっすぐに吸引し排出することができる。更に、希釈ガスが第２噴出口５６から第１ノズル部３０に向けて噴出される。この希釈ガスが第１噴出口３１からの反応性ガスと混合して、反応性ガスを希釈し、反応成分の濃度を下げることができる。第２噴出口５６が第１吸引口３２の直下からずれているため、希釈ガスがそのまま第１吸引口３２に吸い込まれることはなく、反応性ガスの希釈を確実に行なうことができる。したがって、ガラス基板Ｗが入ってきた時、いきなり高濃度の反応性ガスと接触することがなく、ガラス基板Ｗの端部が過剰処理されるのを防止でき、ローディング効果を防止することができる。

ガラス基板Ｗが、第２ノズル部５５の上方に位置する時は、第２噴出口５６からの希釈ガスによってガラス基板Ｗの浮上状態を維持することができる。

図１１は、第２実施形態の変形例を示したものであり、第２吸引口５７が、第１噴出口３１の直下からずれて配置されている。この場合、第１ノズル部３０と第２ノズル部５５との間の反応性ガスの滞留量が第２実施形態より増えるが、第２噴出口５６からの希釈ガスによって反応性ガスを十分希釈することができる。したがって、ローディング効果を十分に防止することができる。

本発明は、上記実施形態に限定されるものでなく、当業者に自明の範囲で種々の改変をなすことができる。
例えば、上記実施形態に記載した寸法等の数値はあくまでも例示であって、これに何ら限定されるものではなく、適宜変更することができる。
被処理物Ｗは、液晶パネル等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用のガラス基板に限られず、シリコンウェーハ、樹脂フィルムなどであってもよい。
処理内容は、アモルファスシリコン層のエッチングに限られず、酸化膜や窒化膜等の他の成分のエッチングでもよく、エッチングに限られず、アモルファスシリコンや酸化膜や窒化膜の成膜などであってもよい。本発明は、ローディング効果が問題となるエッチングや成膜等の表面処理に特に適しているが、必ずしもこれらに限定されるものではなく、親水化処理、撥水化処理、その他の種々の表面処理に適用可能である。
処理ガスは、被処理物Ｗの組成や表面処理の内容に応じて適宜選択される。例えば、上記実施形態のオゾンやフッ酸蒸気をはじめ、ＨＦ、 ＣＯＦ_２、 Ｆ_２、 ＣＯ、 ＮＯ、酸素ラジカル、窒素ラジカル等が挙げられる。
被処理物Ｗの支持部は、被処理物Ｗを処理実行中支持するものであれば、その構造に特に限定はなく、被処理物Ｗや処理内容に応じて適宜選択される。例えば、ウェーハの支持部として吸着ハンドを用いてもよい。
ウェーハを吸着ハンドに支持固定した状態で、マニピュレータ（移動手段）によって吸着ハンドをウェーハごと移動させることにしてもよい。
第１実施形態の浮上エアステージ５０に代えて、被処理物Ｗを載置して固定するプレート型ステージを用いてもよく、このプレート型ステージが移動手段によって移動されるようになっていてもよい。この場合、プレート型ステージの移動方向（第１方向）の側部が、被処理物Ｗのからはみ出さないようになっていることが好ましい。これにより、被処理物Ｗが第１ノズル部３０と対向する位置にないとき、反応性ガスがそのまま下方へ流れるようにして滞留を防止でき、被処理物Ｗの第１方向の端部のローディング効果を防止することができる。プレート型ステージの第１方向の側部に限られず、これと直交する第３方向（前後方向）の側部についても、被処理物Ｗからはみ出さないようにするのがより好ましく、これにより、被処理物Ｗの第３方向の端部のローディング効果をも防止することができる。
プレート型ステージには、リフトアップ用のローラ２３に代えて複数のピンを設けてもよく、吸着固定用の吸着孔を設けてもよい。
移動機構は、被処理物Ｗを移動させるのに限られず、ノズル部を移動させるようになっていてもよく、ノズル部と被処理物Ｗの両方を移動させるようになっていてもよい。
第１実施形態において、第２吸引口４２ａは、第１噴出口３１とほぼ対向していればよく、例えば平面投影視で（第２方向から見て）第１噴出口３１と重なる部分があればよい。
第２実施形態において、第２吸引口５７を省略してもよい。希釈ガスや反応性ガスは第１吸引口３２から吸引して排出できる。
第１吸引口３２又は第２吸引口４２ａ，５７からの吸込みによって、外部（例えば処理ハウジング１０の左右端の開口）から雰囲気ガスが導入することにより、第１噴出口３１からの反応性ガスが希釈されるようになっていてもよく、その場合、第２実施形態の第２噴出口５６及び希釈ガス供給手段６を含む希釈ガス噴出系を省略できる。
第１実施形態と第２実施形態を互いに組み合わせてもよい。例えば、第２実施形態において、被処理物Ｗの移動手段及び支持部として第１実施形態と同様のローラコンベア２０を用いてもよい。

本発明は、例えば液晶パネルなどの半導体装置の製造工程に利用可能である。

本発明の第１実施形態を示し、表面処理装置の全体構成の正面図である。 図１のII-II線に沿う、上記表面処理装置の平面図である。 図１のIII-III線に沿う、上記表面処理装置の側面断面図である。 上記表面処理装置の第１ノズル部の底面図である。 上記表面処理装置の第１ノズル部と第２ノズル部の間に被処理物が入る前の状態の拡大正面図である。 上記第１ノズル部の第１噴出口の直下に被処理物の端部が位置する状態の拡大正面図である。 被処理物の端部が上記第１噴出口の直下を少し過ぎた状態の拡大正面図である。 被処理物の中央部が第１ノズル部と対向する状態の拡大正面図である。 本発明の第２実施形態を示し、表面処理装置の正面図である。 上記第２実施形態に係る表面処理装置の図９のX-X線に沿う平面図である。 第２実施形態の変形例を示し、表面処理装置の正面図である。 ローディング効果の発生メカニズムを説明する正面図であり、（ａ）は被処理物がノズル部の下側に位置していない状態を示し、（ｂ）は被処理物の端部が処理される状態を示し、（ｃ）は被処理物の中央部が処理される状態を示す。

符号の説明

１ 表面処理装置
１ａ 処理空間
２ 反応性ガス供給源
２ａ 反応性ガス供給路
３ 第１吸引排気手段
３ａ 第１吸引排気路
４ 第２吸引排気手段
４ａ 第２吸引排気路
５ エア供給源
５ａ 浮上エア供給路
６ 希釈ガス供給源
６ａ 希釈ガス供給路
１０ 処理ハウジング
１１ 天板
１２ 底板
１３ 壁
２０ ローラコンベア（移動手段）
２１ ローラ軸
２３ ローラ
３０ 第１ノズル部
３１ 第１噴出口
３２ 第１吸引口
４０ 第２ノズル部
４１ 吸引チャンバ
４２ 吸引ノズル
４２ａ ノズル孔（第２吸引口）
５０ 浮上エアステージ（移動手段）
５１ エア噴出部
５１ａ 小孔
５２ 浮上エア供給ポート
５３ 凹部
５４ 推進コロ
５５ 第２ノズル部
５６ 第２噴出口
５７ 第２吸引口
Ｆ 反応性ガス流
Ｗ ガラス基板（被処理物）

Claims (7)

1. 反応性ガスを被処理物に噴き付けて表面処理する装置であって、
   前記反応性ガスを噴出する第１噴出口と吸引する第１吸引口が第１方向に離れて形成された第１ノズル部と、
   前記被処理物を前記第１ノズル部に対し前記第１方向に相対移動させる移動手段と、
   前記被処理物の相対移動される位置を挟んで前記第１ノズル部と前記第１方向と直交する第２方向に対向するように配置された第２ノズル部と、
   を備え、前記第２ノズル部には、前記第１ノズル部と第２ノズル部との間のガスを吸引する第２吸引口が形成され、この第２吸引口が、前記第１噴出口と前記第２方向に対向していることを特徴とする表面処理装置。
2. 前記第２吸引口が前記第１噴出口より大きく、前記第２方向から見て、前記第２吸引口の内側に前記第１噴出口が位置していることを特徴とする請求項１に記載の表面処理装置。
3. 前記第１ノズル部には、前記第１噴出口と第１吸引口が前記第１方向に１つ又は複数ずつ交互に設けられており、
   前記第２ノズル部には、前記第２吸引口が前記第１噴出口ごとに複数設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表面処理装置。
4. 前記第２ノズル部には、前記反応性ガスを希釈する希釈ガスを前記第１ノズルに向けて噴出する第２噴出口が、更に形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の表面処理装置。
5. 反応性ガスを被処理物に噴き付けて表面処理する装置であって、
   前記反応性ガスを噴出する第１噴出口と吸引する第１吸引口が第１方向に離れて形成された第１ノズル部と、
   前記被処理物を前記第１ノズル部に対し前記第１方向に相対移動させる移動手段と、
   前記被処理物の相対移動される位置を挟んで前記第１ノズル部と前記第１方向と直交する第２方向に対向するように配置された第２ノズル部と、
   を備え、前記第２ノズル部には、前記反応性ガスを希釈する希釈ガスを前記第１ノズル部に向けて噴出する第２噴出口が形成されていることを特徴とする表面処理装置。
6. 前記第２噴出口が、前記第１吸引口と前記第２方向に対向しないようにずれていることを特徴とする請求項４又は５に記載の表面処理装置。
7. 前記第１ノズル部と前記第２ノズル部の第１方向及び第２方向と直交する第３方向の端部どうし間を塞ぐように壁を設けたことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の表面処理装置。

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